半導體器件的封裝結構的製作方法

2023-05-23 15:53:16 2

本實用新型涉及一種晶片封裝結構，涉及半導體技術領域。

背景技術：

SOP封裝是一種元件封裝形式，常見的封裝材料有:塑料、陶瓷、玻璃、金屬等，現在基本採用塑料封裝.，應用範圍很廣，主要用在各種集成電路中。如圖1所示，現有的SOP封裝結構中的焊盤一般為對應於電子元器件的信號引腳獨立設置的單個的獨立的小焊盤。但是隨著產品耗電流越來越大，有些SOP封裝晶片也被用於大電流電路中，起電流轉換的作用給某些模塊供電，但是這些傳統的SOP封裝在PCB中對應的焊盤設計越來越不符合要求，因為焊盤尺寸面積太小，在承載大電流時瞬間電流非常大，電流產生的脈衝在極短時間內會將晶片擊穿，很有可能燒毀整個電路，損失非常大。傳統的SOP封裝焊盤無法承載更大電流，導致晶片的散熱不行、電路功能的不穩定、極短的時間大電流的衝擊容易損壞晶片，從而影響產品的質量。

技術實現要素：

本實用新型目的是提供一種半導體器件的封裝結構，該半導體器件的封裝結構有利於將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，提高了與PCB之間焊接的可靠性，也以便晶片在工作時快速傳導熱量，散熱效果好。

為達到上述目的，本實用新型採用的技術方案是：一種半導體器件的封裝結構，包括晶片、金屬焊盤、若干個左側引腳、若干個右側引腳和環氧樹脂包覆體，所述晶片通過絕緣膠層固定於金屬焊盤上表面的中央區域，若干個所述左側引腳並排間隔地設置於晶片的左側，若干個所述右側引腳並排間隔地設置於晶片的右側，所述金屬焊盤下部邊緣處開有第一缺口槽，所述左側引腳與金屬焊盤相向的內側端下部開有左梯形凹槽，所述右側引腳與金屬焊盤相向的內側端下部開有右梯形凹槽，所述環氧樹脂包覆體包覆於晶片、金屬焊盤、若干個左側引腳、若干個右側引腳上，所述金屬焊盤、左側引腳和右側引腳各自的下表面裸露出環氧樹脂包覆體的底部；

若干根第一金線兩端分別與晶片和左側引腳電連接，若干根第二金線兩端分別與晶片和右側引腳電連接，所述左側引腳和右側引腳各自的內側端面分別開有供填充環氧樹脂的左梯形凹槽和右梯形凹槽；所述金屬焊盤上表面沿邊緣開有一閉合的環形儲膏槽，此環形儲膏槽的截面形狀為倒梯形，此環形儲膏槽位於晶片正下方並靠近晶片的邊緣區域。

上述技術方案中進一步改進的方案如下：

1. 上述方案中，所述左側引腳、右側引腳的下表面鍍覆有金屬鍍層。

2. 上述方案中，所述金屬鍍層為錫層或者鎳鈀金層。

3. 上述方案中，所述金屬鍍層與左側引腳或者右側引腳的厚度比為1：6~12。

4. 上述方案中，所述左側引腳和右側引腳的數目均為3~10根。

由於上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點：

1. 本實用新型半導體器件的封裝結構，其金屬焊盤下部邊緣處開有第一缺口槽，左側引腳和右側引腳各自的內側端面分別開有左梯形凹槽和右梯形凹槽，位於引腳內側端面的中間區域填充有環氧樹脂，既有利於將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，也相應的增加引腳底部的面積，從而提高了與PCB之間焊接的可靠性和降低接觸電阻；其次，其晶片通過絕緣膠層固定於金屬焊盤上表面的中央區域，金屬焊盤、左側引腳和右側引腳各自的下表面裸露出環氧樹脂包覆體的底部，裸露的金屬焊盤，以便晶片在工作時快速傳導熱量，散熱效果好。

2. 本實用新型半導體器件的封裝結構，其金屬焊盤上表面沿邊緣開有一閉合的環形儲膏槽，此環形儲膏槽的截面形狀為倒梯形，此環形儲膏槽位於晶片正下方並靠近晶片的邊緣區域，有效避免了導熱絕緣膠外溢而引起的短路故障，提高了產品成品率，使得加工生產更為簡單方便，提高了集成晶片的穩定性和可靠性；其次，其左側引腳、右側引腳的下表面鍍覆有金屬鍍層，既降低了器件與PCB的導電接觸電阻，也有利於與PCB之間的焊接強度的提高。

