用於雷射剝離的同位監控的製作方法

2023-04-26 15:25:21

專利名稱：用於雷射剝離的同位監控的製作方法
技術領域：
本發明是有關用於雷射剝離的同位監控。
背景技術：
在此所述的各種實施例大體上是關於材料剝離和用來剝離材料的方法與系統。 這些方法和系統尤其適用於在例如單接合面(single-junction)太陽能電池和薄膜多接合面 (multi-junction)太陽能電池 的工件上劃線。目前形成薄膜太陽能電池的方法涉及沉積或以其它方式在基板上形成數個層材 料，該基板可例如適合形成一或多個p-n接合面的玻璃、金屬或聚合物基板。太陽能電 池的一範例是在一基板上沉積有氧化物層(例如，透明導電氧化物(TCO)層)，然後是無 定形矽層和金屬背層。用來形成太陽能電池的材料和形成電池的方法與設備例子敘述於 例如同在申請中的美國專利申請案號11/671,988、申請日為公元2007年2月6日且名稱 為「多接合面太陽能電池和其形成方法與設備(MULTI-JUNCTION SOLAR CELLS AND METHODS AND APPARATUSES FOR FORMING THE SAME)」的申請案中，其以引用方 式納入本文中供作參考。若面板由大基板製成，則各層內通常需有一組劃線(scribe lines) 來繪出各電池的輪廓。在一些系統中，是將一連串雷射脈衝導向工件的至少一層來形成劃線。每一 脈衝指向或聚焦於一或多個將被剝離的膜層，且脈衝強度足以在一或多層中剝離掉一個
「點狀」或實質圓形的區域或是一溝槽。被剝離的材料以碎片「煙塵(plume)」的形式 離開工件。不幸的是，基於許多變因，並非一定能適當地形成劃線中的每一個點。在一 些情況下，可能因為工件上有缺陷及/或因為缺陷性的雷射脈衝，甚至無法形成點。這 些不當形成的點將形成不連續的劃線，導致整體太陽能電池陣列效率下降。此外，太陽 能面板中的劃線是由數十億或更多個剝離點所組成，因此定位及修正任何不連續處將相 當耗時。因此，期望發展出可克服在目前剝離、劃線及/或太陽能面板製造裝置中的至 少一部分上述和其它問題的系統和方法。

發明內容
以下簡述本發明的部分實施例，以供初步了解本發明。此段落並非概括地敘述 本發明，且並非用以限定本發明的關鍵組件或局限本發明的保護範圍。其目的僅為簡化說明隨後詳述的部分本發明實施例。 在此提出用於雷射劃線的系統，其包括用來監控雷射剝離的偵測器。經由監控 剝離期間產生的光，系統可收集指示各位置的剝離量的資料。該些數據可用於各種用 途，例如用於品管及/或矯正，例如再次剝離或修復在工件上數據指示有缺陷的位置而 重修工件。所提出的系統尤其適用於製造太陽能電池，例如單接合面太陽能電池和薄膜 多接合面太陽能電池。在一實施例中，提出用於在工件上劃線的系統。該系統包括一雷射，用以將一 連串雷射脈衝導向工件的材料層上數個部分重迭位置。每一個雷射脈衝能引起該些位置 的其中一位置處的材料層剝離。該系統更包括用來偵測剝離期間產生的光強度的偵測 器，光強度指示各位置的剝離量。在另一實施例中，提出一種在工件上劃線的方法。該方法包括將一連串雷射脈 衝導向工件的材料層上數個部分重迭的位置。每一個雷射脈衝能引起該些位置的其中一 位置處的材料層剝離。方法更包括偵測剝離期間產生的光強度，光強度指示各位置的剝 離量。在又一實施例中，提出一種包括指令儲存其內的對象，執行該些指令時將造成上 述方法的執行。可參考下述詳細說明和所附圖式來更充分地了解本發明的本質和優點。本發明 的其它方面、目的和優點在參閱圖式和以下詳細說明後，將變得更清楚易懂。


