濺射沉積中硒化銀膜化學計量比和形態控制的製作方法
2023-05-07 12:09:26
專利名稱：濺射沉積中硒化銀膜化學計量比和形態控制的製作方法
技術領域：
本發明涉及使用硫屬玻璃形成的電阻可變存儲器件領域，特別涉及一種將硒化銀膜沉積在硫屬玻璃上的改進方法。
背景技術：
與目前使用的存儲技術相比，由於在開關特性、不揮發性、存儲速度、可靠性、熱特性和耐用性方面有潛在的優點，所以將硫屬化物材料用於電阻可變存儲器件在目前引起極大的關注。在下面的論文中報導了此領域中的研究「High Speed Memory Behavior and Reliabilityof an Amorphous As2S3Film doped with Ag」，Hirose等人，Phys.Stat.Sol.(1980)，第K187-K190頁；「Polarity-dependent memoryswitching and behavior of Ag dendrite in Ag-photodoped amorphousAs2S3films」，Hirose等人，Journal of applied Physics，第47卷，No.6(1976)，第2767-2772頁；和「Dual Chemical Role of Ag as anAdditive in Chalcogenide Glasses」，Mitkova等人，Physical ReviewLetters，第83卷，No.19(1999)，第3848-3851頁，本文中引入其內容作為參考。
在許多使用硫屬化物材料的存儲元件設計中，將硒化銀(As2S)的膜與硫屬化物材料層結合。硒化銀膜對電氣性能是重要的。因此，硒化銀沉積是製造電阻可變存儲器件的一個重要方面。最可利用的對硒化銀沉積的研究有限，通常選擇蒸發沉積來形成硒化銀膜。
蒸發沉積的硒化銀具有伴隨的問題，因為硒化銀的分解性使得不可能獲得硒化銀的精密化學計量比。我們認為，在蒸發法中，當銀開始向低濃度擴散時，它開始聚集。由於銀被束縛在簇或聚集體中，所以在蒸發過程的開始，硒更容易蒸發。因此，在蒸發法的過程中，硒更迅速地蒸發，造成沉積靶變為富銀的。接近蒸發過程的結束，很少乃至沒有硒因為沉積而留在基質上，而因為沉積主要留下銀。因此，大量的硒沉積在基質上，隨後主要是銀沉積。因此，蒸發法沒有均勻沉積硒化銀，並且控制蒸發硒化銀的化學計量比和表面形態是困難的。
而且，蒸發沉積無助於工業應用。濺射沉積更容易用於工藝過程，而且與蒸發沉積法相比，濺射沉積具有許多優點。例如，濺射沉積提供更好的膜厚度和質量控制。
通常，通過將基質放在抽真空或加壓至所需壓力的沉積室中進行濺射沉積或濺射。然後，在該室內產生通常由靶產生的膜材料的粒子流，該顆粒冷凝到基質上而出現沉積。在另一種常常稱為離子束轟擊濺射的濺射法中，高能的離子源束射向靶。轟擊離子的力將足夠的能量傳給靶的原子以使活化的原子離開靶子並形成粒子流。在基質上得到的沉積物形成薄膜。
由於銀的高擴散性能，硒的低熔點以及硒化銀的記憶性能，在濺射沉積的過程中控制硒化銀膜的化學計量比和形態是困難的。例如，硒化銀塊材是導電的，但其電導率(約幾千ohm-1cm-1)較大多數金屬的電導率相對低。並且，銀濃度對器件的電氣性能是關健的，因此必須使銀濃度保持在接近於約66.7原子％(本文中，後面表示為「％」)。隨著銀濃度高於約67.5％，在硒化銀膜中和/或硒化銀膜上許多結節缺陷。這些缺陷的尺寸可以為約1/10微米，這對亞微米器件製造有嚴重的負面影響。儘管還不知道形成這些缺陷的準確機理，但我們認為這些缺陷是由超過硒化銀膜中所需化學計量比的銀濃度要求的過量銀造成的。
常規的濺射方法還導致其結構幾乎僅僅由β-硒化銀組成的沉積硒化銀膜。然而，對於最佳的器件性能來說，理想的是製造含α-和β-硒化銀的硒化銀膜。
