半導體系統及其操作方法與流程

2023-05-15 03:46:47

半導體系統及其操作方法
1.相關申請的交叉引用
2.本技術要求於2021年9月24日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2021-0126510的韓國專利申請的優先權，其通過引用整體併入本文。
技術領域
3.各個實施例總體上涉及一種半導體系統及其操作方法，並且更具體地，涉及一種根據溫度信息執行預設操作的半導體系統及其操作方法。


背景技術：

4.通常，半導體存儲器設備大致分為易失性存儲器設備和非易失性存儲器設備。易失性存儲器設備的示例可以包括靜態ram(sram)、動態ram(dram)、同步dram(sdram)等。易失性存儲器設備具有如下的特性：當電源關閉時其中存儲的數據丟失，但是存儲數據的存儲器單元的集成度通常很高，並且操作速度通常很高。非易失性存儲器設備的示例可以包括只讀存儲器(rom)、可編程rom(prom)、電可編程rom(eprom)、電可擦除可編程rom(eeprom)、閃速存儲器、相變ram(pram)、磁性ram(mram)、電阻式ram(rram)、鐵電ram(fram)等。非易失性存儲器設備具有如下的特性：即使斷電也能保持所存儲的數據，但是與易失性存儲器設備相比，集成度通常較低，並且操作速度通常較低。
5.近來，隨著工藝技術和設計技術的進步，半導體存儲器設備和用於控制該半導體存儲器設備的控制裝置被設計為面積較小的單個晶片。換句話說，半導體存儲器設備和控制裝置被設計為由單個半導體系統組成。此外，半導體系統被設計為不僅由半導體存儲器設備組成，而且還由執行各種功能的半導體設備和用於控制該半導體設備的控制裝置組成。
6.如上所述，半導體系統包括各種類型的半導體設備以及控制裝置。控制裝置和半導體設備根據操作條件具有不同的溫度。
7.例如，理想地，在半導體系統中提供的多個半導體存儲器設備由於執行交叉操作，因此可以具有基本相同的溫度。然而，多個半導體存儲器設備更可能具有不同的溫度。此外，控制裝置與多個半導體存儲器設備中的每一個的溫度還具有溫度差。控制裝置與多個半導體存儲器設備中的每一個之間的溫度差可能導致半導體系統的異常操作或降低其操作效率。


技術實現要素：

8.根據本公開的實施例的半導體系統可以包括：半導體設備，可操作以響應於命令信號執行預設操作；以及控制裝置，可操作以基於半導體設備的第一溫度信息和控制裝置的第二溫度信息，控制針對控制裝置或半導體設備中的至少一個的溫度調節操作，使得第一溫度信息和第二溫度信息彼此對應。
9.根據本公開的實施例的半導體系統的操作方法可以包括：檢測半導體設備的溫度
信息和控制裝置的溫度信息的步驟；將半導體設備的溫度信息和控制裝置的溫度信息進行比較的步驟；以及對半導體設備或控制裝置中的至少一個執行溫度調節操作，使得半導體設備的實際溫度和控制裝置的實際溫度彼此對應的步驟。
附圖說明
10.圖1是示出根據本公開的實施例的半導體系統的配置的示例的框圖。
11.圖2是示出圖1中的半導體設備的配置的示例的框圖。
12.圖3是示出圖1中的控制裝置的配置的示例的框圖。
13.圖4是示出根據圖3中的參考溫度信息以及第一溫度信息和第二溫度信息的溫度調節操作的示例的概念圖。
14.圖5是示出根據本公開的實施例的半導體系統的示例的框圖。
15.圖6是示出圖5中的多個半導體設備的配置的示例的框圖。
16.圖7是示出圖5中的控制裝置的配置的示例的框圖。
17.圖8是示出根據本公開的實施例的半導體系統的操作方法的示例的流程圖。
具體實施方式
18.本公開的描述包括各種實施方式的結構和/或功能描述。本公開的權利的範圍不應被解釋為限於說明書中描述的實施例。也就是說，本公開的權利的範圍應該被理解為包括可以實現技術精神的等同物，因為實施例可以以各種方式修改並且可以具有各種形式。此外，本公開中提出的目的或效果並不意味著特定實施例應當包括所有目的或效果或者僅包括這樣的效果。因此，本公開的權利的範圍不應被理解為受其限制。
