晶片的加工方法
2023-05-15 05:56:26 2
專利名稱：晶片的加工方法
技術領域：
本發明涉及即使形成得 薄也容易處理的晶片的加工方法。
背景技術：
在由形成在表面上的多個交叉的分割預定線而劃分而成的各區域上形成有分立器件(個別半導體)(以下，還簡單地表述為「器件」)的晶片中，在進行了用於薄化的背面研磨之後，通過濺射或蒸鍍而將作為電極工作的金屬層形成在背面。另外，作為分立器件(個別半導體)，例如，有電晶體、二極體、電容器、M0SFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (金屬半導體場效應電晶體))、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor (絕緣柵雙極電晶體))等。公知有如下所述的方法在薄化了晶片之後形成金屬層時，為了防止晶片破損，僅對晶片背面的中央部進行薄化而形成圓形凹部，使外周剩餘區域殘留而作為加強部(參照專利文獻I)。專利文獻I日本特開2007-19379號公報例如，當將晶片薄化到50 μ m以下時，即使使用在專利文獻I中公開的方法，也很難防止處理時的晶片破損。因此，考慮在基板上貼附晶片來進行薄化，在基板貼附了晶片的狀態下，用金屬來被覆晶片背面而形成金屬層。此處，為了減少晶片破損的顧慮，在將晶片貼附在基板上的狀態下，期望沿著分基板割預定線分割晶片、或對晶片實施加工。但是，在貼附在基板上而露出金屬層的同時，表面(形成有器件的面)被貼附在上的晶片中，存在不能檢測分割預定線的位置，不能實施沿著分割預定線進行加工的問題。
發明內容
本發明的目的在於，提供晶片的加工方法，即，在減少晶片破損的顧慮的同時，能夠檢測晶片的分割預定線，沿著分割預定線對晶片實施加工。根據第I方面記載的發明，提供晶片的加工方法，在該晶片中，在由形成於表面的多個交叉的分割預定線劃分而成的各區域上形成有器件，該加工方法的特徵在於包括基板準備步驟，準備由透明體構成的基板，該基板具有貼附晶片的晶片貼附區域、圍繞該晶片貼附區域的外周剩餘區域以及形成於該外周剩餘區域的對準標記；貼附步驟，在該基板的該晶片貼附區域貼附晶片的表面而使晶片的背面露出；位置關係存儲步驟，從該基板側通過該基板對貼附在該基板上的晶片的表面進行攝像而檢測該對準標記的位置及所述分割預定線，將該對準標記與該分割預定線之間的位置關係作為位置關係信息來進行存儲；對準標記位置檢測步驟，在實施了該位置關係存儲步驟之後，從該晶片側對貼附有晶片的該基板進行攝像，檢測該對準標記的位置；以及加工步驟，根據通過該對準標記位置檢測步驟檢測到的該對準標記的位置和通過該位置關係存儲步驟存儲的該位置關係信息，從貼附在該基板上的晶片的背面側沿著該分割預定線對晶片實施加工。
根據第2方面的發明，晶片的加工方法還包括薄化步驟，在實施了所述貼附步驟之後，對貼附在該基板上的晶片的背面進行研磨來進行薄化；以及金屬被覆步驟，在實施了該薄化步驟之後，由金屬被覆晶片的背面，所述位置關係存儲步驟是在實施了該金屬被覆步驟之後實施的。根據本發明，由於在將晶片貼附在基板上的狀態下進行處理，因此能夠減少晶片破損的顧慮。由於使基板成為透明體，因此能夠在貼附在基板上的狀態下檢測晶片的分割預定線，能夠實施沿著分割預定線的晶片加工。