理想的是具有一種改進的沉積硒化銀膜的方法。對於濺射沉積來說，具有一種控制硒化銀的化學計量比和形態的方法也是理想的。具有一種形成含α-和β-硒化銀的濺射沉積硒化銀的方法也是理想的。
發明概述本發明一個示範性的實施方案包括將硒化銀膜沉積在基質上的方法。該方法包括使用低壓濺射沉積方法。優選的濺射沉積方法包括RF濺射或脈衝DC濺射。優選地，該濺射沉積將在約0.3-約10mTorr的壓力範圍內進行。本發明特別用於沉積具有較好化學計量比精度的硒化銀膜。本發明也特別用於濺射沉積硒化銀膜，同時避免在整個硒化銀膜內和在該硒化銀膜的表面上形成結節缺陷。最後，在約10mTorr的濺射壓力和小於約250W的濺射功率下，本發明也用於沉積包含α-和β-硒化銀的硒化銀膜。
根據以下結合附圖提供的詳細說明將會更好地理解本發明的這些及其它特點和優點。
附圖簡述
圖1(a)是使用20mTorr壓力沉積的脈衝DC濺射沉積硒化銀膜的SEM圖。
圖1(b)是使用10mTorr壓力沉積的脈衝DC濺射沉積硒化銀膜的SEM圖。
圖1(c)是使用3mTorr壓力沉積的脈衝DC濺射沉積硒化銀膜的SEM圖。
圖2說明在不同濺射壓力和功率下濺射的沉積硒化銀膜的兩個X-射線衍射圖。
發明詳述在下面的詳細說明中，涉及到本發明各種具體結構的實施方案和方法的實施方案。用足夠的細節描述這些實施方案以使本領域普通技術人員能夠實施本發明。應該理解的是，可以使用其它實施方案，並且可以進行各種結構上的、邏輯上的和電氣上的改變而不背離本發明的精神或範圍。
術語「硒化銀」意在包括各類硒化銀，包括具有稍過量或缺乏銀的種類，例如Ag2Se、Ag2+xSe和Ag2-xSe。
術語「硫屬玻璃」意在包括基於只選自VIA族中的元素(S、Se、Te、Po、O)或選自其與IV族(Si、Ge)和/或V族(P、As、Sb、Bi)中元素組合的各種組合物結構。
本發明涉及一種沉積硒化銀的方法。根據本發明，使用例如0.3-約10mTorr的低壓來濺射沉積硒化銀。並且，根據本發明，優選使用RF濺射方法或脈衝DC濺射方法沉積硒化銀。
硒化銀本身具有電存儲性能，即電導率，而濺射沉積方法通常包括強電流、電壓和離子轟擊。因此，濺射沉積方法中的電和熱效應都會影響硒化銀濺射靶和沉積的硒化銀膜。出於上述原因，濺射沉積需要考慮怎樣將電能施加到硒化銀靶上。
因為硒化銀的電導率較大多數金屬的電導率相對低，所以D.C.濺射不起作用。規則的DC磁控管濺射試驗沒有效，主要是因為等離子體不容易引燃。
取決於靶年齡，在較高壓力，例如約20mTorr或更高壓力下濺射沉積導致銀濃度低於或高於所需約66.7％的化學計量比銀濃度的膜。已經觀察到，使用RF或脈衝DC磁控管濺射沉積的相對新靶的高壓沉積，例如約20mTorr或更高，產生銀濃度只有約60％的硒化銀膜，這比所需66.7％的化學計量比銀濃度低得多。也已觀察到，使用RF或脈衝DC磁控管濺射沉積的相對老靶的高壓沉積，例如約20mTorr或更高，產生銀濃度高於約67.5％的硒化銀膜。
本發明人發現，在約0.3-約10mTorr的低壓下，可以使用RF或脈衝DC磁控管濺射沉積方法來沉積更精密化學計量比的硒化銀膜，同時避免在該膜中形成結節缺陷。還已發現，硒化銀靶組成隨靶的壽命而改變，而使用低壓濺射沉積方法用老的和新的硒化銀靶都可以獲得精密化學計量比沉積物。
圖1說明具有氮化矽薄膜的、由工業等級矽片形成的基質的SEM圖，所述氮化矽膜具有約500埃厚的脈衝DC濺射沉積的硒化銀膜。使用200kHz、脈衝寬度1056ns、恆定動力供應150W的DentonVacuum Discovery24脈衝DC濺射沉積圖1中所示的硒化銀膜。使用具有約66.7％的化學計量比銀濃度的硒化銀靶來沉積硒化銀膜。比較各種壓力下脈衝DC濺射沉積硒化銀膜的SEM圖表明，約0.3-約10mTorr的低壓濺射沉積降低並消除結節缺陷形成。觀察到，使用高壓，即約20mTorr沉積的硒化銀膜具有高於約67.5％的銀濃度，並且如圖1(a)所示，在該膜的表面上和整個膜內形成結節缺陷；如圖1(b)所示，使用10mTorr低壓形成的沉積硒化銀膜具有相對少的結節缺陷；如圖1(c)所示，使用3mTorr的更低壓力的沉積膜具有無結節缺陷的光滑表面。