19.本技術中描述的術語的含義應當理解如下。
20.諸如「第一」和「第二」的術語用於將一個元件與另一個元件區分開，並且本公開的範圍不應受到術語的限制。例如，第一元件可以被稱為第二元件。同樣，第二元件可以被稱為第一元件。
21.單數表達應當理解為包括複數表達，除非在上下文中另外明確地表達。諸如「包括」或「具有」的術語應當被理解為指示設定的特性、數量、步驟、操作、元件、部件或其組合的存在，不排除一個或多個其他特性、數量、步驟、操作、元件、部件或其組合的存在或添加的可能性。
22.在每個步驟中，為了便於描述而使用符號(例如，a、b和c)，並且符號不描述步驟的順序。除非在上下文中清楚地描述了特定的順序，否則可以以與在上下文中描述的順序不同的順序來執行這些步驟。也就是說，這些步驟可以根據所描述的順序來執行，可以與所描述的順序基本上同時執行，或者可以以與所描述的順序不同的順序來執行。
23.除非另有定義，否則本文所用的所有術語，包括技術或科學術語，具有與本領域技術人員通常理解的那些含義相同的含義。除非在本技術中清楚地定義，否則在常用詞典中定義的術語應當被解釋為具有與相關技術的上下文中的那些術語相同的含義，並且不應當被解釋為具有理想的或過於正式的含義。
24.各個實施例旨在提供一種能夠通過根據溫度信息附加地執行溫度調節操作來控制半導體系統的控制裝置和半導體設備中的每一個的溫度的半導體系統及其操作方法。
25.本公開的實施例具有如下效果：能夠通過控制半導體系統的控制裝置和半導體設備中的每一個的溫度來基本上防止由溫度差引起的異常操作並且使操作效率的降低最小化。
26.圖1是示出根據本公開的實施例的半導體系統100的配置的示例的框圖。
27.參照圖1，半導體系統100可以包括半導體設備110和控制裝置120。
28.首先，半導體設備110可操作以響應於命令信號cmd執行預設操作。半導體設備110可以是設置在半導體系統100中的內部電路，並且可以包括例如半導體存儲器設備等。當半導體設備110是內部電路時，預設操作可以包括用於內部電路的激活操作、去激活操作等。此外，當半導體設備110是半導體存儲器設備時，預設操作可以包括用於半導體存儲器設備的讀取操作等。此外，半導體存儲器設備的預設操作還可以包括執行讀取操作的激活操作和/或禁用讀取操作的去激活操作。讀取操作可以是用於輸出存儲在半導體存儲器設備中的數據的操作。如下面將描述的，半導體設備110可以通過預設操作來提高或降低其自身的實際溫度。
29.接下來，控制裝置120可操作以根據半導體設備110的第一溫度信息inf_t1及控制裝置120的第二溫度信息inf_t2(參見圖3)控制控制裝置120和半導體設備110中的至少一個的溫度調節操作。溫度調節操作可以是用於通過預設操作來提高或降低控制裝置120和半導體設備110中的至少一個的實際溫度的操作。控制裝置120的預設操作可以包括輸入驅動操作、輸出驅動操作等。此外，控制裝置120的預設操作可以包括執行輸入驅動操作和/或輸出驅動操作的激活操作，以及禁用輸入驅動操作和/或輸出驅動操作的去激活操作。輸入驅動操作可以是在讀取操作期間驅動控制裝置120中提供的輸入電路的操作。輸出驅動操作可以是在寫入操作期間驅動控制裝置120中提供的輸出電路的操作。如下所述，控制裝置120可通過預設操作提高或降低其自身的實際溫度。
30.然後，控制裝置120可以通過控制半導體設備110和/或控制裝置120的溫度調節操作來提高或降低半導體設備110和/或控制裝置120的實際溫度。換句話說，控制裝置120可以基於溫度調節操作來控制半導體設備110的實際溫度和控制裝置120的實際溫度以彼此對應。半導體設備110的實際溫度可對應於第一溫度信息inf_t1，控制裝置120的實際溫度可對應於第二溫度信息inf_t2。因此，控制裝置120可通過控制裝置120和/或半導體設備110的溫度調節操作來控制第一溫度信息inf_t1和/或第二溫度信息inf_t2，以使它們彼此對應。
31.下面將描述根據本公開的實施例的半導體系統100的溫度調節操作。