圖I是晶片的立體圖。圖2 (A)是示出貼附步驟的立體圖，圖2 (B)是示出在基板貼附了晶片的狀態的 立體圖。圖3是示出薄化步驟的立體圖。圖4是將晶片貼附在基板上的狀態的剖視圖。圖5是切削裝置的外觀的立體圖。圖6是說明位置關係存儲步驟的部分截面側視圖。圖7是說明位置關係存儲步驟的俯視圖。圖8是說明對準標記位置檢測步驟的部分剖視圖。圖9是關於對準步驟的說明圖。圖10是說明金屬層去除方法的部分截面側視圖。圖11是說明雷射加工裝置的改質層形成方法的部分截面側視圖。圖12 (A)是關於晶片對擴展帶的貼附的說明圖，圖12 (B)是關於基板分離的說明圖，圖12 (C)是關於器件分離的說明圖。圖13是示出對準標記的配置的其他實施方式的俯視圖。圖14是示出對準標記的配置的另一其他實施方式的俯視圖。圖15是說明利用保持臺的實施方式的剖視圖。符號說明2研磨裝置4卡盤臺6研磨磨石10雷射束照射頭11 晶片13a第I分割預定線13b第2分割預定線15 器件18金屬層21 基板27a對準標記27b對準標記
28A對準基準線31卡盤臺39載置用夾具42切削單元Θ i 角度Θ 2 角度
具體實施方式
以下，參照附圖詳細說明本發明的實施方式。圖I示出晶片11(半導體晶片11)的表面側的立體圖。圖I所示的晶片11由例如厚度為700 μ m的矽晶片構成，在表面Ila上以格子狀形成有在第I方向延伸的多個第I分割預定線(間隔道)13a和在第2方向延伸的多個第2分割預定線(間隔道)13b，並且在由該多個第I分割預定線13a和第2分割預定線13b劃分而成的多個區域分別形成有電晶體、IGBT等器件15。如上所述構成的晶片11具有形成有器件15的器件區域17、圍繞器件區域17的外周剩餘區域19。另外，在晶片11的外周形成有作為表示矽晶片的晶體取向的標記的槽口12。並且，在本發明的晶片的加工方法中，首先如圖2(A)所示，進行準備由透明體構成的基板21的基板準備步驟。基板21構成為圓盤狀，具有用於貼附同樣形成為圓盤狀的晶片I的晶片貼附區域23、和圍繞晶片貼附區域23的外周剩餘區域25。基板21由透明體構成。關於透明體的原材料，雖然不特別限定，但是例如可以考慮玻璃、丙烯酸樹脂等。在基板21的外周剩餘區域25上，在通過基板21中心的直線上，在隔著中心相反的位置上設置有對準標記27a、27b。該對準標記27a、27b用於劃定基板21與晶片11的相對位置。接著，對如上所述準備的基板21的晶片貼附區域23，實施貼附晶片11的表面而使晶片11的背面Ilb露出的貼附步驟。具體地講，如圖2(A)所示，使晶片11的表面Ila與基板I的表面21a相對，如圖2(B)所示，通過使晶片11貼附到基板21的表面21a，成為晶片11的背面Ilb露出的狀態。由於對準標記27a、27b設置在外周剩餘區域25上，因此對準標記27a、27b配置在晶片11的外側。晶片11對於基板21的貼附是通過粘接劑來粘接的。作為粘接劑，雖然不特別限定，但是優選例如使用紫外線硬化型粘接劑。特別是，從後述的基板21的分離作業的容易性的觀點考慮，優選紫外線硬化型粘接劑。由此，實施在晶片11的表面Ila上貼附基板21的貼附步驟，接著，實施研磨晶片11的背面Ilb來進行薄化的薄化步驟。在該薄化步驟中，如圖3所示，在研磨裝置2的卡盤臺4上吸引保持基板21的同時，在使研磨磨石抵接在晶片11的背面Ilb的狀態下使卡盤臺4向箭頭a的方向旋轉(例如300rpm),在使研磨磨石6向箭頭b的方向旋轉的(例如6000rpm)同時將研磨磨石向接近晶片的方向研磨進給，從而對晶片11的背面Ilb進行研磨。通過該薄化步驟，晶片11的厚度例如被設定為50 μ m、30 μ m的厚度。在實施了薄化步驟之後，如圖4所示，實施用金屬被覆晶片11的背面Ilb的金屬被覆步驟。具體地講，在晶片11的背面Ilb通過濺射、蒸鍍而被覆金屬層18。另外，關於金屬層18的原材料，雖然不特別限定，但是例如可以例舉銅、鋁、金等。在圖4中，示出在基板21的截面、和基板21的表面21a設置的對準標記27a、27b。示出在基板21的表面21a貼附有晶片11的表面11a，在該晶片11的表面Ila側形成有器件15，在各器件15之間形成有分割預定線13。另外，關於以上說明的薄化步驟、和緊隨其後的金屬被覆步驟，可以考慮在上述的貼附步驟與後述的位置關係存儲步驟之間實施。接著，實施將對準標記27a、27b與分割預定線13之間的位置關係作為位置關係信息來進行存儲的位置關係存儲步驟。圖5示出能夠作為用於實施位置關係存儲步驟的裝置來利用的切削裝置30的外觀。