根據本發明的第一個實施方案，在約0.3-約10mTorr，更優選約2-約3mTorr的低壓下，使用RF濺射沉積方法濺射沉積硒化銀靶，從而提供這樣的硒化銀膜，該膜具有很少，甚至沒有結節缺陷，銀濃度約等於用於濺射沉積該硒化銀膜的硒化銀靶的銀濃度。例如，在RF濺射沉積方法中使用銀濃度約為66.7％的硒化銀靶的情況下，沉積的硒化銀膜的銀濃度小於約67.5％，優選約67％，更優選約66.7％。根據本發明第一個實施方案的方法可以用於任何年齡的硒化銀靶，同時還提供這樣一種濺射沉積硒化銀膜，所述硒化銀膜的銀濃度約等於用於沉積該硒化銀膜的硒化銀靶的銀濃度。
在根據本發明第一個實施方案的濺射方法中，濺射沉積通常發生在室中。首先建立初始基礎真空壓力(initial base vacuum pressure)。該初始基礎真空壓力可以是任何合適的壓力，包括高於約10mTorr的壓力，這可以幫助引燃等離子體。在濺射方法的過程中，應該將工藝氣體維持在約0.3-約10mTorr，優選約2-約3mTorr的壓力下。工藝氣體可以是任何合適的濺射工藝氣體，例如氪、氙、氦、氖、氬或它們的組合。優選的工藝氣體是氬。儘管不希望受到任何特定功率的限制，但在濺射方法的過程中施加的功率優選為，例如，約100-約500瓦，最優選為約150瓦。能量密度和能量需要可以改變，這取決於選擇的系統或靶的尺寸。例如，4英寸或更大的靶需要更大的功率。優選的RF頻率為約100kHz-約20MHz，優選為13.5MHz。示範性的濺射沉積系統是Denton Vacuum Discovery24。
根據本發明的第二個實施方案，在約0.3-約10mTorr的低壓下，使用脈衝DC濺射沉積方法濺射沉積硒化銀，從而提供這樣的硒化銀膜，該膜具有的銀濃度約等於用於濺射沉積該硒化銀膜的硒化銀靶的銀濃度。例如，在脈衝DC濺射沉積方法中使用銀濃度約為66.7％的硒化銀靶的情況下，沉積的硒化銀膜的銀濃度小於約67.5％，優選約67％，更優選約66.7％。約4-約5mTorr的低壓是優選的。RF濺射沉積與脈衝DC濺射沉積之間的差異在於，對於脈衝DC濺射，約4-約5mTorr的沉積壓力製造銀濃度基本上等於硒化銀靶銀濃度，例如66.7％的沉積硒化銀膜。然而，通常，低壓沉積提供具有更精密硒化銀化學計量比的更光滑濺射沉積硒化銀膜。使用的優選低壓可以依靶的狀況，例如靶的年齡而改變。
與上述根據本發明第一個實施方案的方法相似，根據第二個實施方案的濺射沉積也發生在室中，例如Denton Vacuum Discovery24中，其中首先建立合適的初始基礎真空壓力，並使用合適的工藝氣體。然而，根據第二個實施方案，在濺射方法的過程中，應該將工藝氣體維持在約0.3-約10mTorr，優選約4-約5mTorr的壓力下。儘管不希望受到任何特定功率的限制，但在濺射方法的過程中施加的功率優選為，例如，約100-約500瓦，最優選為150瓦；優選的脈衝DC頻率可以為，例如約100-約250kHz，優選為約200kHz。然而，能量密度和能量要求可以改變，並且t取決於選擇的系統和/或靶的尺寸。例如，4英寸或更大的靶需要更大的功率。脈衝寬度應該為約1000-約1200ns，優選為約1056ns。
儘管還不知道解釋實驗觀測值起點的準確機理，但濺射壓力、離子動能、散射誘導能量降低和/或RF與脈衝DC等離子體電性質之間有聯繫。對於實際應用，發明人建議在較低壓力下使用RF濺射沉積方法或脈衝DC濺射沉積方法來沉積較好精度化學計量比的硒化銀膜，並避免在該膜上形成結節缺陷。因此，壓力可以在約0.3-約10mTorr的低壓範圍內改變以微調硒化銀膜的銀濃度。也可以改變功率源。這在器件製造中非常重要，因為許多器件需要元素濃度稍微偏離(即，±2％濃度)約66.7％的優選值。因此，由於低壓濺射沉積也可以用在相對老的靶上，同時仍然提供更精密的銀化學計量比濃度，所以本發明延長了靶壽命，因此降低了工藝成本。