32.當半導體設備110的溫度低時，控制裝置120可以通過命令信號cmd控制半導體設備110執行例如激活操作。因此，半導體設備110的實際溫度可被提高。當半導體設備110的溫度高時，控制裝置120可以通過命令信號cmd控制半導體設備110執行去激活操作。因此，半導體設備110的實際溫度可以降低。
33.此外，當控制裝置120的溫度低時，控制裝置120可以控制控制裝置120執行例如激活操作。因此，控制裝置120的實際溫度可被提高。此外，當控制裝置120的溫度高時，控制裝置120可以控制控制裝置120執行去激活操作。因此，控制裝置120的實際溫度可以降低。
34.簡而言之，半導體系統100可以控制半導體設備110和/或控制裝置120的溫度調節操作，使得半導體設備110的實際溫度和控制裝置120的實際溫度彼此對應。
35.根據本發明實施例的半導體系統100可以基於半導體設備110的第一溫度信息inf_t1和控制裝置120的第二溫度信息inf_t2，控制半導體設備110的實際溫度和控制裝置120的實際溫度以彼此對應。因此，半導體系統100可以實質上防止在半導體設備110的實際溫度和控制裝置120的實際溫度彼此不對應時發生的異常操作，並且使操作效率的降低最小化。
36.圖2是示出圖1中的半導體設備110的配置的示例的框圖。在下文中，為了便於描述，假設半導體設備110是能夠執行讀取操作的半導體存儲器設備。
37.參照圖2，半導體設備110可以包括讀取控制電路210和溫度感測電路220。
38.首先，讀取控制電路210可操作以基於命令信號cmd來控制讀取操作。讀取控制電路210可在正常操作期間基於命令信號cmd來控制對存儲在存儲器單元陣列230中的數據的讀取操作。此外，讀取控制電路210可以在溫度調節操作期間基於命令信號cmd來控制對任意數據的讀取操作。任意數據可以包括，例如，存儲在存儲器單元陣列230中的數據或由讀取控制電路210生成的數據。
39.當讀取控制電路210執行讀取操作時，半導體設備110的實際溫度可能被提高。此外，當讀取控制電路210執行去激活操作時，可以降低半導體設備110的實際溫度。此外，讀取控制電路210可在溫度調節操作期間執行的讀取操作中阻斷連接到控制裝置120(參見圖1)的數據dat的傳輸路徑。換句話說，在溫度調節操作期間，連接在半導體設備110和控制裝置120之間的數據dat的傳輸路徑可被阻斷。換句話說，在溫度調節操作期間讀取的數據dat可能不會被提供給控制裝置120。
40.接下來，溫度感測電路220可操作以感測半導體設備110的實際溫度，並且將感測到的溫度作為第一溫度信息inf_t1輸出。如上所述，半導體設備110可以是能夠執行讀取操作的半導體存儲器設備。因此，溫度感測電路220可以感測半導體存儲器設備的實際溫度，並且輸出與實際溫度相對應的第一溫度信息inf_t1。
41.通過上述配置，半導體設備110可以在溫度調節操作期間控制其自身的實際溫度。換句話說，半導體設備110可以在溫度調節操作期間通過針對讀取操作的激活操作來提高其自身的實際溫度。此外，半導體設備110可以在溫度調節操作期間通過針對讀取操作的去激活操作來降低其自身的實際溫度。
42.根據本公開的實施例的半導體系統100可以通過溫度調節操作來控制半導體設備110的實際溫度。
43.同時，讀取控制電路210可以包括各種電路，諸如用於控制讀取操作的控制電路和驅動電路。此外，讀取控制電路210可以包括錯誤校正電路。錯誤校正電路可以執行錯誤校正操作。錯誤校正操作可以是檢測存儲在半導體存儲器設備中的數據的錯誤並校正錯誤的操作。因此，當執行錯誤校正電路的錯誤校正操作時，半導體設備110的實際溫度可能會提高。當沒有執行錯誤校正電路的錯誤校正操作時，半導體設備110的實際溫度可以降低。換句話說，根據本公開的實施例的半導體系統100可以根據是否執行錯誤校正電路的錯誤校正操作來控制半導體設備110的實際溫度。
44.讀取控制電路210可以執行作為溫度調節操作的一部分的錯誤校正操作。換句話說，讀取控制電路210可以執行錯誤校正操作以便提高半導體設備110的實際溫度，但是還可以對存儲在存儲器單元陣列230中的數據執行錯誤校正操作。在根據本公開的實施例的
