布線構造及其形成方法和印刷布線板的製作方法

2023-04-26 07:29:36 1

專利名稱：布線構造及其形成方法和印刷布線板的製作方法
技術領域：
本發明涉及多層印刷布線板和部件內置印刷布線板等的布線構造。
背景技術：
作為半導體ic晶片等電子部件的高密度安裝構造，已知有絕緣層和布線層交替地層疊而成的多層印刷基板、以及具有將電子部件埋入 其中的絕緣層的部件內置印刷基板。在具有這種構造的印刷布線板中， 作為將布線層連接於被配置在絕緣層的下部或內部的下部布線層、內置電子部件的電極、凸起(bump)等被布線體的方法，已知有一種在 絕緣層上形成被稱為導通孔(via-hole)的連接孔，使被布線體露出， 然後在該導通孔的內部將被布線體與布線層連接的方法(參照專利文 獻l、專利文獻2)。然而，作為己知的布線的形成方法， 一般包括加成法(additive process),在布線圖形(pattern)部分有選擇地形成布線層；半加成法 (semi-additive process),在整個基板面上形成基底層之後，有選擇地 除去或者掩模該基底層的布線圖形部分以外的部分，利用以圖形狀殘 留或者露出的基底層，在其上形成布線層；以及減成法(subtmctive process),在整個基板面上形成導體層之後，有選擇地除去該導體層的 布線圖形部分以外的部分，形成布線層。而且，即使對於在導通孔內 將被布線體和布線層連接的導通孔連接而言，也多採用這些布線形成 方法。例如，在專利文獻l中公開了一種方法(減成法)，在多層印刷布 線板上，在包括導通孔的內壁的整個基板面上形成導體層，利用光刻 以及蝕刻有選擇地除去該導體層的布線圖形部分以外的部分，形成布 線圖形。另外，在專利文獻2中也公開了一種方法(半加成法)，在部件內置印刷布線板中，在包括導通孔的內壁的整個基板面上形成基底導電 層，然後，對該基底導電層的布線圖形部分以外的部分進行掩模，通 過進行以露出的基底導電層作為基體的電鍍，從而形成布線圖形。專利文獻l:日本國特開2006-100773號公報 專利文獻2:日本國特開2005-64470號公報發明內容此外，發明者們對上述現有的布線圖形(層)仔細地進行了研究，結果發現儘管下部布線層、電極以及凸起這些被布線體和布線層均 為同種金屬，並在兩者的界面處產生金屬結合，但是兩者的連接還是 不充分。於是，變得難以充分地維持具有相關的布線構造的布線板或 器件等的高可靠性。因此，本發明鑑於上述情況而被提出，目的在於提供一種能夠充 分地提高被布線體和與其連接的布線圖(層)的連接性的布線構造及 其製造方法，和具有該布線構造的印刷布線板。為了解決上述問題，發明者們對於布線層在導通孔內與被布線體 連接的布線構造進行深入研究，發現了下述情況，從而完成了本發明。 即，在目前的布線層中，進行製造工序和檢查工序中的加熱以及冷卻 處理時，在布線層和被布線體之間的連接界面區域內，在布線體內部 施加有起作用使布線層從被布線體滑動(移動布線層)的應力，並且， 其內部應力的程度受到布線層的形狀參數影響。艮P，本發明涉及的布線構造包括絕緣層，形成有連接孔；被布 線體，以至少一部分在連接孔的底部露出的方式而配置；以及布線層，在連接孔的內部與被布線體連接，在該布線層的上表面的至少一部分 上具有凹部，並且，以包括該凹部的邊緣部的側壁不與連接孔的內壁 接觸的方式而被設置。這裡，本發明的"絕緣層"是指由電絕緣材料形成的層，例如， 包括多層印刷布線板的層間絕緣層和部件內置印刷布線板的部件內置 層等。此外，"被布線體"是指以布線層進行布線的對象，換言之，是 指與布線連接的對象，例如，包括多層印刷布線板的下部布線層和部 件內置印刷布線板的內置電子部件的電極等。而且，"布線層"是指構成布線圖形的層，該布線圖形用於將被布線體和安裝在印刷布線板上 的其它部件等電連接。而且，連接孔的"內壁"，在連接孔例如為杯狀 (一端封閉的筒狀)且能夠明確地區分側壁與底壁的情況下，表示側 壁，在無法明確地區分側壁與底壁的情況下，主要表示除了相當於底 部的部分以外的壁部。在如此構成的布線構造中，通過將布線層連接至在形成於絕緣層 上的連接孔的底部上露出的被布線體，從而形成布線構造，該布線層 在其上表面的至少一部分上具有凹部(例如，不是呈單純的梯形狀， 而是上表面形成為例如上表面凹陷成研缽狀的截面形狀)，而且，以包 括凹部的邊緣部的側壁，即，布線層的上端部的側壁的至少一部分不 與連接孔的內部接觸的方式而形成。這裡，圖16 (A)以及(B)分別是概略性地顯示在布線層上表面 具有凹部的本發明涉及的布線構造、以及布線層的上表面平坦的布線構造的模式截面圖。在圖16 (A)所示的布線構造P中，圖中未顯示 的半導體裝置被配置在樹脂層16p中，該樹脂層16p被設置在圖中未 顯示的基體上，在該半導體裝置的凸起14p (被布線體)上形成有導通 孔19p。此外，在該導通孔19p的內部，上表面形成為凹狀，並且，以 側壁上部(包括上端部tp的側壁)不與導通孔19p的內壁接觸的方式 在兩者之間形成有空隙的導通孔電極部23p(布線層)與凸起14p連接， 在其上部設置有樹脂層17p。另一方面，圖16 (B)所示的布線構造Q， 除了具有上表面平坦且整個側壁與導通孔的內壁接觸的導通孔電極部 23q以外，與布線構造P同樣地形成。而且，在圖16 (B)中，用"q" 表示其它部件的符號的附標。在對這些布線構造P、 Q施行製造工序和檢查工序中的加熱和冷卻 處理的情況下，在導通孔電極部23p、 23q內，因其膨脹收縮，在以各 自的上端部tp、 tq為首的周邊部以及內部施加有熱應力，尤其是在導 通孔電極部23p、 23q和凸起14p、 14q之間的界面區域，由於兩者的 熱膨脹率以及熱收縮率的差異，能夠產生使導通孔電極部23p、 23q相 對於凸起14p、 14q移動的應力。這樣的應力(熱應變)的程度在導通 孔電極部23p、 23q的形成之前，在對被布線體即凸起14p、 14q施行 加熱冷卻處理的情況下，有變得顯著的傾向。這時，在圖16 (A)所示的本發明涉及的布線構造P中，包括凹 部的周邊(邊緣部)的上端部tp不與導通孔19p接觸，並形成為截面 尖塔狀，因而與導通孔電極部23p的內部相比，應力有更容易集中的 傾向，但是，由於在導通孔電極部23p的上表面形成有凹部並凹陷， 因而相關的應力被緩和，在凹部被所謂吸收。