Led晶片的製備方法及led晶片的製作方法
2023-05-08 03:09:31
Led晶片的製備方法及led晶片的製作方法
【專利摘要】本發明提供一種LED晶片的製備方法及LED晶片。本發明提供的方法，包括：在半導體晶片的襯底上生長N型半導體層、發光層和P型半導體層，以形成外延層；去除部分P型半導體層和部分發光層，露出部分N型半導體層；在P型半導體層的表面形成透明導電層；進而形成金屬電極；在晶片的表面形成保護層；對晶片的背面進行減薄，並在晶片背面形成保護層；在晶片的切割道位置分別進行正反兩面切割；對切割後的晶片進行溼法高溫腐蝕，以在LED晶片的側壁形成多邊形形貌。本發明提供的方法解決了現有技術製備的LED晶片，由於出射光會在晶片側壁形成全反射，從而影響了LED晶片的亮度的問題。
【專利說明】LED晶片的製備方法及LED晶片
【技術領域】
[0001]本發明涉及晶片製造技術，尤其涉及一種LED晶片的製備方法及LED晶片。
【背景技術】
[0002]隨著發光二極體(Light Emitting D1de,簡稱:LED)技術的發展,LED晶片已廣泛應用於照明、指示、顯示和背光源中，半導體晶片的切割技術對生產出的LED晶片的亮度造成一定程度的影響。
[0003]目前通常使用的切割技術例如雷射切割技術中的表面切割，在切割的過程中，由於晶片切割面會形成吸光的燒灼物，而導致LED晶片的亮度降低；為避免燒灼物對LED晶片亮度的影響，在採用表面切割工藝製作晶片時，通常會對切割後的半導體晶片進行側壁腐蝕工藝(Side Wall Etching),具體採用熱酸腐蝕切割面從而去除雷射燒灼物，並能向內腐蝕襯底使得LED晶片表面的切割斷裂位置向內形成一定的傾斜角，從而在一定程度上提高LED晶片的亮度。
[0004]但是，現有技術製備的LED晶片，由於切割後的晶片側壁通常為豎直形狀，而導致晶片側壁的出光效果較差，從而影響了 LED晶片的亮度。
【發明內容】
[0005]本發明提供一種LED晶片的製備方法及LED晶片，以解決現有技術製備的LED晶片，由於切割後的晶片側壁通常為豎直形狀，而導致晶片側壁的出光效果較差，從而影響了LED晶片的亮度的問題。
[0006]本發明提供一種LED晶片的製備方法，包括:
[0007]在半導體晶片的襯底上依次生長緩衝層、本徵半導體層、N型半導體層、發光層和P型半導體層，以形成發光外延層；
[0008]去除部分P型半導體層和部分發光層，露出部分N型半導體層；
[0009]在所述P型半導體層的表面依次形成電流阻擋層和透明導電層，所述電流阻擋層和所述透明導電層覆蓋所述P型半導體層；
[0010]在所述透明導電層和所述N型半導體層上形成金屬電極，所述金屬電極包括設置於所述透明導電層上的P電極和設置於所述N型半導體層上的N電極；
[0011]在所述半導體晶片的表面形成保護層；
[0012]對所述半導體晶片的背面進行減薄，並在所述減薄後的半導體晶片背面形成背面保護層；
[0013]在所述半導體晶片的切割道位置分別進行正面切割和背面切割，使得所述半導體晶片中每個LED晶片的部分側壁裸露；
[0014]對所述切割後的半導體晶片進行溼法高溫腐蝕，以在所述LED晶片的側壁形成多邊形形貌。
[0015]如上所示的方法，其中，所述保護層包括第一保護層和第二保護層；則所述在所述半導體晶片的表面形成保護層，包括:
[0016]在所述半導體晶片的表面形成第一保護層；
[0017]去除所述金屬電極上覆蓋的第一保護層，並在所述半導體晶片表面形成第二保護層，所述第二保護層位於所述第一保護層和所述金屬電極的上方，並完全覆蓋所述半導體晶片表面。
[0018]如上所示的方法，其中，所述第一保護層為氧化鋁Al2O3保護層，厚度在500?2000A之間，所述第二保護層為矽化物保護層，厚度在2000?8000A之間。
[0019]如上所示的方法，其中，所述在所述半導體晶片的切割道位置分別進行正面切割和背面切割，使得所述半導體晶片中每個LED晶片的部分側壁裸露，包括:
[0020]沿所述半導體晶片的切割道在所述半導體晶片的正面進行雷射切割，所述正面切割的深度在5?15um之間；
[0021]沿所述半導體晶片的切割道在所述半導體晶片的背面進行雷射切割，所述背面切割的深度在5?15um之間；
[0022]其中，所述正面切割和所述背面切割的切割面在豎直方向上位於同一位置，所述正面切割和背面切割的切割深度之和在20?35um之間。