半導體系統100中，在溫度調節操作期間，可以對存儲在存儲器單元陣列230中的數據附加地進行錯誤校正。
45.圖3是示出圖1中的控制裝置120的配置的示例的框圖。
46.參照圖3，控制裝置120可以包括溫度感測電路310、溫度比較電路320、輸入/輸出驅動電路330和命令生成電路340。
47.首先，溫度感測電路310可操作以感測控制裝置120的溫度，並且將所感測的溫度作為第二溫度信息inf_t2輸出。
48.接下來，溫度比較電路320可以通過將第一溫度信息inf_t1與第二溫度信息inf_t2進行比較來生成檢測信號det。溫度比較電路320可以接收參考溫度信息inf_rt，並且將第一溫度信息inf_t1與第二溫度信息inf_t2進行比較。下面將參照圖4詳細描述參考溫度信息inf_rt與第一溫度信息inf_t1和第二溫度信息inf_t2之間的關係及其比較操作。
49.接下來，輸入/輸出驅動電路330可操作以基於檢測信號det執行輸入驅動操作和輸出驅動操作中的至少一種。輸入/輸出驅動電路330可以包括輸入電路(未示出)和輸出電路(未示出)。輸入/輸出驅動電路330可以在正常操作期間基於命令信號cmd執行接收數據dat的讀取操作和輸出數據dat的寫入操作。此外，輸入/輸出驅動電路330可以在溫度調節操作期間基於檢測信號det對任意數據執行輸入驅動操作和輸出驅動操作。
50.當輸入/輸出驅動電路330執行輸入驅動操作和/或輸出驅動操作時，控制裝置120的實際溫度可被提高。此外，當輸入/輸出驅動電路330執行去激活操作時，控制裝置120的實際溫度可以降低。在溫度調節操作期間執行的輸入驅動操作和/或輸出驅動操作中，輸入/輸出驅動電路330可以阻斷連接到半導體設備110(圖1)的數據dat的傳輸路徑。換句話說，在溫度調節操作期間，連接在控制裝置120和半導體設備110之間的數據dat的傳輸路徑可被阻斷。
51.接下來，命令生成電路340可操作以基於檢測信號det生成命令信號cmd。這裡，命令生成電路340可以基於命令信號cmd，在溫度調節操作期間控制例如包括半導體存儲器設備的半導體設備110的讀取操作。命令生成電路340還可以在正常操作期間生成用於半導體設備110的讀取操作和輸入/輸出驅動電路330的讀取操作的命令信號cmd。
52.通過上述配置，控制裝置120可以在溫度調節操作期間控制其自身的實際溫度。換句話說，控制裝置120可以在溫度調節操作期間通過針對輸入驅動操作和/或輸出驅動操作的激活操作來提高其自身的實際溫度。此外，控制裝置120可以通過針對輸入驅動操作和/或輸出驅動操作的去激活操作來降低其自身的實際溫度。此外，控制裝置120可以在溫度調節操作期間，通過半導體設備110的讀取操作來提高或降低半導體設備110的實際溫度。
53.根據本公開的實施例的半導體系統100可以在溫度調節操作期間控制半導體設備110的實際溫度和控制裝置120的實際溫度。
54.同時，輸入/輸出驅動電路330可包括與圖2中的讀取控制電路210類似的錯誤校正電路(未示出)。因此，當正在執行錯誤校正電路的錯誤校正操作時，控制裝置120的實際溫度可能提高。然而，當沒有執行錯誤校正電路的錯誤校正操作時，控制裝置120的實際溫度可以降低。換句話說，根據本公開的實施例的半導體系統100可以根據是否執行錯誤校正電路的錯誤校正操作來控制控制裝置120的實際溫度。
55.圖4是根據圖3中的參考溫度信息inf_rt、第一溫度信息inf_t1和第二溫度信息
inf_t2的溫度調節操作的示例的概念圖。
56.首先，圖4的(a1)、(a2)、(b1)及(b2)可示出圖3中的溫度比較電路320接收參考溫度信息inf_rt並執行比較操作的情況。在這種情況下，溫度比較電路320可根據第一溫度信息inf_t1與第二溫度信息inf_t2中的接近參考溫度信息inf_rt的溫度信息生成檢測信號det。
