基於APC和恆溫智能控制的雷射半導體物證發現裝置的製作方法

2023-05-08 17:43:02

本發明涉及光電儀器技術領域，尤其涉及一種基於apc和恆溫智能控制的雷射半導體物證發現裝置。

背景技術：

現有的雷射發現設備中，雷射半導體中的pd作為參考電壓，伴著ld發射雷射輸出功率的升高，雷射發現設備室內溫度隨之升高，由於雷射對於溫度的敏感性非常高，功率不斷升高，將無法保證雷射器發光的穩定性；現有的可攜式雷射發現設備中，只採用風扇等簡單的主動散熱形式，難以滿足雷射的低溫工作環境，進而導致，光輸出的雷射光譜波長隨溫度的升高而發生漂移，無法滿足激發物證的螢光顯現；例如，常規的445nm波長的雷射光譜即可實現激發汗液痕跡生物物證，但是隨著溫度的升高，波長會不斷的增加，一但超出這一波長，將難以很好的顯現汗液痕跡生物物證。

技術實現要素：

本發明提供一種基於apc和恆溫智能控制的雷射半導體物證發現裝置，輸出穩定的發光功率，具備防止雷射波長漂移的雷射半導體工作環境。

本發明採用以下技術方案：

基於apc和恆溫智能控制的雷射二極體物證發現裝置，包括同軸分布且順序套接的光學透鏡組合結構、散熱機構、控制系統倉和電池安裝倉，其特徵在於，所述控制系統倉內設置多路輸出驅動控制系統，多路輸出驅動控制系統包括用於輸出穩定光的自動功率控制驅動電路和用於防止雷射波長漂移的智能恆溫控制半導體製冷器電路。

進一步地，所述自動功率控制驅動電路包括順序電連接的直流電源、第一比較器、電容充放模塊、恆流源模塊、雷射二極體、用於檢測所述雷射二極體輸出光功率的光電二極體和反饋迴路模塊，反饋迴路模塊的輸出端連接第一比較器的輸入端構成閉合環路，通過負反饋機制穩定雷射二極體的發光功率從而輸出穩定光。

優選地，所述恆流源模塊包括第一運算放大器、第二運算放大器、第一三極體、第二三極體、第一二極體、第二二極體、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第一電容以及穩壓二極體；

第一運算放大器，其正相輸入端連接所述電容充放模塊的輸出端作為所述恆流源模塊的輸入端，其反相輸入端連接第一電容的第一端，第一電容的第二端連接所述第一運算放大器的輸出端，其輸出端通過第一電阻連接第一三極體的控制端；第一三極體的控制端連接穩壓二極體的陽極，穩壓二極體的陰極連接第一二極體的陰極，第一二極體的陽極連接所述第一運算放大器的反相輸入端；

第一三極體，其高電位端連接電源端，其低電位端通過一用於分壓的第二電阻連接所述雷射二極體作為所述恆流源模塊的輸出端；

第二三極體，其高電位端連接所述穩壓二極體的陰極，其低電位端接地，其控制端連接第二電阻的第一端，第二電阻的第二端連接第二二極體的陽極，第二二極體的陰極連接所述第一運算放大器的反相輸入端；

第二運算放大器，其正相輸入端與第三電阻的第一端連接，其反相輸入端分別與第三電阻的第二端連接和第四電阻的第一端連接，第四電阻的第二端與所述第二運算放大器的輸出端連接，所述第二運算放大器a2的輸出端通過一用於保護功能的第五電阻與所述第一運算放大器的反相輸入端連接，用於檢測所述恆流源模塊的輸出端電流。

進一步地，所述反饋迴路模塊包括電流檢測晶片、第三運算放大器、第四運算放大器、第六電阻和第七電阻，所述光電二極體的輸出端作為電流檢測晶片的輸入端，電流檢測晶片的輸出端連接第三運算放大器的正相輸入端，第三運算放大器的反相輸入端連接其輸出端，第三運算放大器的輸出端連接第四運算放大器的反相輸入端，第四運算放大器的正相輸入端通過第六電阻連接第四運算放大器的輸出端，第四運算放大器的正相輸入端通過第七電阻接地，第四運算放大器的輸出端作為所述第一比較器的輸入端。

