用於製造電子組件的方法與流程

2023-05-15 05:45:31

本發明涉及根據專利權利要求1的用於製造電子組件的方法。

該專利申請要求享有德國專利申請de102015102300.8的優先權，其公開內容據此通過引用被併入。

背景技術：

在電子組件的製造期間，通常施加電氣絕緣的鈍化層，並且在後續過程步驟期間在預定位置處將它們再次打開。已知各種方法用於該目的。

技術實現要素：

本發明的目的是規定一種用於製造電子組件的方法。該目的藉助於包括權利要求1的特徵的方法來實現。各種發展在從屬權利要求中規定。

一種用於製造電子組件的方法包括用於以下的步驟：提供包括第一區和鄰接第一區的第二區的表面；在表面的第一區上方布置犧牲層；在犧牲層和表面的第二區上方布置鈍化層；在表面的第一區上方的鈍化層中創建開口；以及移除布置在第一區上方的鈍化層的部分和犧牲層。

該方法提供以下優點：鈍化層中的開口不需要以高精度關於表面的第一區居中或對準。作為結果，該方法可簡單、成本有效和快速地實施。根據本發明憑藉以下事實使在鈍化層中定位開口所要求的低精度是可能的：表面的第一區的精確位置由犧牲層的位置而不是由鈍化層中的開口的位置限定。通過鈍化層中的開口，僅僅必要的是提供到犧牲層的接入，以便能夠移除犧牲層。

鈍化層被創建具有小於第一區的開口區域。這有利地使得以下是可能的：即使開口在鈍化層中的定位以相對低的精度實施，也以簡單的方式確保鈍化層中的開口完全布置在表面的第一區上方。

在該方法的一個實施例中，在鈍化層中創建開口包括用於以下的步驟：在鈍化層上方布置光致抗蝕劑層，在表面的第一區上方的光致抗蝕劑層中創建開口，以及移除布置在光致抗蝕劑層中的開口下方的鈍化層的部分。在這種情況下，該方法附加地包括用於移除光致抗蝕劑的另外的步驟。由於在鈍化層中創建開口不需要在開口在鈍化層中的定位期間以非常高的精度實施，因此光致抗蝕劑層中的開口也可以在定位期間以不非常高的精度創建。這有利地使得以簡單、快速和成本有效的方式實施該方法是可能的。

在該方法的一個實施例中，在布置犧牲層之前，將導電層布置在表面的第一區上方或表面的第一區和第二區上方。導電層可以例如充當通過其來電氣接觸可由該方法獲得的電子組件的組成部分的電氣接觸件。有利地，使得導電層通過藉助於該方法在表面的第一區上方創建的鈍化層中的開口可接入。

在該方法的一個實施例中，在布置鈍化層之前，移除第二區中的表面的一部分。作為結果，在表面的第二區上方升高的表面的區可以保留在表面的第一區中。

在該方法的一個實施例中，表面是半導體主體的表面。在這種情況下，半導體主體可以包括例如集成光電子電路或組成部分。

在該方法的一個實施例中，雷射組件的波導結構在表面的第一區中形成。該方法有利地使得以下是可能的：在雷射部件的波導結構上方以高精度布置鈍化層和鈍化層中的開口，使得雷射組件的波導結構的側壁被鈍化層覆蓋，並且鈍化層中的開口布置在雷射組件的波導結構的頂側上方，作為其結果，使得雷射組件的電氣接觸是可能的。在這種情況下，雖然鈍化層中的開口最初僅需要以不非常高的精度關於表面的第一區對準，但是該方法導致鈍化層和鈍化層中的開口關於雷射組件的波導結構的精確對準。

在該方法的一個實施例中，在布置鈍化層之前，在犧牲層上方布置覆蓋層。在這種情況下，在鈍化層中創建開口之後，還移除布置在鈍化層中的開口下方的覆蓋層的部分。覆蓋層可以有利地在電子組件的製造期間執行另外的任務。舉例來說，覆蓋層可以在電子組件的製造期間充當蝕刻掩模。而且，覆蓋層可以促進在鈍化層中創建開口，而不在該過程中損壞可能布置在表面上的導電層。

在該方法的一個實施例中，在布置鈍化層之前，移除犧牲層的一部分。在這種情況下，舉例來說，可以溶解布置在覆蓋層下方的犧牲層的一部分。然後可以有利地通過鈍化層來填充作為溶解犧牲層的所述部分的結果而產生的自由空間。作為結果，鈍化層可以形成布置在犧牲層下方的層的頂側上（例如，布置在犧牲層下方的導電層的頂側上）的圓周環。