在切削裝置30上設置有以可旋轉且可在向X軸方向上往返移動的方式構成的卡盤臺31。在卡盤臺31的X軸方向的移動路徑的上方配置了具有攝像單元35的對準機構34，該攝像單元35從上側對基板21和晶片11進行攝像，用於攝像對準標記27a、27b和分割預定線13a。在對準機構34的左側配設有切削單元42，該切削單元42對保持在卡盤臺31上的晶片11實施切削加工。切削單元42與對準機構34 —體地構成，兩者連動而在Y軸方向及Z軸方向上移動。切削單元42被構成為，在可旋轉的主軸44的前端安裝有切削刀46。切削刀46位於攝像單元35的X軸方向的延長線上。在切削裝置30上設置有用於控制卡盤臺31、攝像單元35、切削單元42等的控制器(未圖示)。而且，在切削裝置30上設置有用於顯示通過攝像單元35獲取的圖像的顯示監視器38 ;和用於操作員輸入必要信息的操作單元33。在如上所述構成的切削裝置30中，為了用切削裝置對作為加工對象的各晶片自動地檢測對準標記27a、27b和分割預定線13，預先進行登記作為加工對象的晶片的關鍵圖案、和登記所使用的基板21的對準標記27a、27b的訓練作業。在訓練作業中，操作員用攝像單元35來對基板21進行攝像，從顯示在顯示監視器38上的圖像檢測對準標記27a、27b，通過登記到控制器的存儲器中，從而在控制器的存儲器中存儲對準標記27a、27b的圖像。同樣，操作員用攝像單元35來對晶片進行攝像，搜索作為圖案匹配的目標的關鍵圖案。對於該關鍵圖案，例如利用器件中的電路的特徵部分。此處，在圖7中，當設在X方向(第I方向)延伸的分割預定線為第I分割預定線、在Y方向(第2方向)延伸的分割預定線為第2分割預定線時，操作員例如在A點選擇用於檢測第I分割預定線的第I關鍵圖案，登記到控制器的存儲器中，從而將關鍵圖案的圖像存儲到控制器的存儲器中。進而，操作員將與第I關鍵圖案最近的第I分割預定線13a和第I關鍵圖案之間的距離存儲在控制器的存儲器中。接著，操作員例如在C點選擇用於檢測第2分割預定線的第2關鍵圖案，登記到控制器的存儲器中，從而將第2關鍵圖案的圖像存儲在控制器的存儲器中。進而，操作員將與第2關鍵圖案最近的第2分割預定線13b和第2關鍵圖案之間的距離存儲在控制器的存儲器中。
而且，操作員通過使攝像圖像在畫面上移動，從而在第I方向、第2方向上，通過坐標值等求出分別相鄰的分割預定線與分割預定線之間的間隔、即間隔道節距，將間隔道節距的值也存儲在控制器的存儲器中。通過如上所述的訓練作業，通過用切削裝置對對準標記27a、27b、第I分割預定線、第2分割預定線進行圖案匹配，從而處於將用於自動檢測的各種信息預先存儲在控制器的存儲器中的狀態。另外，訓練作業也可以在將晶片貼附到基板之前分別單獨地對晶片和基板進行攝像來實施，也可以在將晶片貼附到基板上的狀態下如圖6所示，通過圓環狀的載置用夾具39載置在卡盤臺31上來實施。當在將晶片貼附到基板上的狀態下實施訓練作業時，也可以與訓練作業一起實施後述的位置關係存儲步驟。
