適用於半導體晶片背面金屬化前處理的單面泡酸工藝的製作方法

2023-04-30 06:29:36

專利名稱：適用於半導體晶片背面金屬化前處理的單面泡酸工藝的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種適用於半導體晶片背面金屬化前處理的單面泡酸工藝，屬於集成電路或分立器件晶片製造技術領域。
背景技術：
長期以來，半導體晶片封裝時打線一直採用金線，隨著近年來市場競爭的白熱化，產品的成本降低、產品的可靠性已經成為各個封裝廠家產品競爭力的主要標準。各封裝廠家為了降低生產成本，逐漸由目前的金線改為銅線或鋁線，對半導體晶片正面壓點鋁層有了更高要求。而作為分立器件製造中的最後一道工序一背面金屬化，由於該工序為了保證晶片的可靠性，降低背面接觸電阻，需對背面進行去氧化層的泡酸處理，泡酸過程中對正面鋁層的保護成為一道難道。 在本發明作出以前，常用的適用於半導體晶片背面金屬化前處理的泡酸工藝主要採用以下兩個技術
現行工藝一、將需要進行泡酸處理的晶片全部浸入酸液中一段時間。其不足之處在
於
1、半導體晶片正面壓點鋁層存在一定的腐蝕，半導體晶片正面壓點鋁層質量下降，影響後期製程；
2、背面氧化層不能完全去除乾淨，造成背面金屬化工藝不穩定，易造成致命失效；
3、與後續工藝配合不佳。現行工藝二、將半導體晶片的正面用膠膜進行保護，再進行泡酸作業。其不足之處在於
1、成本較高；
2、操作複雜，矽片較薄時不易加工。綜上所述現行的兩種工藝無法達成既能保證半導體晶片正面壓點鋁層質量、又能保證半導體晶片背面氧化層完全去除乾淨、同時還能夠不增加成本的要求。

發明內容
本發明的目的在於克服上述不足，提供一種既能保證半導體晶片正面壓點鋁層質量、又能保證半導體晶片背面氧化層完全去除乾淨、同時還能夠不增加成本的適用於半導體晶片背面金屬化前處理的單面泡酸工藝。本發明的目的是這樣實現的
一種適用於半導體晶片背面金屬化前處理的單面泡酸工藝，其特徵在於它包括以下工藝步驟
步驟一、半導體晶片提取
採用鑷子夾取或者吸筆吸取半導體晶片，
當半導體晶片厚度小於100微米時，採用鑷子夾取半導體晶片邊緣；當半導體晶片厚度不小於100微米時，採用吸筆吸取半導體晶片1/3 1/2半徑處的偏心位置；
步驟二、半導體晶片背面泡酸
將鑷子夾取或者吸筆吸取的半導體晶片放入到泡酸容器中進行背面泡酸，所述泡酸容器中設置有襯墊，所述襯墊上浸滿酸液，所述酸液的液位比襯墊高出Olmm，所述半導體晶片正面向上放置於襯墊的上表面，所述襯墊為耐酸多孔襯墊；
步驟三、半導體晶片背面去酸
採用鑷子夾取或者吸筆吸取背面泡酸完成的半導體晶片，對半導體晶片的背面進行去離子水衝洗；
步驟四、半導體晶片去離子水清洗 將背面去酸完成的半導體晶片浸在去離子水的片架中進行半導體晶片去離子水清洗，去離子水清洗時間為5 10min。與現有技術相比，本發明的有益效果是
本發明用鑷子或者吸筆提取半導體晶片不容易造成碎片，將半導體晶片背面氧化層能夠去除乾淨又保證晶片正面不與酸液接觸，使二種目的都能實現，與後期加工工藝達到最佳匹配，全面提高產品穩定性及可靠性。該適用於半導體晶片背面金屬化前處理的單面泡酸工藝具有既能保證半導體晶片正面壓點鋁層質量、又能保證半導體晶片背面氧化層完全去除乾淨、同時還能夠不增加成本的優點。


