一種多通道射頻線圈的製作方法

2023-05-10 11:37:46 1

專利名稱：一種多通道射頻線圈的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及核磁共振成像領域，特別涉及一種多通道射頻線圈。
背景技術：
多通道射頻線圈可作為核磁共振成像(MRI)系統中的發射線圈或接收線圈，當其 作為發射線圈時，用於發射射頻脈衝，當其作為接收線圈時，用於接收掃描信號。多通道射頻線圈一般由2N(其中，N為正整數)個射頻線圈單元構成，2N個射頻線 圈單元環繞為圓柱形，其中，每個射頻線圈單元為一射頻線圈主體。當多通道射頻線圈工作 時，每個射頻線圈單元被通以電流，用於分別產生交變磁場，每個射頻線圈單元所產生的交 變磁場對應一個發射通道。在理想情況下，每個射頻線圈單元所產生的交變磁場是獨立的， 換句話說，2N個射頻線圈單元中任意兩個射頻線圈單元所產生的交變磁場彼此之間沒有影 響。然而，在實際應用中，兩個射頻線圈單元之間可能會發生耦合現象，尤其對於相鄰的射 頻線圈單元，耦合現象尤為突出，這就降低了多通道射頻線圈的信噪比。為了提高多通道射頻線圈的信噪比，現有技術主要採用兩種去耦方法。下面以N 為4為例，結合圖1至圖3對現有技術中的多通道射頻線圈去耦方法進行詳細介紹。圖1為現有技術的第一種去耦方法中多通道射頻線圈的俯視圖。如圖1所示，8個 射頻線圈單元環繞為一圓柱形，為了方便描述，將8個射頻線圈單元按照逆時針順序分別 命名為第一射頻線圈單元E1、第二射頻線圈單元E2、第三射頻線圈單元E3、第四射頻線圈 單元E4、第五射頻線圈單元E5、第六射頻線圈單元E6、第七射頻線圈單元E7和第八射頻線 圈單元E8。圖2為現有技術的第一種去耦方法中多通道射頻線圈的平視圖，圖2僅以El至 E5示意，且相鄰兩個線圈採用不同粗細線條予以區分。還需要說明的是，在實際應用中，射 頻線圈單元的形狀沒有具體限定，圖1和圖2中的形狀僅為舉例說明。如圖2所示，為實現 去耦，每相鄰兩個射頻線圈單元部分重合形成一重合區域，重合區域具有一面積，與每相鄰 兩個線圈不具有重合區域的情況相比，改變了每個射頻線圈單元的磁通量，中和了耦合的 影響。以El和E2之間的去耦過程為例，設置El和E2的重合區域的面積Sl後，採用網絡 分析儀檢測El和E2之間的傳輸值是否達到預設標準，如未達到預設標準，則表明El和E2 沒有實現去耦，需調節Sl的大小，然後再檢測El和E2之間的傳輸值，如此調節和檢測，直 至傳輸值達到預設標準。由於多通道射頻線圈的的八個射頻線圈單元以圓柱的軸線為中心 對稱分布，且每個射頻線圈單元結構相同，因此，從理論上來說，通過El和E2所確定的重 合區域的面積Sl可用於其他每相鄰兩個射頻線圈單元去耦，例如，E2和E3、E3和E4、E4和 E5、E5和E6、E6和E7、E7和E8、E8和El。但是，在實際應用中，八個射頻線圈單元在空間 的位置可能和理想情況相比存在誤差，因此，其他相鄰的兩個射頻線圈單元的重合區域的 面積可能與Sl相比存在微小誤差。需要說明的是，傳輸值為二個射頻線圈單元之間的能量傳遞數值，在理想情況下， 當傳輸值為零時，表明二個單元之間完全沒有耦合，但是，在實際應用中，只要傳輸值小於 標準值，則視為二個射頻線圈單元之間沒有耦合。另外，傳輸值並不隨重合區域的面積單調遞增或遞減。對於相鄰兩個射頻線圈單元，並非重合區域的面積越大則去耦效果越好，或重 合區域的面積越小則去耦效果越好，需反覆對重合區域的面積調節，以找到去耦效果最優 時的重合區域的面積。圖3為現有技術的第二種去耦方法中多通道射頻線圈的平視圖，圖3僅以El至E5 示意。如圖3所示，El包括電感L1，E2包括電感L2，L1和L2重合，改變電感的大小相當於 改變兩個射頻線圈單元的重合區域的面積，也改變了兩個射頻線圈單元的磁通量，可抵消 兩個射頻線圈單元之間耦合的影響。設置Ll和L2的大小後，採用網絡分析儀檢測El和E2 之間的傳輸值是否達到預設標準。如未達到要求，則表明El和E2沒有實現去耦，需調節Ll 和L2的大小，然後再檢測El和E2之間的傳輸值，如此調節和檢測，直至傳輸值達到預設標 準。