封裝膜的製作方法與工藝

2023-05-10 07:39:17 2

本申請的實施方案涉及封裝膜和光電器件。

背景技術：
光電器件如光伏電池、發光二極體(LED)或有機發光二極體(有機LED)可包括構造成封裝該器件的發光區或光敏區的封裝物。例如，光伏模塊通常可使用如下的層合方法來製備：層合充當光接收基板的透明前基板、封裝物、光伏器件、封裝物和背板，然後在層合體進行抽真空的同時熱壓經層合的層合體。考慮到可加工性、可構造性和成本，最廣泛使用乙烯-乙酸乙烯酯(EVA)樹脂作為用於光伏模塊的封裝物。然而，EVA對於與包括在光電器件中的封裝物接觸的元件例如前基板或背板表現出低的粘合強度。因此，當將模塊長期暴露於室外環境時，其存在的問題是其可容易發生層離。另外，在使用包含EVA樹脂的封裝物製造光伏模塊的方法中，EVA樹脂在熱壓條件下可發生熱裂解，導致乙酸氣體等的形成。這種乙酸氣體造成的問題在於，其使工作環境惡化，對光伏模塊中包括的光伏元件或電極具有負面影響，並且還導致模塊劣化和發電效率降低等。因此，一直存在對具有改進的長期粘合性的用於光電器件的封裝物的需要。

技術實現要素：
技術問題本申請的示例性實施方案涉及提供封裝膜和光電器件。技術解決方案本申請的一個方面提供了具有對基板優良粘合性和優良耐久性的用於光電器件的封裝膜。在本說明書中，術語「改性烯烴樹脂」和「改性乙烯/α-烯烴共聚物」是指這樣的共聚物，其包含其中接枝有不飽和矽烷化合物的烯烴樹脂的一些矽烷基中的烴基轉化成羥基的部分；還包含含有胺官能團的部分，並因此可以以相同的含義用作包含稍後將描述的由式1表示的支鏈的共聚物。為了與這種改性烯烴樹脂或改性乙烯/α-烯烴共聚物進行區分，還將在氨基矽烷化合物不存在下僅接枝有不飽和矽烷化合物的乙烯/α-烯烴共聚物定義為「矽烷改性烯烴樹脂」或「矽烷改性乙烯/α-烯烴共聚物」。根據本申請一個示例性實施方案的封裝膜包含稍後將描述的共聚物，並因此對前基板表現出優良的粘合性，甚至在低層合溫度下進行層合時也是如此。例如，封裝膜在110℃或更高，例如110℃、130℃、140℃、150℃或160℃的溫度下層合之後所測量的粘合性可為50N/15mm或更大、60N/15mm或更大、70N/15mm或更大、80N/15mm或更大、90N/15mm或更大、100N/15mm或更大、110N/15mm或更大、60N/15mm或更大、120N/15mm或更大、130N/15mm或更大、140N/15mm或更大、150N/15mm或更大、160N/15mm或更大、165N/15mm或更大、170N/15mm或更大、180N/15mm或更大或者200N/15mm或更大。優選地，封裝膜在110℃的溫度下層合後測量的對前基板的剝離強度可為50N/15mm或更大。對前基板的剝離強度可在90°的剝離角和50mm/分鐘的剝離速度下測量並且剝離強度可隨稍後將描述的氨基矽烷化合物的含量而變化。根據一個示例性實施方案，前基板可為玻璃基板。封裝膜與玻璃基板之間的粘合性隨著層合溫度增加而增加。例如，封裝膜的剝離強度與封裝膜和玻璃基板的層合溫度之間的關係可滿足以下等式1。即，根據本申請一個示例性實施方案的封裝膜例如可滿足以下等式1。[等式1]P＝α1(TL-100)+β1在等式1中，P表示在90°的剝離角和50mm/分鐘的剝離速度下所測量的封裝膜對玻璃基板的剝離強度，TL表示封裝膜和玻璃基板的層合溫度，α1是1或更大，並且β1是40或更大。優選地，在等式1中，α1在1.5至4的範圍中，並且β1在50至150的範圍中。更優選地，α1在2.5至3.3的範圍中，並且β1在70至130的範圍中。在等式1中，封裝膜和玻璃基板的層合溫度可大於或等於100℃的溫度，例如，可為110℃、120℃、130℃、140℃、150℃、160℃或170℃。另外，層合可進行15分鐘30秒，例如，在真空下進行5分鐘，在壓力條件下進行30秒並且在殘餘壓力下進行10分鐘。根據本申請一個示例性實施方案的封裝膜滿足等式1，並因此對玻璃基板表現出優良的粘合性，甚至在100℃或更高的溫度下並且特別地在約110℃的低溫下進行層合時也是如此。另外，由於粘合強度隨著層合溫度增加而顯著增加，所以封裝物的優點在於其可容易地應用於在各種層合條件下進行的層合過程，並且可提高生產力，由此降低生產成本。另外，根據本申請一個示例性實施方案的封裝膜的黃變指數(下文稱為「YI」)值可為0.5至2.5，例如，YI值為0.5至1.0、0.5至1.5、1.0至1.5、1.25至1.5或1.25至2.5。當YI值減小時，光電器件可具有優異的發電效率。術語「黃變指數」是指當封裝膜暴露於紫外線時通過量化封裝膜的黃變現象所獲得的值，其可以通過使用基於ASTMD1925的UV/Vis光譜儀進行測量。例如，封裝膜在400nm至700nm的波長區域下的反射率可使用UV/Vis分光計來測量，並且YI值可根據以下等式2由封裝膜的反射率來計算。[等式2]YI＝[100(1.28XCIE-1.06ZCIE)]/YCIE在等式2中，YI是通過UV/VIS/NIR分光計使用色差分析程序計算的值，並且XCIE、YCIE和ZCIE分別是由紅色、綠色、藍色色標表示的相對值。此外，根據本申請一個示例性實施方案的封裝膜具有優良的透光率。例如，封裝膜的總透光率值可為90.0％或更大，例如，總透光率值為91.0％或更大、91.2％或更大、91.3％或更大、91.5％或更大、91.7％或更大、91.9％或更大或者92.1％或更大。考慮到光電器件的光電效率，可在上述透射率範圍中調整封裝膜的總透光率。另外，由於封裝膜具有低的霧度值，所以封裝膜表現處優良的透明度。例如，封裝膜的霧度值可為4.0％或更小，例如，3.5％或更小、3.0％或更小、2.5％或更小、2.0％或更小或者1.5％或更小，並且考慮到光電器件的光電效率，可在上述霧度值範圍中調整封裝膜的霧度值。總透光率和霧度可以為使用霧度計對波長為200nm或更大的光，例如，波長為300nm、350nm、400nm、450nm、500nm、550nm或600nm的光所測量的值，優選為使用霧度計對波長為550nm的光所測量的值。例如，總透光率和霧度還可為在110℃、130℃或150℃溫度下將封裝膜層合在玻璃基板上之後所測量的值，但是本申請不限於此。另外，總透光率可使用UV/Vis光譜來測量。在這種情況中，總透光率可為使用UV/Vis光譜對波長為200nm或更長的光，例如，波長範圍為200nm至1,300nm、250nm至1,300nm或300nm至1,100nm的光所測量的值。根據一個示例性實施方案，用於光電器件的封裝膜包含含有源自基於烯烴的單體的聚合單元的主鏈以及與主鏈結合併由以下式1表示的支鏈的共聚物。所述共聚物可用作封裝各種光電器件中的元件的封裝物，但是本申請不限於此。例如，所述共聚物可用作應用於加熱層合過程的工業材料等。