在該方法的一個實施例中，覆蓋層由包括sio2、sin、tiwn、光致抗蝕劑或金屬的材料創建。有利地，已經證明這些材料是合適的。

在該方法的一個實施例中，犧牲層還布置在表面中的第三區上方，所述第三區與第一區間隔開。在這種情況下，鈍化層還布置在表面中的第三區上方。然而，在表面的第三區上方，在鈍化層中不創建開口。這使得在表面的第三區上方形成升高的結構是可能的，所述第三區與第一區間隔開，所述升高的結構被鈍化層覆蓋。在可通過該方法獲得的電子組件的情況下，所述升高的結構可以例如充當機械支撐結構和/或充當機械停止件以用於保護可通過該方法獲得的電子組件的組成部分，所述組成部分形成在表面的第一區中。

在該方法的一個實施例中，犧牲層由包括zno、al2o3、tiwn、sio或光致抗蝕劑的材料創建。有利地，已經發現，包括這樣的材料的犧牲層相對於可用於在鈍化層中創建開口的幹法蝕刻過程是穩定的，並且同時可通過溼法化學蝕刻過程容易地蝕刻，這實現犧牲層的簡單移除。

在該方法的一個實施例中，犧牲層被創建具有10nm和1μm之間的厚度，優選地被創建具有50nm和500nm之間的厚度。這有利地使得利用鈍化層可靠地覆蓋犧牲層是可能的。同時，犧牲層的這樣的厚度使得在該方法期間可靠地移除犧牲層是可能的。

在該方法的一個實施例中，鈍化層藉助於氣相沉積方法創建，特別地藉助於化學氣相沉積或藉助於原子層沉積創建。這些方法有利地使得以良好的二次模塑創建鈍化層是可能的，作為其結果，實現通過鈍化層對較深層的可靠覆蓋。

在該方法的一個實施例中，鈍化層由包括sin、sio、tao、zro、alo或ito的材料創建。在這種情況下，ito表示氧化銦錫。有利地，這樣的材料在其沉積期間提供良好的二次模塑，特別是豎直或傾斜表面的良好二次模塑。而且，包括這樣的材料的鈍化層可以通過幹法化學蝕刻過程而良好地蝕刻，並且同時相對於諸如可以用於移除犧牲層的溼法化學蝕刻過程是穩定的。而且，包括這樣的材料的鈍化層提供良好的電氣絕緣和低的光學吸收。

在該方法的一個實施例中，鈍化層被創建具有1nm和10μm之間的厚度，優選地被創建具有10nm和2μm之間的厚度。有利地，已經證明這種厚度的鈍化層是權宜的。

在該方法的一個實施例中，移除鈍化層的部分通過幹法化學蝕刻，特別地使用氟、氯或氬來實施。有利地，這樣的蝕刻方法實現鈍化層的簡單蝕刻，其中犧牲層僅在小的程度上受到攻擊。

在該方法的一個實施例中，移除犧牲層通過溼法化學蝕刻，特別地使用hcl或koh來實施。有利地，這樣的蝕刻方法實現犧牲層的可靠蝕刻，其中鈍化層僅在小的程度上受到攻擊。

附圖說明

結合示例性實施例的以下描述，該發明的以上描述的性質、特徵和優點以及實現它們所用的方式將變得更清楚和被更清楚地理解，結合附圖更詳細地解釋所述示例性實施例。在此，在每一種情況下的示意性圖示中：