需要說明的是，對於不相鄰的兩個射頻線圈單元，例如，El和E3，可以從El和E3中引 出兩個電感，使El和E3的兩個電感重合，也可通過上述方法實現去耦。然而，現有技術中的兩種去耦方法均存在缺陷。對於第一種方法，通過調節相鄰兩 個射頻線圈單元的重合區域的面積只可實現相鄰兩個射頻線圈單元的去耦，對於其他位置 關係的射頻線圈單元，例如，相對的射頻線圈單元El和E5，則無法實現二者之間的去耦，因 此，多通道射頻線圈的信噪比還是比較低。對於第二種方法，雖然通過調節電感的大小可實 現相鄰位置關係以及其他位置關係的射頻線圈單元之間的去耦，但是，由於電感的品質因 數比較低，還是會帶來信噪比的損失。中國專利申請200510108825. 6公開了一種用於磁共振設備的線圈裝置，其具有 多個可相互獨立運行的、圍繞一個共同的中心區域設置的射頻線圈單元。該線圈裝置的每 個射頻線圈單元與直接相鄰於該射頻線圈單元的射頻線圈單元之間電容式或電感式去耦 合。在中心區域設置一個具有電容器的電容器網絡，該電容器網絡將線圈裝置的射頻線圈 單元相互連接在一起。

實用新型內容本實用新型提供了一種多通道射頻線圈，以提高多通道射頻線圈的信噪比。因此，本實用新型提供了一種多通道射頻線圈，包括2N個第一電容，串接環繞成第一環，其中N為正整數；2N個第二電容，串接環繞成第二環，其中，所述第一環位於所述第二環的上方，所 述2N個第一電容的串接點與所述2N個第二電容的串接點上下一一對應；2N個第三電容，分別連接在所述第一環上第一電容的各串接點與所述第二環上第 二電容各相應的串接點之間；2N個結構相同的射頻線圈主體，按相鄰的兩個射頻線圈主體部分重合的方式環繞 成一圓柱形；其中，每兩個串接的第一電容、相應的兩個串接的第二電容、以及與這兩個第一電 容和這兩個第二電容相連接的三個第三電容連接分別構成2N個結構相同的矩形電容網 絡；每個矩形電容網絡對應連接一個射頻線圈主體，構成一個射頻線圈單元；2N個所述射 頻線圈單元圍繞所述圓柱形對稱分布。優選地，每一所述射頻線圈主體兩端連接在對應的矩形電容網絡中兩個第二電容 與外側的兩個第三電容的連接點上。[0018]優選地，相鄰射頻線圈主體部分重合所形成的2N個重合區域具有相同的面積。優選地，所述重合區域的面積能夠被微調。優選地，所述的第三電容具有相同的電容值。 優選地，所述第三電容的電容值能夠被微調。優選地，所述的第一電容具有相同的電容值，所述的第二電容具有相同的電容值。優選地，所述第一電容的電容值能夠被微調，或者所述第二電容的電容值能夠被 微調。由上述技術方案可見，本實用新型所提供的多通道射頻線圈包括圍繞圓柱形對稱 分布的2N個射頻線圈單元，每個射頻線圈單元由矩形電容網絡和射頻線圈主體連接構成， 當進行去耦時，通過微調每相鄰的兩個射頻線圈單元中射頻線圈主體的重合區域的面積對 所有相鄰的兩個射頻線圈單元去耦，通過微調每相隔一個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單 元的共用第三電容的電容值對所有相隔一個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單元去耦，通過 微調每相隔兩個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單元之間的電容網絡中第一電容的電容值 和/或第二電容的電容值對所有相隔兩個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單元去耦，通過微 調圍繞圓柱形對稱分布的每個相對位置上的兩個射頻線圈單元之間的矩形電容網絡中第 一電容的電容值和/或第二電容的電容值對所有對稱分布的每個相對位置的兩個射頻線 圈單元去耦，因此，能夠實現絕對去耦，而且，去耦方法中使用了品質因數比較高的電容， 進一步提高多通道射頻線圈的信噪比。