[式1]-SiR1lR2(2-l)R3在式1中，R1和R2各自獨立地表示與矽原子鍵合的滷素、胺基、-R4R5或-R5，其中R4表示氧或硫原子，並且R5表示氫、烷基、芳基、芳烷基或醯基，並且l是1或2的整數，R3表示與矽原子鍵合的-OSiR6mR7(2-m)R8，R6和R7各自獨立地表示與矽原子鍵合的滷素、胺基、-R9R10或-R10，其中R9表示氧或硫原子，並且R10表示氫、烷基、芳基、芳烷基或醯基，R8表示與矽原子鍵合的-(CH2)nNR11R12，其中R11和R12各自獨立地表示與氮原子鍵合的氫或R13NH2，並且R13表示亞烷基，並且m是1或2的整數，並且n是大於或等於0的整數。例如，共聚物包含由式1表示並接枝到包含基於烯烴的單體的聚合單元的主鏈中的支鏈，並且所述支鏈可具有這樣的結構，其包含其中一些矽烷基中的烴基轉化成羥基的部分並且還包含含有胺官能團的部分。因為共聚物包含胺官能團和轉化成羥基的部分，所以例如可形成在光電器件中封裝物下方形成的玻璃基板的表面上胺官能團與羥基之間的氫鍵，從而提供優異的粘合強度，並且可與在封裝物上由氟化物樹脂形成的背板形成更多的氫鍵以進一步提供優良的粘合強度。根據一個示例性實施方案，式1中的烷基可具有1至20、1至12、1至8或1至4個碳原子，例如可為甲基、乙基、丙基或丁基，但是本申請不限於此。另外，芳基可具有6至20、6至18或6至12個碳原子，例如可為苯基或萘基，但是本申請不限於此。芳烷基是指其中烷基中烴基的一個或更多個氫原子被芳基取代的烷基。在這種情況中，芳烷基可具有7至40、7至19或7至13個碳原子。芳烷基的碳原子是指烷基和芳基二者所包含碳原子的總數。亞烷基可以是具有1至16個碳原子、1至12個碳原子、1至6個碳原子或1至4個碳原子的直鏈或支化亞烷基，例如可為亞乙基或亞丙基，但是本申請不限於此。另外，醯基是指由RC＝O表示的官能團，其中R表示烷基或芳基。例如，醯基可包括甲醯基、乙醯基、丙醯基或苯甲醯基，但是本申請不限於此。醯基中所包含的烷基和芳基可具有與上述相同的碳原子數。根據一個示例性實施方案，R1和R2中的至少一個可為可因接觸體系中存在的水分而水解的反應性官能團。例如，R1和/或R2可為烷氧基、烷硫基、芳氧基、醯氧基、滷素或胺基。在這種情況中，烷氧基的實例可包括具有1至20個碳原子、1至12個碳原子、1至8個碳原子或1至4個碳原子的烷氧基，醯氧基的實例可包括具有1至12個碳原子、1至8個碳原子或1至4個碳原子的醯氧基，並且烷硫基的實例可包括具有1至12個碳原子、1至8個碳原子或1至4個碳原子的烷硫基。根據一個示例性實施方案，式1中的R1和/或R2也可為烷氧基，特別地為具有1至12個碳原子或1至8個碳原子的烷氧基。根據另一些示例性實施方案，R1和/或R2可為具有1至4個碳原子的烷氧基，例如，可包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基或丁氧基。例如，根據一些示例性實施方案可使用甲氧基或乙氧基。另外，R1或R2可為非反應性官能團。例如，R1或R2可為氫、烷基、芳基或芳烷基。同樣地，烷基可例如為具有1至12個碳原子、1至8個碳原子或1至4個碳原子的烷基。此外，芳基可為具有6至18個碳原子或6至12個碳原子的芳基，如苯基，並且芳烷基可為具有7至19個碳原子或7至13個碳原子的芳烷基，如苄基。同樣地，R3是包含上述轉化成羥基的部分和含有胺官能團的部分二者的官能團。如上所述，由於在光電器件中的封裝物下方形成的玻璃基板的表面上羥基與胺官能團之間通過R3形成了氫鍵，所以共聚物可表現出優異的粘合強度。另外，由於與封裝物上由氟化物樹脂形成的背板形成了更多的氫鍵，所以共聚物可表現出優良的粘合強度。此外，式1中的l可為1至3的整數，並且根據一些示例性實施方案可為2。根據一個示例性實施方案，式1中的R1和R2可各自獨立地表示與矽原子鍵合的羥基或-R4R5，其中R4可表示氧並且R5可表示烷基，R3可表示與矽原子鍵合的-OSiR6mR7(2-m)R8，其中R6和R7可各自獨立地表示與矽原子鍵合的羥基或-R9R10，其中R9可表示氧並且R10可表示烷基，並且R8可表示與矽原子鍵合的-(CH2)nNR11R12，其中R11和R12各自獨立地可表示與氮原子鍵合的氫或R13NH2，其中R13可表示亞烷基。更優選地，還在式1中，R1和R2可各自獨立地表示羥基，R3可表示與矽原子鍵合的-OSiR6mR7(2-m)R8，其中R6和R7可各自獨立地表示羥基，並且R8可表示與矽原子鍵合的-(CH2)nNR11R12，其中R11可表示氫並且R12可表示R13NH2，並且R13可表示亞烷基。同樣地，烷基和亞烷基與上述相同。根據一個示例性實施方案，共聚物還可包含與主鏈結合併由下式2表示的支鏈。[式2]-SiR14oR15(3-o)在式2中，R14和R15各自獨立地表示與矽原子鍵合的滷素、胺基、-R16R17或-R17，其中R16表示氧或硫原子，並且R17表示氫、烷基、芳基、芳烷基或醯基，並且o是1至3的整數。優選地，在式2中，R14和R15可各自獨立地表示與矽原子鍵合的羥基或-R16R17，其中R16表示氧，並且R17可表示烷基。如上所述，由於共聚物包含胺官能團以及轉化成羥基的部分，所以與僅包含由式2表示的支鏈的共聚物(例如，通過僅使包含乙烯基的不飽和矽烷化合物共聚於烯烴樹脂所形成的共聚物)相比，矽烷基的一些烴基轉化成羥基的轉化率可大大提高。因此，當根據本申請一個示例性實施方案的光電器件的封裝物中包含所述共聚物時，與僅包含由式2表示的支鏈的共聚物相比，可在封裝物下方形成的玻璃基板的表面上的羥基與胺官能團之間形成更多的氫鍵，從而提供優異的粘合強度。另外，可與封裝物上由氟化物樹脂形成的背板形成更多的氫鍵，從而提供優良的粘合強度。由於封裝膜包含所述共聚物，所以封裝膜可表現出優良的粘合性。根據一個示例性實施方案，其中以聚合形式包含共聚物中的一些矽烷基中的烴基轉化成羥基的部分(A)，和引入末端胺官能團的部分(B)可通過FT-IR測定來測量，並且在封裝膜層合後由氨基矽烷化合物水解的提高引起的甲氧基矽基(Si-O-CH3)轉化成矽烷醇基(Si-OH)的水平也可通過FT-IR測定來測量。例如，如通過使用衰減全反射(ATR)方法的FT-IR所測量的，共聚物的矽烷醇基(Si-OH)和胺基(NH2)在3,100cm-1至3,600cm-1波數範圍中的峰面積(Sa)與亞甲基(CH2)在705cm-1至735cm-1波數範圍中的峰面積(Sm)的比(Sa/Sm)可為1.5或更大，例如2.0或更大、2.5或更大、2.85或更大、3.5或更大、5.0或更大、5.25或更大、6.0或更大、6.5或更大或者7.0或更大。共聚物的峰面積比(Sa/Sm)的上限沒有特別限制。例如，共聚物的峰面積比(Sa/Sm)可小於或等於10.0、9.0或8.0。通過FT-IR測量的共聚物的矽烷醇基(Si-OH)和胺基(NH2)的峰面積(Sa)可隨著氨基矽烷化合物含量增加而增加。另外，如通過使用ATR方法的FT-IR所測量的，封裝膜的矽烷醇基(Si-OH)和胺基(NH2)在3,100cm-1至3,600cm-1波數範圍中的峰面積(Sa)與亞甲基(CH2)在705cm-1至735cm-1的波數範圍中的峰面積(Sm)的比(Sa/Sm)可為0.6或更大，例如，0.7或更大、0.8或更大、0.9或更大、1.0或更大、1.1或更大、1.2或更大、1.25或更大、1.5或更大或者2.0或更大。