BP,導通孔電極部23p 的包括凹部邊緣的上端部tp不與導通孔19p接觸，並且在其上表面具 有凹部，因而，在導通孔電極部23p的內部產生的熱應變在凹部內被 緩和，從而減小了在導通孔電極部23p和凸起14p的界面區域起作用 使導通孔電極部23p從凸起14p移動(剝離)的應力。與此相對的是，圖16 (B)所示的布線構造Q中，由於導通孔電 極部23q的上表面平坦且整個側壁與導通孔的內壁接觸，因而，在導 通孔電極部23q產生的內部應力沒有所謂的逃逸處，與布線構造P相 比，熱應變的緩和作用小，因而難以減小在導通孔電極部23q和凸起 14q的界面區域起作用使導通孔電極部23q從凸起14q移動(剝離)的 應力。此外，布線構造Q中，由於整個側壁與導通孔的內壁接觸，因 而導通孔電極部23q的體積大於導通孔電極部23p，與導通孔電極部 23p相比，所產生的應力自身也大。結果，布線構造Q中，在凸起14q和導通孔電極部23q的接觸界 面區域，由於在導通孔電極部23q從凸起14q錯開的方向上持續地施 加有應力(stress),因而導通孔電極部23q和凸起14q的連接性可能降 低。而布線構造P中，通過減小這樣的應力(stress),兩者的連接性提 高，並且其能夠隨時間流逝而保持。但是，作用並不限於以上所述。而且，由於在布線層的上表面的至少一部分上具有凹部，因而， 與布線層的上表面平坦的情況相比，表面積增大。因此，在其上部被 樹脂等的上部構造覆蓋時，其上部構造和布線層之間的接觸面積增大， 因而提高了兩者的粘合性。此外，由於在布線層的上表面的至少一部 分上具有凹部，形成了窪陷，因而該凹部(窪陷)的邊緣部以突入其 上層的樹脂等的上部構造內的方式而被配置，並通過所謂的錨固效應 (anchor effect),進一步提高兩者的粘合性(樹脂等的固定力)。這些 通過以下所述可以很容易地被理解。圖16 (A)所示的示例中，導通 孔電極部23p的上端部tp呈尖塔狀，並以進入在其上形成的樹脂層17p(如同打進錨)的方式而被配置。另外，優選布線層包括截面積從凹部的邊緣部向著被布線體而增 大的部分。而且，本發明中，布線層的"截面積"是指平行於在連接 孔的開口端劃定的面的平面的截面積。在該情況下，布線層形成為包 括其截面積(可以選用體積或截面寬度)例如逐漸增大的部分的形狀， 並且底端向著連接孔的底部而擴大(例如為山狀、梯形狀、錐狀，但 是，側壁面可以是平滑面，也可以不是)，反過來說，形成為包括向著 連接孔的開口端而前端變細的部分的形狀。如此，變得容易形成具有類似於上述圖16 (A)所示的導通孔電 極部23p的尖塔狀截面的上端部tp，並且，與在導通孔電極部23p的 上表面形成的凹部配合起來，提高了在導通孔電極部23p上施加的應 力的緩和作用。而且，優選布線層包括截面積從與被布線體連接的部位向著連接 孔的開口而增大的部分。作為相關構造的具體示例，可以列舉出如下 的構造，即，例如，如上述圖16 (A)所示的布線構造P那樣，連接 孔即導通孔19p的直徑從底部向著開口而逐漸增大，並以填充該導通 孔19p的底部的方式形成有布線層即導通孔電極部23p。如此地構成之 後，在導通孔電極部23p與被布線體即凸起14p的界面區域所施加的 應力沿著導通孔電極部23p的底部側壁(即導通孔19的底部內壁)擴 散，導通孔電極部23p的內部應力被進一步緩和。但是，作用不限於 這些。而且，更優選布線層以形成連接孔的內壁的至少一部分與該布線 層不接觸的空間區域的方式而被設置。作為相關的構造示例，可以列 舉出如下的布線構造，即，例如，如上述圖16 (A)所示，形成有連 接孔即導通孔19p的內壁和布線層即導通孔電極部23p不接觸的界面 區域。在此，在所述現有的布線形成方法中，由於在圖形轉移(patterning) 布線層時可能發生位置偏離，因而為了允許該位置偏離並可靠地連接 布線層，傾向於採用將布線層從導通孔上部的外側延出至絕緣層的表 面的布線構造。即，如圖15 (A)以及(B)所示，在現有的導通孔連 接中，傾向於將在導通孔150上形成的布線層153的寬度w設計成大於導通孔150的開口直徑r。在該情況下，相鄰的布線層間的絕緣距離z，如圖所示，是其在絕 緣層表面上延伸的部位間的最短距離，為了充分確保該絕緣距離z，導通孔間隔(導通孔間距)不得不擴大至某種程度。因此，實際上，印 刷布線板的高密度化受到限制，其基於伴隨著導通孔的窄間距化的被 布線體的配置間隔的狹小化。此外，為了實現高密度安裝，也可以考慮到使布線自身變細且使 布線圖形窄間距化，並由此確保布線間隔(絕緣距離)，但是，在產生 被布線體和布線層的位置偏離的情況下，有可能無法可靠地連接兩者， 這樣的話，可能產生問題，即，不能確保足夠的連接強度以至於斷線， 或者連接電阻高到不合適的程度。與此相對的是，本發明涉及的布線構造中，如上所述，在連接孔 的內部形成有在其內壁側不存在布線層的空隙，因而，即使在形成有 鄰接的連接孔並在各自上設有上述構成的布線層的情況下，也能夠在 連接孔間的距離上確保布線層間(布線圖形的相互鄰接的布線間)的 絕緣。此外，如果布線層形成為向著末端擴大，那麼能夠在被布線體 和布線層的連接部位(即，位於連接孔的底部的被布線體的露出面) 確保大的連接面積，因此，在布線層的圖形轉移中，即使布線層與被 布線體產生位置偏移，也充分地確保了兩者的連接。而且，如果布線層包括截面積向著被布線體而增大的部分，並且 形成有連接孔的內壁和布線層不接觸的空間區域(空隙)，換言之，從 連接孔的內壁的開口端向著底部側布線層均不接觸的區域，那麼，在 連接孔的內部，減少了其空隙大小的布線層的體積。因此，實現了整 個布線構造的薄型化，進而由此減少了布線量，因而能夠降低布線電 阻以及寄生電容。而且，由於在連接孔的內壁和布線層之間形成有空隙，所以，容易形成如上述圖16 (A)所示的截面尖塔狀的導通孔電極部23p的上 端部tp，進一步提高了施加在導通孔電極部23p上的應力的緩和作用。 此外，由於布線層的寬度可以為連接孔的尺寸大小以下的值，因而， 在能夠以狹公差管理布線層的寬度的同時，更加減少了布線量，由此 進一步減少了整個布線構造的布線電阻以及寄生電容。