圖1示出具有布置在其表面的第一區上方的犧牲層的半導體主體的截面側視圖；

圖2示出具有布置在犧牲層和表面的第二區上方的鈍化層的半導體主體；

圖3示出具有布置在鈍化層上方的光致抗蝕劑層的半導體主體，所述光致抗蝕劑層包括第一區上方的開口；

圖4示出具有在鈍化層中創建的開口的半導體主體；

圖5示出在溶解犧牲層的過程之後的半導體主體；

圖6示出在移除光致抗蝕劑層的過程之後由半導體主體製造的電子組件的截面側視圖；

圖7示出具有布置在其表面的第一區上方的導電層並且具有布置在導電層上方的犧牲層的半導體主體的截面側視圖；

圖8示出在施加鈍化層和光致抗蝕劑層的過程以及在光致抗蝕劑層和鈍化層中創建開口的過程之後的半導體主體；

圖9示出在溶解犧牲層的過程之後的半導體主體；

圖10示出在剝離光致抗蝕劑層的過程之後由半導體主體形成的電子組件的一部分的截面側視圖；

圖11示出在移除光致抗蝕劑層的過程之後但在溶解犧牲層的過程之前的具有布置在犧牲層上方的鈍化層的半導體主體的截面側視圖；

圖12示出具有布置在其表面上方的導電層並且具有布置在導電層上方的第一區中的犧牲層的半導體主體的截面側視圖；

圖13示出在施加鈍化層和光致抗蝕劑層的過程以及在光致抗蝕劑層和鈍化層中創建開口的過程之後的半導體主體的截面側視圖；

圖14示出在溶解犧牲層的過程和移除光致抗蝕劑層的過程之後由半導體主體形成的電子組件的示意性截面側視圖；

圖15示出具有布置在其表面的第一區上方的層堆疊的半導體主體的示意性側視圖，所述層堆疊包括導電層、犧牲層和覆蓋層；

圖16示出在施加鈍化層和光致抗蝕劑層的過程以及在光致抗蝕劑層和鈍化層中創建開口的過程之後的半導體主體；

圖17示出在溶解犧牲層的過程之後的半導體主體；

圖18示出在移除光致抗蝕劑層的過程之後由半導體主體形成的電子組件的截面側視圖；

圖19示出具有布置在其表面的第一區上方的層堆疊的半導體主體的示意性側視圖，所述層堆疊包括導電層、犧牲層和覆蓋層；

圖20示出在移除第二區中的半導體主體的一部分的過程之後的半導體主體；

圖21示出在施加鈍化層和光致抗蝕劑層的過程以及在光致抗蝕劑層中創建開口的過程之後的半導體主體；

圖22示出在鈍化層中創建開口的過程和溶解犧牲層的過程之後的半導體主體；

圖23示出在移除光致抗蝕劑層的過程之後由半導體主體形成的電子組件的截面側視圖；

圖24示出在移除犧牲層的一部分的過程之後，具有布置在其表面的第一區上方的層堆疊的半導體主體的示意性側視圖，所述層堆疊包括導電層、犧牲層和覆蓋層；

圖25示出在施加鈍化層和光致抗蝕劑層的過程和在光致抗蝕劑層中創建開口的過程之後的半導體主體；

圖26示出在鈍化層和覆蓋層中創建開口的過程和溶解犧牲層的過程之後的半導體主體；

圖27示出在移除光致抗蝕劑層的過程之後由半導體主體形成的電子組件的截面側視圖；

圖28示出其中層堆疊分別布置在表面的第一區和第三區上方的半導體主體的截面側視圖；

圖29示出在施加鈍化層的過程之後的半導體主體；

圖30示出在施加光致抗蝕劑層的過程以及在半導體主體的表面的第一區上方的光致抗蝕劑層中創建開口的過程之後的層堆疊；

圖31示出在鈍化層中創建開口的過程以及溶解半導體主體的表面的第一區上方的犧牲層的過程之後的半導體主體；以及

圖32示出在移除光致抗蝕劑層的過程之後由半導體主體形成的電子組件的截面側視圖。

具體實施方式

圖1示出半導體主體100的示意性截面側視圖。半導體主體100可以例如配置為晶片，並且可以包括例如不同半導體材料和/或集成電子組成部分或電路的層序列。半導體主體100可以被提供例如用於製造光電子組件，特別地例如用於製造雷射組件。

半導體主體100包括表面101。半導體主體100的表面101包括第一區110和鄰接第一區110的第二區120。在圖1中示意性地圖示的示例中，表面101的第一區110以孤立的方式進行配置並且由第二區120圍封。然而，第一區110還可以例如以條帶形方式進行配置並且由兩側的第二區120定界。

犧牲層200已經被布置在半導體主體100的表面101的第一區110上方。在這種情況下，犧牲層200覆蓋表面101的整個第一區110，但不覆蓋第二區120。作為結果，犧牲層200限定第一區110。表面101的第一區110是被犧牲層200覆蓋的半導體主體100的表面101的那個區。