優選地，所述多路輸出驅動控制系統還包括緩啟動漸亮驅動電路，用於防止誤操作瞬間啟動所述雷射二極體發光，

緩啟動漸亮驅動電路設置在所述直流電源和所述第一比較器之間，所述直流電源的輸出端連接緩啟動漸亮驅動電路的輸入端，緩啟動漸亮驅動電路的輸出端連接所述第一比較器的輸入端。

進一步地，所述緩啟動漸亮驅動電路包括順次連接的第一π型濾波電路、延時網絡電路和第二π型濾波電路；

所述延時網絡電路包括並聯三極體、第八電阻、第四電容、第五電容、第八電容、第三電解電容和第九電解電容；所述第一π型濾波電路的輸出端作為所述延時網絡電路的輸入端，所述延時網絡電路的輸入端連接所述第八電阻的第一端，第八電阻的第二端通過所述第三電解電容接地，第八電阻的第二端連接所述第三電解電容的陽極；所述延時網絡電路的輸入端連接所述並聯三極體的集電極，所述並聯三極體的基極通過第五電容接地，所述並聯三極體的基極和第五電容之間的公共端，通過所述第四電容連接第八電阻的第二端和所述第三電解電容的陽極之間的公共端，所述並聯三極體的發射極通過所述第九電解電容接地，所述並聯三極體的發射極與所述第九電解電容的陽極連接，所述並聯三極體的發射極通過所述第八電容作為所述延時網絡電路的輸出端。

進一步地，所述智能恆溫控制半導體製冷器電路包括

熱敏電阻，用於採集所述物證發現裝置內雷射二極體工作的環境溫度，其輸出端通過一模數轉換電路連接一單片計算機的輸入端；

單片計算機，其第一輸出端通過一數模轉換電路連接一半導體製冷電路，其第二輸出端連接一風扇；

半導體製冷電路，包括第二比較器、反相器、減法放大器、定向控制器、半導體製冷器和取樣電阻；所述第二比較器，其第一輸入端連接所述數模轉換電路的輸出端作為半導體製冷電路的輸入端，第其第一輸出端連接所述定向控制器的輸入端，其第二輸出端連接一反相器的輸入端，所述反相器的輸出端連接所述定向器的輸入端；定向控制器，其第一輸出端連接所述半導體製冷器的第一輸入端、其第二輸出端連接所述取樣電阻的第一端，所述取樣電阻的第二端連接所述半導體製冷器的第二輸入端，提供雙向電流；減法放大器，其第一輸入端連接所述取樣電阻的第一端，其第二輸入端連接所述取樣電阻的第二端，其輸出端連接所述第二比較器的第二輸入端，形成負反饋機制使輸出的電流恆定；

恆流源，為熱敏電阻、模數轉換電路和單片計算機提供電源。

優選地，所述定向控制器包括第一npn三極體、第二npn三極體、第一pnp三極體和第二pnp三極體，

第一npn三極體和第一pnp三極體的基極分別連接所述第二比較器的輸出端，第一npn三極體和第一pnp三極體的基極發射極分別連接所述半導體製冷器，第一npn三極體和第一pnp三極體的集電極分別連接電源；第二npn三極體和第二pnp三極體的基極分別連接所述反相器的輸出端，第二npn三極體和第二pnp三極體的集電極分別接地，第二npn三極體和第二pnp三極體的發射極分別連接所述取樣電阻的第一端，所述取樣電阻的第二端連接所述半導體製冷器。