根據本發明，除了在濺射沉積的過程中控制硒化銀的化學計量比和形態之外，理想的是也控制了沉積硒化銀的晶體結構。
硒化銀(例如Ag2Se)由於其406K(約130℃)的低溫相轉變點而眾所周知。Ag2Se在低於406K的溫度下形成稱為「β相」的斜方結構。Ag2Se在高於406K(約133℃)的溫度下經歷結構改變，其中Se形成體心立方亞晶格，同時銀經受熔化轉變。在此所謂的「α相」或「超離子相(superionic phase)」中，Ag離子顯示液體狀分散。Se亞晶格在約1170K(897℃)下也將經受熔化轉變。
根據本發明，理想的是由α-和β-硒化銀相的混合物形成沉積的硒化銀膜。這種混合物對由硒化銀膜形成的某些器件的最佳性能來說是關健的。根據本發明，可以在相對低功率/相對高壓力的條件下，通過濺射方法形成含α和β相的硒化銀膜。
圖2說明濺射沉積硒化銀膜的兩幅X-射線衍射(XRD)圖200和220。圖1說明在350W的濺射功率和50sccm的氬氣濺射氣體流速下濺射沉積的硒化銀膜的XRD圖200，該氣體流速相應於約7mTorr的濺射氣壓。圖2說明在350W的濺射功率和75sccm的氬氣濺射氣體流速下濺射沉積的硒化銀膜的XRD圖220，該氣體流速相應於約10mTorr的濺射氣壓。圖200和220表明，在後一種狀況下，在粗略模式2θXRD圖中，在約23和37度出現α和β峰。
雖然不受理論的限制，但基於XRD圖200和220，好像在濺射過程中硒化銀與基質的較低能量衝擊在沉積膜中產生更多的α相硒化銀。較低的濺射功率和較高的濺射壓力降低賦予濺射硒化銀分子的動能，因此導致硒化銀與基質的較低能量衝擊。而且，似乎將基質加熱至高於室溫(約25℃)的溫度也提高沉積膜中的α相。
雖然硒化銀的晶體結構(即α和β相的混合物)對於使用這種膜的器件的最佳性能來說是重要的，但是膜的化學計量比和組織(例如光滑性)也影響如上所述的器件性能。因此，一定程度上降低濺射功率或升高濺射壓力導致顯示具有粗糙表面或非所要求的化學計量比的膜，為了製造具有所需化學計量比並且結構顯示α和β兩相的光滑硒化物膜，必須平衡濺射功率和壓力參數。然而，應該強調，與用於製造該膜的方法無關，理想的是在沉積的硒化銀膜中存在有α相。
根據本發明的第三個示範性實施方案，在使所述硒化銀膜的結構含α相和β相的濺射條件下濺射沉積硒化銀膜。具體地說，使用小於約250W的濺射功率和至少約10mTorr的濺射壓力濺射沉積硒化銀。而且，在濺射功率小於約250W，濺射壓力約為10mTorr的濺射條件下，可以在基質上形成含α和β結構相、具有約等於硒化銀濺射靶銀濃度的銀濃度且無表面缺陷的硒化銀膜。
雖然已經描述並說明了本發明的示範性實施方案，但是可以進行變化和改變而不背離本發明的精神或範圍。因此，本發明不受上述說明的限制，而只受附加的權利要求的範圍限制。
權利要求
1.一種沉積硒化銀的方法，包括在濺射沉積室中提供硒化銀濺射靶；將濺射氣體引入所述室中，其中將所述濺射氣體保持在約0.3-約10mTorr的壓力下；和在所述靶上進行濺射工藝，從而製造沉積的硒化銀膜。
2.權利要求1的方法，其中所述沉積的硒化銀膜具有的銀濃度約等於所述硒化銀靶的銀濃度。
3.權利要求2的方法，其中所述硒化銀靶具有約66.7％的銀濃度。
4.權利要求3的方法，其中所述沉積硒化銀膜具有小於約67.5％的銀濃度。
5.權利要求3的方法，其中所述沉積硒化銀膜具有約67％的銀濃度。
6.權利要求3的方法，其中所述沉積硒化銀膜具有約66.7％的銀濃度。
