控制襯底溫度的裝置的製作方法
2023-04-26 17:09:01 2
專利名稱：控制襯底溫度的裝置的製作方法
技術領域：
本發明實施例主要涉及半導體襯底處理系統。更具體的，本發明涉及在半導體襯底處理系統中控制襯底溫度的方法和裝置。
背景技術：
在集成電路的製造中，為了在襯底內取得一致結果，和可以複製從襯底到襯底的結果，需要多個工藝參數的精確控制。在處理期間，整個襯底上的溫度改變和溫度梯度對材料沉積、蝕刻速率、臺階覆蓋、特徵圓錐角(feature taper angles)，和半導體器件的其他參數是不利的。同樣的，為了獲得高產量，整個襯底上的預先確定的溫度分布圖案的產生是一個重要條件。
在一些處理應用中，在處理期間襯底通過靜電卡盤固定在襯底底座上。靜電卡盤通過夾具、粘接劑或緊固件耦合在底座的基座上。卡盤可以具有嵌入的電加熱器，在處理期間也流體地耦合到用於控制襯底溫度的背部加熱傳送氣體源上。然而，傳統的襯底底座沒有足夠的手段橫跨襯底的直徑控制襯底溫度分布。不能均勻地控制襯底溫度對單個襯底和襯底之間的工藝均勻性、器件產量和處理襯底的整體質量有不利影響。
因此，在現有技術中，需要在半導體襯底處理裝置中在處理襯底期間來控制襯底溫度的改進方法和設備。
發明內容
本發明主要涉及一種在半導體襯底處理裝置中在處理襯底期間控制襯底溫度的方法和設備。該方法和設備提高了橫跨襯底直徑的溫度控制，並可以在蝕刻、沉積、注入和熱處理系統以及需要控制工件溫度分布曲線的其它應用中使用。
在本發明的一個實施例中，提供包括耦合到靜電卡盤底表面的金屬基座的襯底底座組件。孔隙延伸穿過所述基座。流體導管設置在所述靜電卡盤和所述基座的至少之一中，其中所述流體導管包括圍繞所述孔隙的區段。
在本發明的一個實施例中，提供包括靜電卡盤和金屬基座的襯底底座組件，所述靜電卡盤具有至少一個設置在襯底支撐表面和底表面之間的卡盤電極，所述金屬基座具有耦合到所述靜電卡盤的所述底表面的頂表面，並且所述靜電卡盤或者所述基座的至少之一具有限定在其中的孔洞。流體導管設置在所述基座中並且基本平行於所述頂表面布置。所述流體導管具有圍繞所述基座的中心定向的大曲率和圍繞所述孔洞定向的小曲率。
在本發明的另一個實施例中，提供包括耦合到金屬基座的靜電卡盤的襯底底座組件。靜電卡盤包括至少一個卡盤電極，金屬基座包括至少兩個設置在其中的流體隔離的導管環。
在另一個實施例中，底座組件包括通過材料層耦合到基座的支撐構件。材料層具有至少兩個具有不同導熱性係數的區域。在另一實施例中，襯底底座組件包括靜電卡盤。在另一個實施例中，底座組件具有形成在基座和支撐構件之間的溝道，該溝道用於在材料層附近提供冷卻氣體以進一步控制在支撐構件和基座之間的傳熱，由此控制設置在支撐構件上的襯底的溫度分布曲線。
底座組件包括使用材料層耦合到基座的支撐構件。材料層具有至少兩個具有不同導熱性係數的區域。在另一實施例中，支撐構件是靜電卡盤。在另一實施例中，底座組件具有形成在基座和支撐構件之間的溝道，該溝道用於在材料層附近提供冷卻氣體以進一步控制在支撐構件和基座之間的傳熱，由此有利於控制設置在支撐構件上的襯底的溫度分布曲線。
為了能夠詳細的理解本發明的上述特點，參考實施例對上面簡要概述的本發明進行更詳細地描述，一些會在附圖中說明。然而應當注意，
地僅僅是本發明的典型實施例，因此並不認為局限於這個範圍，本發明也可以允許其它等同效果的實施例。
圖1A是根據本發明一個實施例包括襯底底座的示例半導體襯底處理裝置的示意圖；圖1B-1C是具有在襯底底座材料層中不同位置形成的間隙的襯底底座為了便於理解，儘可能地使用相同的數字表示圖中共有的相同元件。還可以想到一個實施例中的元件和特徵不需要進一步陳述就可以與其它實施例有利地結合。
具體實施例方式
