核徑跡微孔綜合防偽標識的製造方法及其製品的製作方法
2023-04-30 15:36:41 2
專利名稱：核徑跡微孔綜合防偽標識的製造方法及其製品的製作方法
技術領域：
本發明屬於防偽技術領域，涉及核微孔徑跡綜合防偽標識的製造方法及其製品，特別是以核微孔防偽技術為主、以雷射彩虹全息圖象防信技術和核微孔真空蒸鍍防偽技術為輔的綜合手段製造防偽標識的方法。
綜合防偽是防偽技術發展的一個方向。我國從80年代引進雷射全息圖象生產線以來，所生產的雷射防偽標識在防偽打假鬥爭中曾一度發揮重要作用。以後由於各地蜂擁而起，目前能生產此類單一防偽標識的廠家多達數百個，而技術上和管理上也存在諸多問題，使得有些真的標識不易識別，一些仿真標識又能以假亂真，極大地降低了雷射全息防偽標識在人們心目中的地位。
高分子聚合物在膜上的核微孔是經過重離子輻照和化學蝕刻步驟產生的。核微孔具有高度均一的孔徑。肉眼看不見的核微孔，作為核密碼信息的載體，在防偽中可以發揮兩方面的重要作用。一方面，用於設置和貯存重離子輻射誘發產生的、無法仿製的微觀參數和統計參數，給仿造者造成根本不能逾越的障礙；另一方面，核微孔膜具有光學透明性和液體滲透性，使由百萬量級核微孔群體組成的防偽標識顯示出肉眼可見的防偽圖文影像，經過彩筆透印後，就可在底膜上獲得防偽圖文，供大眾鑑別真偽，讓消費者自己參與識別防偽技術。更為重要的是，核微孔防偽標識製造過程中的重離子輻照步驟，必須依靠重離子加速器或核反應堆。加速器和反應堆都是高科技、高投入的國家專控的數量很少的大型核設施，具有高度的壟斷性和唯一性，從而加強了防偽控制的力度，縮小了打假追查的範圍。因此，核微孔防偽標識具有獨特的防偽功能，必將在防偽領域獨樹一幟。但核微孔防偽標識的美觀性卻不如雷射全息防偽標識，因而也使其應用範圍受到影響。
本發明的目的是為克服已有技術的不足之處，研究和開發一種核微孔綜合防偽標識，將雷射全息防偽標識的美觀性和真空蒸度核微孔膜的光學特性，巧妙地同核微孔防偽技術相結合，創造出一種全新的、一體化的綜合防偽標識，集多重防偽性、美觀性、實用性於一體，以滿足商品市場對防偽技術越來越高的要求。
本發明的核微孔綜合防偽標識製造方法，包括以下步驟1)、用具有一定能量和質量的重離子對透明的高分子聚合物薄膜進行輻照；2)、在所說的輻照過的透明高分子聚合物薄膜上，製作雷射彩虹模壓全息圖像；3)、在照射過的透明高分子聚合物薄膜上，印刷核微孔防偽標識圖案和文字；4)、在所說的雷射彩虹全息圖像的上面複合或塗布一層耐鹼或酸保護層；
5)、用化學蝕刻劑對經過上述步驟處理過的透明高分子聚合物薄膜進行成孔蝕刻，化學蝕刻後對薄膜進行清洗和乾燥處理，得到二元一體綜合核微孔防偽標識。
在上述步驟的基礎上，還包括用真空蒸鍍法在核微孔膜表面和微孔內壁上鍍一層光亮的鋁膜，得到三元一體綜合核微孔防偽標識。
以上步驟，1、2可任意先後進行，3、4也可任意先後進行。
經過上述步驟製造的防偽標識，就是核微孔綜合防偽標識，它以核微孔防偽技術為主，集雷射彩虹全息防偽與核微孔真空蒸鍍技術於一體，不但具有核微孔標識的防偽特性，而且具備雷射全息防偽標識的美觀性。
在本發明的製造綜合防偽標識的方法中，所用的重離子是具有一定能量和質量的重離子束，能量範圍在50Mev以上。