而且，在製造布線構造時，由於至少在連接孔內的開口端部附近產生空隙，因而， 即使萬一導電性異物等混入到布線層附近，也可以期待如下的效果， 即能夠在該空隙內進行收集，並能夠防止因異物而導致的布線層間的 短路。這裡，布線層可以整個被容納在連接孔的內部，或者，可以突出 至連接孔的外部，換言之，布線層可以以其至少一部分填充連接孔的 方式而被設置，可以其整體被設置在連接孔的內側區域內，或者，布線層的上表面高度(level)可以被設置成低於或高於連接孔的開口端 (開放端)高度，無論在哪種情況下，可以被設置成上表面的至少一 部分呈凹狀，且包括該凹部的邊緣端的側壁不與連接孔的內壁接觸。 此外，優選布線層形成為向著底端擴大的形狀，並且位於連接孔的開 口端的布線層的寬度(與開口端面平行的截面的最大寬度)小於連接 孔的開口徑寬(連接孔的開口端的最大寬度)。而且，更加優選布線層以覆蓋在連接孔的底部露出的被布線體的 露出面的整體的方式而被設置。這樣的話，抑制了因雜質混入到布線 層和被布線體的界面內而導致的布線強度的下降和連接電阻的上升。而且，優選本發明涉及的印刷布線板被構成為，具備本發明的布 線構造，並連續地設置有該布線構造，該布線構造包括絕緣層，形 成有連接孔；被布線體，以至少一部分在連接孔的底部露出的方式而 被配置在絕緣層的下部或內部；以及布線層，在連接孔的內部與所述 被布線體連接，在該布線層的上表面的至少一部分上具有凹部，並且， 以包括凹部的邊緣部的側壁不與所述連接孔的內壁接觸的方式而被設 置。此外，本發明涉及的布線構造的形成方法是用於有效地形成本發 明的布線構造的方法，包括絕緣層形成工序，在被布線體上形成絕 緣層；連接孔形成工序，在絕緣層上形成至少一個連接孔，使得所述 被布線體的至少一部分露出；以及布線層連接工序，在連接孔的內部 連接被布線體與布線層。其中，布線層連接工序中，以在布線層的上 表面的至少一部分上形成有凹部，並且，包括布線層的凹部的邊緣部 的側壁不與連接孔的內壁接觸的方式而形成布線層。本發明的布線構造等包括布線層，該布線層在連接孔的內部與被布線體連接，在上表面的至少一部分上具有凹部，並且以包括凹部的 邊緣部的側壁不與連接孔的內壁接觸的方式而被設置，因而，即使在 布線層上施加有熱應力，也能夠緩和其內部應力，充分地提高被布線 體和布線層的連接性，由此，能夠提高具備該布線構造的布線板或器 件的可靠性。


圖1 (A)以及(B)分別是具備本發明涉及的布線構造的優選的 一個實施方式的半導體內置基板的一個示例的主要部分的概略的平面 示意圖以及截面示意圖。的順序的一個示例的工序示意圖。 的順序的一個示例的工序示意圖。圖2是製造半導體內置基板 圖3是製造半導體內置基板 圖4是製造半導體內置基板 圖5是製造半導體內置基板 圖6是製造半導體內置基板 圖7是製造半導體內置基板 圖8是製造半導體內置基板 圖9是製造半導體內置基板的順序的一個示例的工序示意圖,的順序的一個示例的工序示意圖。 的順序的一個示例的工序示意圖。 的順序的一個示例的工序示意圖。 的順序的一個示例的工序示意圖。 的順序的一個示例的工序示意圖。 圖IO是製造半導體內置基板1的順序的一個示例的工序示意圖。 圖11是製造半導體內置基板1的順序的一個示例的工序示意圖。 圖12 (A) (F)分別是表示本發明的布線構造的其它實施方式 的布線層的截面示意圖。圖13是形成本發明的布線構造的順序的其它示例的工序示意圖。 圖14是半導體裝置的概略構造的立體示意圖。 圖15 (A)以及(B)分別是現有的布線構造的一個示例的平面示 意圖以及截面示意圖。圖16 (A)和(B)分別是概略地顯示在布線層的上表面具有凹部 的本發明涉及的布線構造、以及布線層的上表面平坦的布線構造的模 式截面圖。圖17是顯示按照與圖2 圖ll所示的順序製造的布線構造的一個 示例的平面照片。圖18A是顯示圖17中所示的布線構造的導通孔電極部23a或導通 孔電極部23b的周圍的截面照片。圖18B是顯示圖17中所示的布線構造的導通孔電極部23a或導通 孔電極部23b的周圍的截面照片。圖18C是顯示圖17中所示的布線構造的導通孔電極部23a或導通 孔電極部23b的周圍的截面照片。圖19A是對在布線層的上表面具有凹部的本發明涉及的布線構造 進行應力分析模擬的結果的截面示意圖。圖19B是對布線層的上表面平坦的布線構造進行應力分析模擬的 結果的截面示意圖。符號說明1…半導體內置基板(印刷布線板)，11…內芯基板，12、 17…銅 箔，13…導電圖形(被布線體)，14…半導體裝置，14a…主面，14b… 背面，14p…凸起(被布線體)，14q…凸起，15…樹脂板，16…樹脂層、 熱硬化性樹脂板，17p、 17q…樹脂層，18a、 18b…開口圖形，19a、 19b、 19p…導通孔(連接孔)，20…基底導電層，21…導電層，22…導電圖 形(布線層)，23a、 23b、 23p…導通孔電極部(布線層)，23q…導通 孔電極部，24a、 24b…抗蝕層，130a、 130b…連接孔，131…絕緣層， 132…掩模層，133a、 133b…布線層，150…導通孔，153…布線層，P、 Q…布線構造，ra、 rb…導通孔的上部開口徑寬，ma、 mb…掩模層的開 口寬度，rl30a、 rl30b…連接孔的上部開口徑寬，r，130a、 r，130b…露 出面的徑寬，r…導通孔的上部開口徑，tp、 tq…上端部，w…布線層的 寬度，z…絕緣距離。
具體實施方式