57.圖4的(a1)可以示出第一溫度信息inf_t1與第二溫度信息inf_t2高於參考溫度信息inf_rt，且第二溫度信息inf_t2高於第一溫度信息inf_t1的情況。換句話說，與第二溫度信息inf_t2相對應的控制裝置120的實際溫度可能高於與第一溫度信息inf_t1相對應的半導體設備110的實際溫度。在這種情況下，圖3的溫度比較電路320可根據第一溫度信息inf_t1與第二溫度信息inf_t2中的更接近參考溫度信息inf_rt的第一溫度信息inf_t1生成檢測信號det。在圖4的(a1)中，由於第二溫度信息inf_t2高於第一溫度信息inf_t1，因此半導體系統100可執行溫度調節操作以降低第二溫度信息inf_t2。換句話說，圖3中的輸入/輸出驅動電路330可基於檢測信號det執行去激活操作。結果，可以降低控制裝置120的溫度。因此，與控制裝置120的實際溫度相對應的第二溫度信息inf_t2可朝第一溫度信息inf_t1的方向降低。
58.圖4的(a2)可以示出第一溫度信息inf_t1與第二溫度信息inf_t2高於參考溫度信息inf_rt，且第一溫度信息inf_t1高於第二溫度信息inf_t2的情況。換句話說，與第一溫度信息inf_t1相對應的半導體設備110的實際溫度可高於與第二溫度信息inf_t2相對應的控制裝置120的實際溫度。在這種情況下，圖3的溫度比較電路320可根據第一溫度信息inf_t1與第二溫度信息inf_t2中的更接近參考溫度信息inf_rt的第二溫度信息inf_t2生成檢測信號det。在圖4的(a2)中，由於第一溫度信息inf_t1高於第二溫度信息inf_t2，因此半導體系統100可執行溫度調節操作以降低第一溫度信息inf_t1。換句話說，圖3中的命令生成電路340可基於檢測信號det生成命令信號cmd，並且圖2中的讀取控制電路210可基於命令信號cmd執行去激活操作。結果，可以降低半導體設備110的溫度。因此，與半導體設備110的實際溫度相對應的第一溫度信息inf_t1可朝第二溫度信息inf_t2的方向降低。
59.圖4的(b1)可以示出第一溫度信息inf_t1與第二溫度信息inf_t2低於參考溫度信息inf_rt，且第二溫度信息inf_t2低於第一溫度信息inf_t1的情況。在這種情況下，圖3中的溫度比較電路320可根據第一溫度信息inf_t1與第二溫度信息inf_t2中的更接近參考溫度信息inf_rt的第一溫度信息inf_t1生成檢測信號det。在圖4的(b1)中，由於第二溫度信息inf_t2低於第一溫度信息inf_t1，所以半導體系統100可執行溫度調節操作以升高第二溫度信息inf_t2。換句話說，圖3中的輸入/輸出驅動電路330可基於檢測信號det執行輸入驅動操作和輸出驅動操作。結果，可以提高控制裝置120的溫度。因此，與控制裝置120的實際溫度相對應的第二溫度信息inf_t2可朝第一溫度信息inf_t1的方向升高。
60.圖4的(b2)可以示出第一溫度信息inf_t1溫度低於第二溫度信息inf_t2溫度的情況。在這種情況下，半導體系統100可執行溫度調節操作以升高第一溫度信息inf_t1。換句話說，圖3中的命令生成電路340可以基於檢測信號det生成命令信號cmd，並且圖2中的讀取控制電路210可以基於命令信號cmd執行讀取操作。結果，可以提高半導體設備110的溫度。因此，與半導體設備110的實際溫度相對應的第一溫度信息inf_t1可朝第二溫度信息inf_t2的方向升高。
61.接下來，圖4的(c1)、(c2)、(d1)以及(d2)可示出參考溫度信息inf_rt可具有預定範圍的情況。換句話說，圖3中的溫度比較電路320可接收具有預定範圍的參考溫度信息inf_rt，並執行比較操作。在這種情況下，溫度比較電路320可根據第一溫度信息inf_t1與第二溫度信息inf_t2之間的包括在參考溫度信息inf_rt的預定範圍內的溫度信息生成檢測信號det。
62.圖4的(c1)可以示出第一溫度信息inf_t1包括在參考溫度信息inf_rt的預定範圍內的情況。在這種情況下，圖3中的溫度比較電路320可根據第一溫度信息inf_t1生成檢測信號det。在圖4的(c1)中，第二溫度信息inf_t2可高於第一溫度信息inf_t1。因此，半導體系統100可執行溫度調節操作，以朝第一溫度信息inf_t1的方向降低第二溫度信息inf_t2。