7.權利要求2的方法，其中所述硒化銀膜基本上沒有結節缺陷。
8.權利要求1的方法，其中所述濺射沉積方法是RF濺射沉積方法。
9.權利要求8的方法，其中所述濺射壓力為約2-約3mTorr。
10.權利要求1的方法，其中使用約100-約500瓦的濺射功率進行所述濺射沉積。
11.權利要求10的方法，其中所述功率為約150瓦。
12.權利要求8的方法，其中使用約100kHz-約20MHz的頻率進行所述沉積方法。
13.權利要求12的方法，其中所述頻率約為13.5MHz。
14.權利要求1的方法，其中所述濺射沉積方法是脈衝DC濺射沉積方法。
15.權利要求14的方法，其中所述壓力為約4-約5mTorr。
16.權利要求14的方法，其中使用約100-約250kHz的頻率進行所述沉積方法。
17.權利要求16的方法，其中所述頻率約為200kHz。
18.權利要求14的方法，其中使用約1000-約1200ns的脈衝寬度進行所述濺射沉積方法。
19.權利要求18的方法，其中所述脈衝寬度約為1056ns。
20.一種控制濺射沉積硒化銀膜的化學計量比的方法，包括使用約0.3-約10mTorr的濺射沉積壓力濺射沉積具有預定銀濃度的硒化銀膜；和在沉積所述硒化銀膜的同時，在所述範圍內改變所述濺射沉積壓力。
21.權利要求20的方法，其中所述硒化銀膜具有小於約67.5％的銀濃度。
22.權利要求21的方法，其中所述硒化銀膜具有約67％的銀濃度。
23.權利要求21的方法，其中所述硒化銀膜具有約66.7％的銀濃度。
24.權利要求21的方法，其中所述硒化銀膜基本上沒有結節缺陷。
25.權利要求20的方法，其中使用約100-約300瓦的功率進行所述濺射沉積。
26.權利要求25的方法，其中所述功率約為150瓦。
27.權利要求20的方法，其中使用RF濺射沉積方法進行所述濺射沉積。
28.權利要求27的方法，其中使用約100kHz-約20MHz的頻率進行所述RF濺射沉積方法。
29.權利要求28的方法，其中所述頻率約為13.5MHz。
30.權利要求20的方法，其中使用脈衝DC濺射沉積方法進行所述濺射沉積。
31.權利要求30的方法，其中使用約100-約250kHz的頻率進行所述脈衝DC濺射沉積方法。
32.權利要求31的方法，其中所述頻率約為200kHz。
33.權利要求30的方法，其中使用約1000-約1200ns的脈衝寬度進行所述脈衝DC濺射沉積方法。
34.權利要求33的方法，其中所述脈衝寬度約為1056ns。
35.一種沉積硒化銀的方法，包括提供銀濃度約為66.7％的硒化銀濺射靶，保持約0.3-約10mTorr的濺射沉積壓力；和在所述硒化銀濺射靶上進行RF濺射方法，其中所述RF濺射方法形成沉積的硒化銀膜。
36.權利要求35的方法，其中所述硒化銀膜具有小於約67.5％的銀濃度。
37.權利要求35的方法，其中所述硒化銀膜具有約67％的銀濃度。
38.權利要求35的方法，其中所述硒化銀膜基本上沒有結節缺陷。
39.權利要求35的方法，其中所述壓力為約2-約3mTorr。
40.權利要求35的方法，其中使用約100-約300瓦的功率進行所述RF濺射沉積方法。
41.權利要求40的方法，其中所述功率約為150瓦。
42.權利要求35的方法，其中使用約100kHz-約20MHz的頻率進行所述RF濺射沉積方法。
43.權利要求42的方法，其中所述頻率約為13.5MHz。
44.一種沉積硒化銀的方法，包括提供銀濃度約為66.7％的濺射硒化銀靶；和在約0.3-約10mTorr的壓力下進行脈衝DC濺射沉積方法，其中所述DC濺射沉積方法形成沉積的硒化銀膜。
45.權利要求44的方法，其中所述硒化銀膜具有小於約67.5％的銀濃度。
46.權利要求44的方法，其中所述硒化銀膜具有約67％的銀濃度。
47.權利要求44的方法，其中所述硒化銀膜具有約66.7％的銀濃度。