犧牲層200包括可以藉助於溼法化學蝕刻方法在稍後的處理步驟中被溶解的材料。犧牲層200可以包括例如包括zno、al2o3、tiwn、sio或光致抗蝕劑的材料。然而，其他材料也是可能的。犧牲層200可以已經例如通過光刻方法或藉助於蔭罩而被施加在半導體主體100的表面101的第一區110上。犧牲層200包括垂直於半導體主體100的表面101測量的厚度201。厚度201可以例如在10nm和1μm之間，特別地例如在50nm和500nm之間。

圖2示出在時間上繼圖1中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

鈍化層300已經被布置在犧牲層200上方和半導體主體100的表面101的第二區120上方。鈍化層300完全覆蓋犧牲層200和表面101的第二區120，並且還覆蓋在犧牲層200的邊緣處形成的臺階。為此目的，通過展現出良好的二次模塑的沉積方法例如通過氣相沉積，特別地例如通過化學氣相沉積或通過原子層沉積來施加鈍化層300。

鈍化層300包括電氣絕緣材料。如果半導體主體100被提供用於製造光電子組件，則可以選擇鈍化層300的材料以使得其包括低光學吸收。而且，選擇鈍化層300的材料以使得其可以通過幹法化學蝕刻方法而在隨後的處理步驟中很好地溶解，但是相對於用於溶解犧牲層200的溼法化學蝕刻方法是穩定的。鈍化層可以包括例如包含sin、sio、tao、zro、alo或ito（氧化銦錫）的材料。

鈍化層300包括垂直於半導體主體100的表面101測量的厚度301。厚度301可以例如在1nm和10μm之間，特別地例如在10nm和2μm之間。如果鈍化層300的厚度301不超過犧牲層200的厚度201的十倍則是權宜的。

圖3示出在時間上繼圖2中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

光致抗蝕劑層400已經被布置在鈍化層300上方。此後，光致抗蝕劑層400中的開口410已經在半導體主體100的表面101的第一區110上方創建。鈍化層300的部分310暴露在光致抗蝕劑層400中的開口410中。

在光致抗蝕劑層400中創建的開口410包括小於半導體主體100的表面101的第一區110的面積的開口面積。布置在光致抗蝕劑層400中的開口410被布置在半導體主體100的表面101的第一區110上方，但不需要關於第一區110的邊界對準或者在第一區110的中心上方居中。舉例來說，光致抗蝕劑層400的開口410的邊緣可以在與半導體主體100的表面101平行的方向上與半導體主體100的表面101的第一區110的邊緣間隔開近似10μm。這使得以下是可能的：通過可簡單、快速且成本有效地實施並且與相對大的對準容差相關聯的方法在光致抗蝕劑層400中創建開口410。

圖4示出在時間上繼圖3中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

鈍化層300中的開口311已經在半導體主體100的表面101的第一區110上方創建。為此目的，暴露在光致抗蝕劑層400的開口410中的鈍化層300的部分310已經通過光致抗蝕劑層400的開口410移除。在這種情況下，犧牲層200的部分210暴露在鈍化層300中的開口311的底部處。

在鈍化層300中創建開口311通過幹法化學蝕刻，特別地使用氟、氯或氬來實施。在這種情況下，沒有暴露在光致抗蝕劑層400中的開口410中的鈍化層300的部分受到光致抗蝕劑層400保護以防蝕刻。幹法化學蝕刻以使得犧牲層200基本上沒有受到攻擊這樣的方式來實施。優選地，犧牲層200包括比鈍化層300的材料相對於幹法化學蝕刻方法更加蝕刻穩定的材料。

在鈍化層300中創建的開口311包括可以近似對應於光致抗蝕劑層400中的開口410的開口面積的開口面積312，並且因此小於半導體主體100的表面101的第一區110的面積，並且因此還小於犧牲層200的面積。

在參照圖3和圖4解釋的方法步驟中，將具有布置在光致抗蝕劑層400中的開口410的光致抗蝕劑層400用作用於在鈍化層300中創建開口311的蝕刻掩模。可替換地，可能的是免除光致抗蝕劑層400並且使用蔭罩在鈍化層300中創建開口311。憑藉以下事實使得這是可能的：要在鈍化層300中創建的開口311的開口面積312小於半導體主體100的表面101的第一區110的面積，並且不需要關於邊緣或關於半導體主體100的表面101的第一區110的中心精確地對準。

圖5示出在時間上繼圖4中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

可通過光致抗蝕劑層400中的開口410和鈍化層300中的開口311接入的犧牲層200已經通過溼法化學蝕刻移除。舉例來說，可以已在溼法化學蝕刻中使用hcl或koh。半導體主體100和鈍化層300未受到溼法化學蝕刻的攻擊，或僅在非常小的程度上被攻擊。

