一種用於單晶矽生長爐的氬氣分流裝置製造方法
2023-04-26 06:06:16 1
一種用於單晶矽生長爐的氬氣分流裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型涉及單晶爐氬氣系統，旨在提供一種用於單晶矽生長爐的氬氣分流裝置。該種用於單晶矽生長爐的氬氣分流裝置包括氬氣淨化圈和頂面法蘭，氬氣淨化圈之間用螺釘和圓柱銷依次連接，頂面法蘭安裝在單晶爐的腔體頂部，上端的氬氣淨化圈的一端與頂面法蘭連接；頂面法蘭的上端開有通氣孔，用於作為氬氣的進入通道，每個氬氣淨化圈上都開有通氣槽和通氣孔，分別作為氬氣淨化圈上氬氣的進口和出口。通過本實用新型的使用，能使進入爐體的氬氣氣流更加穩定均勻，保證爐體內氣壓及溫度的穩定性，從而提高矽單晶棒的成晶率和成晶品質。
【專利說明】-種用於單晶枯生長妒的氣氣分流裝置
【技術領域】
[0001] 本實用新型是關於單晶爐氮氣系統，特別涉及一種用於單晶娃生長爐的氮氣分流 裝置。
【背景技術】
[0002] 單晶爐在拉晶過程中需要持續地向爐體內通入氮氣等惰性氣體，保證單晶生長的 惰性氣體環境及穩定的壓力，同時氮氣氣流可W及時地帶走娃單晶拉制過程中產生的娃氧 化物和雜質揮發物，保證娃單晶棒的成晶率和成晶品質。如果爐體內氮氣氣流不均勻、穩 定，不僅影響娃氧化物和雜質揮發物及時排出，也會影響單晶爐上軸系統的穩定性，直接影 響娃單晶棒的成晶率和成晶品質。為解決該方面的問題，有必要提供一種氮氣分流裝置，使 進入爐體的氮氣氣流穩定均勻，有利於娃氧化物和雜質揮發物及時排出，保證單晶爐上軸 系統的穩定性，從而提高娃單晶棒的成晶率和成晶品質。 實用新型內容
[0003] 本實用新型的主要目的在於克服現有技術中的不足，提供一種能使進入爐體內的 氮氣氣流穩定均勻、提高娃單晶棒的成晶率和成晶品質的氮氣分流裝置。為解決上述技術 問題，本實用新型的解決方案是：
[0004] 提供一種用於單晶娃生長爐的氮氣分流裝置，包括氮氣淨化圈和頂面法蘭，氮氣 淨化圈至少設有兩個，且氮氣淨化圈之間用螺釘和圓柱銷依次連接；頂面法蘭安裝在單晶 爐的腔體頂部，上端的氮氣淨化圈的一端與頂面法蘭連接；
[0005] 頂面法蘭和氮氣淨化圈的中也都設有一個通孔，用於作為單晶爐上軸系統的升降 及旋轉通道；頂面法蘭的上端開有通氣孔，用於作為氮氣的進入通道；每個氮氣淨化圈上 都開有通氣槽和通氣孔，通氣孔均布在通氣槽上，通氣槽和通氣孔分別作為氮氣淨化圈上 氮氣的進口和出口。
[0006] 作為進一步的改進，所述通氣槽為圓環狀凹槽，通氣孔均勻均分布在通氣槽上，且 相鄰氮氣淨化圈的通氣孔交錯分布。
[0007] 作為進一步的改進，氮氣淨化圈設有四個，從上至下依次分別為氮氣淨化圈A、氮 氣淨化圈B、氮氣淨化圈C、氮氣淨化圈D，且頂面法蘭、氮氣淨化圈A、氮氣淨化圈B、氮氣淨 化圈C、氮氣淨化圈D上的通流面積（每一個氮氣淨化圈上通氣孔的總面積）依次變大。
[0008] 作為進一步的改進，所述氮氣淨化圈D的下端為錐狀結構，錐面上開有通氣孔。
[0009] 作為進一步的改進，設定頂面法蘭的通氣孔、氮氣淨化圈A的通氣孔直徑、氮氣淨 化圈B的通氣孔直徑、氮氣淨化圈C的通氣孔直徑、氮氣淨化圈D的通氣孔直徑分別為D。、
【權利要求】
1. 一種用於單晶矽生長爐的氬氣分流裝置，其特徵在於，包括氬氣淨化圈和頂面法蘭， 氬氣淨化圈至少設有兩個，且氬氣淨化圈之間用螺釘和圓柱銷依次連接；頂面法蘭安裝在 單晶爐的腔體頂部，上端的氬氣淨化圈的一端與頂面法蘭連接； 頂面法蘭和氬氣淨化圈的中心都設有一個通孔，用於作為單晶爐上軸系統的升降及旋 轉通道；頂面法蘭的上端開有通氣孔，用於作為氬氣的進入通道；每個氬氣淨化圈上都開 有通氣槽和通氣孔，通氣孔均布在通氣槽上，通氣槽和通氣孔分別作為氬氣淨化圈上氬氣 的進口和出口。
2. 根據權利要求1所述的一種用於單晶矽生長爐的氬氣分流裝置，其特徵在於，所述 通氣槽為圓環狀凹槽，通氣孔均勻均分布在通氣槽上，且相鄰氬氣淨化圈的通氣孔交錯分 布。
3. 根據權利要求1所述的一種用於單晶矽生長爐的氬氣分流裝置，其特徵在於，氬氣 淨化圈設有四個，從上至下依次分別為氬氣淨化圈A、氬氣淨化圈B、氬氣淨化圈C、氬氣淨 化圈D，且頂面法蘭、氬氣淨化圈A、氬氣淨化圈B、氬氣淨化圈C、氬氣淨化圈D上的通流面 積依次變大。
4. 根據權利要求3所述的一種用於單晶矽生長爐的氬氣分流裝置，其特徵在於，所述 氬氣淨化圈D的下端為錐狀結構，錐面上開有通氣孔。
5. 根據權利要求3所述的一種用於單晶矽生長爐的氬氣分流裝置，其特徵在於，設定 頂面法蘭的通氣孔、氬氣淨化圈A的通氣孔直徑、氬氣淨化圈B的通氣孔直徑、氬氣淨化圈 C的通氣孔直徑、氬氣淨化圈D的通氣孔直徑分別為％、D2、D3、D4，滿足萬 Dn+1大於Dn, 其中 η 是 0、1、2、3、4。
6. 根據權利要求3所述的一種用於單晶矽生長爐的氬氣分流裝置，其特徵在於，所述 氬氣淨化圈Α、氬氣淨化圈Β、氬氣淨化圈C、氬氣淨化圈D上的通氣孔數量分別為2個、4個、 8個、16個。
【文檔編號】C30B15/00GK204174304SQ201420471458
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年8月20日 優先權日:2014年8月20日
【發明者】曹建偉, 朱亮, 王巍, 俞安州, 孫明 申請人:浙江晶盛機電股份有限公司