封裝膜峰面積比(Sa/Sm)的上限沒有特別限制。例如，封裝膜的峰面積比(Sa/Sm)可小於或等於10.0、9.0、8.0、6.0、5.0或4.0。與共聚物一樣，通過FT-IR測量的封裝膜的矽烷醇(Si-OH)與胺基(NH2)的峰面積(Sa)可隨著氨基矽烷化合物含量增加而增加。ATR方法(即，ATR吸收光譜)是指使用以下現象進行分光光度測量的方法：其中當樣品(固體或液體)與具有高折射指數的透明材料如石英緊密接觸並且入射光從透明材料側照射時發生全反射，但非常低量的反射光被吸收到在緊密接觸表面附近的樣品中。在根據本申請一個示例性實施方案的FT-IR測量方法中，透明材料可以是金剛石/硒化鋅(ZnSe)，光的入射角可為45°，並且峰值可以是測量反射光32次得到的值的平均。根據一個示例性實施方案，矽烷醇基(Si-OH)和胺基(NH2)的峰面積以及亞甲基(CH2)的峰面積可通過使用FT-IR測量機測量波數為600cm-1至4,000cm-1的紅外線的吸光率的比並使用紅外線的吸收率的比測量每個峰面積來計算。例如，矽烷醇基(Si-OH)和胺基(NH2)的峰面積可通過在2,400cm-1至3,800cm-1的波數範圍中設定基線並且在3,100cm-1至3,600cm-1的波數範圍中對峰面積進行積分來計算，並且亞甲基(CH2)的峰面積可通過在690cm-1至760cm-1的波數範圍中設定基線並且在705cm-1至735cm-1的波數範圍中對峰面積進行積分來計算。同樣地，波數是指照射的紅外線波長的倒數(1/λ)。根據一個示例性實施方案，製備封裝膜的方法包括通過反應擠出烯烴樹脂組合物來製備改性烯烴樹脂。所述烯烴樹脂組合物包含烯烴樹脂、不飽和矽烷化合物、基於100重量份的不飽和矽烷化合物量為1重量份至35重量份的氨基矽烷化合物、和自由基引發劑。另外，根據一個示例性實施方案，製備封裝膜的方法還可進一步包括在製備改性烯烴樹脂之前製備所述烯烴樹脂組合物。烯烴樹脂的類型不受特別限制，只要其可被歸類為烯烴即可。然而，烯烴樹脂的實例可例如為至少一種選自以下的基於烯烴的單體的均聚物或共聚物：α-烯烴如乙烯、丙烯、異丁烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、4-苯基-1-丁烯、6-苯基-1-己烯、2-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-丁烯、4-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-己烯、5-甲基-1-己烯、3，3-二甲基-1-戊烯、3，4-二甲基-1-戊烯、4，4-二甲基-1-戊烯或乙烯基環己烷；二烯如1，3-丁二烯、1，4-丁二烯或1，5-己二烯；經滷素取代的α-烯烴如六氟丙烯、四氟乙烯、2-氟丙烯、氟乙烯、1，1-二氟乙烯、3-氟丙烯、三氟乙烯或3，4-二氯-1-丁烯；以及環烯烴如環戊烯、環己烯、降冰片烯、5-甲基降冰片烯、5-乙基降冰片烯、5-丙基降冰片烯、5，6-二甲基降冰片烯或5-苄基降冰片烯。另外，儘管烯烴樹脂由具有相同組成的單體形成，但是烯烴樹脂包括具有不同構型的所有類型的聚合物。例如，根據本申請的示例性實施方案，烯烴樹脂中所包含的共聚物的構型可被調整為無規型、交聯型、嵌段型或不同鏈段的類型，從而根據目的用於適當地調整樹脂組合物的粘度或物理性質。根據本申請的示例性實施方案，烯烴樹脂可為乙烯/α-烯烴共聚物、乙烯聚合物、丙烯聚合物或乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，並且根據一個示例性實施方案，可為乙烯/α-烯烴共聚物。術語「乙烯/α-烯烴共聚物」是指包含聚合形式的乙烯和α-烯烴作為主要組分的的聚烯烴，並且更特別地，是指這樣的共聚物，其包含濃度為至少50mol％的乙烯作為聚合單元並且包含具有至少三個碳原子的烯烴單體或其他共聚單體作為聚合單元的共聚物，以及乙烯的均聚物。例如，乙烯/α-烯烴共聚物可為選自以下中的至少一種：低密度乙烯/α-烯烴共聚物、中密度乙烯/α-烯烴共聚物、高密度乙烯/α-烯烴共聚物、極低密度乙烯/α-烯烴共聚物、超低密度乙烯/α-烯烴共聚物、線性低密度乙烯/α-烯烴共聚物及其組合。一般來說，具有多個側鏈的乙烯/α-烯烴共聚物具有低密度，而具有很少側鏈的乙烯/α-烯烴共聚物具有高密度。另外，接枝率可隨著側鏈數量的增加而增加。因此，根據本申請的一個示例性實施方案，具有多個側鏈的低密度乙烯/α-烯烴共聚物可用作與不飽和矽烷化合物和氨基矽烷接枝的烯烴樹脂，從而由於提高接枝率而改善封裝物的粘合性。因此，根據本申請的示例性實施方案，可特別地使用密度為約0.85g/cm3至0.96g/cm3，例如密度為約0.85g/cm3至0.92g/cm3、0.86g/cm3至0.91g/cm3、0.87g/cm3至0.90g/cm3、0.88g/cm3至0.91g/cm3或0.87g/cm3至0.905g/cm3的乙烯/α-烯烴共聚物，但是本申請不限於此。另外，如在190℃的溫度和2.16kg的載荷下所測量的，乙烯/α-烯烴共聚物的熔體流動速率(MFR)可為約1.0g/10分鐘至約50.0g/10分鐘、約1.0g/10分鐘至30.0g/10分鐘、約1.0g/10分鐘至約10.0g/10分鐘、約1.0g/10分鐘至8.0g/10分鐘或約3.0g/10分鐘至7.0g/10分鐘。當乙烯/α-烯烴共聚物的MFR在該範圍中時，例如烯烴樹脂可具有低分子量，並因此，烯烴樹脂組合物可表現出優良的可模製性等。在乙烯/α-烯烴共聚物的情況下，這樣的MFR可例如在190℃的溫度和2.16kg的載荷下測量，但是本申請不限於此。烯烴樹脂組合物中所包含的不飽和矽烷化合物是由下式3表示的不飽和矽烷化合物，其可通過在自由基引發劑存在下將不飽和矽烷化合物接枝到包含基於烯烴的單體的聚合單元的烯烴樹脂的主鏈中來以聚合形式包含在改性烯烴樹脂或矽烷改性烯烴樹脂中。即，可將烯烴樹脂組合物製備成其中由下式3表示的不飽和矽烷化合物被接枝到烯烴樹脂中的接枝聚合物。[式3]DSiR18pR19(3-p)在式3中，D表示與矽原子鍵合的烯基。烯基是指包含至少一個不飽和基團如雙鍵的官能團。在這種情況中，烯基可具有2至20個碳原子、2至12個碳原子或2至6個碳原子。在這種情況中，烯基，例如D可為乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、己烯基、環己烯基或γ-甲基丙烯醯氧基丙基。作為實例，烯基可為乙烯基。R18可表示與矽原子鍵合的羥基、滷素、胺基或-R20R21，其中R20可表示氧或者硫原子，並且R21可表示烷基、芳基或醯基，並且R19可表示與矽原子鍵合的氫、烷基、芳基或芳烷基。根據一個示例性實施方案，R18可為可通過接觸體系中存在的水分而水解的反應性官能團。