將參照圖式來說明根據本發明的不同實施例，其中圖1為根據許多實施例來使用的雷射劃線裝置的透視圖；圖2繪示根據許多實施例來使用的雷射劃線裝置的末端視圖；圖3(a)及3(b)繪示根據許多實施例，在工件上劃出縱向裁切線的方法；圖4繪示具有根據許多實施例形成的劃線的太陽能電池膜層；圖5 (a)及5 (b)繪示根據本發明多個實施例所能解決的劃線中不連續處；圖6繪示根據許多實施例的用於剝離工件材料的構造；圖7繪示根據許多實施例所能使用的強度峰；圖8繪示根據許多實施例的雷射劃線裝置的構造；圖9繪示根據許多實施例的用於雷射剝離的構造；圖10繪示根據許多實施例所產生及分析的光譜波峰；圖11繪示根據許多實施例的可用於修正不連續的圖案；以及圖12繪示根據許多實施例的控制系統，其同步地定位雷射剝離及移動工件。
具體實施例方式根據本發明不同實施例的系統和方法可克服現行剝離及/或雷射劃線方法中的 一或多個上述和其它問題。各種實施例提供改良的工藝控制，並能同位(in-situ)判斷是 否有不連續或不當剝離區的存在和其位置。隨後，這些根據不同實施例所做的裝置還能 返回這些位置，以試圖修正該剝離工藝中的問題。圖1繪示可根據許多實施例來使用的雷射劃線裝置100的其中一範例。該裝置包括床面或平臺102，其一般調成水平來收納及調動工件104，工件104可例如是具有至 少一膜層沉積其上的基板。在一實施例中，工件可以高達及/或大於2公尺/秒的速度 沿著單一方向向量移動(即當作Y-平臺)。工件通常對準固定位向，使工件的長軸實質 平行於該工件在裝置內的移動方向，原因將於稍後說明。可使用照相機或影像裝置取得 工件上的記號，以協助對準。在此實施例中，雷射(於後續圖式中顯示)定位在工件下方並且位於架橋106對面，架橋106託住一部分的排氣機構108，排氣機構108用以抽出 在劃線工藝期間從基板上剝離或移除的材料。工件104 —般裝載在平臺102的第一末端 上，並讓基板側朝下(朝向雷射)，層狀結構側朝上(朝向排氣裝置)。工件放在滾輪 110及/或軸承陣列上，但也可採用此技藝中已知的其它軸承或位移式對象來接收及移動 工件。在此實施例中，滾輪陣列皆沿著基板行進方向指向單一方向，使得工件104可相 對於雷射組件沿著縱向方向來回移動。裝置包括至少一個可控制的驅動機構112，用以控 制工件104在平臺102上的方向和移動速度。當基板在平臺102上來回移動時，雷射組件的劃線區有效地從工件邊緣區附近 劃到另一頭的邊緣區附近。為確保適當形成劃線，影像裝置可於劃線後呈現至少一條劃 線的影像。另外，光束波形測勘裝置(beam-profiling device)可用來在處理每個工件之間 或其它適當時候校正光束。在使用例如隨時間漂移的掃描儀的實施例中，光束波形測勘 儀能校正光束及/或調整光束位置。平臺、架橋和基部可由至少一種適合材料製作，例 如花崗巖做成的基部。圖2為裝置200的末端視圖，其繪示一列用來對工件膜層進行劃線的雷射組件 202。在此實施例中，設有四個雷射組件202，每個雷射組件各自包括一雷射裝置和多 個用來聚焦或調整雷射方向所需的組件，例如透鏡和其它光學組件。雷射裝置可為任何 適合操作而在工件的至少一層上進行剝離或劃線的雷射裝置，例如脈衝式固態雷射。如 圖所示，相對於工件而言，一部分的排氣裝置108設置在各個雷射組件的對面，以有效 排出利用各雷射裝置自基板上剝離或移除的材料。在許多實施例中，該系統為分軸系統 (split-axis system),其中平臺沿著縱軸移動工件。