本發明主要是在處理期間控制襯底溫度的方法和裝置。雖然發明已經在半導體襯底處理裝置中說明性地描述過了，所述半導體襯底處理裝置例如為CENTURA集成半導體晶片處理系統的處理反應器(或模塊)，可從Santa Clara，California的應用材料公司獲得，但是本發明也可以在其它處理系統中使用，包括蝕刻、沉積、注入和熱處理，或用於需要控制襯底或者其他工件溫度分布曲線的其它應用。
圖1描述了具有襯底底座組件116的一個實施例的示例性蝕刻反應器100的示意圖，該組件116可以說明性地用於實現本發明。這裡示出地蝕刻反應100的具體實施例僅用於說明目的，並不用作限制本發明的範圍。
蝕刻反應器100通常包括處理室110，氣體控制板138和控制器140。處理室110包括密封處理容積的導電體(壁)130和頂120。處理氣體從氣體控制板138供應給處理室110的處理容積中。
控制器140包括中央處理單元(CPU)144，存儲器142和支撐電路146。控制器140耦合到並控制蝕刻反應器100的構件，在室110中進行的處理，並且可以方便地進行與集成電路製造資料庫的可選數據交換。
在描述的實施例中，頂120是基本平坦的介電構件。處理室110的另一實施例可以具有其它類型的頂，如圓頂形頂。在頂120上方設置包括一個或多個感應線圈元件(如說明性地示出的兩個同軸線圈元件112A和112B)的天線112。天線112通過第一匹配網絡170耦合到射頻(RF)等離子體電源118。
在一個實施例中，襯底底座組件116包括支撐構件126，導熱層134、基座114、領圈152、接合環154、襯墊178、接地套管164和安裝組件162。安裝組件162耦合基座114到處理室110。基座114通常由鋁或其它金屬材料形成。在描述的實施例中，基座114還包括至少一個可選的嵌入加熱器158(說明性地示出一個加熱器158)，至少一個可選的嵌入插入件168(說明性地示出一個環形插入件168)，和多個可選的流體耦合到加熱或冷卻液體源182的導管160。在這個實施例中，使用可選的襯墊178進一步把基座114和接地套管164熱分隔。
可以利用導管160和加熱器158控制基座114的溫度，由此加熱或冷卻支撐構件126，由此在處理期間部分地控制設置在支撐構件126上的襯底150的溫度。
插入件168由具有不同於基座114鄰接區域的材料的導熱係數的材料形成。典型地，插入件168具有比基座114更小的導熱係數。在另一實施例中，插入件168可以由各向異性(即方向依賴性導熱係數)的材料形成。插入件168用作相對於通過在傳熱路徑上不具有插入件168的基座114的鄰近部分的導熱速率，局部地改變在支撐構件126通過基座114到導管160之間的導熱速率。因此，通過控制插入件的數量、形狀、尺寸、位置和導熱係數，可以控制支撐構件126、放置在其上的襯底150的溫度分布曲線。雖然圖1中描述的插入件168是圓環形環，但是插入件168的形狀也可以採用許多形式。
導熱層134設置在基座114的卡盤支撐表面180上，並促進支撐構件126和基座114之間的熱耦合(即熱交換)。在實施例的一個例子中，導熱層134是機械地將支撐構件126結合到構件支撐表面180的粘接層。可選擇地(未示出)，襯底底座組件116可以包括適於將支撐構件126緊固到基座114的硬體(例如夾具、螺釘等)。使用耦合到溫度監控器174的多個傳感器(未示出)如熱電偶等監控支撐構件126和基座114的溫度。
支撐構件126設置在基座114上，並被環152、154包圍。支撐構件126可以由鋁、陶瓷或適於在處理期間支撐襯底150的其它材料製造。在一個實施例中，支撐構件126是陶瓷。襯底150可以通過重力置放在支撐構件126上，或可選地通過真空、靜電力、機械夾具等固定到支撐構件126。圖1中描述的實施例中，支撐構件126示是一靜電卡盤188。
靜電卡盤188通常由陶瓷或類似的介電材料形成，並包括至少一個使用電源128控制的卡盤電極186。在另一實施例中，靜電卡盤188可以包括至少一個通過第二匹配網絡124耦合到襯底偏壓電源122的射頻電極(未示出)，並也可以包括使用電源132控制的一個嵌入加熱器184。