圖1為現有技術的第一種去耦方法中多通道射頻線圈的俯視圖。圖2為現有技術的第一種去耦方法中多通道射頻線圈的平視圖。圖3為現有技術的第二種去耦方法中相鄰兩個射頻線圈單元的平視圖。圖4為本實用新型實施例的多通道射頻線圈的俯視圖。圖5為本實用新型實施例的多通道射頻線圈的平視圖。
具體實施方式
為使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下參照附圖並舉實施 例，對本實用新型進一步詳細說明。本實用新型提供了一種多通道射頻線圈，多通道射頻線圈包括圍繞圓柱形對稱分 布的偶數個射頻線圈單元，每個射頻線圈單元由矩形電容網絡和射頻線圈主體連接構成。具體地說，偶數QN，N為正整數)個第一電容串接環繞成第一環；偶數ON)個 第二電容串接環繞成第二環，第一環位於所述第二環的上方；偶數ON)個第一電容與偶 數ON)個第二電容的串接點在空間位置上上下一一對應，偶數ON)個第三電容分別連接 在第一環上第一電容的各串接點與第二環上第二電容相應的串接點之間；每兩個串接的第 一電容與相應的每兩個串接的第二電容、及與這兩個第一電容和這兩個第二電容相連接的 三個第三電容連接構成偶數ON)個結構相同的矩形電容網絡；有偶數ON)個結構相同的 射頻線圈主體，按每相鄰的兩個射頻線圈主體部分重合的方式環繞成一圓柱形，形成偶數 (2N)個重合區域；偶數ON)個射頻線圈主體分別對應連接偶數ON)個矩形電容網絡，構
5成偶數ON)個射頻線圈單元，偶數ON)個射頻線圈單元圍繞圓柱形對稱分布。圖4為本實用新型實施例的多通道射頻線圈的俯視圖，圖5為本實用新型實施例 的多通道射頻線圈的平視圖。以2N = 8為例說明，如圖4所示，八個第一電容C4、C7、C10、 C13、C16、C19、C22 和 C24 串接環繞成第一環，八個第二電容 C2、C5、C8、Cll、C14、C17、C20 和C23串接環繞成第二環，如圖5所示(僅示出5個線圈單元)，第一環位於第二環的上方， C4、C7的串接點D3與C2、C5的串接點D4在空間位置上上下對應，C7、ClO的串接點D5與 C5、C8的串接點D6在空間位置上上下對應，CIO、C13的串接點D7與C8、Cll的串接點D8 在空間位置上上下對應，C13、C16的串接點D9與Cll、C14的串接點DlO在空間位置上上 下對應，C16、C19的串接點Dll與C14、C17的串接點D12在空間位置上上下對應，等等。八 個射頻線圈單元E1-E8圍繞圓柱形對稱分布，且每個射頻線圈單元的結構相同，每相鄰兩 個射頻線圈單元的連接關係相同，以第i射頻線圈單元表示任一射頻線圈單元，其中，i為 大於等於1且小於等於2N-1的正整數，第i射頻線圈單元和第i+Ι射頻線圈單元為相鄰的 射頻線圈單元，圖中給出其結構以及二者之間的連接關係，下面僅以El和E2為例對本實用 新型所提供的多通道射頻線圈進行詳細介紹。如圖4和5所示，El包括第一矩形電容網絡401和第一射頻線圈主體402。第一矩形電容網絡401包括第三電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第一電容 C4、第二電容C5、第三電容C6和第一電容C7。為了方便表述，按如下方式命名若電容的 兩個極板上下排列，則將上極板與導線相連的端點記作第一端D1，下極板與導線相連的端 點記作第二端D2 ；若電容的兩個極板左右排列，則將左極板與導線相連的端點記作第一端 D1，右極板與導線相連的端點記作第二端D2。在第一矩形電容網絡401中，Cl的D2與C2 的Dl相連，C2的D2與C3的D2相連，C3的Dl與C4的D2相連，C4的Dl與Cl的Dl相連， C5的Dl與C2的D2和C3的D2相連，C6的D2與C5的D2相連，C6的Dl與C7的D2相連， C7的Dl與C3的Dl和C4的D2相連。第一射頻線圈主體402的兩個端點分別記為第一端Fl與第二端F2，其中，Fl連接 在Cl的D2和C2的Dl之間，F2連接在C5的D2和C6的D2之間。如圖4和5所示，E2包括第二矩形電容網絡501和第二射頻線圈主體502。第二矩形電容網絡501包括第三電容C3、第二電容C5、第三電容C6和第一電容 C7、第二電容C8、第三電容C9和第一電容C10。