進一步地，所述控制系統倉內設置多路輸出驅動控制系統以及在倉內軸線上還設置用於散熱的風扇；所述散熱機構為多通孔散熱器，多通孔散熱器內部軸線上設置雷射半導體，在雷射半導體的後端設置半導體製冷器，在風扇、多通孔散熱器和半導體製冷器的多重散熱降溫作用下保持雷射半導體工作環境溫度防止雷射波長漂移；所述光學透鏡組合結構包括第一光學透鏡組合結構和鄰近所述散熱機構的第二光學透鏡組合結構，第一光學透鏡組合結構沿軸線從後往前設置雙凸透鏡和平面玻璃，第二光學透鏡組合結構，沿軸線從後往前設置雷射光斑整形勻化透鏡和非球面雙凸透鏡。

有益效果

（1）自動功率控制驅動電路，通過電容充放模塊的充放電，以及反饋迴路模塊的反饋機制，使得恆流源模塊進行微調電流，從而達到雷射半導體輸出穩定的發光功率。

（2）通過智能恆溫控制半導體製冷器電路通過熱敏電阻檢測當前雷射半導體工作的環境溫度，單片機給出相應的控制信號，驅動定向器提供雙向電流，控制執行機構半導體製冷器tec製冷或加熱，使得雷射半導體工作的環境溫度恆定，從而防止雷射波長漂移。

（3）緩啟動漸亮驅動電路，利用並聯三極體和電容通過充放電實現延時網絡電路，從而保護雷射半導體和防止誤操作造成的人身傷害。

附圖說明

圖1是本發明實施例1的基於apc和恆溫智能控制的雷射半導體物證發現裝置的結構示意圖；

圖2是本發明實施例1提供的自動功率控制apc驅動電路的結構示意圖；

圖3是本發明實施例1提供的智能恆溫控制半導體製冷器電路的結構示意圖；

圖4是本發明實施例2提供的自動功率控制apc驅動電路的結構示意圖；

圖5是本發明實施例2提供的智能恆溫控制半導體製冷器電路的結構示意圖；

圖6是本發明實施例3提供的自動功率控制apc驅動電路的結構示意圖；

圖7是本發明實施例3提供的緩啟動漸亮驅動電路的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。

實施例1

參見圖1，基於apc和恆溫智能控制的雷射半導體物證發現裝置，包括同軸線l分布且順序套接的光學透鏡組合結構、散熱機構、控制系統倉13和鋁製電池安裝倉14，所述鋁製電池安裝倉14內部放置雙組鋰電池17，後部設置鋁製電池安裝倉密封蓋15，鋁製電池安裝倉14上設置為物證發現裝置提供電源通斷的開關器16；控制系統倉13內設置多路輸出驅動控制系統3以及在倉內軸線l上還設置用於散熱的風扇4；散熱機構為多通孔散熱器10，多通孔散熱器10內部軸線l上設置雷射半導體104，在雷射半導體104的後端設置半導體製冷器2（thermoelectriccooler，以下簡稱tec），在風扇4、多通孔散熱器10和tec2的多重散熱降溫作用下保持雷射半導體104工作環境溫度防止雷射波長漂移；光學透鏡組合結構包括第一光學透鏡組合結構11和鄰近散熱機構的第二光學透鏡組合結構12，第一光學透鏡組合結構11沿軸線l從後往前設置雙凸透鏡8和平面玻璃9，第二光學透鏡組合結構12，沿軸線l從後往前設置雷射光斑整形勻化透鏡5和非球面雙凸透鏡6、7。

使用時，打開開關器16，多路輸出驅動控制系統3驅動控制在雷射半導體104發射雷射，其光束通過整形勻化透鏡5，將橢圓分布的光束整形成近似圓形分布的光束，該整形後的光束順序通過非球面雙凸透鏡6、7以及雙凸透鏡8的擴束，最後通過平面玻璃9照射需要檢測的客體表面，檢查生物物證。