並且，在預先進行了訓練操作的狀態的基礎上，實施位置關係存儲步驟。如圖6及圖7所示，在該位置關係存儲步驟中，檢測作為加工對象的基板21的對準標記27a、27b與晶片11的分割預定線13的位置關係，將檢測到的信息作為位置關係信息而存儲在控制器的存儲器中。具體地講，如圖6所示，在卡盤臺31的上部設置有圓環狀的載置用夾具9，形成被載置用夾具39圍繞的空間37。在該空間37中收納晶片11，從而將基板21載置在載置用夾具39上。此處，基板21以晶片11成為下側的方式載置在載置用夾具39上，由此，以晶片11的表面Ila(基板側的面)成為上側的方式配置。並且，通過攝像單元35從上側對基板21及晶片11進行攝像。此處，由於基板21由透明體構成，因此成為通過基板21透視觀察晶片11的表面Ila的狀態，能夠通過攝像單元35對晶片11的表面Ila進行攝像。另外，由於基板21由透明體構成，因此對於設置在基板21的表面21a上的對準標記27a、27b，也能夠通過攝像單元35來進行攝像。並且，控制器實施通過上述的訓練作業存儲的對準標記與所攝像的對準標記27a、27b的圖案匹配、以及通過訓練作業存儲的晶片的關鍵圖案與所攝像的關鍵圖案的圖案匹配。控制器檢測設置在卡盤臺31上的基板21的對準標記27a、27b的坐標值、和晶片11的A點和B點的第I關鍵圖案及C點和D點的第2關鍵圖案的坐標值，存儲在存儲器中。控制器通過連接對準標記27a、27b的中心位置，從而劃定將中心彼此作為端點連接而定義的對準基準線28A，存儲在存儲器中。另外，控制器根據晶片11的第I、第2關鍵圖案的坐標值和從在訓練作業時存儲的第I、第2關鍵圖案到第I、第2分割預定線各自的距離，劃定第I分割預定線13a及第2分割預定線13b，存儲在存儲器中。而且，控制器根據如上所述劃定的對準基準線28A和第I分割預定線13a、第2分割預定線13b，將以下的位置關係信息存儲在存儲器中。第一位置關係信息第I分割預定線13a相對於對準基準線28A的相對位置關係第二位置關係信息第2分割預定線13b相對於對準基準線28A的相對位置關係以上說明的位置關係存儲步驟，雖然是通過控制器自動進行的自動對準的例子，但是也可以通過操作員的手動操作來檢測、存儲位置關係。在如上所述的手動操作中，不需要在自動對準的實施中所需的上述的訓練作業。另外，關於位置關係存儲步驟，除了使用切削裝置以外，也可以使用顯微鏡等其他裝置來進行。
在如上所述進行的位置關係存儲步驟之後，由於從晶片的背面側沿著分割預定線實施加工，因此如圖8所示，成為倒裝了基板21的狀態，為了檢測分割預定線而實施檢測對準標記27a、27b的位置的對準標記位置檢測步驟。具體地講，通過如從圖9的狀態Jl (圖6的狀態)成為狀態J2那樣倒裝基板21，從而如圖8所示，在卡盤臺31之上以基板21成為下側、晶片11成為上側的方式載置，處於通過卡盤臺31吸引保持了基板21的狀態。此處，通過將基板21從狀態Jl倒裝成狀態J2，在位置關係存儲步驟中存儲的相對位置關係，變更為將圖9中的平面坐標作為基準。例如，當將X軸作為旋轉軸進行倒裝時，Y軸的相對位置關係，在Y軸方向上反轉。因此，在本實施方式的情況下，控制器在通過計算求出通過倒裝而變更的相對位置關係的同時，將所求出的相對位置關係，與在位置關係存儲步驟中存儲的相對位置關係進行置換，並且存儲到存儲器中。接著，控制器在從上方通過攝像單元35對基板21進行攝像的同時，通過圖案匹配 檢測圖9的狀態J2中的對準標記27a、27b的位置，並且存儲到存儲器中。在如上所述進行了對準標記位置檢測步驟之後，作為對準步驟實施根據檢測到的對準標記來檢測晶片11的分割預定線的對準。另外，能夠將該對準步驟之後的步驟定義為加工步驟。首先，如圖9的狀態J2所示，控制器通過使卡盤臺31向箭頭Rl的方向旋轉，從而如狀態J3所示，使存儲在存儲器中的對準基準線28A與X軸方向平行。