由於R18表示與上述相同的反應性官能團，所以省略了對R18的描述。另外，R19可為非反應性官能團。由於R19表示與上述相同的非反應性官能團，所以省略了對R19的描述。另外，式3中的p是1至3的整數，並且根據一些示例性實施方案，可為3。在式3中，不飽和矽烷化合物的具體實例可為乙烯基烷氧基矽烷。例如，不飽和矽烷化合物可包括乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三丙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、乙烯基三丁氧基矽烷、乙烯基三戊氧基矽烷、乙烯基三苯氧基矽烷或乙烯基三乙醯氧基矽烷。其中，例如，本文可使用乙烯基三甲氧基矽烷或乙烯基三乙氧基矽烷，但是本申請不限於此。根據一個示例性實施方案，基於總計100重量份的烯烴樹脂組合物的固含量，烯烴樹脂組合物可包含量為0.1重量份至10.0重量份、0.5重量份至7.0重量份、1.0重量份至5.5重量份或者0.5重量份至5.0重量份的式3的不飽和矽烷化合物。在該含量範圍內，可極好地保持共聚物的粘合性質，例如對玻璃基板、背板等的粘合性質。除非本說明書中另有特別定義，否則單位「重量份」是指重量比。根據一個示例性實施方案，烯烴樹脂組合物包含氨基矽烷化合物。所述氨基矽烷化合物可充當促進水解的催化劑，在所述水解中使接枝到烯烴樹脂中的不飽和矽烷化合物中的反應性官能團如烷氧基在烯烴樹脂(例如，乙烯/α-烯烴共聚物)改性過程中轉化成羥基，從而進一步改善對玻璃基板或由氟化合物樹脂形成的背板的粘合強度，所述玻璃基板和背板二者形成在封裝膜上和下面。同時，氨基矽烷化合物作為反應物還參與直接共聚反應，以向上述共聚物提供含有胺官能團的部分。氨基矽烷化合物可為由下式4表示的化合物。[式4]SiR22qR23(4-q)在式4中，R22表示與矽原子鍵合的-(CH2)rNR24R25，其中R24和R25各自獨立地表示與氮原子鍵合的氫或R26NH2，其中R26表示具有1至6個碳原子的亞烷基。另外，R23表示與矽原子鍵合的滷素、胺基、-R27R28或-R28，其中R27表示氧或硫原子，並且R28表示氫、烷基、芳基、芳烷基或醯基。在這種情況中，q是1至4的整數，並且r是大於或等於0的整數。同樣地，烷基、芳基、芳烷基、醯基和亞烷基與上述相同，因此，為了清楚起見，省略了對烷基、芳基、芳烷基、醯基和亞烷基的描述。優選地，在式4中，R23可表示與矽原子鍵合的-R27R28，其中R27可表示氧原子並且R28可表示氫、烷基、芳基、芳烷基或醯基，並且R22可表示與矽原子鍵合的-(CH2)rNR24R25，其中R24和R25可各自獨立地表示氫，或者R24可表示氫並且R25可表示R26NH2。同樣地，R26可為具有1至3個碳原子的亞烷基。在這種情況中，r也可為2至5的整數。在烯烴樹脂的改性(即，製備改性烯烴樹脂)期間，可引入氨基矽烷化合物。另外，氨基矽烷化合物對組合物中所包含的其他組分(例如，稍後將描述的UV穩定劑)沒有負面影響，並且可以使得該組合物的全部物理性質能夠以上述性質期望的方式得到穩定地維持。根據本申請示例性實施方案可使用的氨基矽烷化合物包括含有胺基的矽烷化合物。本文中，可沒有限制地使用伯胺和仲胺，只要其可用作矽烷化合物即可。例如，可以使用氨基三烷氧基矽烷、氨基二烷氧基矽烷等作為氨基矽烷化合物。氨基矽烷化合物的實例可包括選自以下中的至少一種：3-氨基丙基三甲氧基矽烷(APTMS)、3-氨基丙基三乙氧基矽烷(APTES)、雙[(3-三乙氧基矽基)丙基]胺、雙[(3-三甲氧基矽基)丙基]胺、3-氨基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-氨基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-[3-(三甲氧基矽基)丙基]乙二胺(DAS)、氨基乙基氨基丙基三乙氧基矽烷、氨基乙基氨基丙基甲基二甲氧基矽烷、氨基乙基氨基丙基甲基二乙氧基矽烷、氨基乙基氨基甲基三乙氧基矽烷、氨基乙基氨基甲基甲基二乙氧基矽烷、二亞乙基三氨基丙基三甲氧基矽烷、二亞乙基三氨基丙基三乙氧基矽烷、二亞乙基三氨基丙基甲基二甲氧基矽烷、二亞乙基氨基甲基甲基二乙氧基矽烷、(N-苯基氨基)甲基三甲氧基矽烷、(N-苯基氨基)甲基三乙氧基矽烷、(N-苯基氨基)甲基甲基二甲氧基矽烷、(N-苯基氨基)甲基甲基二乙氧基矽烷、3-(N-苯基氨基)丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯基氨基)丙基三乙氧基矽烷、3-(N-苯基氨基)丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(N-苯基氨基)丙基甲基二乙氧基矽烷和N-(N-丁基)-3-氨基丙基三甲氧基矽烷。例如，這些類型的氨基矽烷化合物可單獨使用或組合使用。基於總計100重量份的烯烴樹脂組合物的固含量，氨基矽烷化合物的含量可以為0.01重量份至2.0重量份，例如0.01重量份至0.5重量份、0.1重量份至0.25重量份、0.2重量份至0.5重量份、0.5重量份至1.25重量份、0.1重量份至1.5重量份或0.2重量份至2.0重量份。在該含量範圍中，可有效地調節樹脂組合物的物理性質，可提高對上述前基板和背板的粘合性，並且可極好地保持樹脂組合物中所包含的其他添加劑的活性。當過量添加氨基矽烷化合物時，樹脂在最開始時就會褪色，或者在過程期間可形成大量的凝膠，從而對所製造的片的外觀產生負面影響。基於總計100重量份的不飽和矽烷化合物，氨基矽烷化合物在烯烴樹脂組合物中的含量可以為1重量份至35重量份，例如，2重量份至6重量份、2重量份至6重量份、5重量份至5.5重量份、2重量份至15重量份、5重量份至15重量份、10重量份至35重量份、5重量份至35重量份、15重量份至33.3重量份或2重量份至33.3重量份。另外，基於總計100重量份的矽烷化合物，氨基矽烷化合物在烯烴樹脂組合物中的含量可以為1重量份至40重量份的量，例如，2重量份至30重量份、2重量份至25重量份、1重量份至25重量份、2重量份至6重量份、1重量份至10重量份、4重量份至12重量份、5重量份至10重量份、2重量份至10重量份或2重量份至5重量份。當使烯烴樹脂組合物(其中將氨基矽烷化合物調整在含量範圍中)經受反應擠出時，所製備的封裝膜與前基板之間的粘合性表現為優良。另一方面，當包含過量的氨基矽烷化合物時，可導致所製備封裝膜的黃變指數增加，從而影響封裝膜的其他物理性質。氨基矽烷化合物和不飽和矽烷化合物在包含矽烷基方面是相似的，但是在包含胺官能團和不飽和基團方面是不同的。氨基矽烷化合物和不飽和矽烷化合物二者均包含在烯烴樹脂組合物中。在這種情況中，與當烯烴樹脂組合物僅包含氨基矽烷化合物和不飽和矽烷化合物之一時相比，烯烴樹脂組合物可表現出優良的粘合性能。本文中，無論不飽和矽烷化合物的含量如何，使用氨基矽烷化合物都可基本上改善粘合性能。