63.圖4的(c2)可以示出第二溫度信息inf_t2包括在參考溫度信息inf_rt的預定範圍內的情況。在這種情況下，圖3中的溫度比較電路320可根據第二溫度信息inf_t2生成檢測信號det。在圖4的(c2)中，第一溫度信息inf_t1可高於第二溫度信息inf_t2。因此，半導體系統100可執行溫度調節操作，以朝第二溫度信息inf_t2的方向降低第一溫度信息inf_t1。
64.圖4的(d1)可以示出第一溫度信息inf_t1是包括在參考溫度信息inf_rt的預定範圍內的情況。在這種情況下，第二溫度信息inf_t2可低於第一溫度信息inf_t1。因此，半導體系統100可執行溫度調節操作，以朝第一溫度信息inf_t1的方向升高第二溫度信息inf_t2。
65.圖4的(d2)可以示出第二溫度信息inf_t2包括在參考溫度信息inf_rt的預定範圍內的情況。在這種情況下，第一溫度信息inf_t1可低於第二溫度信息inf_t2。因此，半導體系統100可執行溫度調節操作，以朝第二溫度信息inf_t2的方向升高第一溫度信息inf_t1。
66.圖5是示出根據本公開的實施例的半導體系統500的示例的框圖。
67.參照圖5，半導體系統500可以包括多個半導體設備510和控制裝置520。
68.首先，多個半導體設備510可以分別接收命令信號cmd_1至cmd_n(n是等於或大於2的自然數)。圖5示出了多個半導體設備510的數量為n的示例，換句話說，多個半導體設備510可以包括第一半導體設備510_1至第n半導體設備510_n。第一半導體設備510_1至第n半導體設備510_n可以分別接收第一命令信號cmd_1至第n命令信號cmd_n，並執行預設操作。例如，圖5中的第一半導體設備510_1至第n半導體設備510_n中的每一個可以對應於圖1中的半導體設備110。
69.接下來，控制裝置520可根據從多個半導體設備510中的每一個提供的第一溫度信息inf_t1，控制多個半導體設備510中的每一個的溫度調節操作。圖5中的控制裝置520可對應於圖1中的控制裝置120。因此，控制裝置520不僅可控制多個半導體設備510中的每一個的溫度調節操作，而且可控制控制裝置520的溫度調節操作。
70.第一溫度信息inf_t1可包括與多個半導體設備510中的每一個的實際溫度相對應的信息。此外，第一溫度信息inf_t1可包括用於識別多個半導體設備510中的每一個的信息。換句話說，在多個半導體設備510之中，第一半導體設備510_1可以輸出用於識別第一半導體設備510_1的信息以及與第一半導體設備510_1的實際溫度相對應的信息作為第一溫度信息inf_t1。此外，第n半導體設備510_n可以輸出與第n半導體設備510_n的實際溫度相對應的信息和用於識別第n半導體設備510_n的信息作為第一溫度信息inf_t1。
71.作為參考，圖5示出了如下示例：與第一半導體設備510_1至第n半導體設備510_n
中的每一個的實際溫度相對應的信息以及用於識別第一半導體設備510_1至第n半導體設備510_n中的每一個的信息通過第一溫度信息inf_t1被時分並被傳輸至控制裝置520。換句話說，第一半導體設備510_1至第n半導體設備510_n的溫度信息和識別信息可以在不同的時間在相同的傳輸線或信號上傳輸。在一些實施方式中，根據本實施例的半導體系統500可通過多條並聯連接的傳輸線(未示出)將第一半導體設備510_1至第n半導體設備510_n的第一溫度信息inf_t1傳輸至控制裝置520。