由於鈍化層300中的開口311的開口面積312小於第一區110和犧牲層200的面積，因此鈍化層300在溶解犧牲層200的過程期間已經被部分地底切。布置在半導體主體100的表面101的第一區110上方的鈍化層300的部分在溶解犧牲層200的過程之後是自支撐的，並且僅在半導體主體100的表面101的第一區110和第二區120之間的過渡區中，所述部分連接到鈍化層300的在第二區120中固定地連接到半導體主體100的表面101的部分。在隨後的方法步驟中，所述過渡區形成鈍化層300的自支撐部分在其處斷掉的預定斷裂位置。

圖6示出在時間上繼圖5中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。作為進一步處理的結果，已經從半導體主體100形成電子組件10，但是所述電子組件在圖6中圖示的處理狀態中可能仍舊未完成。

光致抗蝕劑層400已經被移除。在這種情況下或在另外的方法步驟期間，機械負載已經被施加在半導體主體100上，作為所述機械負載的結果，布置在半導體主體100的表面101的第一區110上方的鈍化層300的自支撐部分已經在以上描述的預定斷裂位置處斷掉，並且從而被移除。作為結果，在圖6中圖示的處理狀態中的電子組件10的情況下，半導體主體100的表面101在第一區110中完全暴露，而其在第二區120中完全被鈍化層300覆蓋。

在第一區110中暴露的半導體主體100的表面101可以例如用於電氣接觸電子組件10。為此目的，舉例來說，在隨後的處理步驟中，導電層可以布置在半導體主體100的表面101上的第一區110中。

以下描述參照圖1至6解釋的方法的數個變型。在這種情況下，基本上僅解釋與根據圖1至6的方法的偏離。對於其餘部分，以下描述的方法對應於根據圖1至6的方法，特別是關於所使用的過程和材料。對於對應的組成部分，在以下描述的附圖中使用與圖1至6中相同的參考符號。另外，根據圖1至6的方法的以下描述的變型的特徵也可以與彼此任意地組合，倘若這不由於邏輯上確鑿的不兼容性而被排除的話。

圖7示出根據該方法的一個變型的包括包含第一區110和第二區120的表面101的半導體主體100的示意性截面側視圖。導電層500布置在表面101的第一區110上方。犧牲層200布置在導電層500上方。導電層500和犧牲層200在每種情況下被定界到表面101的第一區110並且從而限定第一區110。然而，導電層500還可能以比犧牲層200和第一區110更窄或更寬的方式形成。導電層500和犧牲層200可以與彼此共同或分離地結構化。

導電層500可以包括例如金屬，例如ti、pt、au、pd、ni、ito、al、ag、zn或cr。導電層500還可以包括多個金屬層。導電層500還可以包括一些其他的導電材料。

導電層500和犧牲層200可以共同地包括在10nm和100μm之間（特別地例如在100nm和5μm之間）的厚度。

圖8示出在時間上繼圖7中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

鈍化層300和光致抗蝕劑層400已經被布置在犧牲層200上方和半導體主體100的表面101的第二區120上方。此後，在光致抗蝕劑層400中創建了開口410，並且在鈍化層300中創建了開口311，使得犧牲層200的部分210然後暴露在鈍化層300的開口311中。

圖9示出在時間上繼圖8中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

犧牲層200已經通過光致抗蝕劑層400中的開口410和鈍化層300中的開口311溶解。在這種情況下，導電層500已經保留在半導體主體100的表面101的第一區110上方。

圖10示出在時間上繼圖9中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。電子組件10已經由半導體主體100形成，所述電子組件在圖10中圖示的處理狀態中可能仍舊未完成。

光致抗蝕劑層400已經從鈍化層300的頂側移除。在這種情況下或在另外的處理步驟期間，突出越過半導體主體100的表面101的第一區110的鈍化層300的部分已經被移除。作為結果，導電層500然後暴露在半導體主體100的表面101的第一區110上方。半導體主體100的表面101的第二區120被鈍化層300覆蓋，其精確地鄰接布置在第一區110上方的導電層500。