在第二矩形電容網絡501中，C3的D2與C5 的Dl相連，C5的D2與C6的D2相連，C6的Dl與C7的D2相連，C7的Dl與C3的Dl和C4 的D2相連，C8的Dl與C5的D2和C6的D2相連，C9的D2與C8的D2相連，C9的Dl與ClO 的D2相連，ClO的Dl與C6的Dl和C7的D2相連。第二射頻線圈主體502的Fl連接在C3的D2和C5的Dl及C2的D2之間，F2連 接在C8的D2和C9的D2之間。可見，在El和E2中，第一電容C4、C7和ClO串接，第二電容C2、C5和C8串接，第 三電容Cl連接在C4和CM的串接點與C2和C23的串接點之間，第三電容C3連接在C4和 C7的串接點與C2和C5的串接點之間，第三電容C6連接在C7和ClO的串接點與C5和C8 的串接點之間，第三電容C9連接在ClO和C13的串接點與C8和Cll的串接點之間。兩個 串接的第一電容C4和C7、兩個串接的第二電容C2和C5、及與這兩個第一電容、這兩個第二 電容相連接的三個第三電容C1、C3和C6連接構成第一矩形電容網絡401。相鄰的兩個第一電容C7和C10、相鄰的兩個第二電容C5和C8及與該兩第一電容、兩第二電容相連的三個 第三電容C3、C6和C9連接構成第二矩形電容網絡501。第一射頻線圈主體402和第二射頻 線圈主體502部分重合，重合區域的面積為Si。第一射頻線圈主體402與第一矩形電容網 絡401對應連接，第二射頻線圈主體502與第二矩形電容網絡501對應連接，其中，第一射 頻線圈主體402的兩端Fl和F2連接在第一矩形電容網絡401上兩外側的第三電容Cl與 第二電容C2、第三電容C6與第二電容C5的連接點上，第二射頻線圈主體502的兩端Fl和 F2連接在第二矩形電容網絡501上兩外側的第三電容C3與第二電容C5、第三電容C9與第 二電容C8的連接點上。至此，對El和E2之間的連接關係介紹完畢，對於其他每相鄰的兩個射頻線圈單 元，例如，E2禾口 E3、E3禾口 E4、E4禾口 E5、E5禾口 E6、E6禾口 E7、E7禾口 E8、E8禾口 E1，與上述連接關 系相同。需要說明的是，在實際應用中，要求多通道射頻線圈的八個射頻線圈單元呈對稱分 布，且每個射頻線圈單元結構相同，因此，在進行去耦時，不同射頻線圈單元對應位置上的 電容值相同，具體地說，C4 = C7 = ClO = C13 = C16 = C19 = a, C2 = C5 = C8 = Cll = C14 = C17 = b，Cl = C3 = C6 = C9 = C12 = C15 = C18 = c，其中 a、b 和 c 分別為第一電 容的電容值、第二電容的電容值和第三電容的電容值。基於上述多通道射頻線圈，下面對本實用新型實施例中多通道射頻線圈的去耦原 理進行介紹。第一，對於每相鄰的兩個射頻線圈單元第i射頻線圈單元和第i + Ι射頻線圈單 元，例如El和E2，其射頻線圈主體具有一重合區域，重合區域的面積為Si，可調節Sl的大 小對El和E2去耦，具體去耦過程可參照現有技術中的第一種方法。第二，對於每相隔一個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單元第j射頻線圈單元和 第j+2射頻線圈單元，其中，j為大於等於1且小於等於2N-2的正整數，例如El和E3，具 有一共用電容C6，可調節C6的電容值c對El和E3去耦。之所以調節共用電容C6的電容 值c可實現對El和E3去耦，是因為改變電容的容值，可以改變電容兩端的電動勢，從而改 變兩個射頻線圈主體中的電流的大小，進一步改變兩個射頻線圈主體分別產生的磁場的大 小，從而達到去耦的目的。第三，對於每相隔兩個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單元第ρ射頻線圈單元和 第P+3射頻線圈單元，其中，P為大於等於1且小於等於2N-3的正整數，例如El和E4，其之 間具有電容網絡601，電容網絡601包括C6、C8、C9和C10，基於第二種情況所確定的電容 值c，調節C8的電容值b和ClO的電容值a的大小對El和E4去耦。