72.如上所述，第一半導體設備510_1至第n半導體設備510_n和控制裝置520可根據操作條件而具有不同的溫度。在這種情況下，控制裝置520可根據如下描述的第一半導體設備510_1至第n半導體設備510_n中每一個的第一溫度信息inf_t1以及控制裝置520的第二溫度信息inf_t2，控制針對第一半導體設備510_1至第n半導體設備510_n中的任一個以及控制裝置520的溫度調節操作。如參照圖1所述，溫度調節操作可以是使第一溫度信息inf_t1和第二溫度信息inf_t2彼此對應的操作。因此，半導體系統500可以通過溫度調節操作，控制第一半導體設備510_1至第n半導體設備510_n中的每一個的實際溫度和/或控制裝置520的實際溫度以使其彼此對應。
73.根據本實施例的半導體系統500可以通過溫度調節操作，控制多個半導體設備510中的每一個的實際溫度和/或控制裝置520的實際溫度以使它們彼此對應。
74.圖6是示出圖5中的多個半導體設備510的配置的示例的框圖。為了便於描述，圖6代表性地示出了作為多個半導體設備510的第一半導體設備510_1至第n個半導體設備510_n之中的第一半導體設備510_1。圖6示出了第一半導體設備510_1是能夠執行讀取操作的半導體存儲器設備的示例。
75.參照圖6，第一半導體設備510_1可以包括讀取控制電路610、溫度感測電路620和信息組合電路630。
76.首先，讀取控制電路610可操作以基於第一命令信號cmd_1來控制讀取操作。在正常操作期間，讀取控制電路610可以控制對存儲在存儲器單元陣列640中的數據的讀取操作。此外，讀取控制電路610可以在溫度調節操作期間控制對任意數據的讀取操作。任意數據可以包括，例如，存儲在存儲器單元陣列640中的數據或由讀取控制電路610生成的數據。當讀取控制電路610執行讀取操作時，第一半導體設備510_1的實際溫度可能提高。
77.接下來，溫度感測電路620可操作以感測第一半導體設備510_1的實際溫度，並將感測到的溫度作為溫度信息inf_t輸出。如上所述，第一半導體設備510_1可以是能夠執行讀取操作的半導體存儲器設備。因此，溫度感測電路620可以感測半導體存儲器設備的溫度，並將感測到的溫度作為溫度信息inf_t輸出。
78.接下來，信息組合電路630可操作以通過組合與第一半導體設備510_1相對應的識別信息inf_id和溫度信息inf_t來輸出第一溫度信息inf_t1。例如，識別信息inf_id可以與溫度信息inf_t時間多路復用或級聯，以生成第一溫度信息inf_t1。識別信息inf_id也可以與溫度信息inf_t加在一起，以生成第一溫度信息inf_t1。將參照圖7描述第一溫度信息inf_t1與識別信息inf_id相結合的利用情況。
79.通過以上配置，第一半導體設備510_1可以在溫度調節操作期間控制其自身的實際溫度。換句話說，第一半導體設備510_1可以在溫度調節操作期間通過針對讀取操作的激活操作來提高其自身的實際溫度。此外，第一半導體設備510_1可以通過在溫度調節操作期
間通過針對讀取操作的去激活操作來降低其自身的實際溫度。
80.根據本公開的實施例的半導體系統500可以通過溫度調節操作來控制第一半導體設備510_1的實際溫度。換句話說，半導體系統500可以通過溫度調節操作來控制第一半導體設備510_1至第n半導體設備510_n中的任何一個的實際溫度。
81.圖7是示出圖5中的控制裝置520的配置的示例的框圖。
82.參照圖7，控制裝置520可以包括溫度感測電路710、溫度比較電路720、輸入/輸出驅動電路730和命令生成電路740。
83.首先，溫度感測電路710可操作以感測控制裝置520的溫度，並將感測到的溫度作為第二溫度信息inf_t2輸出。
84.接下來，溫度比較電路720可操作以通過將第一溫度信息inf_t1與第二溫度信息inf_t2進行比較來生成檢測信號det。溫度比較電路720可以接收參考溫度信息inf_rt，並且將第一溫度信息inf_t1與第二溫度信息inf_t2進行比較。由於已經參照圖4描述了參考溫度信息inf_rt與第一溫度信息inf_t1和第二溫度信息inf_t2之間的關係及其比較操作，因此不需要重複這些描述。