雷射可裝在一移動機構而能相對於縱 軸來側向移動該些雷射。例如，雷射可裝在支撐件204上，並且利用控制器和伺服馬達 來驅動該支撐件204在側向軌道(lateral rail) 206上移動。在一些實施例中，雷射和雷射光 學裝置一起在支撐件上側向移動。如下所述，如此可側向位移掃描區並帶來其它好處。每一個雷射裝置可採用如分束器(beam splitter)的組件來產生多個有效光束，以 於工件上劃線。在此實施例中，排氣裝置的各個部分能夠覆蓋住來自共享雷射裝置的多 個光束的掃描場或主動區域，但排氣裝置更可分成具有用於個別光束的掃描場的分離部 分。該裝置還包括基板厚度傳感器，以因應各基板之間及/或單一基板內的變量來調整 其在系統內的高度，以和基板保持適當的間隔距離。例如，可利用Z-平臺、馬達和控 制器來調整各個雷射的高度(如沿著ζ軸)。在一些實施例中，系統能控制3至5毫米 (mm)的基板厚度差，但也可進行其它調整。Z-馬達亦可調整雷射本身的垂直位置而調 整雷射在工件上聚焦。圖3(a)及3(b)繪示在工件上形成縱向劃線的示例方法。如圖3(a)及3(b)中 的範例350所示，工件縱向(longitudinally)來回移動，且任一個雷射束部分或掃描場在 任一指定時間只會形成一條劃線。掃描場於劃線末端的位置可加以調整。如圖3(a)的實施範例300所示，在工件移動的過程中，會沿著劃線圖案剝離掉一連串位置的每個位 置處的材料而形成由多個重迭點所構成的線300，可形成每一條劃線。這些點可重迭例 如25%的面積，以確保在一膜層中或一電池的各個部分之間具有適當的區域隔離各層， 同時減少必須形成的點數量以確保具有可接受的產量。各種校正劃線裝置的方法為眾所 周知，其能為工件上的點定位提供某種程度上的控制。以薄膜太陽能電池面板為例，可在不同膜層中提供許多不同的劃線來 適當隔離 不同電池的各層區域。圖4繪示由一組根據許多實施例形成的太陽能電池所組成的示例 結構400。在此實施例中，玻璃基板402上沉積有一透明導電氧化物(TCO)層404，隨 後在該層404內劃出由多條第一划線(如劃線1或Pl線)所組成的圖案。接著沉積無定 形矽層406及在層406內形成由多條第二劃線(如劃線2或P2線)所組成的圖案。然後 沉積金屬背層408及在其內形成由多條第三劃線(如劃線3或P3線)所組成的圖案。在 相鄰Pl線與P3線之間的區域(包括兩線之間的P2線)為非主動區域或死區，此區宜盡 量縮小以增進整體陣列效率。因此希望能夠控制劃線工藝期間的點尺寸及定位。如上所述，在許多實施例中，是經由產生一連串「重迭」的剝離點構成連續線 段而形成劃線。然可能發生某些誤差或問題而造成劃線不連續。劃線不連續並不符合 期望，因其會大幅減少相鄰區域之間的電性隔離，進而降低面板的整體效率。如圖5(a) 的實例500所示，可能會形成太小的剝離點502，以致於該點與至少一相鄰點之間留有間 隙，或造成該些點重迭不足而無法提供適當隔離。在其它情況下，點可能太大，如此會 縮減相鄰電池的主動區域而降低太陽能電池效率。圖5(b)繪示另一範例550，其中在該 膜層中有某些剝離點完全沒有形成，這是由於工件中具有缺陷或是雷射脈衝未以剝離所 需的強度抵達預定聚焦位置所導致的結果。圖6繪示可根據許多實施例用於形成剝離點的構造600。來自雷射606的脈衝 由至少一光學組件608引導及/或聚焦通過一實質透明(至少對雷射脈衝波長而言)基 板602而抵達膜層604中的預定剝離位置。在一些實施例中，雷射為脈衝式Q切換雷射 (pulsed Q-switched laser)，其操作頻率約30 150千赫(kHz)、操作波長約266奈米、 532奈米或1064奈米。