第四，對於圍繞圓柱形對稱分布的每個相對位置的兩個射頻線圈單元第q射頻 線圈單元和第q+N射頻線圈單元，其中，q為大於等於1且小於等於N的正整數，例如El 和E5，其之間具有矩形電容網絡701，矩形電容網絡701包括C6、C8、C9、CIO、ClU C12和 C13，基於第二種情況所確定的電容值c，可調節C10、C13、C16的電容值a以及C8、C11、C14 的電容值b對El和E5去耦。需要說明的是，在實際應用中，應同時兼顧第三和第四種情況， 以確定a和b的值。另外，由於多通道射頻線圈的八個射頻線圈單元呈對稱分布，且每個射頻線圈單 元結構相同，每相鄰兩個射頻線圈單元的連接關係相同，從理論上來說，第一，El和E2去耦 後所確定的重合區域的面積Sl可用於其他每相鄰的兩個射頻線圈單元之間去耦，例如，E2
7和E3之間的重合區域的面積也為Sl ；第二，El和E3去耦後所確定的c的值可作為其他每 相隔一個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單元之間去稱，例如，El和E3的共用電容C6的電容 值c可作為E2和E4的共用電容C9的電容值，用於實現E2和E4之間去耦；第三，通過El 和E4、E1和E5所確定的電容值a、b可用於其他每相隔兩個射頻線圈單元的兩個射頻線圈 單元之間去耦，還可用於其他對稱分布在圓柱上每個相對位置的兩個射頻線圈單元之間去 耦，例如，通過El和E4、E1和E5所確定的C10、C13、C16的電容值a可作為C13、C16和C19 的電容值，通過El和E4、E1和E5所確定的C8、C11、C14的電容值b可作為C11、C14和C17 的電容值，用於實現E2和E5之間去耦，還可用於E2和E6之間去耦。但是，在實際應用中，八個射頻線圈單元在空間的位置可能和理想情況不同，因 此，E2和E3之間的重合區域的面積與通過El和E2所確定的重合區域的面積Sl相比可能 有誤差，或者E2和E4之間共用電容ClO的電容值和通過El和E3所確定的微調後的第三電 容值之間可能存在誤差。所以，在確定出Sl、a、b和c的值後，還可以對其他每相鄰的兩個 射頻線圈單元、每相隔一個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單元、每相隔兩個射頻線圈單元 的兩個射頻線圈單元和對稱分布在圓柱上每個相對位置的兩個射頻線圈單元之間相應位 置上的電容值或重合區域的面積進行微調，當所有每相鄰的兩個射頻線圈單元、每相隔一 個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單元、每相隔兩個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單元和圍 繞圓柱形對稱分布的每相對位置上的兩個射頻線圈單元之間的傳輸值都達到預設標準時， 視為該多通道射頻線圈已實現絕對去耦。需要說明的是，每相鄰的兩個射頻線圈單元、每相隔一個射頻線圈單元的兩個射 頻線圈單元、每相隔兩個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單元和對稱分布在圓柱形上每相對 位置上的兩個射頻線圈單元這四者中，可僅對任一者或任二者或任三者實現去耦。例如，當 每相鄰的兩個射頻線圈單元無耦合時，表明每相鄰的兩個射頻線圈主體的重合區域的面積 S已滿足要求，則無需微調每相鄰的兩個射頻線圈主體的重合區域的面積S，僅對每相隔一 個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單元、每相隔兩個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單元和 圍繞圓柱形對稱分布的每相對位置上的兩個射頻線圈單元這三者進行去耦即可。採用本實用新型所提供的多通道射頻線圈及其去耦方法，若僅開啟一個射頻線圈 單元，而其他七個射頻線圈單元被關閉，經實驗可以得出，不同射頻線圈單元所產生的交變 磁場彼此之間沒有影響，因此實現了多通道射頻線圈的去耦。