[0023]如上所示的方法，其中，所述背面保護層為分布式布拉格反射DBR層；則所述對所述半導體晶片的背面進行減薄，並在所述減薄後的半導體晶片背面形成背面保護層，包括:
[0024]對所述半導體晶片的背面進行減薄，使得減薄後半導體晶片的整體厚度在150?250um之間；
[0025]在所述減薄後的半導體晶片背面形成由第一折射率材料和第二折射率材料交替堆疊形成的DBR層,其中，所述第一折射率材料位於DBR層的第一層和最後一層，分別作為所述DBR層的黏附層和保護層。
[0026]如上所示的方法，其中，所述對所述切割後的半導體晶片進行溼法高溫腐蝕，包括:
[0027]將所述切割後的半導體晶片置於200?400°C的高溫熱酸中進行腐蝕，所述高溫熱酸由濃磷酸和濃硫酸按照3:1?5:1的比例混合而成,所述腐蝕的時間在3?20min之間。
[0028]如上所示的方法，其中，所述對所述切割後的半導體晶片進行溼法高溫腐蝕之後，還包括:
[0029]去除位於所述第一保護層和所述金屬電極上方的所述第二保護層，在去除所述第二保護層時保留所述第一保護層；
[0030]對所述半導體晶片進行裂片，以獲得所述LED晶片，所述LED晶片的兩邊側壁都具有上部倒臺面和底部倒臺面。
[0031]本發明提供還一種LED晶片，所述LED晶片採用本發明提供的LED晶片的製備方法製得。
[0032]本實施例所提供的LED晶片的製備方法及LED晶片，通過對已形成保護層並進行背面減薄後的半導體晶片進行正面和背面雙面切割的方式，並結合溼法腐蝕對減薄後的半導體晶片進行側壁腐蝕，使得生產出的LED晶片的側壁具備多邊形形貌，該側壁形貌可有效降低出射光在LED晶片側壁的全反射，解決了現有技術製備的LED晶片，由於切割後的晶片側壁通常為豎直形狀，而導致晶片側壁的出光效果較差的問題，相應地提高了 LED晶片亮度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0033]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0034]圖1為本發明提供的一種LED晶片的製備方法的一個實施例的流程圖；
[0035]圖2為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖；
[0036]圖3為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖；
[0037]圖4為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖；
[0038]圖5為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖；
[0039]圖6為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖；
[0040]圖7為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖；
[0041]圖8為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖；
[0042]圖9為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖；
[0043]圖10為本發明提供的一種LED晶片的製備方法的另一個實施例的流程圖；
[0044]圖11為圖10所示實施例提供的方法所製備的LED晶片的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0045]為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0046]圖1為本發明提供的一種LED晶片的製備方法的一個實施例的流程圖。如圖1所示，本實施例的方法可以包括:
[0047]S110，在半導體晶片的襯底上依次生長緩衝層、本徵半導體層、N型半導體層、發光層和P型半導體層，以形成發光外延層。