附圖說明

附圖1為本實用新型半導體器件的封裝結構結構示意圖。

以上附圖中：1、晶片；2、金屬焊盤；3、左側引腳；4、右側引腳；5、環氧樹脂包覆體；6、絕緣膠層；7、第一缺口槽；8、左梯形凹槽；9、右梯形凹槽；15、第一金線；16、第二金線；17、金屬鍍層；18、環形儲膏槽。

具體實施方式

下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述：

實施例1：一種半導體器件的封裝結構，包括晶片1、金屬焊盤2、若干個左側引腳3、若干個右側引腳4和環氧樹脂包覆體5，所述晶片1通過絕緣膠層6固定於金屬焊盤2上表面的中央區域，若干個所述左側引腳3並排間隔地設置於晶片1的左側，若干個所述右側引腳4並排間隔地設置於晶片1的右側，所述金屬焊盤2下部邊緣處開有第一缺口槽7，所述左側引腳3與金屬焊盤2相向的內側端下部開有左梯形凹槽8，所述右側引腳4與金屬焊盤2相向的內側端下部開有右梯形凹槽9，所述環氧樹脂包覆體5包覆於晶片1、金屬焊盤2、若干個左側引腳3、若干個右側引腳4上，所述金屬焊盤2、左側引腳3和右側引腳4各自的下表面裸露出環氧樹脂包覆體5的底部；

若干根第一金線15兩端分別與晶片1和左側引腳3電連接，若干根第二金線16兩端分別與晶片1和右側引腳4電連接，所述左側引腳3和右側引腳4各自的內側端面分別開有供填充環氧樹脂的左梯形凹槽8和右梯形凹槽9；所述金屬焊盤2上表面沿邊緣開有一閉合的環形儲膏槽18，此環形儲膏槽18的截面形狀為倒梯形，此環形儲膏槽18位於晶片1正下方並靠近晶片1的邊緣區域。

上述左側引腳3、右側引腳4的下表面鍍覆有金屬鍍層17；上述金屬鍍層17為錫層或者鎳鈀金層。

上述金屬鍍層17與左側引腳3或者右側引腳4的厚度比為1：8；上述左側引腳3和右側引腳4的數目均為8根。

實施例2：一種半導體器件的封裝結構，包括晶片1、金屬焊盤2、若干個左側引腳3、若干個右側引腳4和環氧樹脂包覆體5，所述晶片1通過絕緣膠層6固定於金屬焊盤2上表面的中央區域，若干個所述左側引腳3並排間隔地設置於晶片1的左側，若干個所述右側引腳4並排間隔地設置於晶片1的右側，所述金屬焊盤2下部邊緣處開有第一缺口槽7，所述左側引腳3與金屬焊盤2相向的內側端下部開有左梯形凹槽8，所述右側引腳4與金屬焊盤2相向的內側端下部開有右梯形凹槽9，所述環氧樹脂包覆體5包覆於晶片1、金屬焊盤2、若干個左側引腳3、若干個右側引腳4上，所述金屬焊盤2、左側引腳3和右側引腳4各自的下表面裸露出環氧樹脂包覆體5的底部；

若干根第一金線15兩端分別與晶片1和左側引腳3電連接，若干根第二金線16兩端分別與晶片1和右側引腳4電連接，所述左側引腳3和右側引腳4各自的內側端面分別開有供填充環氧樹脂的左梯形凹槽8和右梯形凹槽9；所述金屬焊盤2上表面沿邊緣開有一閉合的環形儲膏槽18，此環形儲膏槽18的截面形狀為倒梯形，此環形儲膏槽18位於晶片1正下方並靠近晶片1的邊緣區域。

上述左側引腳3、右側引腳4的下表面鍍覆有金屬鍍層17。

上述金屬鍍層17與左側引腳3或者右側引腳4的厚度比為1：10；上述左側引腳3和右側引腳4的數目均為4根。

採用上述半導體器件的封裝結構時，其既有利於將引腳和金屬焊盤更加牢固的固定，也相應的增加引腳底部的面積，從而提高了與PCB之間焊接的可靠性和降低接觸電阻；其次，其以便晶片在工作時快速傳導熱量，散熱效果好；再次，其既降低了器件與PCB的導電接觸電阻，也有利於與PCB之間的焊接強度的提高。

上述實施例只為說明本實用新型的技術構思及特點，其目的在於讓熟悉此項技術的人士能夠了解本實用新型的內容並據以實施，並不能以此限制本實用新型的保護範圍。凡根據本實用新型精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護範圍之內。