在電子組件10中，導電層500可以例如用於電氣接觸。

圖11示出根據可替換的過程的在時間上繼圖8中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

在圖11中圖示的處理狀態中，在溶解犧牲層200的過程之前，已經從鈍化層300的頂側移除光致抗蝕劑層400。在時間上繼圖11中的圖示之後的處理步驟中，犧牲層200可以然後通過鈍化層300中的開口311被溶解。在這種情況下或在另外的處理步驟期間，機械負載被施加在半導體主體100和鈍化層300上，作為其結果，突出越過半導體主體100的表面101的第一區110的鈍化層300的部分被移除。該處理的結果對應於圖10中示出的處理狀態。

圖12示出根據該方法的另一變型的、包括包含第一區110和第二區120的表面101的半導體主體100的示意性截面側視圖。在圖12中示出的變型中，導電層500在第一區110和第二區120二者中覆蓋半導體主體100的表面101。犧牲層200在導電層500上布置在半導體主體100的表面101的第一區110上方，並且從而限定第一區110。

圖13示出繼圖12中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

鈍化層300和光致抗蝕劑層400已經被布置在犧牲層200上方和半導體主體100的表面101的第二區120上方的導電層500上方。此後，開口410形成在光致抗蝕劑層400中並且開口311形成在表面101的第一區110上方的鈍化層300中，使得然後暴露犧牲層200的部分210。

圖14示出在時間上繼圖13中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。電子組件10已經由半導體主體100形成，所述電子組件在圖14中示出的處理狀態中可能仍舊未完成。

犧牲層200通過鈍化層300的開口311溶解。而且，從鈍化層300的頂側移除光致抗蝕劑層400。另外，移除在溶解犧牲層的過程之後以自支撐的方式在表面101的第一區110上方突出的鈍化層300的部分。作為結果，在電子組件10的情況下，導電層500在半導體主體100的表面101的第一區110上方暴露，而其在表面101的第二區120上方被鈍化層300覆蓋。到形成在表面101的第一區110上方的導電層500的接入可以例如用於電氣接觸電子組件10。

圖15示出根據該方法的另一變型的包括包含第一區110和第二區120的表面101的半導體主體100的示意性截面側視圖。導電層500、犧牲層200和覆蓋層600已經連續地布置在表面101的第一區110上方。覆蓋層600完全覆蓋犧牲層200。犧牲層200和覆蓋層600共同地限定表面101的第一區110。在圖15中示出的示例中，導電層500同樣被限制到第一區110，儘管這不是絕對必要的。

覆蓋層600包括通過用於在鈍化層300中創建開口311的幹法化學蝕刻方法可良好蝕刻的材料。覆蓋層600的材料此外還可以通過用於溶解犧牲層200的溼法化學蝕刻方法可蝕刻，但也可以相對於所述蝕刻方法是有抵抗力的。覆蓋層600可以包括例如包含sio、sin、tiwn、光致抗蝕劑或金屬的材料。

圖16示出在時間上繼圖15中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

鈍化層300和光致抗蝕劑層400已經布置在覆蓋層600上方和表面101的第二區120上方。此後，在光致抗蝕劑層400中創建了開口410並且在鈍化層300中創建了開口311。而且，在鈍化層300中創建開口311的過程之後，在覆蓋層600中創建開口610，所述開口610以基本上齊平的方式與鈍化層300的開口311鄰近並且暴露犧牲層200的部分210。在覆蓋層600中創建開口610可能已經通過與用於在鈍化層300中創建開口311相同的幹法化學蝕刻過程實施。然而，在鈍化層300中創建開口311和在覆蓋層600中創建開口610也可以通過不同的蝕刻過程實施。

圖17示出在時間上繼圖16中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

犧牲層200已經通過光致抗蝕劑層400、鈍化層300和覆蓋層600中的開口410、311、610移除。作為結果，布置在其上的鈍化層300的部分和覆蓋層600的部分以自支撐的方式在布置於表面101的第一區110上方的導電層500上方突出。

圖18示出在時間上繼圖17中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。電子組件10已經由半導體主體100形成，所述電子組件在圖18中圖示的處理狀態中可能仍舊未完成。

光致抗蝕劑層400已經從鈍化層300的頂側移除。在這種情況下或在另外的處理步驟期間，第一區110上方的鈍化層300的自支撐部分和附著於其的覆蓋層600的部分已被移除。作為結果，在電子組件10的情況下，導電層500在半導體主體100的表面101的整個第一區110上方暴露。鈍化層300布置在表面101的第二區120的上方。暴露在半導體主體100的表面101的第一區110上方的導電層500可以例如用於電氣接觸電子組件10。