在本發明製造綜合防偽標識的方法中，所用的透明高分子聚合物薄膜的厚度範圍，在5μm和40μm之間，最好為10～30μm之間，與重離子的能量相匹配。
在本發明的製造綜合防偽標識的方法中，所要求的核微孔密度在104～108/cm2之間，所用的輻照時間要依據密度大小與薄膜的傳動速度相匹配。
在本發明的製造綜合防偽標識的方法中，所用的雷射全息標識採用多重圖像雷射模壓和隱形全息模壓防偽標識。
在本發明的製造綜合防偽標識的方法中，所用的保護層是耐鹼或酸的熱熔膠層或預塗膜。
在本發明的製造綜合防偽標識的方法中，化學蝕刻工藝所用的蝕刻劑是鹼性或酸性的，共主要成分是NaOH、KOH或H2SO4，蝕刻液的濃度在4M和8M之間，化學蝕刻的工作溫度在50℃和100℃之間。
在本發明的製造綜合防偽標識的方法中，真空蒸鍍所用的金屬是工業純鋁絲，其熔化溫度在660℃。薄膜真空蒸鍍過程中要進行水冷處理。
應用本發明製造的綜合防偽標識，不僅保留了核微孔防偽標識和雷射全息防偽標識造價低、生產率高、便於自動化的優點，還具有一種用其他方法不能得到的獨特優點，這個獨特優點就是在一片塑料薄膜標識上有機地綜合了三種防偽要素，各自具有獨立的科研生產步驟，從而便於制約和管理，使得本發明所製造的產品不能利用單一的方法來偽冒，能更好地表明被保護物品的真實性，更好地維護名優產品及其企業的聲譽。
附圖簡要說明
圖1為本發明實施例一的製品結構示意圖。
圖2為本發明實施例二的製品結構示意圖。
圖3為本發明實施例三的製品結構示意圖。
下面介紹本發明的實施例。
實施例1三元一體型核微孔綜合防偽標識的製造方法本料施例的製造三元一體型核微孔綜合防偽標識的方法，基本上可以分為五個相對獨立的步驟1、重離子輻照 利用總能量為120Mev、由重離子加速器產生的S-32重離子，在輻照真空腔內照射28μm厚透明的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。重離子束流強度100nA，電磁掃描寬度40cm，薄膜運行速度25m/min。重離子輻照過程是一種無序的隨機過程，因而在受照PET薄膜內形成服從統計規律分布的核潛跡。
2、雷射彩虹模壓全息圖像製作 本步驟與上述步驟1完全獨立，便與制約和管理。應用雷射彩虹全息圖製版技術和模壓複製技術，在受照過的透明PET薄膜上製作一種可視的或不可視的圖象，並按雷射全息防偽技術加密。
3、印刷防偽標識 將通過電腦設計繪製的標識圖案，製成印刷母版。在印刷機上均勻而清晰地把標識圖案印刷到受照近過的PET薄膜。有時可根據要求以隨機方式排布標識圖案。
4、核微孔的化學蝕刻 在化學蝕刻之前，先在復膜機上將熱熔膠預塗膜與具有雷射彩虹膜壓全息圖像的PET薄膜表面平整地複合。復膜時的工作溫度為85℃。然後，將複合膜在核孔膜蝕刻機內進行化學蝕刻。蝕刻條件為6N NaOH，85℃。核微孔的大小依賴於蝕刻時間的長短，核微孔的直徑通常選為0.5～16μm。
5、核微孔真空蒸鍍 本步驟與上述4個步驟相對獨立。具有核微孔圖文和雷射彩虹模壓全息圖像的PET薄膜，在真空鍍膜機內通過蒸發鍍上一層鋁膜，核微孔的內壁同時也鍍上一層鋁膜。鍍鋁層的厚度在熔化鋁量一定的前提下由PET薄膜的傳動速度調製，以保證核微孔的透印特性和鍍鋁層的高反射率。