其中，多路輸出驅動控制系統3包括用於輸出穩定光的自動功率控制驅動電路和用於防止雷射波長漂移的智能恆溫控制半導體製冷器電路。

參見圖2，自動功率控制（automaticpowercontrol，簡稱apc）驅動電路包括順序電連接的雙組鋰電池100、第一比較器101、電容充放模塊102、恆流源模塊103、雷射二極體（ld）、用於檢測所述雷射二極體ld輸出光功率的光電二極體pd和反饋迴路模塊105，其中，雷射二極體ld和光電二極體pd封裝組成雷射半導體104，反饋迴路模塊105的輸出端連接第一比較器101的輸入端構成閉合環路，通過負反饋機制穩定雷射二極體ld的發光功率從而輸出穩定光。

apc驅動電路的工作原理：系統上電後，第一比較器101的正相輸入端設定正電壓值vset，負相輸入端電壓假設為0，則第一比較器101輸出的低電平致使電容充放電模塊102對電容充電，隨著電容電壓的緩慢上升，恆流源模塊103的驅動電流不斷升高，雷射二極體ld輸出光強不斷升高，光電二極體pd探測電流變大，從而導致反饋迴路模塊105輸出電壓升高，直至高過第一比較器101正相輸入端電壓vset後，第一比較器101輸出由低電平跳變為高電平，接著執行上述過程的反過程：電容充放模塊102放電、雷射半導體104功率減小，由此循環往復，最終穩定雷射半導體104發光功率。

電容充放電模塊102根據第一比較器101輸出電壓的高低循環跳變來對電容充放電模塊102進行充放電，最終將其電壓值穩定在某預設值，從而間接控制恆流源模塊103的輸入電壓，並進一步控制雷射半導體104的電流，恆流源模塊103直接驅動雷射半導體104，雷射半導體104的輸入電壓和驅動電流成正比例關係。

參見圖3，所述智能恆溫控制半導體製冷器電路包括

熱敏電阻21，用於採集所述物證發現裝置內雷射半導體104工作的環境溫度，其輸出端通過a/d轉換電路22連接單片計算機20的輸入端；

單片計算機20（型號為89c52），其第一輸出端通過d/a轉換電路24連接半導體製冷電路25，其第二輸出端連接一風扇23；單片計算機20還分別有連接有顯示器27和超限報警電路28。

半導體製冷電路25，包括第二比較器a5、反相器i1、減法放大器a6、定向控制器、半導體製冷器tec和取樣電阻r；第二比較器a5，其第一輸入端連接d/a轉換電路24的輸出端作為半導體製冷電路25的輸入端，其第一輸出端連接所述定向控制器的輸入端，其第二輸出端連接反相器i1的輸入端，反相器i1的輸出端連接所述定向器的輸入端；定向控制器，其第一輸出端連接半導體製冷器tec的第一輸入端、其第二輸出端連接所述取樣電阻r的第一端，取樣電阻r的第二端連接半導體製冷器tec的第二輸入端，提供雙向電流；減法放大器a6，其第一輸入端連接取樣電阻r的第一端，其第二輸入端連接取樣電阻r的第二端，其輸出端連接第二比較器a5的第二輸入端，形成負反饋機制使輸出的電流恆定；

恆流源26，為熱敏電阻21、a/d轉換電路22和單片計算機20提供電源。

智能恆溫控制半導體製冷器電路工作原理：利用熱敏電阻21實時採集半導體雷射器的溫度數據，然後經過a/d轉換電路22轉換為數位訊號，存入單片機89c52的內部數據存儲器，送顯示器27顯示，並與設定值進行比較，經過pid算法得到控制量並由單片機20輸出，通過d/a轉換電路24連接的半導體製冷電路25去控制執行機構半導體製冷器tec製冷或加熱，以保持多通孔散熱器10內雷射二極體ld的溫度恆定，從而保證了雷射半導體104在恆定的溫度下工作。半導體製冷器tec用可調的壓控電流源驅動。顯示器27採用數碼顯示，可顯示設置溫度和實時監視雷射二極體ld的溫度。超限報警電路28用於監視雷射二極體ld的溫度超過設置溫度的限制時發生報警。