[0048]在晶片製備的過程中，通常使用半導體晶片作為襯底材料，本實施例在製備LED晶片時，以目前通常採用的藍寶石為襯底材料為例予以說明，如圖2所示，為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖，在該襯底100上依次生長緩衝層(圖中未示出)、本徵半導體層(圖中未示出)、N型半導體層110、發光層(圖中未示出)和P型半導體層120，上述疊層構成LED晶片的發光外延層；本實施例提供所製備的LED晶片中，N型半導體層110例如可以是N型氮化鎵層，P型半導體層120例如可以是P型氮化鎵層。
[0049]需要說明的是，本發明實施例中緩衝層、本徵半導體層和發光層均為LED晶片製備過程中的常規工藝層，因此，在本發明以下各實施例所提供的工藝過程的晶片結構示意圖中均未示出。
[0050]S120，去除部分P型半導體層和部分發光層，露出部分N型半導體層。
[0051]LED晶片的製備即是要形成PN結，並且在P型區和N型區，即本實施例中的N型半導體層I1和P型半導體層120上分別作金屬電極層，因此，在本實施例中，通過光刻工藝製作光刻膠掩膜圖形，以在發光外延層上形成晶片圖案，進而使用電感耦合等離子體(Inductively Couple Plasma,簡稱為:1CP)刻蝕設備對該掩膜圖形上預置的工藝窗口圖形中的P型半導體層120和發光層進行選擇性刻蝕，最終將圖案移至該發光外延層上，使得部分N型半導體層110裸露，形成臺面，該臺面即是P型半導體層120 ;如圖3所示，為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖。
[0052]S130，在P型半導體層的表面依次形成電流阻擋層和透明導電層，該電流阻擋層和該透明導電層覆蓋該P型半導體層。
[0053]在本實施例中，可以通過電子束蒸發、濺射等方式在P型半導體層120的檯面上形成依次形成電流阻擋層(圖中未示出)和透明導電層130，並對其進行退火處理以獲得良好的歐姆接觸；透明導電層130例如可以是納米銦錫(IndiumTin Oxides,簡稱為:ΙΤ0)、氧化鋅(ZnO)、鎳-金(N1-Au)等材料或其組合，透明導電層130的厚度通常在400?5000Α之間，該透明導電層130形成有利於實現電流擴展；如圖4所示，為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖。
[0054]S140,在透明導電層和N型半導體層上形成金屬電極，該金屬電極包括設置於透明導電層上的P電極和設置於N型半導體層上的N電極。
[0055]在本實施例中，可以通過電子束蒸發的方式形成金屬電極140，該金屬電極140的材料例如可由鉻(Cr)、鉬(Pt)、金(Au)、鈦(Ti)、鋁(Al)等金屬材料或其組合構成，形成金屬電極140的方式同樣需要通過光刻工藝製作光刻膠掩膜圖形，並通過刻蝕工藝形成預設的工藝窗口圖形；其中，LED晶片的金屬電極140包括P電極141和N電極142，具體地，P電極141位於P型半導體層120和透明導電層130之上，N電極142位於N型半導體層之上；如圖5所示，為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖。
[0056]需要說明的是，本實施例中不同工藝步驟中的掩膜圖形上預置的工藝窗口圖形通常是不同的，是根據需要製備的倒裝LED晶片的結構確定的，在進行工藝生產前已預先製備該掩膜圖形。
[0057]S150，在半導體晶片的表面形成保護層。
[0058]本實施例提供的LED晶片的製備方法，需要對在半導體晶片上製備的各LED晶片進行切割，因此，在切割前需要在已形成金屬電極140的半導體晶片上形成保護層150，以保護半導體晶片在切割的過程中不損傷晶片的表面結構，以保障各晶片的使用性能，該保護層150包括第一保護層151和第二保護層152。
[0059]本實施例提供的方法，形成該保護層150的具體方式為:在半導體晶片的表面形成第一保護層151 ;去除金屬電極140上覆蓋的第一保護層151，並在該半導體晶片表面形成第二保護層152,該第二保護層152位於第一保護層151和金屬電極140的上方,並完全覆蓋該半導體晶片的表面；如圖6所示，為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖。在具體實現中，通過蒸發或氣相沉積等方式形成第一保護層151，例如可以為氧化鋁(Al2O3)保護層，其厚度在500?2000A之間；並通過蝕刻或剝離等方式去除部分第一保護層151，第一保護層151覆蓋在半導體晶片表面而僅使金屬電極140裸露在外；進一步地，通過蒸發或氣相沉積等方式形成第二保護層152，例如可以為矽化物(S12或SiNx)保護層，厚度在2000?8000A之間。