由於實現了去耦，因此可顯著 地提高信噪比。同時，採用本實用新型所提供的多通道射頻線圈和去耦方法還可進一步地 提高圖像的均勻度。當掃描對象為水模時，採用本實用新型所提供的多通道射頻線圈及其 去耦方法，可以發現水模的圖像關於幾何軸心對稱，而且亮度均勻。可見，基於上述多通道射頻線圈，本實用新型所提供的多通道射頻線圈包括圍繞 圓柱形對稱分布的2N個射頻線圈單元，每個射頻線圈單元由矩形電容網絡和射頻線圈主 體連接構成，當進行去耦時，通過微調每相鄰的兩個射頻線圈單元中射頻線圈主體的重合 區域的面積對所有相鄰的兩個射頻線圈單元去耦，通過微調每相隔一個射頻線圈單元的兩 個射頻線圈單元的共用第三電容的電容值對所有相隔一個射頻線圈單元的兩個射頻線圈 單元去耦，通過微調每相隔兩個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單元之間的電容網絡中第一 電容的電容值和/或第二電容的電容值對所有相隔兩個射頻線圈單元的兩個射頻線圈單 元去耦，通過微調圍繞圓柱形對稱分布的每個相對位置上的兩個射頻線圈單元之間的矩形電容網絡中第一電容的電容值和/或第二電容的電容值對所有對稱分布的每個相對位置 的兩個射頻線圈單元去耦。因此，本實用新型能夠實現絕對去耦。而且，去耦方法中使用了 品質因數比較高的電容，進一步提高多通道射頻線圈的信噪比。 以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，並非用於限定本實用新型的保護範 圍。凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換以及改進等，均應包含 在本實用新型的保護範圍之內。
權利要求1.一種多通道射頻線圈，其特徵在於，包括2N個第一電容，串接環繞成第一環，其中N為正整數；2N個第二電容，串接環繞成第二環，其中，所述第一環位於所述第二環的上方，所述2N 個第一電容的串接點與所述2N個第二電容的串接點上下一一對應；2N個第三電容，分別連接在所述第一環上第一電容的各串接點與所述第二環上第二電 容各相應的串接點之間；2N個結構相同的射頻線圈主體，按相鄰的兩個射頻線圈主體部分重合的方式環繞成一 圓柱形；其中，每兩個串接的第一電容、相應的兩個串接的第二電容、以及與這兩個第一電容和 這兩個第二電容相連接的三個第三電容連接分別構成2N個結構相同的矩形電容網絡；每 個矩形電容網絡對應連接一個射頻線圈主體，構成一個射頻線圈單元；2N個所述射頻線圈 單元圍繞所述圓柱形對稱分布。
2.根據權利要求1所述的多通道射頻線圈，其特徵在於，每一所述射頻線圈主體兩端 連接在對應的矩形電容網絡中兩個第二電容與外側的兩個第三電容的連接點上。
3.根據權利要求1或2所述的多通道射頻線圈，其特徵在於，相鄰射頻線圈主體部分重 合所形成的2N個重合區域具有相同的面積。
4.根據權利要求1或2所述的多通道射頻線圈，其特徵在於，所述的第三電容具有相同 的電容值。
5.根據權利要求1或2所述的多通道射頻線圈，其特徵在於，所述的第一電容具有相同 的電容值，所述的第二電容具有相同的電容值。
專利摘要本實用新型公開了一種多通道射頻線圈，包括圍繞圓柱形對稱分布的2N個射頻線圈單元，每個射頻線圈單元由矩形電容網絡和射頻線圈主體連接構成。其中，2N個第一電容串接環繞成第一環；2N個第二電容串接環繞成第二環，第一環位於所述第二環的上方；2N個第一電容與2N個第二電容的串接點對應，2N個第三電容分別連接在第一環上第一電容的各串接點與第二環上第二電容相應的串接點之間；有2N個結構相同的射頻線圈主體，按每相鄰的兩個射頻線圈主體部分重合的方式環繞成圓柱形，形成2N個重合區域。採用本實用新型所述的多通道射頻線圈，能夠提高多通道射頻線圈的信噪比。
文檔編號G01R33/36GK201892739SQ201020273798
公開日2011年7月6日 申請日期2010年7月28日 優先權日2010年7月28日
發明者路雪蓮, 邢嶢 申請人:西門子邁迪特(深圳)磁共振有限公司