然而，即使當不飽和矽烷化合物以相同含量使用時，使用氨基矽烷化合物也可進一步改善粘合性能。此外，與當使用烷基矽烷或烷基胺簡單製備封裝物時相比，根據製備方法，可提供表現優異粘合性能的封裝物。例如，當僅使用烷基胺時，與乙烯基矽烷或氨基矽烷化合物不同，烷基胺不參與接枝聚合反應，並且保持為體系中剩餘的材料。隨後，烷基胺可移動至改性烯烴樹脂的表面，或者在製備成片狀封裝物時移動至片的表面。因此，由於體系中剩餘材料的存在，可降低長期耐久性。此外，一些烷基胺的熔點為約27℃至29℃，因此在小於或等於該熔點的溫度下還可表現出與其他反應材料(例如，液體矽烷化合物)較差的混溶性。根據一個示例性實施方案，烯烴樹脂組合物包含自由基引發劑。自由基引發劑可用於引發將不飽和矽烷化合物接枝到烯烴樹脂中的反應。可用作自由基引發劑的化合物沒有限制，只要其可引發乙烯基的自由基聚合反應即可。例如，自由基引發劑可包括選自有機過氧化物、氫過氧化物和偶氮化合物中的一種或更多種。具體地，自由基引發劑可包括選自以下中的至少一種：二烷基過氧化物，例如叔丁基枯基過氧化物、二叔丁基過氧化物、二枯基過氧化物、2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基過氧化)己烷和2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基過氧化)-3-己炔；氫過氧化物，例如氫過氧化異丙苯、氫過氧化二異丙苯、2，5-二甲基-2，5-二(氫過氧化)己烷和氫過氧化叔丁基；二醯基過氧化物，例如雙-3，5，5-三甲基己醯過氧化物、過氧化辛醯、過氧化苯甲醯、過氧化鄰甲基苯甲醯和過氧化2，4-二氯苯甲醯；過氧酯，例如過氧化異丁酸叔丁酯、過氧化乙酸叔丁酯、過氧化-2-乙基己酸叔丁酯、過氧化特戊酸叔丁酯、過氧化辛酸叔丁酯、過氧化異丙基碳酸叔丁酯、過氧化苯甲酸叔丁酯、過氧化鄰苯二甲酸二叔丁酯、2，5-二甲基-2，5-二(苯甲醯過氧化)己烷和2，5-二甲基-2，5-二(苯甲醯過氧化)-3-己炔；酮過氧化物，例如過氧化甲基乙基酮和過氧化環己酮；和偶氮化合物，例如過氧化月桂醯、偶氮二異丁腈和偶氮二(2，4-二甲基戊腈)，但本申請不限於此。基於總計100重量份的烯烴樹脂組合物的固含量，這種自由基引發劑的含量可以為0.001重量份至5重量份。當需要時，烯烴樹脂組合物還可包含選自光穩定劑、UV吸收劑和熱穩定劑中的至少一種添加劑。根據組合物的應用，光穩定劑可用於捕獲用於引發烯烴樹脂中的光誘導降解的活性物質以及防止光致氧化。本文中可使用的光穩定劑的類型沒有特別限制。例如，本文中可使用已知的化合物，如基於受阻胺的化合物或基於受阻哌啶的化合物。根據組合物的應用，UV吸收劑可用於吸收來自太陽光等的UV射線，將所述UV射線轉化成在分子中無害的熱能以及防止用於引發烯烴樹脂中的光誘導降解的活性物質被激發。本文中可使用的UV吸收劑的具體類型沒有特別限制。例如，可單獨使用或組合使用無機UV吸收劑，如基於二苯甲酮的UV吸收劑、基於苯並三唑的UV吸收劑、基於丙烯醯腈的UV吸收劑、基於金屬絡合物鹽的UV吸收劑、基於受阻胺的UV吸收劑、基於超細顆粒二氧化鈦的UV吸收劑或基於超細顆粒氧化鋅的UV吸收劑。另外，熱穩定劑的實例可包括：基於磷的熱穩定劑，例如三(2，4-二叔丁基苯基)亞磷酸酯、亞磷酸雙[2，4-雙(1，1-二甲基乙基)-6-甲基苯基]乙基酯、四(2，4-二叔丁基苯基)[1，1-聯苯基]-4，4′-二基二磷酸酯和雙(2，4-二叔丁基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯；以及基於內酯的熱穩定劑，例如8-羥基-5，7-二叔丁基呋喃-2-酮與鄰二甲苯的反應產物，這些熱穩定劑可單獨使用或組合使用。在烯烴樹脂組合物中，光穩定劑、UV吸收劑和/或熱穩定劑的含量沒有特別限制。換句話說，可根據樹脂組合物的應用、添加劑的形狀或密度等適當地選擇添加劑的含量。通常，基於總計100重量份的樹脂組合物的固含量，可將添加劑適當地調整為0.01重量份至5重量份的含量。另外，除了上述組分以外，根據樹脂組分的應用，根據一個示例性實施方案的烯烴樹脂組合物可適當地進一步包含相關領域中已知的各種添加劑。製備改性烯烴樹脂的方法沒有特別限制。然而，改性烯烴樹脂可例如通過以下步驟來製備：將上述烯烴樹脂組合物添加至反應容器中，使組合物的組分在反應容器中混合，並在適當的自由基引發劑存在下通過熱熔來接枝反應擠出混合物。在烯烴樹脂組合物的情況下，改性烯烴樹脂的矽烷改性部分中的反應性矽烷基如甲氧基矽基(Si-O-CH3)(其在擠出過程期間變得化學不穩定)在調整過程(如，上述層合)期間通過氨基矽烷化合物加速水解，並轉化成矽烷醇基(Si-OH)。然後，通過與殘基(如光電器件中前基板表面上的羥基)脫水縮合可形成化學共價鍵，從而得到高粘合性。此外，即使在與具有包含近幾年常用的含氟聚合物的表面層的背板的界面上，氟化物也與矽烷醇基形成氫鍵，從而示出不同於常規封裝物的高界面粘合性。另外，由於通過添加少量氨基矽烷化合物引入的包含胺官能團的部分的存在，可使與氟化物的非共價鍵位點的數目增加，從而得到高粘合強度。可沒有特別限制地使用製備改性烯烴樹脂的反應容器類型，只要其可用於通過使組分以熱熔融狀態或液體狀態彼此反應來製備期望的樹脂即可。例如，反應容器可為擠出機或設置有料鬥的擠出機。當使用這種反應容器時，例如，改性烯烴樹脂可通過將液體不飽和矽烷化合物、氨基矽烷化合物和自由基引發劑添加至在擠出機中熱熔的烯烴樹脂中，並且擠出所得混合物來製備；或者通過使烯烴樹脂、自由基引發劑、氨基矽烷化合物和不飽和矽烷化合物在料鬥中混合，將所得混合物引入擠出機中，並使混合物熱熔融以在擠出機中反應來製備。另外，可將其他添加劑如UV吸收劑、熱穩定劑或UV穩定劑添加至如上所述製備的改性烯烴樹脂中，並且添加劑可在形成改性烯烴樹脂之前或之後放入反應容器中。作為實例，方法可通過在一個反應容器中製備改性烯烴樹脂並同時使改性烯烴樹脂與添加劑混合來簡化。同樣地，可將其他添加劑自身放入反應容器中或者以母料的形式添加並混合。同樣地，母料是指粒料形式的原材料，其通過使以高濃度濃縮待添加的添加劑並使添加劑分散來獲得。當通常使用方法如擠出或注射來加工和模製塑料原材料時，母料可用於將具有特定功能的添加劑引入到成品中。同樣地，將添加劑放入形成改性烯烴樹脂的反應器中的方法沒有特別限制。例如，本文中可使用在擠出機和料筒中的合適位置安裝側進料器並將添加劑以母料形式引入到進料器中的方法或者使添加劑與烯烴樹脂在料鬥中混合併引入所得混合物的方法。在上述方法中，反應容器的具體類型和設計，條件如熱熔、混合和反應溫度和時間，或者製備母料的方法沒有特別限制，但是可根據所使用的原材料等適當地選擇。在製備改性烯烴樹脂之後，製備封裝膜的方法還可包括將未改性烯烴樹脂添加至改性烯烴樹脂中並將所得的混合物模製為膜狀或片狀。根據本申請示例性實施方案可使用的未改性烯烴樹脂的具體類型沒有特別限制。例如，聚乙烯可用作未改性烯烴樹脂。