下面，對本發明的實施方式詳細地進行說明。並且，在附圖中， 對於相同的要素標註相同的符號，省略重複的說明。此外，上下左右 等的位置關係只要沒有特別地預先說明，就以圖中所示的位置關係為 準。而且，附圖的尺寸比例並不限於圖示的比例。另外，以下的實施 方式只是用於說明本發明的示例，並不意味著本發明僅限於該實施方式。本發明能夠在不脫離其主旨的情況下，進行各種的變形。圖1 (A)是具備本發明的布線構造的優選的一個實施方式的半導 體內置基板的一個示例的主要部分的概略的平面示意圖，圖l (B)是圖1 (A)的B-B截面圖。半導體內置基板1 (印刷布線板)，在內芯(core)基板11的兩 面上形成有導電圖形13 (被布線體)，並且，在層疊於內芯基板11 上的樹脂層16內配置有半導體裝置14。在樹脂層16設有導通孔19a、 1% (連接孔)，使得被配置在其下部/上部(內芯基板ll側)以及內 部的導電圖形13和半導體裝置14的凸起14p (被布線體)從樹脂層 16突出或暴露。而且，在導通孔19a、 19b的內部，凸起14p以及導電 圖形13分別與導電圖形22的導通孔電極部23a、 23b (同時與布線層) 連接。與前述的圖16 (A)所示的布線構造P的導通孔電極部23p相同， 導通孔電極部23a、 23b在其截面中的上表面形成有凹部。如圖l (A) 所示，這些凹部被設置在導通孔19a、 19b內的平面區域。此外，導通 孔電極部23a、 23b以包含上述凹部的周邊(邊緣部)的側壁不與導通 孔19a、 19b的內部接觸的方式而被設置，並且包含圖示中的截面為梯 形的部分而成形，換言之，上半部分大致以截面積向著導電圖形13以 及凸起Mp而增大的方式形成為底部擴大狀，在其兩側，與導通孔19a、 19b的內壁的底部附近接觸，且在其上部不接觸，從而在導通孔19a、 1%的內壁與導通孔電極部23a、 23b之間形成有空間區域(空隙)。 而且，導通孔電極部23a、 23b的側壁斜面端以與導通孔19a、 19b的 側壁接觸的方式形成。內芯基板11作為確保半導體內置基板1的整體機械強度的基底材 料而起作用，雖然沒有被特別地限定，但是，例如能夠使用樹脂基板 等。作為樹脂基板的材料，優選使用將熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂 等浸滲在由玻璃布、凱夫拉爾(kevlar)、芳族聚醯胺、液晶聚合物等 樹脂布、氟化樹脂的多孔板等構成的芯材之內而形成的材料，其厚度 優選為20pm 20(Him左右。另外，作為被實施雷射加工的基板用途， 其目的為加工條件均一化，也可以使用LCP、 PPS、 PES、 PEEK、 PI 等沒有芯材的板材料。這裡，半導體裝置14是裸晶片(bare chip)狀態的半導體IC (die) 等的半導體部件。圖14是半導體裝置14的概略構造的立體示意圖。 半導體裝置14在其大致呈矩形板狀的主面14a上具有多個接地電極 (圖中未顯示)以及接合於其上的凸起14p。並且，在圖示中，僅顯示 了在四角的凸起14p，省略了除此之外的凸起的顯示。此外，雖然並沒有被特別地限定，但是，半導體裝置14的背面14b 通常被研磨，於是，半導體裝置14的厚度t (從主面14a至背面14b 的距離)比通常的半導體裝置薄，例如，優選為200pm以下，進一步 優選為10 100)im左右。另一方面，為了實現使半導體裝置14的進一 步薄型化，優選對背面14b進行基於蝕刻、等離子體處理、雷射照射、 噴射(blast)研磨、拋光研磨、化學處理等的粗糙化處理等。並且，優選在晶片的狀態下對多個半導體裝置14一併進行半導體 裝置14的背面14b的研磨，然後，通過分割(dicing)，分離為單個 的半導體裝置14。在進行研磨使其變薄前，通過分割，分離為單個的 半導體裝置14的情況下，也能夠在用樹脂等覆蓋半導體裝置14的主 面14a的狀態下研磨背面14b。凸起14p的種類並沒有被特別地限制，可以列舉出釘頭凸起(stud bump)、板狀凸起(plate b腿p)、電鍍凸起(plated b飄p)、球狀凸 起(ballbump)等各種凸起。在圖示中，以板狀凸起為例。在使用釘頭凸起作為凸起14p的情況下，能夠通過引線接合(wire bonding)形成銀(Ag)或銅(Cu)、金(Au)，在使用板形凸起的 情況下，能夠通過電鍍、濺射或者蒸鍍形成。另外，在使用電鍍凸起 的情況下，能夠通過電鍍形成，在使用球狀凸起的情況下，能夠通過 在接地電極上載置焊球後使其熔融，或將乳酪焊劑(cream solder)印 刷在接地電極上之後使其熔融而形成。此外，也能夠使用通過絲網印 刷導電性材料，然後使其硬化而形成的圓錐狀、圓柱狀等的凸起，或 者通過印刷納米膏，然後加熱使其燒結而形成的凸起。作為可以用於凸起14p的金屬種類，並沒有被特別地限定，例如， 可以列舉出金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、錫(Sn)、 鉻(Cr)、鎳鉻合金、焊料等，其中，優選使用銅。如果使用銅作為 凸起14p的材料，那麼，例如與使用金的情況相比，可以獲得更高的與接地電極結合的強度，提高半導體裝置14的可靠性。另外，能夠根據接地電極的間隔(間距)而適當地設定凸起]4p的尺寸形狀，例如，在接地電極的間距約為100pm左右的情況下，可 將凸起14p的最大徑寬設為10 90^im左右，高度設為2 100iam左右。 此外，在通過晶片的分割，切斷分離為單個的半導體裝置14之後，能 夠利用引線接合器將凸起14p與各個接地電極接合。樹脂層16是使導電圖形13和半導體裝置14與外部電絕緣的絕緣 層，所使用的材料，例如可以列舉出乙烯基苄基(vinyl benzyl)樹脂、 聚乙烯基苄基醚(polyvinyl benzyl ether)化合物樹脂、雙馬來醯亞胺 三嗪(bismaleimide triazine)樹脂(BT樹脂)、聚苯醚(聚苯醚氧化 物)樹脂(PPE、 PPO)、氰酸酯樹脂、環氧+活性酯硬化樹脂、聚苯 醚樹脂(聚苯醚氧化物樹脂)、硬化性聚烯烴樹脂、苯並環丁烯 (benzocydobutene)樹脂、聚醯亞胺樹脂、芳香族聚酯樹脂、芳香族 液晶聚酯樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚丙烯酸樹脂、聚 醚醚酮樹脂、氟化樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂或苯並惡嗪(benzoxazine) 樹脂的單體，或者是在這些樹脂中添加石英、滑石、碳酸鈣、碳酸鎂、 氫氧化鋁、氫氧化鎂、硼酸鋁晶須、鈦酸鉀纖維、氧化鋁、玻璃鱗片 (glass flakes)、玻璃纖維、氮化鉭、氮化鋁等而形成的材料，和在這 些樹脂中添加包含鎂、矽、鈦、鋅、鈣、鍶、鋯、錫、釹、釤、鋁、 鉍、鉛、鑭、鋰以及鉭中的至少1種金屬的金屬氧化物粉末而形成的 材料、以及在這些樹脂中混合玻璃纖維、芳香尼龍纖維(aramid fiber) 等樹脂纖維而形成的材料，或者使這些樹脂浸滲在玻璃布(glass doth)、 芳香尼龍纖維、無紡布等之內而形成的材料，從電特性、機械特性、 吸水性、回流(reflow)耐性等觀點出發，能夠適當地選擇利用。