靜電卡盤188可以還包括多個氣體通道(未示出)，如形成在卡盤的襯底支撐表面176上並流體耦合到傳熱(或者後部)氣體源148的溝道。在運行中，以控制的壓力將後部氣體(如氦(He))供應到氣體通道中以增強在靜電卡盤188和襯底150之間的傳熱。按照慣例，靜電卡盤的至少襯底支撐表面176上提供有抵抗在處理襯底期間所使用的化學品和溫度的塗層。
在一個實施例中，支撐構件126包括至少一個嵌入插入件166(說明性地示出了環形插入件166)，該插入件由至少一種具有不同於支撐構件126鄰接區域的材料的導熱係數的材料形成。典型地，插入件166由比鄰接區域的材料的導熱係數小的材料形成。在另一實施例中，插入件166可以由具有各向異性導熱係數的材料形成。在可選實施例中(未示出)，至少一個插入件166可以與襯底支撐表面176共面地設置。
如同基座114的插入件168，可以選擇性地選擇支撐構件126中的插入件166的導熱率，和形狀、尺寸、位置和數量，以控制經過底座組件116的傳熱，從而在操作中得到預先確定的支撐構件126的襯底支撐表面176的溫度分布圖案，以及同樣地橫跨襯底150直徑的溫度分布圖案。
導熱層134包括多個材料區(說明性地示出了兩個環形區102、104和圓形區106)，至少其中的兩個具有不同的導熱係數。每個區102、104、108可以由至少一種具有不同於導熱層134中的鄰接區域的材料的導熱係數的材料形成。在另一實施例中，一種或者多種組成區域102、104、106的材料可以具有各向異性導熱係數。例如，在垂直或平行於構件支撐表面180方向的層134中材料的導熱係數可以不同於在至少一個其它方向上的係數。可以選擇在層134的區102、104、106之間的導熱係數以提高在卡盤126和基座114之間橫向的導熱速率差別，由此橫跨襯底150直徑控制溫度分布。
在另一個實施例中，可以在導熱層134的至少兩個鄰接區之間提供間隙190(如圖2A中所示)。在導熱層134中，這樣的間隙190可以形成具有預先確定形狀因子的充氣或真空容積。間隙190可以可選擇性地在層134的區域中形成(如圖1C中示出)。
圖2描述了沿圖1A中的線2-2的襯底底座的示意性截面圖。在所述實施例中，導熱層134示例性地包括環形區域102、104和圓形區域106。在可選實施例中，層134可以包括多於或少於三個區域，並且區域可以具有不同形狀因子，例如，區域可以設置成柵格、徑向取向狀、和環形陣列狀以及其他。導熱層134的這些區域可以由以進一步發展成硬粘接化合物的糊狀形式的材料，以及以粘接帶或粘接箔的形式的材料構成。在導熱層134中的材料的導熱率可以從0.01至200W/mK的範圍內選擇，在一個示例實施例中，在0.1至10W/mK的範圍內。在另一實施例中，鄰接區域具有約0.1至10W/mK的導熱率差，並在層134的最裡面和最外面區域的導熱率具有約0.1至10W/mK的差別。合適的粘接材料的例子包括，但不局限於，包括丙烯酸基和矽基化合物的糊和帶。粘接材料可以額外地包括至少一種導熱陶瓷填料，例如氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)和二硼化鈦(TiB2)等。適用於導電層134的粘接帶的一個例子是商標名為THERMATTACH，可以從Chomerics，Parker Hannifin公司位於Massachusetts的Wolbum的分部得到。