具體地，可使用與在如上所述製備改性烯烴樹脂時所使用的乙烯/α-烯烴共聚物屬於相同類別的乙烯/α-烯烴共聚物。未改性烯烴樹脂與改性烯烴樹脂的含量比可為1∶1至20∶1，例如，1∶1至10∶1、1∶1至5∶1或2∶1至5∶1。當未改性烯烴樹脂的含量過高時，可容易地降低通過改性烯烴樹脂表現出的粘合性能。另一方面，當未改性樹脂的含量過低時，在最開始時就可表現出改性烯烴樹脂的粘合性能，從而由於凝膠形成而導致可加工性降低和不期望的片可模製性。未改性烯烴樹脂的含量沒有特別限制，並且可根據期望的物理性質來選擇。例如，基於100重量份的改性烯烴樹脂，未改性烯烴樹脂的含量可以為0.01重量份至3,000重量份、100重量份至2,000重量份或90重量份至1,000重量份。各組分可以以組分本身在封裝物中均勻混合的狀態包含在根據本申請的一個示例性實施方案的封裝物中，並且可以以組分使用各種模製方法(如熱熔擠出、T型模成型等)模製的狀態包含在其中。封裝物的形狀沒有特別限制。例如，封裝物可以為膜狀或片狀。在這種情況中，考慮到元件的支撐效率和可破碎性、重量減輕、器件的可加工性等，可將封裝物調整為約10μm至2,000μm或約100μm至1,250μm的厚度。然而，封裝物的厚度可根據具體的應用而變化。封裝物可通過將上述烯烴樹脂組合物模製為膜狀或片狀來製備。這種模製方法沒有特別限制。例如，可使用常規方法如T型模方法或擠出將封裝物製備成膜狀或片狀。例如，可使用其中將由上述烯烴樹脂組合物製備改性烯烴樹脂的方法與膜或片形成過程結合的裝置以原位方法進行封裝物的製備。本申請的一個方面提供了光電器件，其包括由含有改性烯烴樹脂的封裝物封裝的光電元件。根據一個示例性實施方案，光電器件包括前基板、背板、堆疊在所述前基板與所述背板之間的封裝膜以及由所述封裝膜封裝的光電元件。由封裝膜封裝的光電元件例如可為光伏電池的發光區域或光檢測區域、LED或者OLED。光電器件的具體結構或稍後將描述的用改性烯烴樹脂封裝光電元件的方法沒有特別限制，並且可適當地應用於根據相應器件的相應目的。例如，當光電器件是光伏電池時，光電器件可為包括以下的光伏模塊：前基板11或21、背板12或22、以及由在前基板11或21與背板12或22之間形成的封裝物14(a)、14(b)或者24封裝的光伏器件13或23，如圖1或圖2所示。在這種情況中，所述封裝物可由烯烴樹脂組合物製備，並且可包含稍後將描述的共聚物，即，改性烯烴樹脂。這種光伏模塊可使用常規模製方法如層合過程來製備，其包括堆疊前基板、封裝物、光伏器件和背板，以及在高溫下壓制該堆疊體，同時根據期望結構，在真空下向該堆疊體施加吸力。在這種情況中，層合過程的加工條件沒有特別限制。通常，層合過程可在90℃至230℃或110℃至200℃的溫度下進行1分鐘至30分鐘或1分鐘至10分鐘。同樣地，前基板、背板和光伏器件(其可用於本文)的具體類型沒有特別限制。例如，前基板可為常規平板玻璃或者通過堆疊玻璃、基於氟化物的樹脂片、耐氣候膜和阻擋膜而獲得的透明複合片；並且背板可為通過堆疊金屬如鋁、基於氟化物的樹脂片、耐氣候膜和阻擋膜而獲得的複合片，並且包含含有含氟聚合物的表面層。例如，前基板和背板可為通過在聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的兩個表面上形成含氟聚合物層而獲得的多層膜。另外，光伏器件可例如為通過化學氣相沉積(CVD)形成的基於矽片的活性層或薄膜活性層等。有益效果根據本申請的示例性實施方案，可提供對前基板和背板具有改善的耐熱性和優良的粘合性，尤其是長期粘合性質的封裝膜。另外，可提供在製造器件後能夠保持優良的可加工性和經濟可行性並且不對工作環境造成負面影響的光電器件，以及由封裝膜封裝的部件如光電元件或線電極。附圖說明圖1和2是示出為根據本申請一個示例性實施方案的光電器件的光伏模塊的示意性橫截面圖。圖3是說明本申請的實施例和比較例中製備的封裝膜根據層合溫度對玻璃基板的粘合強度的圖。圖4是說明通過使用傅立葉變換紅外線光譜(FT-IR)測量本申請的製備例和比較製備例中製備的封裝膜獲得的結果的圖。圖5是說明通過使用FT-IR測量本申請的製備例和比較製備例中製備的改性烯烴樹脂獲得的結果的圖。圖6是說明本申請實施例3中製備的樣品的UV/Vis光譜結果的圖。圖7是說明本申請比較例1中製備的樣品的UV/Vis光譜結果的圖。具體實施方式下文中，將參照本申請的實施例和比較例更詳細地描述本申請。然而，應理解，以下實施例不旨在限制本申請的範圍。製備例1使用雙螺杆擠出機在220℃的溫度和180rpm的轉速下，使95.01重量份的乙烯/α-烯烴共聚物(密度為0.870g/cm3並且在190℃的溫度和2.16kg的載荷下MFR為5g/10分鐘)、4.79重量份的乙烯基三甲氧基矽烷(VTMS)、0.1重量份的3-氨基丙基三甲氧基矽烷(APTMS)和0.1重量份的2，5-雙(叔丁基過氧化)-2，5-二甲基己烷(101)經受接枝反應擠出(熱熔攪拌)，以製備改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料(術語「重量份」是指基於100重量份的總量的「重量％」)。製備例2、3和10以與製備例1相同的方式製備改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料，不同之處在於將製備例1中所使用的乙烯基三甲氧基矽烷和3-氨基丙基三甲氧基矽烷的含量改變為如下表1中所列的含量。製備例4和5以與製備例3相同的方式製備改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料，不同之處在於在製備例4和5中分別使用3-氨基丙基三乙氧基矽烷(APTES)和N-[3-(三甲氧基矽基)丙基]乙二胺(DAS)替代製備例3中所使用的3-氨基丙基三甲氧基矽烷。製備例6和7分別以與製備例1和3相同的方式製備改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料，不同之處在於使用密度為0.882g/cm3並且在190℃的溫度和2.16kg的載荷下MFR為3g/10分鐘的乙烯/α-烯烴共聚物替代製備例1和3中所使用的乙烯/α-烯烴共聚物。製備例8和9分別以與製備例1和3相同的方式製備改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料，不同之處在於使用密度為0.902g/cm3並且在190℃的溫度和2.16kg的載荷下MFR為3g/10分鐘的乙烯/α-烯烴共聚物代替製備例1和3中所使用的乙烯/α-烯烴共聚物。比較製備例1以與製備例1相同的方式製備矽烷改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料，不同之處在於不使用製備例1中所使用的3-氨基丙基三甲氧基矽烷而使用含量為4.89重量份的乙烯基三甲氧基矽烷。