材料層相對於雷射而言是位於工件的反側上，使得雷射脈衝穿過 基板而剝離掉位在此種結構配置中的頂側上的膜層，而造成該膜層在聚焦位置處的材料 被剝離並且離開該表面。一般來說，雷射在各層間的界面附近聚焦。具足夠強度的雷射 脈衝接著快速加熱此區域而引發輕微爆炸，造成材料自工件上噴射或爆裂而出。自表面 上剝離掉的材料通常形成材料煙塵610，其可由排氣系統抽出。在許多實施例中，煙塵持 續約1至3微秒(μ s)。 「爆裂」一般由閃光引起，例如快速加熱氣體引起1 10毫米 高的「火花」，火花包括白光和其它光譜組成。在許多實施例中，會在剝離區中形成實 質圓形且不含材料的區域，且進而形成溝槽。如上所述，基於如缺陷、變量等因素，並非每次剝離皆如期望地發生。當依照 期望發生剝離時，加熱氣體造成煙塵爆裂而產生的光將落在特定強度範圍內。若剝離工 藝的強度不足以形成夠大的點，則爆裂產生的光強度將小於此預定範圍。是以，形成太 大點的剝離步驟將具有超過此範圍的強度，而未發生剝離時，因無引起爆裂或相關「火 花」，故將不具強度。根據各種實施例的系統和方法採用偵測器來測量各剝離位置產生的火花強度。經由偵測各剝離位置的強度，系統可判定哪個位置未被適當剝離並且可依需求修正該些 位置，以確保適當形成劃線。在圖6實施例中，火花所產生的光將順著光學路逕往下返 回到雷射606，且至少部分的光由如部分透射鏡等光學組件612導向一在線(inline)偵測 器614。偵測器可為任何適合的偵測器，例如反應時間為10- 15毫微秒(ns)的快速 光電二極體。偵測器的一範例為白光光譜PIN光電二極體，其可取自美國新澤西州紐頓 市(Newton)的ThorLabs公司。適合偵測器的另一範例為光電倍增管(PMT)。PMT是 對於在電磁波譜的紫外光、可見光和近紅外光譜範圍內的光線相當靈敏的偵測器。PMT 將入射光產生的信號放大例如一億倍，以當入射光通量很低時，能個別偵測到單一個光 子。PMT可用來偵測需使用比光電二極體(photodiode)更靈敏的偵測器才能測得的較弱 煙塵，例如P2線和P3線的煙塵。光電二極體可偵測TCO煙塵(Pl)。沿線放置偵測器 能在所有時候都將偵測器實質置於剝離點中央。偵測器可於雷射606的發射時間同步， 以擷取每次剝離的爆裂強度。在一些實施例中，在每次拍攝(或連續煙塵的多個偵測點) 之間約間隔10微秒，每一個煙塵拍攝一次，且煙塵持續約1至3微秒。可調整拍攝的 間隔時間，但煙塵之間必需有足夠的時間讓每次煙塵充分消散及允許個別分析後續的煙 塵。在一些實施例中，氣體可沿著、越過或十分靠近剝離點地流動，以助於分散材料， 進而縮短煙塵的壽命。在一些實施例中，增設濾波器(未繪示)來實質避免該些偵測器偵測到具有雷射 波長的光，以更準確地指示火花強度。如圖所示，偵測器616可設在其它位置，例如設 置在該剝離之側上，然此位置在某些系統中會造成一些問題，例如剝離 材料會聚集在偵 測器上，或者在劃線裝置中用來放置偵測器的空間太小，此對於在密集區域中同時發生 多個剝離工藝的複雜裝置來說，影響尤甚。在一些實施例中，快門可設置在偵測器路徑 上，且快門在雷射發射期間是關閉的。偵測器可連接或聯一控制器，例如描述於同在申請中的美國臨時專利申請案序 號61/044,021中的控制器，此文獻以引用方式併入本文中供作參考。在一些實施例中， 偵測器擷取強度未落在預定範圍內的位置。如圖7中強度對時間的曲線圖700實施例所 示，最小強度值702和最大強度值704界定出預定的強度範圍讀值。