此外， 樹脂層16的厚度並無限定，通常為10 10(Vm左右。導通孔19a、 19b是為了將被布線體即導電圖形13和半導體裝置 14與導電圖形22物理連接而設在樹脂層16的連接孔，具有使導電圖 形13和半導體裝置14的凸起14p的至少一部分從樹脂層16露出的位 置及深度。即，導電圖形13以及凸起14p以其至少一部分露出導通孔 19a、 19b的底部的方式而設置。導通孔19a、 19b的形成方法並無限定，例如，能夠使用雷射加工、蝕刻加工、噴射加工等已知的方法。在採用雷射加工的情況下，由於有沾汙(smear)產生，因而優選在連接孔形成後進行除汙處理。導通孔19a、 19b的形狀，只要是在其內部能夠物理地將導電圖形 13以及凸起14p和導通孔電極部23a、 23b連接的尺寸形狀即可，能夠 考慮到其深度和作為目的的安裝密度、連接穩定性等因素而適當地決 定，能夠列舉出開口端的直徑為5 200pm左右的圓筒狀、最大徑為5 200|im左右的方筒狀，是不是直筒無關緊要，在圖示中，作為一個示 例，顯示了倒稜錐狀的形狀。徑寬從相關底部向著開口端部逐漸增大 的這種的導通孔19a、 1%，例如能夠通過蝕刻加工或噴射加工等而形 成。另外，導電圖形22是電連接被布線體即導電圖形13和凸起14p 的布線層。該導電圖形22的材料也沒有被特別地限制， 一般能夠使用 用於布線的金屬等的導體，既可以與導電圖形13和凸起14p的材料相 同，也可以不同，在形成導電圖形22時包含蝕刻工序的情況下，可以 適當地選擇使用不蝕刻導電圖形13或凸起14p的材料的蝕刻劑(溼法 蝕刻時的蝕刻液、幹法蝕刻時的蝕刻粒子等)。此外，導電圖形22的厚度也沒有被特別地限定，但是，如果過薄， 則連接穩定性下降，因而通常為5 701im左右。並且，如本實施方式 所述，如果導電圖形22的厚度比導通孔19a、 19b的深度薄，那麼， 在導通孔連接部，導電圖形22 (導通孔電極部23a、 23b)被容納在導 通孔19a、 19b的內部，布線高度降低，能夠有利於薄型化，同時，能 夠減少布線量，降低布線電阻和寄生電容，提高連接穩定性，因而優 選。接下來，參照附圖，說明半導體內置基板1的製造方法的一個示 例。圖2 圖11是製造半導體內置基板1的順序的一個示例的工序示 意圖。首先，準備一塊在內芯基板11的兩面貼有銅箔12的兩面均附有 銅箔的樹脂基板(圖2)。這裡，銅箔12用於形成導電圖形13，如果 使用為了用於印刷布線板而被製造出的電解銅箔(利用電解棒連續地 對在硫酸銅水溶液中溶解的銅離子進行電解，使其成為銅箔)或壓延 銅箔，則能夠極大地減少其厚度誤差。另外，必要時，也可以使用刮模(sweeping)的方法等調整銅箔12的厚度。接著，通過光刻以及蝕刻，有選擇地除去設在內芯基板ll的兩面 的銅箔12，從而在內芯基板11上形成導電圖形13 (圖3)。此時，通 過完全地除去位於內芯基板11上的規定區域的銅箔12，確保了半導體 裝置14的搭載區域。接下來，在所謂的面朝上(face-up)的狀態下，在內芯基板ll上 的規定區域載置半導體裝置14 (圖4)。此時，優選使用粘合劑等暫 時將半導體裝置14固定在內芯基板11上。然後，在載置著半導體裝置14的內芯基板11的兩面上粘合單面 附有銅箔的樹脂板15 (圖5)。本製造例中的單面附有銅箔的樹脂板 15，通過在由B階環氧樹脂等形成的熱硬化性樹脂板16的一面上貼附 銅箔17而製成。準備這種單面附有銅箔的樹脂板15，將該樹脂面分別 粘合在內芯基板11的兩面上之後，進行熱壓使單面附有銅箔的樹脂板 15與內芯基板11一體化。由此，半導體裝置14成為被內置在印刷布 線板內的狀態，熱硬化性樹脂板16成為樹脂層16(絕緣層形成工序)。接著，利用保形(conformal)加工有選擇地除去設在樹脂層16的 表面的銅箔17，從而形成用於形成導通孔19a、 19b的掩模圖形(圖6)。 如果採用光刻以及蝕刻來進行保形加工，則能夠實現高精度的微細加 工，因而優選。另外，雖然並沒有被特別地限定，但是，優選將掩模 圖形的開口徑寬設定為10 200pm左右，優選根據導通孔19a、 19b 的深度，增大開口徑寬。由此，在半導體裝置14的凸起14p的正上方 形成開口圖形18a，在形成於內芯基板11的表面上的導電圖形13的正 上方形成開口圖形18b。然後，通過進行將被實施了保形加工的銅箔17作為掩模的噴砂處 理，形成導通孔19a、 19b (圖7)。在噴砂處理中，通過投射非金屬 粒或者金屬粒等的噴射粒子來研磨被加工體，但是通過預先在開口圖 形18a、 18b的正下方設置凸起14p和導電圖形13等的金屬層，可以 分別製作深度不同的導通孔。於是，在導通孔19a的形成中，由於凸 起14p作為阻止層而起作用，因而能夠防止半導體裝置14因噴射粒子 而受到損傷，另外，在導通孔19b的形成中，由於內層的導電圖形13 作為阻擋層而起作用，因而能夠抑制導通孔19b被挖得深度過深。這樣，導通孔19a、 19b成為非貫通孔，從而形成凸起14p或導電圖形13 分別在導通孔19a、 19b的底部露出的構造(連接孔形成工序)。接著，在包括導通孔19a、 19b的內壁面的導通孔19a、 1%內的 露出面的幾乎整個表面上形成薄膜即基底導電層20 (圖8)。作為基 底導電層20的形成方法，優選使用非電解鍍(化學鍍)法，也可以使 用濺射法、蒸鍍法等。基底導電層20，起著作為在其後進行的電解(電) 鍍的基底金屬(或者晶種層)的作用，其厚度可以非常薄，例如可以 在數十nm至數pm的範圍內適當地進行選擇。接下來，通過電解鍍法 使導體金屬從基底導電層20生長(圖9)。由此，在導通孔19a、 19b 的內壁面形成包含基底導電層20的導電層21。這時，通過適當調整電 鍍中使用的電鍍浴的組成、電流密度、電解時間、攪拌方法以及速度、 和添加劑的種類這些電鍍條件，在位於導通孔19a、 19b內的中心部的 導電層21上形成凹陷(窪陷)。其後，通過光刻在導電層21的成為導電圖形22的區域上形成抗 蝕層24a、 24b (圖10)。這裡，為了以不接觸導通孔19a、 19b的內 壁的方式形成導電圖形22的導通孔電極部23a、 23b，以導通孔19a、 19b內的抗蝕層24a、 24b的寬度小於導通孔的上部開口徑寬ra、 rb的 方式形成這些抗蝕層24a、 24b。