在導熱層134中，可以選擇性地選擇導熱率，以及形狀因子、尺寸和具有預定導熱係數的區域的數量以控制在靜電卡盤126和基座114之間的傳熱，從而在操作中得到卡盤的襯底支撐表面176上的溫度分布的預定圖案，同樣地在襯底150中也可以得到。為了進一步控制經過在基座114和支撐構件126之間的傳導層134的傳熱，提供一個或多個溝道108以流動傳熱介質。溝道108通過基座114與如冷卻氣體的傳熱介質源150耦合。合適的冷卻氣體的一些例子包括氦氣和氮氣還有其它。由於設置在溝道108中的冷卻氣體是在卡盤126和基座114之間的傳熱路徑的一部分，溝道108的位置、和所提供的冷卻氣體的傳熱介質的壓力、流速、溫度、密度和成分，提供了對經過底座組件116的傳熱曲線的增強控制。並且，由於在襯底150處理期間，在溝道108內的氣體的密度和流速可以原位控制，所以在處理期間可以改變襯底150的溫度控制以進一步增強處理性能。雖然示出了冷卻氣體的單個源156，但是可以預期一個或多個冷卻氣體源可以以該方式耦合到溝道108，即在各個溝道108中的冷卻氣體的種類、壓力和/或流速可以是單獨的控制器，由此促進更高水平的溫度控制。
在圖1A中描述的實施例中，溝道108被描述成形成在構件支撐表面180內。然而，可以預期溝道108可以至少部分地形成在構件支撐表面180中，至少部分地形成在支撐構件126的底表面中，或至少部分地形成在導熱層134中，以及這些形式的結合。在一個實施例中，約2到10個之間的溝道108被設置在底座組件116中，並具有對在約760Torr(大氣壓力)至10Torr之間保持的壓力的可選擇性。例如，至少一個溝道108可以部分或完全地形成在靜電卡盤126中，如圖3-4中所示。更具體地，圖3描述了襯底底座組件116一部分的示意圖，其中溝道108完全形成在靜電卡盤126中。圖4描述了襯底底座組件116一部分的示意圖，其中溝道108部分形成在基座114和部分地形成在靜電卡盤126中。圖5描述了襯底底座組件116一部分的示意圖，其中溝道108形成在導熱層134中。雖然在圖5中示出的溝道設置在導熱層134的不同區域102、104和106之間，但是一個或多個溝道可以形成為經過區域102、104和106中的一個或多個。
返回圖1A，可以選擇性地選擇插入件166、168的導熱率和設置在溝道108中的氣體，以及溝道108和插入件166、168的位置、形狀、尺寸和數量中的至少一個，以控制在支撐構件126到基座114之間的傳熱，從而在運行中得到預先確定的支撐構件126的襯底支撐表面176的溫度分布圖案，以及同樣地橫跨襯底150直徑的溫度分布圖案。在另一實施例中，可以選擇性地選擇在至少一個溝道108中的冷卻氣體壓力，和在至少一個導管156中的冷卻液體流速，以得到和/或增強襯底的溫度控制。傳熱率也可以通過單獨控制在各自溝道108之間的氣體類型、壓力和/或流速而控制。
在另一實施例中，在襯底150中的溫度分布的預定圖案可以使用所述的控制手段的單個或組合而得到，所述控制手段例如為導熱層134、插入件166、168，溝道108，導管160，在溝道108中冷卻氣體的壓力、在導管160中的冷卻液體流速。此外，在上述討論的實施例中，在襯底支撐表面176上和在襯底150中的預定的溫度分布圖案可以額外地被選擇性地控制以補償在處理襯底150期間由處理氣體的等離子體和/或襯底偏壓產生的不均勻熱通量。
圖6描述了作為工藝600的控制在半導體襯底處理裝置中處理的襯底的溫度的發明方法的一個實施例的流程圖。工藝600說明性地包括在上述實施例中描述的反應器100中進行處理期間，在襯底150上進行的處理步驟。可以預期工藝600以在其他處理系統中進行。
工藝600從步驟601開始並進入步驟602。在步驟602中，襯底150被運送到設置在處理室110中的底座組件116。在步驟604，襯底150被定位到(例如使用沒有示出的襯底機械手)靜電卡盤188的襯底支撐表面176上。在步驟606中，電源132為靜電卡盤188供電以夾緊襯底150到卡盤188的支撐表面176。在步驟608中，根據按控制器140指示所執行的處理方法在處理室110中處理(例如蝕刻)襯底150。在步驟608期間，襯底底座組件116使用參考上述圖1-5討論的底座組件116的溫度控制屬性中的一個或多個，在襯底150中形成預定溫度分布圖案。可選擇的，通過改變位於一個或多個溝道108中的氣體的特性中的一個或多個，可以原位調節在步驟608期間經過卡盤114的傳熱速率和/或分布曲線。一旦完成處理，在步驟610，電源132脫離靜電卡盤188，同樣地，解開襯底150，所述襯底150被進一步從處理室110中移出。在步驟612，工藝600結束。