實施例2

本實施例基於實施例1，與其不同之處在於，參見圖4，自動功率控制apc驅動電路中，恆流源模塊103包括第一運算放大器a1（型號lt1006）、第二運算放大器a2（型號lt1789）、第一三極體q1、第二三極體q2、第一二極體d1、第二二極體d2、第一電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3、第四電阻r4、第五電阻r5、第一電容c1以及穩壓二極體dw1；

第一運算放大器a1，其正相輸入端連接電容充放模塊102的輸出端作為恆流源模塊103的輸入端，其反相輸入端連接第一電容c1的第一端，第一電容c1的第二端連接第一運算放大器a1的輸出端，其輸出端通過第一電阻r1連接第一三極體q1的控制端；第一三極體q1的控制端連接穩壓二極體dw1的陽極，穩壓二極體dw1的陰極連接第一二極體d1的陰極，第一二極體d1的陽極連接第一運算放大器a1的反相輸入端；

第一三極體q1，其高電位端連接電源端vcc，其低電位端通過一用於分壓的第二電阻連接所述雷射二極體ld作為所述恆流源模塊的輸出端；

第二三極體q2，其高電位端連接所述穩壓二極體dw1的陰極，其低電位端接地，其控制端連接第二電阻r2的第一端，第二電阻r2的第二端連接第二二極體d2的陽極，第二二極體d2的陰極連接第一運算放大器a1的反相輸入端；

第二運算放大器a2，其正相輸入端與第三電阻r3的第一端連接，其反相輸入端分別與第三電阻r3的第二端連接和第四電阻r4的第一端連接，第四電阻r4的第二端與第二運算放大器a2的輸出端連接，第二運算放大器a2的輸出端通過一用於保護功能的第五電阻r5與第一運算放大器a1的反相輸入端連接，用於檢測恆流源模塊103的輸出端電流。

電容充放電模塊102是形成反饋迴路、實現自動功率控制至關重要的一部分。穩定雷射半導體104的功率是通過微調流經雷射半導體104的電流實現的，這種微調功能是通過自動起伏變化的機制實現的。由第二運算放大器a2的固定增益輸出反饋給第一運算放大器a1反相輸入端而形成閉環，第二運算放大器a2的引入使雷射二極體ld陰極得以共地，便於測試。此外，增加了雷射二極體ld電流關斷控制電路，第一運算放大器a1的輸出使能端通過將第一三極體q1的基極電位拉地來關斷雷射二極體ld電流，相當於雷射半導體104開關關閉，而當開關打開時，可實現雷射二極體ld電流緩慢地上升至預定值。元器件選取上，lt1006運算放大器和lt1789儀表放大器均是單電源供電型放大器，能夠滿足單電源供電的需求。電路工作中，第二運算放大器a2（lt1789）的放大倍數為a=10，流經雷射二極體ld電流i與輸入電壓u的關係為：i=0.1u。

其中，i的單位為毫安，u的單位為伏特，即當輸入電壓由0v變化到2.5v時，可實現雷射器電流由0ma到250ma的線性變化。

蝶形封裝雷射半導體104中均自帶有pin或pd光電探測器用於探測光強，光電探測器能夠得到與檢測光強成一定比例關係的電流信號，通過對該電流信號進行電壓轉換、放大處理即可得到實用的監測信號。