比較製備例2和3以與製備例3相同的方式製備矽烷改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料，不同之處在於在比較製備例2和3中分別使用十二烷基胺(DA)和三甲氧基丙基矽烷(TMS)替代製備例3中所使用的3-氨基丙基三甲氧基矽烷。比較製備例4以與比較製備例1相同的方式製備矽烷改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料，不同之處在於使用密度為0.882g/cm3並且在190℃的溫度和2.16kg的載荷下MFR為3g/10分鐘的乙烯/α-烯烴共聚物替代比較製備例1中所使用的乙烯/α-烯烴共聚物。比較製備例5以與比較製備例1相同的方式製備矽烷改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料，不同之處在於使用密度為0.902g/cm3並且在190℃的溫度和2.16kg的載荷下MFR為3g/10分鐘的乙烯/α-烯烴共聚物代替比較製備例1中所使用的乙烯/α-烯烴共聚物。比較製備例6和7以與製備例1相同的方式製備乙烯/α-烯烴共聚物的母料，不同之處在於不使用製備例1中所使用的乙烯基三甲氧基矽烷而分別使用含量為4.89重量份和0.49重量份的3-氨基丙基三甲氧基矽烷。比較製備例8以與製備例1相同的方式製備改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料，不同之處在於分別使用2.44重量份的乙烯基三甲氧基矽烷和2.45重量份的3-氨基丙基三甲氧基矽烷替代用於製備例1的4.79重量份乙烯基三甲氧基矽烷和0.1重量份3-氨基丙基三甲氧基矽烷。[表1]實施例1至5將18g的添加劑母料添加至混合樹脂中並與其混合，所述混合樹脂通過以下步驟獲得：製備含量分別為200g和400g的製備例1至5每一個中製備的改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和密度為0.870g/cm3且在190℃溫度和2.16kg載荷下MFR為5g/10分鐘的乙烯/α-烯烴共聚物，並且使改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物以1∶2的混合比混合，使得最終片包含1,000ppm的光穩定劑(Uvinul5050H)、1,000ppm的UV吸收劑(TINUVINUV531)、500ppm的第一抗氧化劑(Irganox1010)和500ppm的第二抗氧化劑(Irgafos168)。之後，將所得混合物引入設置有雙螺杆擠出機和T模頭(寬度為200mm)的膜成型機的料鬥中，並在180℃的擠出溫度和3m/分鐘的噴射速率下進行加工以製備厚度為約500μm的片狀封裝物。將平板玻璃(厚度：約3mm)、厚度為500μm的如上所述製備的封裝物、晶體矽片的光伏器件、所製備的500μm厚的封裝物、和背板(堆疊片，其包括厚度為20μm的聚氟乙烯樹脂片、厚度為250μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯和厚度為20μm的聚氟乙烯樹脂片；PVDF/PET/PVDF)以該堆疊順序進行層合，並在真空層合機中在150℃下壓制15分鐘30秒以製備光伏電池模塊。實施例6和7以與實施例1相同的方式製備片狀封裝物和光伏電池模塊，不同之處在於分別使用通過以下步驟獲得的樹脂替代實施例1中使用的包含改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物的混合樹脂：分別製備200g製備例6和7中製備的改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和400g密度為0.882g/cm3且在190℃溫度和2.16kg載荷下MFR為3g/10分鐘的乙烯/α-烯烴共聚物，並且使改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物以1∶2的混合比混合。實施例8和9以與實施例1相同的方式製備片狀封裝物和光伏電池模塊，不同之處在於分別使用通過以下步驟獲得的樹脂替代實施例1中使用的包含改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物的混合樹脂：分別製備200g製備例8和9中製備的改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和400g密度為0.902g/cm3且在190℃溫度和2.16kg載荷下MFR為3g/10分鐘的乙烯/α-烯烴共聚物，並且使改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物以1∶2的混合比混合。實施例10以與實施例1相同的方式製備片狀封裝物和光伏電池模塊，不同之處在於使用通過以下步驟獲得的樹脂替代實施例1中使用的包含改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物的混合樹脂：分別製備100g製備例3中製備的改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和500g密度為0.870g/cm3且在190℃溫度和2.16kg載荷下MFR為5g/10分鐘的乙烯/α-烯烴共聚物，並且使改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物以1∶5的混合比混合。實施例11以與實施例1相同的方式製備片狀封裝物和光伏電池模塊，不同之處在於使用通過以下步驟獲得的樹脂替代實施例1中使用的包含改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物的混合樹脂：分別製備54.5g製備例3中製備的改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和545.5g密度為0.870g/cm3且在190℃溫度和2.16kg載荷下MFR為5g/10分鐘的乙烯/α-烯烴共聚物，並且使改性乙烯/α-烯烴共聚物和乙烯/α-烯烴共聚物的母料以1∶10的混合比混合。實施例12以與實施例1相同的方式製備片狀封裝物和光伏電池模塊，不同之處在於使用通過以下步驟獲得的樹脂替代包含實施例1中使用的改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物的混合樹脂：分別製備200g製備例10中製備的改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和400g密度為0.870g/cm3且在190℃穩定和2.16kg載荷下MFR為3g/10分鐘的乙烯/α-烯烴共聚物，並且使改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物以1∶2的混合比混合。