圖7-9是基座700的一個實施例的垂直截面圖、底視圖和部分截面圖。應當想到基座700可以與這裡所述的襯底底座組件的任意一個一同使用。在圖7-9中所描述實施例中，基座700包括頂表面702和底表面704。溝道706形成在基座700的底表面704中。溝道706由帽708覆蓋以形成流體導管710。導管710包括設置的入口714和出口716以接納到傳熱液體控制源182的適當的、便利的附接件，如圖1中所示。
在圖7-9描述的實施例中，溝道706被加工到基座700的底表面704中。加工操作以使得一個或多個鰭712延伸到由溝道706限定的區域中的方式進行。鰭712增加了可用於傳熱的導管710表面積，由此增強了在導管710和基座700中流動的流體之間的傳熱。
帽708設置在溝道706中並耦合到基座700以限定導管710。在圖7-9描述的實施例中，帽708連續地焊接到基座700以防止在真空條件下導管710中流動的流體的洩漏。可以想到帽708可以使用其他的防漏方法密封地耦合到基座700。
圖10A-H是說明為形成在其中的導管設置路徑的不同構造的底視圖。如圖所示，可以為導管710設置路徑，以提供支撐組件的預定溫度分布曲線，由此控制其上支撐的襯底的溫度分布曲線。
圖11-12描述了可以在這裡描述的襯底底座組件中使用的基座1100的另一實施例的底視圖和部分截面圖。在圖11-12中描述的基座1100通常包括形成在基座1100中以限定至少兩個單獨的可控溫度區域1106、1108的至少兩個分開的冷卻環1102、1104。冷卻環1102、1104通常是如上所述、或其他合適方法形成的導管。在一實施例中，第一冷卻環1102被設置在第二冷卻環1104徑向外側，以使得溫度控制區1106、1108同心。可以理解冷卻環1102、1104可以徑向地取向，或具有其他幾何形狀。冷卻環1102、1104可以耦合到溫度控制傳熱流體的單個源，或如圖11中描述的實施例，每個冷卻環1102、1104可以分別地耦合到分開的傳熱流體源1112、1114，以使得可以獨立地控制在區域1106、1108中的溫度。可選擇地，插入件1110，與上述的插入件168類似，橫向地設置在第一和第二冷卻環插入件168之間以在區1106和1108之間提供增強的熱隔離。插入件1110可以延伸到基座1100的下表面，如圖11中所示，或者嵌入到基座1100中，如圖12中所示。
因此，提供了能夠靈活控制支撐在其上的襯底溫度的襯底支撐底座組件。可以選擇襯底支撐底座組件的不同特徵，以提供多區域的溫度控制，由此能夠控制襯底的溫度分布曲線。
雖然上面涉及了本發明的實施例，但是在不脫離基本範圍的情況下，可以得到本發明其他和進一步的實施例，所述範圍由下述的權利要求確定。
權利要求
1.一種襯底底座組件，包括靜電卡盤，具有至少一個設置在其中的卡盤電極；金屬基座，耦合到所述靜電卡盤的底表面；孔隙，延伸穿過所述基座或所述靜電卡盤的至少之一；以及流體導管，所述流體導管設置在所述靜電卡盤和所述基座的至少之一中，其中所述流體導管包括圍繞所述孔隙的區段。
2.如權利要求1所述的襯底底座組件，還包括電導體，耦合到所述靜電卡盤並且延伸穿過所述孔隙。
3.如權利要求1所述的襯底底座組件，還包括至少一個背面氣體溝道，形成在所述靜電卡盤的襯底支撐表面中並耦合到所述孔隙。
4.如權利要求1所述的襯底底座組件，其中所述孔隙還包括多個提升釘孔中的一個，所述提升釘孔穿過所述基座和靜電卡盤形成，並且所述提升釘孔布置成極陣列。