在一些實施例中， 最小強度值對應於剝離臨界值(ablation threshold)或剝離材料所需的最小強度。落在此 範圍內的波峰706 —般對應於能產生具有期望尺寸的剝離點的適當剝離。對於強度小於 該最小強度值的波峰708而言，其位置經記錄後，裝置將返回此位置，並試圖移除任何 不連續性。對於強度大於最大強度值的波峰710而言，系統試圖調整雷射脈衝強度，以 修正剝離量。在一些實施例中，所擷取的位置信息包括系統或工件的坐標。在一些實施 例中，位置信息包括如平臺驅動馬達的縱向計數和光學裝置裝設驅動器的側向計數等數 據。本領域中具有通常知識者當可按照本文教示和建議實行任何記錄位置的方法。位置信息可儲存於任何適合位置中，例如儲存在本機或高速緩存中。為了節省 內存，系統僅記錄強度讀值落在預定範圍外的位置，而不記錄一特定工件上每一點的位 置信息。在一實施例中，裝置控制器能利用該位置信息返回記錄具有不當強度的位置， 並試圖再次剝離該位置，以修正先前剝離結果。在一些實施例中，完成整個工件的剝離 工藝之後，依需求修正不連續性。在其它實施例中，系統試圖修正同一條劃線中的多處 不連續性，甚至在發現不連續性後即緊接著進行修正，以縮短返回該位置所需的行進時間。此方式不需等到工件完成，即可調整任何參數來改善後續剝離工藝。 圖8繪示構造800，其中可使用如部分透射鏡(partially-transmissive mirror)、半
鍍銀鏡、稜鏡組件等分束組件806使來自單一雷射802的雷射脈衝分裂並且沿著二光束路 逕行進至個別掃描儀810，而讓脈衝聚焦及/或定位至工件上的預定位置和膜層。雖然圖 8繪示可根據許多實施例使用的示例雷射組件的一些基本組件，但應理解也可採用附加或 其它組件。在此構造中，沿著各路逕行進的脈衝會穿過快門(shutter)808以控制各個脈衝 的形狀，然後通過擴束器(beam expander)804以調整脈衝聚焦於工件上的截面積。各光 束部亦穿過其它適當組件(例如自動聚焦組件)，使光束部聚焦至掃描頭810上。每一 個掃描頭包括至少一個能調整光束位置的組件，例如做為方向偏轉機構的檢流計掃描儀 (galvanometer scanner)。在一些實施例中，其為能沿著與工件移動向量呈垂直的側向方向 來調整光束位置的旋轉鏡，以允許相對於目標劃線位置來調整光束位置。掃描頭接著同 時將各個光束導向工件上各個位置。掃描頭還可在該用來控制雷射位置的設備與工件之 間提供短的相隔距離。故可改善準確度和精確度。在許多實施例中，每個掃描頭810包括一對旋轉鏡812或至少一個能調整雷射束 二維(2D)位置的組件。每個掃描頭包括至少一驅動組件814，用以接收控制信號來調整 光束「點」在掃描場內相對於工件的位置。在一實施例中，在約60毫米X60毫米的 掃描場內，工件上的點為數十微米大小，然也可具有其它尺寸。使用掃描裝置或掃描頭 時，控制器利用來自掃描頭、縱向平臺及/或側向驅動平臺的位置信息而獲得工件上各 剝離點的適當位置信息。在線照相機(inline camera)816用來取得工件影像，例如取得劃 線及/或剝離煙塵/火花的影像。分析剝離火花產生的光亦提供第二層級的工藝控制。例如，除了剝離點的尺寸 夕卜，雷射未適當聚焦也會引起適當層剝離誤差。例如，參照圖9的構造900。在此實施 例中，雷射脈衝欲通過基板902和底層904，並聚焦於頂層906 (通常靠近頂層906與底 層904的界面)，以剝離頂層中的一區域。然而，可能因為機械性變動(variations)、工 件缺陷等因素導致雷射有時會聚焦在工件中的不當深度處。