接著，以抗蝕層24a、 24b作為蝕刻掩模，進行蝕刻，有選擇地除 去除布線圖形部分以外的導電層21，形成導電圖形22 (導通孔電極部 23a、 23b)(圖11:布線層連接工序)。此時，由於掩模附近的導電 層21的蝕刻速度(蝕刻速率)比除此以外的部分小，因而，作為所形 成的布線層的導通孔電極部23a、 23b的上部成為底部擴大的形狀。然後，通過使用剝離液除去導電圖形22上的抗蝕層24a、 24b，得 到如圖1所示的構成的半導體內置基板1。這裡，圖17是顯示按照上述圖2 圖11所示的順序製造的布線構 造的一個示例的平面照片(相當於圖1 (A)所示平面圖的照片)，圖 18A 18C是顯示圖17中所示的布線構造的導通孔電極部23a或導通 孔電極部23b部的周圍的截面照片(相當於圖1 (B)所示的截面圖中 的導通孔電極部23a或導通孔電極部23b部的周圍的照片)。而且，圖 18A 18C為了強調導通孔電極部和與其連接的凸起的輪廓形狀，顯示了對實際拍攝的圖像調節了對比度之後的照片。這些照片所示的導通孔電極部23a、 23b具有其整個上表面凹陷的形狀，此外，如果微觀地觀察，那麼可以確認其表面上形成有微小的突起狀的凹凸。 根據包括如此構成的本發明涉及的布線構造的半導體內置基板1，在對導通孔電極部23a、 23b實施製造工序和檢查工序中的加熱冷卻處 理時，在導通孔電極部23a、 23b內，由於其膨脹收縮，在內部施加有 熱應力，尤其是在導通孔電極部23a、 23b和凸起14p與導電圖形13 之間的接觸界面區域內，因在兩者產生的熱膨脹率和熱收縮率的不同 而產生了使導通孔電極部23a、 23b相對於凸起14p和導電圖13移動 的應力。這時，由於在導通孔電極部23a、 23b的上表面形成有凹部，並且 上部側壁形成為傾斜面，包括各凹部的周邊的上端部不與導通孔19a、 19b的內壁接觸，因而，與圖16 (A)所示的導通孔電極部23p相同， 在內部產生的熱應變能夠被緩和，在其凹部被所謂吸收，並且，與圖 16 (B)所示的上表面平坦的導通孔電極部23q相比，能夠顯著地減少 在導通孔電極部23a、 23b和凸起14p以及導電圖形13的界面區域起 作用使導通孔電極部23a、 23b從凸起14p和導電圖形13移動(剝離) 的應力的程度。此外，由於導通孔電極部23a、 23b包括截面積從上表面凹部的周 邊(邊緣部)向著凸起14p和導電圖形13而增大的部分，並且上部側 壁形成為傾斜面，因而容易形成截面尖塔狀的上端部，與上表面凹部 配合起來，更容易獲得施加在導通孔電極部23a、 23b處的應力緩和的 作用。而且，由於導通孔19a、 19b的直徑從底壁向著上部開口而逐漸增 大，並且，導通孔電極部23a、 23b包括截面積從與凸起14p以及導電 圖形13連接部位(導通孔19a、 1%的底壁，即突凸起14p以及導電 圖形13的露出面)向著導通孔19a、 19b的上部開口而增大的部分， 因而，施加在導通孔電極部23a、 23b和凸起14p以及導電圖形13的 界面區域的應力能夠容易地沿著導通孔電極部23a、 23b的底部側壁 (即，導通孔19a、 19b的底部內壁)擴散，並更進一步緩和導通孔電 極部23a、 23b的內部應力。這裡，圖19A以及圖19B分別是對於在布線層(相當於導通孔電 極部23a、 23b)的上表面具有凹部的本發明涉及的布線構造，以及布 線層的上表面平坦的布線構造(分別相當於圖16 (A)以及(B)所示 的構造。但是，包括凹部的邊緣部的側壁均不與導通孔接觸。)的一個 示例，進行應力分析模擬的結果的截面示意圖，以灰度色標的等高線 (實際的輸出結果用彩色表示)形象地顯示了在將該布線構造從25°C 加熱至IO(TC時所產生的最大主應力。在兩幅圖中，四邊形方框包圍顯示的數值表示布線層和被布線體 的界面區域的布線層側(圖中以黑色圓圈突出地顯示的部位)的應力 的計算值，其絕對值越大，其內部應力的值也就越大。從這些結果可 以確認，如圖19A所示的包括在上表面具有凹部的布線層的布線構造 中，與在上表面沒有凹部的如圖19B所示的布線構造相比，充分地減 少了作用於布線層和被布線體之間的接觸界面區域的內部應力。而且， 對於形狀與圖16 (B)所示的在與導通孔的內壁之間沒有形成空隙的 導通孔電極部23q相同的配線層，進行與圖19A和圖19B中的內容相 同的應力分析模擬後發現，其內部應力的值有比圖19B所示的布線層 的情況大的傾向。因此，半導體內置基板l中，能夠減小在導電圖形13和導通孔電 極部23a之間、以及凸起14和導通孔電極部23b之間的接觸界面區域 起作用使導通孔電極部23a、 23b分別相對於導電圖形13和凸起14p 移動的應力，由此能夠提高兩者的連接性，同時，能夠隨時間流逝而 保持其充分的連接狀態。而且，由於在導通孔電極部23a、 23b的上表面的至少一部分上形 成有凹部，因而與其上表面平坦的情況相比，表面積增大。因此，當 導通孔電極部23a、 23b的上部層疊有樹脂等(阻焊層等)的上部構造 時，其上部構造和導通孔電極部23a、 23b的接觸面積增大，能夠提高 兩者的連接性。而且，由於在導通孔電極部23a、 23b的上部的至少一 部分具有凹部，因而形成了這些凹部的邊緣部突入到其上層的樹脂等 的上部構造內的構造，由於所謂的錨固效應(anchor effect),可以進一 步提高兩者的連接性(樹脂等的固定力)。在導通孔19a、 19b的內部，由於導通孔電極部23a、 23b分別為包含其截面積向著導電圖形13以及凸起14p而逐漸增大的部分的形狀，並且，形成導通孔19a、 19b的內壁與導通孔電極部23a、 23b不 接觸的空間區域，因而，鄰接的導通孔19a、 19b以及導通孔19a、 19b 之間的絕緣因它們之間的距離而得到確保。所以，不僅能夠可靠地維 持鄰接的導通孔19a、 19b以及導通孔19a、 19b之間的絕緣，還能夠 可靠地連接導電圖形13以及凸起14p和導通孔電極部23a、23b。由此， 能夠實現基於導通孔19a、 19b的間距狹小化的半導體內置基板1的高 密度安裝。