如上所述，將使對準基準線28A與X軸方向平行的調整作為「第一調整」。接著，如狀態J3所示，控制器根據通過位置關係存儲步驟存儲的對準基準線28A與第I分割預定線13a的相對位置關係，使卡盤臺31向箭頭R2的方向旋轉與角度Θ I對應的角度，如狀態J4所示，使第I分割預定線13a與X軸方向平行。也就是說，進行第I分割預定線13a的X軸方向的對準。如上所述，將使第I分割預定線13a與X軸方向平行的調整作為「第二調整」。而且，控制器根據通過位置關係存儲步驟存儲的對準基準線28A與第I分割預定線13a的相對位置關係，劃定狀態J4中的第I分割預定線13a的位置，存儲到存儲器中。由此，控制器處於能夠實施沿著第I方向(第I分割預定線13a的方向)的分割預定線進行加工的狀態。同樣，控制器根據通過位置關係存儲步驟存儲的對準基準線28A與第2分割預定線13b的相對位置關係，劃定狀態J4中的第2分割預定線13b，存儲到存儲器中。由此，控制器處於能夠實施沿著第2方向(第2分割預定線13b的方向)的分割預定線進行加工的狀態。接著，如圖10所示，控制器根據存儲在存儲器中的第2分割預定線13b位置和間隔道節距的信息，將切削刀46定位於在第2方向延伸的第2分割預定線上，沿著在第2方向延伸的分割預定線13去除金屬層18。金屬層18的去除是通過如下方式來進行的處於在使切削單元42下降的位置使切削刀46高速旋轉的狀態，使卡盤臺31在X軸方向移動(圖5)。並且，將切削單元42在Y軸方向每次分度進給存儲在存儲器中的間隔道節距並進行切肖IJ，從而去除與在第2方向延伸的所有的分割預定線13的位置對應的金屬層18。接著，控制器在使卡盤臺31旋轉90°的同時，根據存儲在存儲器中的第I分割預定線13a位置和間隔道節距的信息，將切削刀46定位於在第I方向延伸的第I分割預定線上，沿著在第I方向延伸的分割預定線13去除金屬層18。接著，如圖11所示，在雷射加工裝置的卡盤臺32上載置晶片11，通過雷射束照射頭10沿著去除了金屬層18的分割預定線13照射相對於晶片11具有透過性的雷射束，從而實施在晶片11上形成改質層的改質層形成步驟。改質層形成步驟中的加工條件例如被設定為如下所述。光源YAG脈衝雷射波長1064nm平均輸出1. OW
聚光點徑1μπι重複頻率100kHz加工進給速度50mm/秒另外，雷射加工裝置具有與上述圖5所示的切削裝置30的對準機構34相同的裝置結構，從而能夠進行檢測上述晶片的分割預定線的對準，通過以能夠固定雷射束照射頭10而使卡盤臺32在Y軸方向移動的方式構成，從而與切削裝置30的情況相同，進行沿著分割預定線的加工。在如上所述完成基於雷射加工的改質層的形成之後，實施將晶片11分割為各個器件的晶片分割步驟。圖12(A)所示的擴展裝置50具有保持環狀框架F的框架保持單元52 ；以及帶擴展單元54，其對安裝在環狀框架F上的切割帶T進行擴展，該環狀框架F保持在框架保持單元52上。框架保持單元52由環狀的框架保持部件56、和配置在框架保持部件56外周的作為固定單元的多個夾具58構成。框架保持部件56的上表面形成載置環狀框架F的載置面56a,在該載置面56a上載置環狀框架F。並且，載置在載置面56a上的環狀框架F，通過夾具58而固定在框架保持單元52上。如上所述構成的框架保持單元52通過帶擴展單元54而以能夠向上下方向移動的方式支撐。帶擴展單元54具有配置在環狀的框架保持部件56內側的擴展鼓70。擴展鼓70的上端被蓋72封閉。該擴展鼓70內徑比環狀框架F的內徑小，比貼附在切割帶T上的晶片11的外徑大，該切割帶T安裝在環狀框架F上。帶擴展單元54還具有使環狀的框架保持部件56在上下方向移動的驅動單元76。