本實施例方法製成的三元一體型核微孔綜合防偽標識結構如圖1所示，圖中，自上而下各層結構為帶有雷射全息圖象的核徑跡微孔防偽標識11，鍍鋁層12，不乾膠層13，矽油紙14。
真空蒸鍍後的綜合防偽標識具有很強的外觀藝術視覺效果，不僅如此，由於標識上核微孔是無規則分布、按同一方式取向的大量相同的微孔，因而發生傅南和費衍射效應，在光學顯微鏡下觀察時，在鍍鋁層造成的暗視場中，一個一個光亮的核微孔，宛如夜空中的繁星，也比較容易觀測和設置密碼。這是核微孔綜合防偽標識區別於普通核微孔標識的一大特點。
三元一體型核微孔綜合防偽標識集核微孔防偽標識、雷射彩虹模壓全息防偽標識和真空蒸鍍核微孔的特點於一身，是任何單一的方法不能仿造的。
實施例二二元一體型核微孔綜合防偽標識的製造方法二元一體型核微孔綜合防偽標識是由三元一體型派生出的、技術性能相同但又互不相同的防偽產品。本發明的製造二元一體型核微孔綜合防偽標識的方法，基本上可以分為5個相對獨立的步驟
1、重離子輻照；本步驟與實施例1的步驟1相同2、雷射彩虹模壓全息圖像製作；本步驟與實施例1的步驟2相同。
3、印刷防偽標識；本步驟與實施例1的步驟3基本相同。所不同的是，核微孔圖案和文字是按一定序列分布的，以保證每一個雷射全息防偽標識上都至少有一個完整的核微孔防偽圖案。
4、核微孔的化學蝕刻；本步驟與實施例1的步驟4相同。
5、復膜 本步驟與上述四個步驟完全獨立。化學蝕刻後，將具有核微孔圖文和雷射彩虹全息圖像和綜合防偽標識膜在復膜機上與塑料鍍鋁膜復後，以增加反射率。最後按雷射圖象裁切成標識產品。
本實施例方法製成的二元一體型核微孔綜合防偽標識結構如圖2所示，圖中，自上而下各層結構為帶有雷射全息圖象的核徑跡微孔防偽標識21，熱融膠層22，普通鍍鋁膜23，不乾膠層24，矽油紙25。
實施例三 複合型核微孔防偽標識的製造方法複合型核微孔防偽標識是由二元一體型核微孔防偽標識派生出的、技術性能相同但又不相同的防偽產品。基本上可以分為5個相對獨立的步驟1、重離子輻照 本步驟與實施例的步驟1相同。
2、凹片印刷核微孔防偽標識 本步驟與實施例2的步驟3相同。
3、核微孔的化學蝕刻 本步驟與實施例1的步驟4相同。
4、雷射彩虹膜壓全息防偽標識製作 應用雷射彩虹全息圖製版技術和模壓複製技術，在普通PET鍍鋁薄膜上製作雷射彩虹模壓全息圖象防偽標識。
5、複合 在復膜機上將核微孔防偽標識與雷射全息防偽標識複合在一起。最後按雷射彩虹模壓在全息防偽標識的尺寸切割成複合型核微孔防偽標識。
本實施例方法製成的複合型核微孔綜合防偽標識結構如圖3所示，圖中，自上而下各層結構為核徑跡微孔防偽標識31，熱融膠層32，雷射全息防偽標識膜33，不乾膠層34，矽油紙35。
利用本發明製造的三元一體和二元一體的兩種類型核微孔綜合防偽標識以及複合型核微孔防偽標識，集多重防偽性、美觀性和實用性於一體，具有很強的防偽功能和藝術視覺效果，不僅防信性能可靠，而且容易實現大眾識別，使用配套的顯微鏡還可以準確無誤地進行真偽鑑別。
權利要求