5.如權利要求1所述的襯底底座組件，其中所述流體導管還包括入口和出口，並且其中所述流體導管的從所述入口延伸出的部分還包括具有端部的環部分，使得從所述環部分的所述端部到所述入口所限定的長度基本等於從所述出口到徑向緊鄰所述環的所述端部的位置所限定的導管長度。
6.如權利要求1所述的襯底底座組件，其中所述基座被接合到所述卡盤。
7.如權利要求1所述的襯底底座組件，其中所述流體導管還包括定義在所述流體導管的入口和出口之間的中間點，其中所述流體導管的第一部分限定在所述中間點和所述入口之間，所述流體導管的第二部分限定在所述中間點和所述出口之間，所述流體導管的所述第一部分以間隔開的關係遵循所述第二部分的軌跡；以及其中從所述導管的所述中間點到第一位置所限定的第一長度基本等於從所述導管的所述中間點到在所述第一位置的徑向外側的第二位置所限定的第二長度。
8.如權利要求1所述的襯底底座組件，還包括穿過所述基座形成的第二孔隙，其中，所述流體導管包括圍繞所述第二孔隙的第二區段。
9.如權利要求8所述的襯底底座組件，其中所述第一孔隙還包括多個提升釘孔中的一個，所述提升釘孔穿過所述基座和靜電卡盤形成，並且所述提升釘孔布置成極陣列；並且其中，所述第二孔隙還包括背面氣體輸送孔或者用於與所述靜電卡盤的引線鍵合的電導管。
10.如權利要求1所述的襯底底座組件，其中所述流體導管還包括基本限定出所述流體導管通過所述基座的路徑的大曲率半徑；和限定出所述區段的路徑的小曲率半徑，其中所述大曲率半徑明顯大於所述小曲率半徑。
11.如權利要求1所述的襯底底座組件，還包括插入件，設置在所述流體導管的相鄰部分之間並具有比所述基座的導熱係數小的導熱係數。
12.如權利要求1所述的襯底底座組件，還包括第二流體導管，形成在所述基座中所述流體導管的徑向內側。
13.一種襯底底座組件，包括靜電卡盤，具有至少一個設置在襯底支撐表面和底表面之間的卡盤電極；金屬基座，具有耦合到所述靜電卡盤的所述底表面的頂表面，所述靜電卡盤或者所述基座的至少之一具有限定在其中的孔洞；以及流體導管，所述流體導管設置在所述基座中並且基本平行於所述頂表面布置，所述流體導管具有圍繞所述基座的中心定向的大曲率和圍繞所述孔洞定向的小曲率。
14.如權利要求13所述的襯底底座組件，其中，所述大曲率的半徑明顯大於所述小曲率的半徑。
15.如權利要求14所述的襯底底座組件，還包括耦合到所述靜電卡盤並且延伸穿過所述孔洞的電導體。
16.如權利要求15所述的襯底底座組件，還包括至少一個背面氣體溝道，形成在所述靜電卡盤的襯底支撐表面中並且流體耦合到所述孔洞。
17.如權利要求15所述的襯底底座組件，其中所述孔洞還包括多個提升釘孔中的一個，所述提升釘孔穿過所述基座和靜電卡盤形成，並且所述提升釘孔布置成極陣列。
18.一種襯底底座組件，包括陶瓷靜電卡盤，具有設置在襯底支撐表面和底表面之間的至少一個卡盤電極；金屬基座，耦合到所述靜電卡盤的所述底表面；多個提升釘孔，其延伸穿過所述靜電卡盤和基座；流體導管環，以基本螺旋定向設置在所述基座中，其中所述流體導管包括緊鄰至少一個提升釘孔所限定的區段，所述區段具有以所述提升釘孔為中心的定向。
19.如權利要求18所述的襯底底座組件，其中所述區段具有恆定的半徑。
20.如權利要求18所述的襯底底座組件，其中所述基座被接合到所述卡盤。
全文摘要
本發明提供一種在處理期間控制襯底溫度的底座組件。在一個實施例中，底座組件包括耦合到金屬基座的靜電卡盤。靜電卡盤包括至少一個卡盤電極，金屬基座至少包括設置在其中的導管環，用於調控所述卡盤的溫度。所述環的路徑被布置來補償穿過卡盤形成的孔洞。
文檔編號H01L21/324GK1945807SQ200610150539
公開日2007年4月11日 申請日期2005年10月8日 優先權日2004年10月7日
發明者約翰·霍蘭德, 瑟多若斯·帕納果泊洛斯 申請人:應用材料公司