反饋迴路模塊105包括電流檢測晶片（型號為max4008）、第三運算放大器a3、第四運算放大器a4、第六電阻r6和第七電阻r7，光電二極體pd的輸出端作為電流檢測晶片max4008的輸入端，電流檢測晶片max4008的輸出端連接第三運算放大器的正相輸入端，第三運算放大器的反相輸入端連接其輸出端，第三運算放大器a3的輸出端連接第四運算放大器a4的反相輸入端，第四運算放大器a4的正相輸入端通過第六電阻r6連接第四運算放大器a4的輸出端，第四運算放大器a4的正相輸入端通過第七電阻r7接地，第四運算放大器a4的輸出端作為第一比較器a1的輸入端。

max4008是一款高精度電流檢測晶片，在光纖應用中專門用於檢測pd或pin光電探測器的電流，它的ref引腳是參考電流輸入引腳，out引腳是檢測電壓輸出引腳，其電壓值大小與ref引腳電流成正比關係。當ref參考電流在250na到2.5ma範圍內變化時，電流檢測晶片max4008的檢測精度可維持在5%以內；在精度放寬到10%的前提下，檢測電流範圍可擴展到10na到10ma。電流檢測晶片max4008的輸出電壓（單位mv）與參考電流（單位μa）的關係式為：

由此，250na~2.5ma的ref參考電流值對應的輸出電壓範圍是0.25mv~2.5v。0.25mv~2.5v的電壓值需要變換放大到所需要的電壓範圍，這通過由運算放大器a4組成的同相比例運算電路實現，其比例係數為1+rf/r。注意到一點，電流檢測晶片max4008的輸出電阻為10kω，而根據pin、光強度等的不同，電流檢測晶片max4008的輸出電壓可能會低至幾毫伏，為了防止輸出電壓在下一級輸入會有衰減，在電流檢測晶片max4008與同相比例運算電路之間加一級由運算放大器a3組成的電壓跟隨器，用於隔離，提高在電流檢測晶片max4008「帶負載」的能力。最終，運算放大器a4的輸出電壓u0與電流檢測晶片max4008輸出電壓的關係式為：

u0=umax4008×(1+rf/r)

rf和r的阻值需要根據具體的ld以及pin參數來確定。

參見圖5，半導體製冷電路25中所述定向控制器包括第一npn三極體q3、第二npn三極體q5、第一pnp三極體和q4第二pnp三極體q6，四個電晶體為達林頓管，

第一npn三極體q3和第一pnp三極體q4的基極分別連接所述第二比較器的輸出端，第一npn三極體q3和第一pnp三極體q4的基極發射極分別連接所述半導體製冷器，第一npn三極體q3和第一pnp三極體q4的集電極分別連接電源vcc；第二npn三極體q5和第二pnp三極體q6的基極分別連接反相器i1的輸出端，第二npn三極體q5和第二pnp三極體q6的集電極分別接地，第二npn三極體q5和第二pnp三極體q6的發射極分別連接取樣電阻r的第一端，取樣電阻r的第二端連接半導體製冷器tec。

半導體製冷電路25中驅動部分由第二比較器a5，反向器i1，取樣電阻r，半導體製冷器tec和四個達林頓管組成，達林頓管的組合結構，可以很容易的實現電熱製冷器中電流的流動方向控制，即通過輸入電壓的控制即可達到電熱製冷或加熱的目的。為避免驅動電路中電流的突變，還應在第二比較器a5的輸出端接一適當的電容，以達到平滑電流，穩定溫度的作用。

參見附圖，vi為第二比較器a5輸出端的電壓，v2為第二npn三極體q5和第二pnp三極體q6的發射極公共端的電壓，v3為第二比較器a5正相輸入端的電壓，

vi>v3時,v1為高電平,v2為低電平,此時流過半導體製冷器tec電流方向為從左向右方向；

vi<v3時,v1為低電平,v2為高電平,則流過tec電流方向為從右向左方向；

取樣電阻r反映流過tec的電流i』，且電壓降為i*r，這個電壓降經減法放大器a6放大其差值，即v3=mri』，其中m為放大倍數。由運算放大器性質v+=v-有vi=v3，所以vi=mri』可以看成電壓控制電流源,其中,傳遞函數i』/vi=(1/mr)(a/v)。