雷射強度也可能太大。發生 這些現象時，可能會剝離掉其它膜層的材料。如圖所示，不只是頂層906，底層904的部 分908也遭剝離。這些問題同樣將影響面板效率，在某些情況下，甚至會造成電池無法 正常運作。根據許多實施例的系統和方法可以類似上述方式偵測此類問題，除了只使用如 快速光電二極體的偵測器外，還可使用光譜分析儀910或其它能辨別剝離煙塵流912的光 譜組成的裝置。例如，所述太陽能電池具有金屬背層覆蓋無定形矽層。在此情況下， 系統讓光譜分析儀偵測金屬背層材料的光譜區中的至少一波峰1002，例如圖10的曲線圖 1000中所示者。如上所述，仍可測量對應於閃光的波峰強度來判定剝離量。此外，光譜 分析儀亦可偵測及辨別可能出現在光譜中的其它波峰1004。在上述實施例中，光譜分析 儀可偵測光譜中是否存有矽或矽化合物，其表示該下層的至少一部分也遭到剝離。若來 自不同層的材料持續出現一定時間，則表示雷射可能需要重新聚焦，且問題可能不僅是 工件缺陷所引起。在一些實施例中，光譜結果可持續饋送到控制器，以實時調整聚焦而 改善工藝控制。如上所述，偵測剝離點有問題允許以自動及/或手動方式(或兩種方式的組合)來返回該裝置，並試圖再次剝離該發生不連續問題的位置。一般來說，此步驟涉及移動回到該位置及再次剝離。然而，不連續有時是工件缺陷所致，例如基板中有氣泡或工件 表面上的微粒。在一些情況下，這類缺陷可能造成連續數個不當形成的剝離點。圖11 繪示根據一些實施例的用於修正不連續性的方法1100。該局部上視圖顯示由多個剝離點 組成的劃線1104中有一個不連續，該不連續是位於氣泡或其它工件缺陷上方(或下方)。 在此情況下，由於因缺陷的緣故而無法剝離該點，故可判定出由多個剝離點1106所組成 的圖案，該圖案將會避開缺陷1102。可告知使用者選擇檢視該缺陷而手動完成這類圖案 判定，或利用如照相機和圖案識別軟體等方式來自動完成這類圖案判定。如圖所示，此 圖案能形成沒有不連續處的劃線，並且產生最少的死區。當然，若缺陷太大，以致覆蓋 多個電池，則可能無法挽救所有電池。另外，若缺陷達到一定程度的大小，不要花時間 修復該不連續性，直接放棄單一電池效率會比較有利。其它工藝控制功能可進一步幫助改善最終劃線的質量。例如，劃線工藝期間， 影像裝置或輪廓測勘儀(profiler)可顯示工件上的已劃線的圖案的影像，以確保各掃描頭 適當控制脈衝光束。另外，雖然在實施例中顯示出四個雷射，每個雷射具有兩個光束部 分而提供總共八個主動光束，但應理解其僅為舉例說明，任何適合數量的層及/或光束 部分皆可採用，且來自一特定雷射的光束可分裂成許多光束部分做為實際特定應用。再 者，即使是在四個雷射產生八個光束部分的系統中，也可依據工件尺寸或其它因素啟動 少於八個光束部分。亦可調整掃描頭的光學組件來控制雷射脈衝在工件上的點尺寸或有 效面積，在一些實施例中，其直徑為約25微米至約100微米。圖12繪示根據許多實施例的系統1200，其經由使平臺編輯器(stage_encoder)的 脈衝與該雷射和點定位發射器(laser and spot-placement trigger)同步化，而加強劃線定位 的準確度。產生適當雷射脈衝之前，系統1200將確保工件和引導光束部的掃描儀位於適 當位置。利用觸發分配控制器1202 (例如，單一 VERSAmodule Eurocard (VME)控制器)