[0060]需要說明的是，該第二保護層152位於第一保護層151之上，並且完全覆蓋半導體晶片表面，該第一保護層151保護半導體器件本身，即所製備的LED晶片，為永久性的保護層。
[0061]S160，對半導體晶片的背面進行減薄，並在減薄後的半導體晶片背面形成背面保護層。
[0062]在本實施例中，對半導體晶片背面進行減薄，並且可以對減薄後的半導體晶片背面，即藍寶石面進行精細拋光；作為本實施例提供的較佳實施方案，減薄後半導體晶片的整體厚度在150?250um之間，進而在半導體晶片的背面形成背面保護層160。優選地，可以通過電子束蒸發、濺射、氣相沉積等手段在半導體晶片背面形成分布式布拉格反射鏡(Distributed Bragg Ref lect1n,簡稱為:DBR)層160,該DBR層160不僅用於在背面切割時保護半導體晶片，對於生成的LED晶片，其出射光到達襯底100時可以通過該DBR層160對出射光的反射以提高LED晶片的亮度；如圖7所示，為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖。
[0063]需要說明的是，本實施例提供的方法所製備的為正裝LED晶片，在半導體晶片的背面形成DBR層160，用於對出射光在半導體晶片的背面的DBR層160形成反射，可以將出射光反射到LED晶片的正面或者側壁，以提高LED晶片的出光效率，進而增強該LED晶片的亮度。
[0064]S170，在半導體晶片的切割道位置分別進行正面切割和背面切割，使得該半導體晶片中每個LED晶片的部分側壁裸露。
[0065]在本實施例中，對半導體晶片的正面和背面都進行切割，具體對半導體晶片中各LED晶片的切割道位置進行切割，形成正面切割口 210和背面切割口 220，將該半導體晶片中的各晶片切割成彼此分離的單元；如圖8所示，為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖。
[0066]需要說明的是，對半導體晶片的背面，即藍寶石面進行切割時，優選地，正面和背面的切割總深度相加控制在20?35um，以確保切割後的半導體晶片在後續的高溫熱酸腐蝕工藝中具有一定的機械強度，又能保證裂片的順利進行。
[0067]S180，對切割後的半導體晶片進行溼法高溫腐蝕，以在LED晶片的側壁形成多邊形形貌。
[0068]在本實施例中，具體將切割後半導體晶片置於200?400°C的高溫熱酸中進行腐蝕，該高溫熱酸可以由濃磷酸和濃硫酸按照3:1?5:1的比例混合而成，根據高溫熱酸的溫度和比例，通常將腐蝕的時間控制在3?20min之間。
[0069]需要說明的是，高溫熱酸對半導體晶片上的正面切割口 210和背面切割口 220的側壁具有較強的腐蝕效果，由於該溼法腐蝕為各向同性腐蝕，在腐蝕過程中會鑽蝕正面切割口 210和背面切割口 220的側壁，而改變切口部位的形貌，如圖9所示，為圖1所示實施例提供的一種LED晶片的製備方法的工藝過程的晶片結構示意圖。圖9為經過高溫熱酸腐蝕後的半導體晶片，顯然地，在晶片側壁的上部和底部形成向內凹的倒臺面，該側壁形貌有利用光線從側壁射出。
[0070]本實施例所提供的LED晶片的製備方法，通過對已形成保護層並進行背面減薄後的半導體晶片進行正面和背面雙面切割的方式，並結合溼法腐蝕對減薄後的半導體晶片進行側壁腐蝕，使得生產出的LED晶片的側壁具備多邊形形貌，該側壁形貌可有效降低出射光在LED晶片側壁的全反射，解決了現有技術製備的LED晶片，由於切割後的晶片側壁通常為豎直形狀，而導致晶片側壁的出光效果較差的問題，相應地提高了 LED晶片亮度；進一步地，採用矽化物作為晶片的保護層，並在整個半導體晶片表面形成氧化鋁保護層可以有效保護晶片正面不受高溫熱酸腐蝕，提高了 LED晶片的生成良率。