另外，通過將導通孔電極部23a、 23b形成為底部擴大的形狀，從 而能夠在導電圖形13以及凸起14p與導通孔電極部23a、 23b的連接 部位(導通孔19a、 19b的底部的導電圖形13以及凸起14p的露出面) 確保較大的連接面積，因而在導通孔電極部23a、 23b的圖形轉移中， 即使導通孔電極部23a、 23b與導電圖形13以及凸起14p發生位置偏 移，也能夠充分地確保兩者的連接。所以，能夠保證導通孔電極部23a、 23b與導電圖形13以及凸起14p的足夠的連接強度，由此，能夠抑制 斷線或連接電阻的上升，能夠提高產品的可靠性以及生產性。而且，由於導通孔電極部23a、 23b以包括其截面積向著導電圖形 13以及凸起14p而增大的部分的方式而形成，並且，形成導通孔19a、 19b的內部與導通孔電極部23a、 23b不接觸的空間區域(空隙)，因 而，該空隙部分的布線層體積縮小，從而能夠實現整個布線構造的薄 型化。另外，由於照這樣布線量減少，因而能夠降低布線電阻以及寄 生電容。此外，由於在導通孔電極部23a、 23b的內壁與導電圖形13以及 凸起14p之間形成有空隙，因而能夠使導通孔電極部23a、 23b的寬度 為導通孔19a、 19b的尺寸以下的值，由此，不僅能夠以窄公差的方式 管理導通孔19a、 19b的寬度，同時，能夠更加減少布線量，進一步降 低整個布線構造的布線電阻以及寄生電容。另外，在製造布線構造時， 由於至少在導通孔19a、 19b內的開口端部附近產生空隙，因而，即使 萬一導電性異物等混入到導通孔電極部23a、 23b的附近，也能夠在該 空隙內將其捕獲，從而也能夠防止因異物而導致的導通孔電極部23a、 23b之間的短路。另外，由於在導通孔電極部23a、 23b的內壁與導電圖形13以及 凸起14p之間形成有空隙，因而，通過積層(build-up)工藝等在絕緣 層16上層疊的其它層疊材料或阻焊層等與絕緣層16之間的密合性因 錨固效應而得到提高。而且，由於導通孔電極部23a、 23b在上表面具 有凹部，因而其凹部(窪陷)的邊緣部(上端部)被配置成突入到能 夠在其上層形成的樹脂等的上部結構內，這也通過錨固效應，進一步 提高兩者的連接性(樹脂等的固定力)。這裡，形成相關形狀的導通孔電極部23a的其它示例如圖12 (A) (F)所示。圖12 (A) (E)是導通孔電極部23a在上表面具有凹 部，並且在其寬度方向的截面兩側不與連接孔的內壁接觸，從而形成 空隙的狀態的截面示意圖，圖12(F)是導通孔23a在上表面具有凹部， 並且，僅在其寬度方向的截面一側不與連接孔的內壁接觸，從而形成 空隙的狀態的截面示意圖。另外，由於導通孔電極部23a、 23b以覆蓋導通孔19a、 19b底部 的導電圖形13以及凸起14p的露出面的幾乎整個表面的方式而設置， 因而能夠有效地防止在形成導通孔電極部23a、 23b時所使用的蝕刻液 或其它的雜質侵入到導通孔電極部23a、 23b與導電圖形13以及凸起 14p的連接界面，並能夠充分地確保布線強度，所以，能夠提高導通孔 連接部的電連接的可靠性，並能夠降低連接電阻。另外，在圖12 (B)所示的狀態中，由於導通孔19a、 19b的內壁 的底部附近在其整個周邊與導通孔電極部23a、 23b接觸，因而更加可 靠地覆蓋導電圖形13以及凸起14p的整個露出面。此外，不僅是導電 圖形13以及凸起14p，導通孔19a、 19b的側壁也被導通孔電極部23a、 23b覆蓋，因而在發生來自上方的水分等的侵入時，能夠防止導體的腐 蝕。關於這一點，目前認為，如果連接孔的開口端部未被布線層完全 覆蓋，那麼，電連接的可靠性下降，連接部的電阻增大。為了防止這 些情況，有一種傾向是釆用使布線層寬度比連接孔的口徑大的圖形設 計，從而即使在形成布線層時發生與連接孔的位置偏移，也能夠完全 覆蓋連接孔的開口端部。但是，根據發明者們的發現可知，對導通孔連接部中的電連接的可靠性或電阻產生影響的並不是連接孔的開口端部的覆蓋率，而是連 接孔的底壁的被布線體的露出面的覆蓋率。為了用布線層覆蓋被布線體的整個露出面，例如，在如上述的制 造例所示採用減成法形成布線層的情況下，只要在通過蝕刻有選擇地 除去布線圖形部分以外的導電層21時(圖ll)，調整蝕刻處理條件，並在導電層21的除去到達導電圖形13以及凸起14p之前停止蝕刻即可。另外，為了使被布線體的整個露出面被布線層覆蓋，即使在布線 層的形成位置產生偏移，也只要考慮到假定的位置偏移，適當地設定 蝕刻量等蝕刻處理條件即可。此外，在通過如後述的圖13所示的加成法形成布線的情況下，在 布線圖形以外的部分形成掩模層132時(圖13 (B))，只要使掩模 層132的開口寬度ma、 mb大於被布線體的露出面的徑寬r，13。a， r，130b (導通孔的底壁的徑寬)即可。而且，為了使被布線體的整個露出面 被布線層覆蓋，即使在布線層的形成位置產生偏移，也只須設定掩模 層132的開口寬度ma、 mb大於被布線體的露出面的徑寬 r，130a， r，130b即可，以留有餘地，包括假定的位置偏移部分。接著，作為形成本發明涉及的布線構造的其它示例，參照附圖， 對使用加成法(在布線圖形部分有選擇地形成布線層的方法)的布線層的形成方法的一個示例進行說明。圖13 (A) (D)是形成本發明 的布線構造的順序的其它示例的工序示意圖。首先，準備具有絕緣層131的多層印刷布線板，該絕緣層形成有 連接孔130a、 130b，使被布線體即內部布線層的上表面的一部分露出 (圖13 (A))。接著，在布線圖形以外的部分形成由光刻膠構成的掩模層132 (圖 13 (B))。此時，為了使布線層的兩個側面不接觸連接孔的上部內壁， 使掩模層132的開口寬度ma、 mb小於連接孔130a、 130b的上部開口 徑寬r，a、 r13。b。然後，進行非電解鍍，形成在上表面具有凹部的布線 層133a、 133b (圖13 (C))之後，通過使用剝離液除去布線圖形上 的掩模層132，形成布線層133a、 133b，該布線層133a、 133b以在連 接孔的兩個內壁之間形成有包括連接孔的開口端的空隙的方式而被設 置(圖13 (D):布線層連接工序)。在具有如此得到的布線構造的半導體內置基板中，能夠獲得與圖1 所示的半導體內置基板1所起的作用相同的作用效果。另外，如上所述，本發明並不限於上述實施方式，能夠在不改變 其要旨的範圍之內進行各種變形。