該驅動單元76被構成為具有多個氣缸78，其活塞杆74與框架保持部件56的下表面連接。由多個氣缸78構成的驅動單元76，使環狀的框架保持部件6在該載置面56a處於與作為擴展鼓70上端的蓋72的表面大致相同高度的基準位置與比擴展鼓70的上端低規定量的擴展位置之間，上下方向移動。使用圖12對使用如上所述構成的擴展裝置50實施的晶片11的分割步驟進行說明。首先，如圖12(A)所示，將貼附有基板21的狀態的晶片11通過切割帶T而被支撐的環狀框架F載置在框架保持部件56的載置面56a上，通過夾具58固定在框架保持部件56上。此時，框架保持部件56定位在該載置面5a處於與擴展鼓70的上端大致相同高度的基準位置。
接著，如圖12(B)所示，通過未圖示的紫外線照射裝置對基板21進行紫外線照射，在使基板21與晶片11之間的粘接力下降的同時，使基板21從晶片11分離。由此，處於在安裝在環狀框架F上的切割帶T上殘留有晶片11的狀態。另外，晶片11與基板21的分離不限於在擴展裝置50上實施的方式，也可以在將晶片載置到擴展裝置50上之前預先將晶片11的背面側貼附在切割帶T上來安裝到環狀框架F，將基板21從晶片11上剝離。接著，驅動氣缸78而使框架保持部件56下降到圖12(C)所示的擴展位置。由此，由於固定在框架保持部件56的載置面56a上的環狀框架F下降，因此安裝在環狀框架F上的切割帶T與擴展鼓70的上端緣抵接而主要在半徑方向擴展。其結果，在貼附在切割帶T上的晶片11上以放射狀作用拉伸力。如上所述，當在晶片11上以放射狀作用拉伸力時，由於形成在分割預定線上的改質層的強度下降，因此該改質層成為分割起點，晶片11沿著改質層而被割斷，被分割為各個器件15。
在如上說明的一系列的步驟中，如圖I所示，首先，在貼附步驟中將晶片11貼附在基板21上。由此，在從圖3所示的薄化步驟開始到如圖12(A)所示的分割步驟為止的一系列的過程中，由於晶片11被貼附在基板21上，因此能夠減少晶片11破損的顧慮。而且，除了以上的實施方式以外，作為使用圖6所示的載置用夾具39的代替，例如，也可以將晶片11通過由樹脂等構成的保護片載置在卡盤臺31上、或將金屬層18直接載置在卡盤臺31上。而且，如圖13所示，除了對準標記27a、27b以外，也可以進一步將兩個對準標記27c、27d設置在基板21上。由此，除了以對準標記27a、27b為基準劃定對準基準線28A (參照圖7)以外，還能夠將對準標記27c、27d作為基準進行劃定，例如在根據對準標記27a、27b實施第I方向的對準的同時根據對準標記27c、27d實施第2方向的對準等，擴大了劃定對準基準線28A時的選擇性，能夠實現作業時間的縮短和對準精度的提高。例如，在連接了對準標記27a、27b的對準基準線28A與X軸方向存在很大的偏差時，雖然需要使卡盤臺大幅旋轉來進行角度調整，但是在如上所述的情況下，只要根據對準標記27c、27d劃定對準基準線28A即可。此外，如圖14所示，還可以考慮具有一個對準標記27e的實施方式。在該實施方式中，通過由相同長度且彼此正交的邊部分27m ·27η構成的十字狀的標記來構成對準標記27e，能夠在控制器中獲取與上述位置關係信息相同的信息。也就是說，與圖7(A)及圖7(B)的情況相同，求出以下的位置關係。第一位置關係信息第I分割預定線13a相對於邊部分27m的相對位置關係第二位置關係信息第2分割預定線13b相對於邊部分27η的相對位置關係另外，在圖14所示的對準標記27e的例子中，雖然為十字狀的標記形狀，但是並不限定於該例。即、只要是定義了與作為十字狀標記的情況相同的位置關係信息的標記形狀即可，例如可以考慮多邊形、具有作為基準的切口部的圓形等。作為位置關係信息定義的信息，不限定於上述例子。即、在之後進行的加工步驟中，如果能夠根據對準標記劃定分割預定線13，則不特別限定。例如，在圖7中，也可以將第I分割預定線13a與第2分割預定線13b的交點作為晶片中心，根據該晶片中心與對準基準線28A的中點之間的相對位置關係定義位置關係信息。