圖19示出根據該方法的另一變型的包括包含第一區110和第二區120的表面101的半導體主體100的示意性截面側視圖。再一次，導電層500、犧牲層200和覆蓋層600一個在另一個上方地布置在表面101的第一區110上方。

圖20示出在時間上繼圖19中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

表面101的第二區120中的半導體主體100的表面101的部分125已經被移除。移除第二區120中的表面101的部分125可能已經例如通過幹法化學蝕刻方法，特別地通過使用氯的幹法化學蝕刻方法實施了。

在移除第二區120中的表面101的部分125期間，布置在表面101的第一區110上方的覆蓋層600充當蝕刻掩模，並且從而防止移除表面101的第一區110中的半導體主體100的材料。作為結果，半導體主體100的表面101現在在第一區110中升高到第二區120中的表面101上方。在第一區110和第二區120之間的邊界處，表面101的升高部分包括基本垂直的側壁。

在表面101的第一區110中的表面101的升高區可以形成例如待由半導體主體100製造的雷射組件的波導結構115。在這種情況下，半導體主體100包括波導結構115的區中的半導體層序列，所述半導體層序列形成雷射二極體。

免除覆蓋層600也將是可能的。在這種情況下，犧牲層200可以在移除表面101的第二區120中的部分125期間充當蝕刻掩模。

圖21示出在時間上繼圖20中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

鈍化層300已經布置在覆蓋層600上方並且在表面101的第二區120上方。鈍化層300還覆蓋形成在半導體主體100的表面101的第一區110和第二區120之間的過渡區中的波導結構115的垂直側壁。光致抗蝕劑層400已經布置在鈍化層300上方。光致抗蝕劑層400中的開口410已經在表面101的第一區110上方創建，作為其結果，已經暴露鈍化層300的部分310。

圖22示出在時間上繼圖21中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

開口311和開口610已經在鈍化層300和覆蓋層600中創建。此後，犧牲層200已經被溶解。

圖23示出在時間上繼圖22中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。電子組件10已經由半導體主體100形成，其在圖23中的圖示中可能仍然未完成。電子組件10可以是例如雷射組件。

從圖22中示出的處理狀態繼續，光致抗蝕劑層400已經從鈍化層300的頂側移除。在這種情況下或在另外的處理步驟期間，在表面101的第一區110上方突出的鈍化層300的部分和附著於其的覆蓋層600的部分已經被移除。作為結果，在電子組件10的情況下，導電層500然後在表面101的第一區110中的整個波導結構115上方暴露，這實現電子組件10的電氣接觸。半導體主體100的表面101的第二區120和形成在第一區110和第二區120之間的邊界處的波導結構115的側壁被鈍化層300覆蓋。

圖24示出根據該方法的另一變型的包括包含第一區110和第二區120的表面101的半導體主體100的示意性截面側視圖。導電層500、犧牲層200和覆蓋層600已經一個在另一個上方地布置在表面101的第一區110上方。

此後，圍封在導電層500和覆蓋層600之間的犧牲層200的部分220被橫向溶解。溶解部分220的過程可能例如已經通過溼法化學蝕刻方法（例如使用hcl或koh）實施。作為溶解犧牲層200的部分220的過程的結果，犧牲層200然後包括在平行於半導體主體100的表面101的方向上比導電層500和覆蓋層600稍微更小的面積。

圖25示出在時間上繼圖24中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

再一次，在第二區120中的半導體主體100的表面101的部分125被移除，以便在第一區110中形成波導結構115。

此後，鈍化層300已經布置在覆蓋層600上方並且在半導體主體100的表面101的第二區120上方。在這種情況下，鈍化層300還填充作為溶解犧牲層200的部分220的過程的結果而出現的在導電層500與覆蓋層600之間的自由空間，並且在那裡形成圍繞犧牲層200延伸的環320。此後，光致抗蝕劑層400被布置在鈍化層300上方並且在表面101的第一區110上方設有開口410。

圖26示出在時間上繼圖25中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

在鈍化層300和覆蓋層600中創建了開口311和610。此後，犧牲層200已經被溶解。

圖27示出在時間上繼圖26中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。電子組件10已經由半導體主體100形成，所述電子組件在圖27示出的處理狀態中可能仍舊不完整。電子組件10可以是例如雷射組件。