48.權利要求45的方法，還包括由所述濺射靶形成基本上沒有結節缺陷的硒化銀膜。
49.權利要求44的方法，其中所述壓力約為4-約5mTorr。
50.權利要求44的方法，其中使用約100-約250kHz的頻率進行所述脈衝DC濺射沉積方法。
51.權利要求50的方法，其中所述頻率約為200kHz。
52.權利要求44的方法，其中使用約1000-約1200ns的脈衝寬度進行所述脈衝DC濺射沉積方法。
53.權利要求52的方法，其中所述脈衝寬度約為1056ns。
54.一種沉積硒化銀的方法，包括提供銀濃度約為66.7％的硒化銀濺射靶；和使用硒化銀濺射靶進行濺射工藝，從而形成銀濃度小於約67.5％的硒化銀膜。
55.權利要求54的方法，其中使用約0.3-約10mTorr的沉積壓力進行所述濺射沉積。
56.權利要求55的方法，其中使用RF濺射沉積方法進行所述濺射沉積。
57.權利要求56的方法，其中使用約2-約3mTorr的濺射沉積壓力進行所述RF濺射沉積方法。
58.權利要求54的方法，其中使用脈衝DC濺射沉積方法進行所述濺射沉積。
59.權利要求58的方法，其中使用約4-約5mTorr的濺射沉積壓力進行所述脈衝DC濺射沉積。
60.一種在約0.3-約10mTorr的壓力下沉積的濺射沉積硒化銀膜，所述膜基本上沒有結節缺陷。
61.權利要求60的膜，其中使用銀濃度小於約67.5％的硒化銀靶沉積所述濺射沉積硒化銀膜。
62.權利要求61的膜，其中所述硒化銀膜具有約66.7％的銀濃度。
63.權利要求61的膜，其中所述硒化銀膜具有約67％的銀濃度。
64.權利要求60的膜，其中RF濺射沉積所述硒化銀膜。。
65.權利要求63的膜，其中所述壓力為約2-約3mTorr。
66.權利要求60的膜，其中脈衝DC濺射沉積所述膜。
67.權利要求66的膜，其中所述壓力為約4-約5mTorr。
68.一種銀濃度小於約67.5％的濺射沉積硒化銀膜。
69.權利要求68的膜，其中使用銀濃度為約66.7％的硒化銀靶沉積所述濺射沉積硒化銀膜。
70.權利要求69的膜，其中所述硒化銀膜具有約67％的銀濃度。
71.權利要求69的膜，其中所述硒化銀膜具有約66.7％的銀濃度。
72.權利要求68的膜，其中RF濺射沉積所述濺射沉積硒化銀。
73.權利要求68的膜，其中脈衝DC濺射沉積所述濺射沉積硒化銀。
74.一種沉積硒化銀的方法，包括在濺射沉積室中提供硒化銀濺射靶；將濺射氣體引入所述室中；在所述靶上進行濺射工藝，從而產生沉積的硒化銀膜，其中所述硒化銀包括α-硒化銀和β-硒化銀。
75.權利要求74的方法，其中在所述濺射過程中，將所述濺射氣體維持在約10mTorr的壓力下。
76.權利要求74的方法，其中在所述濺射過程中，將所述濺射過程的濺射功率維持在小於約250W下。
77.權利要求74的方法，其中所述沉積的硒化銀膜具有的銀濃度約等於所述硒化銀濺射靶的銀濃度。
78.權利要求77的方法，其中所述硒化銀靶具有約66.7％的銀濃度。
79.權利要求74的方法，其中所述硒化銀膜基本上無結節缺陷。
全文摘要
一種濺射沉積硒化銀並控制濺射沉積硒化銀膜的化學計量比、結節缺陷形成和晶體結構的方法。該方法包括在約0.3－約10mTorr的壓力下，使用濺射沉積方法沉積硒化銀。根據本發明的一個方面，優選在約2－約3mTorr的壓力下使用RF濺射沉積方法。根據本發明的另一個方面，優選在約4－約5mTorr的壓力下使用脈衝DC濺射沉積方法。根據本發明的另一個方面，可以在約10mTorr的壓力和小於約250W的濺射功率下濺射沉積含α－和β－硒化銀的硒化銀膜。
文檔編號C23C14/54GK1871662SQ03820606
公開日2006年11月29日 申請日期2003年8月28日 優先權日2002年8月29日
發明者李久滔, K·哈姆普頓, A·麥克特爾 申請人:微米技術有限公司