採用電流串聯負反饋結構使輸出電流恆定，利用tec具有既可製冷又可制熱的特點，半導體製冷電路25構成互補對稱式壓控電流源，使其提供雙向電流，並控制在任何時刻只有一個處於恆流源方式工作，即可達到要求。電路中驅動三極體可以用達林頓管或大功率mos場效應管，由於流過功率管的電流較大，必須把它固定在散熱片上，以保證它們能在安全區域工作。

實施例3

本實施例基於實施例1，與其不同之處在於，參見圖6，所述多路輸出驅動控制系統還包括緩啟動漸亮驅動電路300』，用於防止誤操作瞬間啟動所述雷射二極體發光，

緩啟動漸亮驅動電路300』設置在雙組鋰電池100和第一比較器101之間，雙組鋰電池100的輸出端連接緩啟動漸亮驅動電路300』的輸入端，緩啟動漸亮驅動電路300』的輸出端連接第一比較器101的輸入端。

雷射半導體往往會在由於在啟動和關閉的瞬間產生一個巨大的衝擊電流，該電流足以使雷射半導體損壞，同時由於雷射半導體所激發出的光源對人體具有一定的傷害，啟動瞬間可能因為誤操或者不注意會傷及人身，而設計成緩啟動紅綠逐漸增加亮度逐漸增量可儘可能的減少誤操所產生的危害，起到保護雷射半導體和安全設計。

參見圖7，緩啟動漸亮驅動電路300』包括順次連接的第一π型濾波31』電路、延時網絡電路32』和第二π型濾波電路33』；

所述延時網絡電路包括並聯三極體q7、第八電阻r8、第四電容c4、第五電容c5、第八電容c8、第三電解電容c3和第九電解電容c9；第一π型濾波電路31』的輸出端作為延時網絡電路32』的輸入端，延時網絡電路32』的輸入端連接第八電阻r8的第一端，第八電阻r8的第二端通過第三電解電容c3接地，第八電阻r8的第二端連接第三電解電容c3的陽極；延時網絡電路32』的輸入端連接並聯三極體q7的集電極，並聯三極體q7的基極通過第五電容c5接地，並聯三極體q7的基極和第五電容之間的公共端，通過所述第四電容連接第八電阻的第二端和所述第三電解電容的陽極之間的公共端，並聯三極體q7的發射極通過第九電解電容c9接地，並聯三極體q7的發射極與第九電解電容c9的陽極連接，並聯三極體q7的發射極通過第八電容c8作為延時網絡電路32』的輸出端。

線路控制原理：慢啟動輸入電壓在開關閉合的瞬間產生大量的高頻成分，經過兩個π型濾波網絡濾除了大部分高頻分量，直流及低頻分量則可以順利通過。並聯三極體q7其實組成了開關的主迴路和控制迴路，開關延時時間主要由第八電阻r8、電容c3、c5、c9數值決定，當啟動開關電流經過第八電阻r8和第三電解電容c3，為第三電解電容c3充電，第三電解電容c3處於短路導通狀態，第八電阻r8與並聯三極體q7、第五電容c5形成閉環迴路，起到延時的作用，當通過並聯三極體q7將第三電解電容c3和第五電容c5放電到平衡時，並聯三極體q7的基極電壓達到低於設置值時，主流電流經過第八電容c8實現導通，此時的閉環迴路延時失效。

雷射延緩輸出，且必須在警示語音完成後雷射才能採用緩慢漸亮的方式輸出。一種片上軟啟動電路,運用數字電路對晶片系統時鐘編碼,經電阻型dac轉換得到臺階式上升的軟啟動電壓,並利用數字編碼溢出位控制軟啟動到正常狀態的轉換,結構相對簡單,對工藝、器件匹配的要求較低,而且實現了全片上集成。該電路已用於一自行設計的pwm型buck控制晶片,用以實現晶片的軟啟動。達到預警和提示功能，也預防雷射傷害作用。

以上所述是本發明的優選實施方式，應當指出，對於本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發明的保護範圍。