另外，如圖6所不，關於基板21的厚度方向D的對準標記27a、27b的位置，除了設置在表面21a以外，也可以設置在背面21b、或者基板21的厚度方向的中途部。也就是說，只要能夠通過基板對對準標記27a、27b進行攝像，則不限定基板21的厚度方向D的對準標記27a、27b的位置。另外，在圖6中，除了通過攝像單元35從上側進行攝像以外，如圖15所示，也可以在具有由透明體構成的保持部62、和支撐保持部62的框體63的保持臺60上保持基板21，從保持臺60的下側通過保持部62和基板21，通過攝像單元35A對對準標記27a、27b和第I分割預定線13a進行攝像，檢測各自的位置。另外，在保持部62上形成有未圖示的真空管路，能夠吸引保持基板21等被加工物。而且，在以上說明的實施方式中，如圖10和圖11所示，雖然通過基於切削刀的切削加工和雷射加工這兩個階段，處於能夠分割晶片11的狀態，但是也可以通過圖10所示的 切削單元42的切削刀46，到晶片11被分割為止進行全切，在使用相對於金屬層具有吸收性的波長的雷射束去除了分割預定線上的金屬之後，使用對晶片具有透過性的波長的雷射束來形成改質層。
權利要求
1.一種晶片的加工方法，在該晶片中，在由形成於表面的多個交叉的分割預定線劃分而成的各區域上形成有器件， 該加工方法的特徵在於包括 基板準備步驟，準備由透明體構成的基板，該基板具有貼附晶片的晶片貼附區域、圍繞該晶片貼附區域的外周剩餘區域以及形成於該外周剩餘區域的對準標記； 貼附步驟，在該基板的該晶片貼附區域貼附晶片的表面而使晶片的背面露出； 位置關係存儲步驟，從該基板側通過該基板對貼附在該基板上的晶片的表面進行攝像而檢測該對準標記的位置及所述分割預定線，將該對準標記與該分割預定線之間的位置關係作為位置關係信息來進行存儲； 對準標記位置檢測步驟，在實施了該位置關係存儲步驟之後，從該晶片側對貼附有晶片的該基板進行攝像，檢測該對準標記的位置；以及 加工步驟，根據通過該對準標記位置檢測步驟檢測到的該對準標記的位置和通過該位置關係存儲步驟存儲的該位置關係信息，從貼附在該基板上的晶片的背面側沿著該分割預定線對晶片實施加工。
2.根據權利要求I所述的晶片的加工方法，其特徵在於， 該加工方法還包括 薄化步驟，在實施了所述貼附步驟之後，對貼附在該基板上的晶片的背面進行研磨來進行薄化；以及 金屬被覆步驟，在實施了該薄化步驟之後，由金屬來被覆晶片的背面， 所述位置關係存儲步驟是在實施了該金屬被覆步驟之後實施的。
全文摘要
本發明提供在減少晶片破損的顧慮的同時，能夠檢測晶片的分割預定線，沿著分割預定線對晶片實施加工的晶片的加工方法。該加工方法包括將對準標記與分割預定線之間的位置關係作為位置關係信息來進行存儲位置關係存儲步驟；在實施了位置關係存儲步驟之後，從晶片側對貼附有晶片的基板進行攝像，檢測對準標記的位置的對準標記位置檢測步驟；根據通過對準標記位置檢測步驟檢測的對準標記的位置和通過位置關係存儲步驟存儲的位置關係信息，從貼附在基板上的晶片的表面側沿著分割預定線對晶片實施加工的加工步驟。
文檔編號H01L21/66GK102842494SQ201210212160
公開日2012年12月26日 申請日期2012年6月21日 優先權日2011年6月23日
發明者關家一馬 申請人:株式會社迪思科