85.接下來，輸入/輸出驅動電路730可操作以基於檢測信號det執行輸入驅動操作和輸出驅動操作中的至少一種。輸入/輸出驅動電路730可以包括輸入電路(未示出)和輸出電路(未示出)。輸入/輸出驅動電路730可在正常操作期間基於第一命令信號cmd_1執行接收數據dat的讀取操作和輸出數據dat的寫入操作。此外，輸入/輸出驅動電路730可在溫度調節操作期間基於檢測信號det對任意數據執行輸入驅動操作和/或輸出驅動操作。當輸入/輸出驅動電路730執行輸入驅動操作和/或輸出驅動操作時，控制裝置520的實際溫度可能會提高。此外，當輸入/輸出驅動電路730執行去激活操作時，控制裝置520的實際溫度可能會降低。
86.接下來，命令生成電路740可操作以基於第一溫度信息inf_t1和檢測信號det，生成分別對應於多個半導體設備510(參見圖5)的多個命令信號cmd_1至cmd_n。這裡，命令生成電路740可以生成分別與第一半導體設備510_1至第n半導體設備510_n(即，多個半導體設備510)相對應的第一命令信號cmd_1至第n命令信號cmd_n。在此，命令生成電路740可以在溫度調節操作期間根據第一溫度信息inf_t1中包括的識別信息inf_id生成第一命令信號cmd_1至第n命令信號cmd_n。因此，第一半導體設備510_1至第n半導體設備510_n可以分別根據基於第一命令信號cmd_1至第n命令信號cmd_n的溫度調節操作來執行讀取操作。
87.通過這種配置，根據本公開的實施例的半導體系統500可以控制多個半導體設備510中的每一個的實際溫度和控制裝置520的實際溫度。
88.圖8是示出根據本公開的實施例的半導體系統的操作方法800的流程圖。為了便於描述，將基於圖1中的半導體系統100來描述操作方法。
89.參照圖1和圖8，半導體系統100的操作方法800可包括檢測半導體設備110的溫度信息及控制裝置120的溫度信息的步驟s810，將半導體設備110的溫度信息與控制裝置120的溫度信息進行比較的步驟s820，以及對半導體設備110或控制裝置120執行溫度調節操作的步驟s830。
90.首先，檢測半導體設備110的溫度信息及控制裝置120的溫度信息的步驟s810可以是檢測與半導體設備110的實際溫度相對應的第一溫度信息inf_t1以及與控制裝置120的
實際溫度相對應的第二溫度信息inf_t2的步驟。檢測半導體設備110的溫度信息及控制裝置120的溫度信息的步驟s810可由圖2中的溫度感測電路220與圖3中的溫度感測電路310來執行。圖2中的溫度感測電路220可輸出與半導體設備110的實際溫度相對應的第一溫度信息inf_t1。圖3中的溫度感測電路310可輸出與控制裝置120的實際溫度相對應的第二溫度信息inf_t2。
91.接下來，將半導體設備110的溫度信息與控制裝置120的溫度信息進行比較的步驟s820可以是將與半導體設備110的實際溫度相對應的第一溫度信息inf_t1和與控制裝置120的實際溫度相對應的第二溫度信息inf_t2進行比較的步驟。將半導體設備110的溫度信息與控制裝置120的溫度信息進行比較的步驟s820可由圖3中的溫度比較電路320執行。圖3中的溫度比較電路320可通過將第一溫度信息inf_t1與第二溫度信息inf_t2進行比較來生成檢測信號det。
92.接下來，對半導體設備110或控制裝置120執行溫度調節操作的步驟s830可以是對半導體設備110和控制裝置120中的至少一個執行溫度調節操作以使得半導體設備110的實際溫度和控制裝置120的實際溫度彼此對應的步驟。對半導體設備110或控制裝置120執行溫度調節操作的步驟s830可由圖2中的讀取控制電路210及圖3中的輸入/輸出驅動電路330來執行。圖2中的讀取控制電路210可根據檢測信號det所生成的命令信號cmd來執行讀取操作。可以通過以這種方式執行的讀取操作來控制半導體設備110的實際溫度。此外，圖3中的輸入/輸出驅動電路330可基於檢測信號det執行輸入驅動操作和/或輸出驅動操作。控制裝置120的實際溫度可以通過以這種方式執行的輸入驅動操作和/或輸出驅動操作來控制。
93.根據本公開的實施例的半導體系統的操作方法800可以控制半導體設備110的實際溫度和控制裝置120的實際溫度以彼此對應。