可簡化所有觸發器的同步動作，進而從一個共享源來驅動所有觸發器。觸發分配控制器 1202接收來自平臺控制器1204的觸發信號，用以透過多軸雷射劃線平臺1206來控制工件 移動。觸發分配控制器將觸發信號傳送至雷射與掃描儀控制器1208。雷射與掃描儀控制 器1208利用觸發信號來使分別透過雷射掃描儀1210和雷射源(Q切換器)1212進行的激 光掃描和切換動作同步化。隨後進行各種對準程序，以確保劃線後工件上的該些劃線對 齊。對準後，系統可在工件上劃出任何適合圖案，除了電池輪廓線和裁切線外，還包括 基準點標記和條形碼。詳細說明內容和圖式僅作為示範說明的用，而非用來局限本發明。在不脫離本 發明的廣義精神和範圍的情況下，當可做各種更動與潤飾，因此本發明的保護範圍當視 權利要求書所界定者為準。
權利要求
1.一種用於在工件上劃線的系統，該系統包含一雷射，用以將一連串雷射脈衝導向一工件的一材料層上數個部分重迭的位置，每 一個雷射脈衝能引起該些位置的其中一位置處的該材料層剝離；以及一偵測器，用以偵測該剝離期間產生的一光強度，該光強度指示各個位置的剝離量。
2.如權利要求1所述的系統，其中該偵測器包含一光電二極體。
3.如權利要求1所述的系統，其中該偵測器包含一光譜分析儀，該光譜分析儀能偵測 從該工件上一相鄰材料層剝離的材料。
4.如權利要求1所述的系統，更包含一濾波器，用以實質避免該偵測器偵測到具有該 雷射的一波長的光。
5.如權利要求1所述的系統，更包含一快門，設在該偵測器的一光學路徑上，其中該 快門在該雷射發射期間是關閉的。
6.如權利要求1所述的系統，更包含一控制器，用以引導該雷射回到該測得的光強度 指示剝離量不合宜的任一位置。
7.如權利要求1所述的系統，其中該工件相對於該雷射而移動，且更包含一觸發分配 控制器，用以同步引導該些雷射脈衝及移動該工件。
8.如權利要求1所述的系統，更包含一影像裝置，用以偵測在該測得的光強度指示剝 離量不合宜的任一位置處是否存有一缺陷。
9.如權利要求1所述的系統，更包含一算法，用以將一連串雷射脈衝導向數個額外位 置，以消除該測得光強度指示剝離量不合宜的任一位置處的不連續性。
10.—種在一工件上劃線的方法，該方法包含將一連串雷射脈衝導向一工件的一材料層上數個部分重迭的位置，每一個雷射脈衝 能引起該些位置的其中一位置處的該材料層剝離；以及偵測該剝離期間產生的一光強度，該光強度指示每一個位置的剝離量。
11.如權利要求10所述的方法，更包含分析從該工件剝離的材料的光譜組成，以偵測 從該工件上一相鄰材料層剝離的材料。
12.如權利要求10所述的方法，更包含引導該雷射回到該測得的光強度指示剝離量不 合宜的任一位置。
13.如權利要求12所述的方法，更包含再次剝離該測得的光強度指示剝離量太少的位置。
14.如權利要求10所述的方法，更包含擷取該工件上該測得的光強度指示具有不合宜剝離量的位置處的一影像；以及 處理該影像，以識別一工件缺陷。
15.如權利要求14所述的方法，更包含產生一連串的重迭雷射剝離以避開該工件缺陷。
全文摘要
在利用一連串部分重迭的剝離點(300、1106)來形成劃線的系統中，經由擷取剝離各點時產生的光強度(706、708、710)，可偵測不連續性(502、552)。當光強度(708)小於預定臨界值的情況下，會使產生的剝離點不足以重迭到任何相鄰點，此時可擷取此點的位置，並嘗試再次於此位置處執行剝離。
文檔編號B23K26/00GK102027352SQ200980118344
公開日2011年4月20日 申請日期2009年5月12日 優先權日2008年5月14日
發明者A.P.馬內斯, W-Y.許 申請人:應用材料股份有限公司