從圖26中示出的處理狀態繼續，光致抗蝕劑層400已經從鈍化層300移除。在這種情況下或在另外的處理步驟期間，在第一區110上方突出的鈍化層300的部分和附著於其的覆蓋層600的部分已經被分離和移除。然而，在這種情況下，布置在導電層500的邊緣區中在導電層500的頂側上方的鈍化層300的環320已被部分地保留。作為結果，在電子組件10中，鈍化層300的環320在波導結構115上方的導電層500的頂側上形成圓周邊緣。作為結果，在電子組件10的情況下，有利地確保通過鈍化層300對波導結構115的側壁的特別可靠的覆蓋。

圖28示出根據該方法的另一變型的包括表面101的半導體主體100的示意性截面側視圖。除了第一區110和鄰接第一區110的第二區120之外，在圖28中示出的示例中，表面101包括兩個第三區130，其布置在第一區110旁邊的兩側上並且通過第二區120的部分與第一區110分離。第一區110和第三區130可以被配置為例如半導體主體100的表面101上的彼此平行的條帶。

首先，導電層500、犧牲層200和覆蓋層600連續地布置在半導體主體100的表面101的第一區110和第三區130上方。導電層500、犧牲層200和覆蓋層600因此在每種情況下包括彼此橫向地間隔開的多個部分，其布置表面101的第一區110和第三區130上方，並且從而限定這些區110、130的位置。

此後，移除表面101的第二區120中的表面101的部分125，作為其結果，在第一區110中形成了波導結構115。在第三區130中，半導體主體100的表面101也升高到第二區120中的表面101上方。

圖29示出在時間上繼圖28中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

鈍化層300已經布置在覆蓋層600上方並且在半導體主體100的表面101的第二區120上方。因此，鈍化層300在半導體主體100的表面101的第一區110、第二區120和第三區130上方延伸。

圖30示出在時間上繼圖29中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

光致抗蝕劑層400已經布置在鈍化層300上方。此後，光致抗蝕劑層400中的開口410已經在半導體主體100的表面101的第一區110上方創建，作為其結果，鈍化層300的部分310已經暴露。在第三區130上方，在光致抗蝕劑層400中沒有創建開口。

圖31示出在時間上繼圖30中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。

開口311和開口610已經在半導體主體100的表面101的第一區110上方的鈍化層300和覆蓋層600中創建。此後，布置在表面101的第一區110上方的犧牲層200的部分已被移除。布置在表面101的第三區130上方的犧牲層200的部分保持被圍封在鈍化層300的未打開的部分下方。

圖32示出在時間上繼圖31中的圖示之後的處理狀態中的半導體主體100的示意性截面側視圖。電子組件10已經由半導體主體100形成，所述電子組件在圖32中示出的處理狀態中可能仍舊不完整。電子組件10可以是例如雷射組件。

從圖31中示出的處理狀態繼續，光致抗蝕劑層400已經被移除。在這種情況下或在另外的處理步驟期間，分離並移除布置在半導體主體100的表面101的第一區110上方的鈍化層300的部分和附著於其的覆蓋層600的部分。作為結果，然後暴露表面101的第一區110上方的波導結構115的頂側上的導電層500。

在第一區110和第二區120之間的邊界處的波導結構115的側壁被鈍化層300覆蓋。

鈍化層300還覆蓋表面101的第三區130中的半導體主體100的表面101的升高區，其具有在其上方布置的導電層500、犧牲層200和覆蓋層600的層序列。在半導體主體100的表面101的第三區130上方被鈍化層300圍封的這些結構形成在垂直於半導體主體100的表面101的方向上突出越過波導結構115的支撐結構140。支撐結構140可以充當例如用於保護波導結構115免受損壞的機械停止件。

已經在優選的示例性實施例的基礎上更細節地圖示和描述了本發明。然而，本發明不限於所公開的實施例。相反，在不脫離本發明的保護範圍的情況下，本領域技術人員可以從其導出其他變型。

參考符號列表

電子組件10

半導體主體100

表面101

第一區110

波導結構115

第二區120

已移除部分125

第三區130

支撐結構140

犧牲層200

厚度201

犧牲層的暴露部分210

犧牲層的橫向溶解部分220

鈍化層300

厚度301

鈍化層的暴露部分310

鈍化層中的開口311

開口面積312

環320

光致抗蝕劑層400

光致抗蝕劑層中的開口410

導電層500

覆蓋層600

覆蓋層中的開口610。