1.一種核微孔綜合防偽標識製造方法，其特徵在於，包括以下步驟1)、用具有一定能量和質量的重離子對透明的高分子聚合物薄膜進行輻照；2)、在所說的輻照過的透明高分子聚合物薄膜上，製作雷射彩虹模壓全息圖像；3)、在照射過的透明高分子聚合物薄膜上，印刷核微孔防偽標識圖案和文字；4)、在所說的雷射彩虹全息圖像的上面複合或塗布一層耐鹼或酸保護層；5)、用化學蝕刻劑對經過上述步驟處理過的透明高分子聚合物薄膜進行成孔蝕刻，化學蝕刻後對薄膜進行清洗和乾燥處理，得到二元一體綜合核微孔防偽標識。
2.如權利要求1所述的核微孔綜合防偽標識製造方法，其特徵在於，還包括用真空蒸鍍法在核微孔膜表面和微孔內壁上鍍一層光亮的鋁膜，得到三元一體綜合核微孔防偽標識。
3.如權利要求1所述的核微孔綜合防偽標識製造方法，其特徵在於，所說的重離子是具有一定能量和質量的重離子束，能量範圍在50Mev以上。
4.如權利要求1所述的核微孔綜合防偽標識製造方法，其特徵在於，所說的透明高分子聚合物薄膜的厚度範圍，在5μm和40μm之間，最好為10～30μm之間，與重離子的能量相匹配。
5.如權利要求1所述的核微孔綜合防偽標識製造方法，其特徵在於，所說的核微孔密度在104～108/cm2之間，所用的輻照時間要依據密度大小與薄膜的運動速度相匹配。
6.如權利要求1所述的核微孔綜合防偽標識製造方法，其特徵在於，所說的雷射全息標識採用多重圖像雷射模壓和隱形全息模壓防偽標識。
7.如權利要求1所述的核微孔綜合防偽標識製造方法，其特徵在於，所說的保護層是耐鹼或酸的熱熔膠層或預塗膜。
8.如權利要求1所述的核微孔綜合防偽標識製造方法，其特徵在於，所說的化學蝕刻工藝所用的蝕刻劑是鹼性或酸性的，其主要成分是NaOH、KOH或H2SO4，蝕刻液的濃度在4M和8M之間，化學蝕刻的工作溫度在50℃和100℃之間。
9.如權利要求1所述的核微孔綜合防偽標識製造方法，其特徵在於，所說的真空蒸鍍所用的金屬是工業純鋁絲，其熔化溫度在660℃左右，薄膜真空蒸鍍過程中要進行水冷處理。
10.如權利要求7所述的核微孔綜合防偽標識製造方法，其特徵在於，所說的耐鹼保護層是聚丙烯、聚酯或聚碳酸酯高分子聚合物預塗膜。
11.如權利要求1所述的核微孔綜合防偽標識製造方法，其特徵在於，所說的重離子輻照是加速器掃描式的垂直輻照或反應堆的裂變碎片的輻照。
12.一種核微孔綜合防偽標識製品，其特徵在於，由帶有雷射全息圖象的核徑跡微孔防偽標識，鍍鋁層，不乾膠層及矽油紙結合而成。
13.一種核微孔綜合防偽標識製品，其特徵在於，由帶有雷射全息圖象的核徑跡微孔防偽標識，熱融膠層，普通鍍鋁膜，不乾膠層及矽油紙結合而成。
14.一種核微孔綜合防偽標識製品，其特徵在於，由核徑跡微孔防偽標識，熱融膠層，雷射全息防偽標識膜，不乾膠層及矽油紙結合而成。
全文摘要
本發明屬於防偽技術領域製造方法,包括以下步驟:用具有一定能量和質量的重離子對透明的高分子聚合物薄膜進行輻照;在輻照過的薄膜上,製作雷射彩虹模壓全息圖像;在照射過的薄膜上,印刷核微孔防偽標識圖案和文字;在雷射彩虹全息圖像的上面複合或塗布一層保護層;用化學蝕刻劑對經過上述薄膜進行成孔蝕刻,清洗和乾燥處理。本發明集多重防偽性、美觀性、實用性於一體,以滿足商品市場對防偽技術越來越高的要求。
文檔編號G09F3/02GK1243300SQ9911955
公開日2000年2月2日 申請日期1999年9月3日 優先權日1999年9月3日
發明者陳大年, 朱天成, 劉宣瑋, 胡兵 申請人:北京試金石防偽技術有限公司