圖I為本發明適用於半導體晶片背面金屬化前處理的單面泡酸工藝的半導體晶片背面泡酸步驟示意圖。其中
半導體晶片I 泡酸容器2 襯墊3
酸液4。
具體實施例方式本發明涉及的一種適用於半導體晶片背面金屬化前處理的單面泡酸工藝，它包括以下工藝步驟
步驟一、半導體晶片提取
採用鑷子夾取或者吸筆吸取半導體晶片1，
當半導體晶片厚度小於100微米時，採用鑷子夾取半導體晶片邊緣；
當半導體晶片厚度不小於100微米時，採用吸筆吸取半導體晶片1/3 1/2半徑處的偏心位置。步驟二、半導體晶片背面泡酸
將鑷子夾取或者吸筆吸取的半導體晶片I放入到泡酸容器2中進行背面泡酸，所述泡酸容器2中設置有襯墊3，所述襯墊3上浸滿酸液4，所述酸液4的液位比襯墊3高出(T2mm，所述半導體晶片I正面向上放置於襯墊3的上表面，所述襯墊3為耐酸多孔襯墊。保證半導體晶片背面泡酸完成後半導體晶片背面呈「疏水」狀，「疏水」狀主要指半導體晶片從酸液取出後，大部分酸液立即從半導體晶片背面滑落，半導體晶片背面乾燥。步驟三、半導體晶片背面去酸
採用鑷子夾取或者吸筆吸取背面泡酸完成的半導體晶片，對半導體晶片的背面進行去離子水衝洗。保證半導體晶片背面全部用去離子水衝洗到。步驟四、半導體晶片去離子水清洗
將背面去酸完成的半導體晶片浸在去離子水的片架中進行半導體晶片去離子水清洗， 去離子水清洗時間為5 10min。
權利要求
1.一種適用於半導體晶片背面金屬化前處理的單面泡酸工藝，其特徵在於它包括以下工藝步驟 步驟一、半導體晶片提取 採用鑷子夾取或者吸筆吸取半導體晶片， 當半導體晶片厚度小於100微米時，採用鑷子夾取半導體晶片邊緣； 當半導體晶片厚度不小於100微米時，採用吸筆吸取半導體晶片1/3 1/2半徑處的偏心位置； 步驟二、半導體晶片背面泡酸 將鑷子夾取或者吸筆吸取的半導體晶片放入到泡酸容器中進行背面泡酸，所述泡酸容器中設置有襯墊，所述襯墊上浸滿酸液，所述酸液的液位比襯墊高出Olmm，所述半導體晶片正面向上放置於襯墊的上表面，所述襯墊為耐酸多孔襯墊； 步驟三、半導體晶片背面去酸 採用鑷子夾取或者吸筆吸取背面泡酸完成的半導體晶片，對半導體晶片的背面進行去離子水衝洗； 步驟四、半導體晶片去離子水清洗 將背面去酸完成的半導體晶片浸在去離子水的片架中進行半導體晶片去離子水清洗，去離子水清洗時間為5 10min。
全文摘要
本發明涉及一種適用於半導體晶片背面金屬化前處理的單面泡酸工藝，其特徵在於它包括以下工藝步驟步驟一、半導體晶片提取；步驟二、半導體晶片背面泡酸；步驟三、半導體晶片背面去酸；步驟四、半導體晶片去離子水清洗。本發明用鑷子或者吸筆提取半導體晶片不容易造成碎片，將半導體晶片背面氧化層能夠去除乾淨又保證晶片正面不與酸液接觸，使二種目的都能實現，與後期加工工藝達到最佳匹配，全面提高產品穩定性及可靠性。該適用於半導體晶片背面金屬化前處理的單面泡酸工藝具有既能保證半導體晶片正面壓點鋁層質量、又能保證半導體晶片背面氧化層完全去除乾淨、同時還能夠不增加成本的優點。
文檔編號B08B3/08GK102764740SQ201210223359
公開日2012年11月7日 申請日期2012年7月2日 優先權日2012年7月2日
發明者丁軍, 馮東明, 葉新民, 王光偉, 王新潮 申請人:江陰新順微電子有限公司