例如，本發明的布線構造可以為，導通孔電極部23a、 23b的整個上表面不形成為凹狀，只要在上表面的一部分形成有凹部即可，凹部截面也可以左右不對稱。而且，導通孔電極部23a、 23b上表面的凹部的形狀不限於截面研缽狀，也可以是矩 形或倒梯形等。而且，如圖18A 18C所示，可以在導通孔電極部23a、 23b的上表面形成微小的突起狀凹凸，在該情況下，由於微小突起的錨 固效應，進一步提高了與上層的粘結性，因而優選。此外，導通孔電 極部23a、 23b可以比導通孔19a、 1%的開口高度更加向外突出。此外，不限於布線層為最上層的單層的構造，也可以適用於通過 在多層印刷布線板的製造中採用的公知的積層工藝而獲得的多層構 造。在該情況下，在圖1的導通孔19a、 19b和導通孔電極部23a、 23b 之間形成的空隙，可以被在其上部形成的絕緣層填充。此外，被布線 體不限於導電圖形13和半導體裝置的凸起14p，例如，電阻器、電容器等的電子部件的電極等以布線層施行布線的對象均被包括在本發明 的被布線體之內。而且，在本發明的布線構造中，布線層連接的被布線體與其它的 部件等的位置關係並不限於位於同一樹脂層16內的其它平面上的情 況，不僅可以位於同一層內的同一平面或者其它平面上，還可以位於 其它層內，無論哪一種方式均可。另外，布線層即導電圖形22可以僅在布線層的寬度方向的單側不 與導通孔19a、 19b的內壁接觸，g卩，可以僅在其單側形成有空隙，從 確保絕緣的觀點出發，優選在布線層的寬度方向的兩側不與連接孔的 內壁接觸。此外，導通孔電極部23a、 23b的截面形狀並不限於如圖所示的六 角形，作為整體，也可以是截面積向著被布線體而增大的底部擴大狀， 也可以在導通孔19a、 19b的內壁與導通孔電極部23a、 23b的側壁之 間不形成包括導通孔19a、 19b的開口端的間隙。此外，導通孔電極部 23a、 23b的上表面，作為整體可以不與基板面平行，例如可以傾斜。頁而且，導通孔電極部23a、 23b的側壁上部的傾斜面可以不在整個凹部的周邊上形成，可以針對凹部的周邊的至少一部分而設置。上述的製造例中，在布線層的形成工序中，調節抗蝕層24a、 24b 的寬度，以在連接孔即導通孔19a、 19b的內壁上部形成有空隙的方式 形成布線層，但是， 一旦形成布線層之後，也能夠通過雷射照射對布 線層與連接孔的內壁的接觸部分實施基於修整(trimming)等的後續工 序的處理，從簡化工序的觀點出發，優選不另外設置後續工序，直接 形成不與連接孔內壁的至少一部分接觸的布線層。另外，上述的製造 例中，作為形成布線層的方法，說明了使用減成法以及加成法的方法， 但是也可以使用半加成法等。而且，在形成導通孔電極部23a、 23b時， 通過電解鍍或無電解鍍等暫時形成上表面平坦的膜之後，可以在上表 面的一部分上施行蝕刻等，形成凹部。工業實用性如上所述，根據本發明涉及的布線結構及其形成方法和印刷布線 板，可以充分的提高被布線體和與其連接的布線層的連接性，由此， 提高包括其布線構造的布線板或器件的可靠性，因而能夠廣泛且有效 地被應用於內置半導體裝置等的有源器件及/或電阻、電容等的無源器 件的儀器、裝置、系統、各種器件等，尤其是要求小型化以及高性能 化的設備。
權利要求
1.一種布線構造，其特徵在於，包括絕緣層，形成有連接孔；被布線體，以至少一部分在所述連接孔的底部露出的方式而配置；以及布線層，在所述連接孔的內部與所述被布線體連接，在該布線層的上表面的至少一部分上具有凹部，並且，以包括該凹部的邊緣部的側壁不與所述連接孔的內壁接觸的方式而被設置。
2. 根據權利要求1所述的布線構造，其特徵在於，所述布線層， 包括截面積從所述凹部的邊緣部向著所述被布線體而增大的部分。
3. 根據權利要求1或2所述的布線構造，其特徵在於，所述布線 層，包括截面積從與所述被布線體連接的部位向著所述連接孔的開口 而增大的部分。
4. 根據權利要求1至3中的任意一項所述的布線構造，其特徵在 於，所述布線層，以形成所述連接孔的內壁的至少一部分與該布線層 不接觸的空間區域的方式而被設置。
5. 根據權利要求1至4中的任意一項所述的布線構造，其特徵在 於，所述布線層的上端部的寬度小於所述連接孔的開口徑寬。
6. 根據權利要求1至5中的任意一項所述的布線構造，其特徵在 於，所述布線層，以覆蓋在所述連接孔的底部露出的所述被布線體的 露出面的全體的方式而被設置。
7. —種印刷布線板，其特徵在於，連續地設置有布線構造，所述 布線構造包括絕緣層，形成有連接孔；被布線體，以至少一部分在 所述連接孔的底部露出的方式而被配置在所述絕緣層的下部或內部； 以及布線層，在所述連接孔的內部與所述被布線體連接，在該布線層的上表面的至少一部分上具有凹部，並且，以包括該凹部的邊緣部的 側壁不與所述連接孔的內壁接觸的方式而被設置。
8. —種布線構造的形成方法，其特徵在於，包括 絕緣層形成工序，在被布線體上形成絕緣層；連接孔形成工序，在所述絕緣層上形成至少一個連接孔，使得所述被布線體的至少一部分露出；以及布線層連接工序，在所述連接孔的內部連接所述被布線體與布線 層，其中，所述布線層連接工序中，以在所述布線層的上表面的至少一部分 上形成有凹部，並且，包括該布線層的該凹部的邊緣部的側壁不與所 述連接孔的內壁接觸的方式而形成該布線層。
全文摘要
本發明提供了一種能夠充分提高被布線體和與其連接的布線圖形(層)的連接性的布線構造。半導體內置基板(1)在內芯基板(11)的兩面上形成有導電圖形(13)，並且，在層疊於內芯基板(11)上的樹脂層(16)內配置有半導體裝置(14)。在樹脂層(16)上設有導電圖形(13)和半導體裝置(14)的凸起(14p)，在其上部形成有導通孔(19a、19b)。此外，在導通孔(19a、19b)的內部，導通孔電極部(23a、23b)連接於導電圖形(13)和半導體裝置(14)的凸起(14p)。導通孔電極部(23a、23b)在上表面具有凹部，並以包括其凹部的邊緣部的側壁不與導通孔(19a、19b)的內部接觸的方式而被設置。
文檔編號H05K1/11GK101257004SQ20081008283
公開日2008年9月3日 申請日期2008年2月28日 優先權日2007年2月28日
發明者川畑賢一, 長瀬健司 申請人:Tdk株式會社