[0071]進一步地，圖10為本發明提供的一種LED晶片的製備方法的另一個實施例的流程圖，在上述圖1所示實施例的基礎上，S170可以包括:S171，沿半導體晶片的切割道在其正面進行雷射切割，正面切割的深度在5?15um之間；S172，沿半導體晶片的切割道在其背面進行雷射切割，背面切割的深度在5?15um之間；其中，正面切割和背面切割的切割面在豎直方向上位於同一位置，以保證裂片的順利進行並可獲得良好的側壁形貌，本實施例通過調整雷射功率和/或切割時間，可以使最終雙側表面切割深度總和控制在20?35um之間。
[0072]需要說明的是，本實施例提供的方法中，S171中對半導體晶片正面進行切割可以是在半導體晶片背面減薄之後進行的，也可以是在半導體晶片背面減薄之前進行的，圖10所示實施例以S171在160之後執行為例予以示出。
[0073]優選地，在本實施例的一種實現方式中，S160可以包括:S161，對半導體晶片的背面進行減薄，使得減薄後半導體晶片的整體厚度在150?250um之間；S162，在減薄後的半導體晶片背面形成由第一折射率材料和第二折射率材料交替堆疊形成的DBR層，其中，該第一折射率材料位於DBR層的第一層和最後一層，分別作為該DBR層的黏附層和保護層；需要說明的是，以DBR層160的生長順序對生成層次進行編號，上述第一層為緊貼藍寶石襯底100的一層,最後一層為DBR層160的最外層。在具體實現中，可以米用氧化娃(S12)材料作為第一層和最後一層，最後一層S12的厚度可以在3000?5000A之間,用於為後續高溫熱酸蝕刻提供有效的保護層。
[0074]需要說明的是，DBR層160用於對LED晶片中到達晶片底面的光進行反射，以提高晶片的亮度，因此，該DBR層160的形成是本發明提供的LED晶片的製備方法中一種優選的實施方案，即並非是獲得本發明提供的方法中的必要步驟；在本實施例的另一種可能的實現方式中，可以用氧化矽(S12)保護層代替DBR層160，僅作為高溫熱酸腐蝕的掩蔽層，最終製備的LED晶片在封裝過程中，其背面保護層160需要與支架連接，該支架對LED晶片的出射光形成的反射效果類似於DBR層的反射效果，因此，在該實現方式中，也可以將出射光反射到LED晶片的正面或者側壁，同樣可以提高LED晶片的出光效率。
[0075]更進一步地，本實施例提供的方法，在S180之後還包括:S190，去除位於第一保護層和金屬電極上方的第二保護層，在去除第二保護層時保留第一保護層；S200，對半導體晶片進行裂片，以獲得LED晶片，該LED晶片的兩邊側壁都具有上部倒臺面和底部倒臺面。
[0076]本實施例在具體實現中，可以利用緩衝蝕刻液(Buffered Oxide Etch，簡稱為:B0E)去除S12，也就是第二保護層152，或者採用等離子刻蝕去除上表面該第二保護層152，並清洗半導體晶片的表面；在對第二保護層152進行刻蝕時，通常選用選擇性較好的刻蝕溶劑或刻蝕氣體，以保證保留第一保護層151和金屬電極140。進而對已切割的半導體晶片進行裂片，獲得本發明實施例所製備的LED晶片。
[0077]在本實施例中，由於採用了雙面雷射切片的方式，並結合高溫熱酸的腐蝕，最終在裂片後的LED晶片上形成具有上部倒臺面181和底部倒臺面182的兩邊側壁，如圖11所示，為圖10所示實施例提供的方法所製備的LED晶片的結構示意圖，圖11中未示出LED晶片中器件200的具體結構，具體對LED晶片的側壁結構進行說明，可以看出，在LED晶片的兩邊側壁處，具有上部倒臺面181和底部倒臺面182，該倒臺面可以有效的使LED晶片所產生的光線從側壁射出。現有技術提供的方法所製備的LED晶片的側壁通常是豎直的，或者僅具有上部倒臺面181，圖中的光線11可以從上部倒臺面181射出，但是光線12會在DBR層形成全反射，因此，降低了 LED晶片的出光效率；通過本發明實施例的方法所製備的LED晶片，在晶片側壁的底部形成底部倒臺面182，即圖11中的光線12可以從該底部倒臺面182處射出，本實施例提供的方法所製備的LED晶片，使得射向晶片背面且經由背面反射回來的光線獲得更高的出射機會，整體上增加了 LED晶片側壁出光效率，提高了 LED晶片的產品亮度。
[0078]需要說明的是，圖11中僅示出LED晶片的出射光線的，並未示出該LED晶片的具體結構，圖中側壁處的虛線用以說明此處為側壁的延伸段，該LED晶片的側壁並不能在圖中完整的體現出，僅示出對出射光線形成優良出光效果的倒臺面結構。
[0079]請結合圖9和圖11，也為本發明提供的一種LED晶片的一個實施例的結構示意圖。本實施例所提供的LED晶片採用本發明任意實施例所述的方法製得，其有益效果與上述實施例相同，在此不再贅述。
[0080]最後應說明的是:以上各實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的範圍。
【權利要求】
1.一種LED晶片的製備方法，其特徵在於，包括: 在半導體晶片的襯底上依次生長緩衝層、本徵半導體層、N型半導體層、發光層和P型半導體層，以形成發光外延層； 去除部分P型半導體層和部分發光層，露出部分N型半導體層； 在所述P型半導體層的表面依次形成電流阻擋層和透明導電層，所述電流阻擋層和所述透明導電層覆蓋所述P型半導體層； 在所述透明導電層和所述N型半導體層上形成金屬電極，所述金屬電極包括設置於所述透明導電層上的P電極和設置於所述N型半導體層上的N電極； 在所述半導體晶片的表面形成保護層； 對所述半導體晶片的背面進行減薄，並在所述減薄後的半導體晶片背面形成背面保護層； 在所述半導體晶片的切割道位置分別進行正面切割和背面切割，使得所述半導體晶片中每個LED晶片的部分側壁裸露； 對所述切割 後的半導體晶片進行溼法高溫腐蝕，以在所述LED晶片的側壁形成多邊形形貌。
2.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述保護層包括第一保護層和第二保護層；則所述在所述半導體晶片的表面形成保護層，包括: 在所述半導體晶片的表面形成第一保護層； 去除所述金屬電極上覆蓋的第一保護層，並在所述半導體晶片表面形成第二保護層，所述第二保護層位於所述第一保護層和所述金屬電極的上方，並完全覆蓋所述半導體晶片表面。
3.根據權利要求2所述的方法，其特徵在於，所述第一保護層為氧化鋁Al2O3保護層，厚度在500~2000A之間，所述第二保護層為矽化物保護層，厚度在2000~8000A之間。
4.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述在所述半導體晶片的切割道位置分別進行正面切割和背面切割，使得所述半導體晶片中每個LED晶片的部分側壁裸露，包括: 沿所述半導體晶片的切割道在所述半導體晶片的正面進行雷射切割，所述正面切割的深度在5~15um之間； 沿所述半導體晶片的切割道在所述半導體晶片的背面進行雷射切割，所述背面切割的深度在5~15um之間； 其中，所述正面切割和所述背面切割的切割面在豎直方向上位於同一位置，所述正面切割和背面切割的切割深度之和在20~35um之間。
5.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述背面保護層為分布式布拉格反射DBR層；則所述對所述半導體晶片的背面進行減薄，並在所述減薄後的半導體晶片背面形成背面保護層，包括: 對所述半導體晶片的背面進行減薄，使得減薄後半導體晶片的整體厚度在150~250um之間； 在所述減薄後的半導體晶片背面形成由第一折射率材料和第二折射率材料交替堆疊形成的DBR層，其中，所述第一折射率材料位於DBR層的第一層和最後一層，分別作為所述DBR層的黏附層和保護層。
6.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述對所述切割後的半導體晶片進行溼法高溫腐蝕，包括: 將所述切割後的半導體晶片置於200~400°C的高溫熱酸中進行腐蝕，所述高溫熱酸由濃磷酸和濃硫酸按照3:1~5:1的比例混合而成，所述腐蝕的時間在3~20min之間。
7.根據權利要求2~6中任一項所述的方法，其特徵在於，所述對所述切割後的半導體晶片進行溼法高溫腐蝕之後，還包括: 去除位於所述第一保護層和所述金屬電極上方的所述第二保護層，在去除所述第二保護層時保留所述第一保護層； 對所述半導體晶片進行裂片，以獲得所述LED晶片，所述LED晶片的兩邊側壁都具有上部倒臺面和底部倒臺面。
8.一種LED芯 片，其特徵在於，所述LED晶片採用如權利要求1~8中任一項所述的方法製得。
【文檔編號】H01L21/78GK104037278SQ201410301391
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年6月27日 優先權日:2014年6月27日
【發明者】姚禹, 鄭遠志, 陳向東, 康建, 梁旭東 申請人:圓融光電科技有限公司