比較例1至3以與實施例1相同的方式製備片狀封裝物和光伏電池模塊，不同之處在於分別使用比較製備例1至3中製備的矽烷改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料替代實施例1中使用的改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料。比較例4以與實施例1相同的方式製備片狀封裝物和光伏電池模塊，不同之處在於使用通過以下步驟獲得的樹脂替代包含實施例1中使用的改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物的混合樹脂：分別製備200g比較製備例4中製備的矽烷改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和400g密度為0.882g/cm3且在190℃溫度和2.16kg載荷下MFR為3g/10分鐘的乙烯/α-烯烴共聚物，並且使矽烷改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物以1∶2的混合比混合。比較例5以與實施例1相同的方式製備片狀封裝物和光伏電池模塊，不同之處在於使用通過以下步驟獲得的樹脂替代包含實施例1中使用的改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物的混合樹脂：分別製備200g比較製備例5中製備的矽烷改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和400g密度為0.902g/cm3且在190℃溫度和2.16kg載荷下MFR為3g/10分鐘的乙烯/α-烯烴共聚物，並且使矽烷改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物以1∶2的混合比混合。比較例6和7以與實施例1相同的方式製備片狀封裝物和光伏電池模塊，不同之處在於分別使用比較製備例6和7中製備的乙烯/α-烯烴共聚物的母料代替實施例1中使用的改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料。比較例8以與實施例1相同的方式製備片狀封裝物和光伏電池模塊，不同之處在於使用通過以下步驟獲得的樹脂替代包含實施例1中使用的改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物的混合樹脂：分別製備200g比較製備例8中製備的改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和400g密度為0.870g/cm3且在190℃溫度和2.16kg載荷下MFR為3g/10分鐘的乙烯/α-烯烴共聚物，並且使改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料和乙烯/α-烯烴共聚物以1∶2的混合比混合。[表2]實驗實施例1.90°剝離強度的測量為了測量實施例1至12和比較例1至8中製備的封裝物的剝離強度，分別製備與所製備的光伏電池模塊相似的試樣。試樣通過以下步驟來製備：使平板玻璃(厚度：約3mm)、厚度為500μm的如上所述製備的封裝物和背板(堆疊片，包括厚度為20μm的聚氟乙烯樹脂片、厚度為250μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯和厚度為20μm的聚氟乙烯樹脂片；PVDF/PET/PVDF)以該堆疊順序堆疊並將經堆疊組分在真空層合機中在150℃下層合15分鐘30秒。之後，根據ASTMD1897標準，通過固定所製備試樣下方的玻璃板，並在50mm/分鐘的拉伸速度和90°的剝離角下以寬度為15mm的矩形形狀剝離附接至背板的封裝物和背板，測量剝離強度。所測量的剝離強度列於下表3中。[表3]根據APS含量的平均粘合強度列於下表4中。[表4]如表3中所列出的，揭示了與其中分別單獨使用乙烯基三甲氧基矽烷、烷基矽烷和氨基矽烷的比較例1和3至7的封裝膜相比，包含使用乙烯基三甲氧基矽烷和氨基矽烷二者製備的改性乙烯/α-烯烴共聚物母料的片狀封裝物顯示出優異的粘合強度。另外，揭示了當改性乙烯/α-烯烴共聚物和未改性乙烯/α-烯烴共聚物的母料以1∶2的混合比存在時，片狀封裝物顯示出最高的粘合強度。在其中單獨使用烷基胺的比較例2的情況下，最初剝離強度能夠維持在至少某個水平，但是由於體系中剩餘的烷基胺而可能使長期耐久性降低，這導致保留在苛刻條件下之後所測量的剝離強度大大降低。如表4所列出的，還確定了當烯烴樹脂組合物中的氨基矽烷化合物以2重量％至25重量％的含量範圍存在時，平均粘合強度大於或等於約200N/15mm，表明片狀封裝物表現出優異的粘合強度。也就是說，根據實施例1至12和比較例1至8以及使用實施例1至12和比較例1至8中製備的封裝物的實驗實施例，可以看出，與單獨使用乙烯基矽烷、烷基胺、氨基矽烷或烷基矽烷時相比，當將經乙烯基矽烷和氨基矽烷二者改性的乙烯/α-烯烴共聚物的母料以某含量範圍與未改性乙烯/α-烯烴共聚物一起使用時，對封裝物上形成的背板和封裝物下方形成的玻璃基板的粘合強度優異。2.改變層合條件的90°剝離強度的測量以與實驗實施例1相同的方式測量90°剝離強度，不同之處在於如下表5所列出地改變在製備與用實施例1和3的封裝物製備的光伏電池模塊相似的試樣時在實驗實施例1中使用的層合條件，並且將層合過程分別在110℃、130℃、140℃、150℃和160℃的溫度下進行6分鐘30秒、10分鐘30秒和15分鐘30秒。所測量的90°剝離強度列於下表5中，並且通過繪製根據層合溫度所測量的粘合強度所獲得的圖示於圖3中。另外，以與實驗實施例1相同的方式測量90°剝離強度，不同之處在於如下表5所列出地改變在製備與用比較例1的封裝物製備的光伏電池模塊相似的試樣時在實驗實施例1所使用的層合條件，並且將層合過程分別在110℃、130℃、140℃、150℃和160℃的溫度下進行6分鐘30秒、10分鐘30秒和15分鐘30秒。所測量的90°剝離強度列於下表5中，並且通過繪製根據層合溫度所測量的粘合強度所獲得的圖示於圖3中。[表5]如表5中所列出的，揭示了與其中單獨使用乙烯基三甲氧基矽烷的比較例1相比，在其中使用氨基矽烷以及乙烯基三甲氧基矽烷的實施例1和3的情況下，封裝物具有優良的粘合強度，甚至在各種條件如層合溫度時間下也是如此。另外，可以看出封裝物具有優良的粘合強度，為50N/15mm或更大，甚至在110℃的低層合溫度下層合時也是如此。3.黃變指數(YI)的測量使用Colorflex(Hunterlab)根據ASTM1925標準測量實施例和比較例中製備的用於光電器件的封裝膜在400nm至700nm波長範圍中的反射率，並且由所測量的反射率值計算YI值(參見以下等式2)。[等式2]YI＝[100(1.28XCIE-1.06ZCIE)]/YCIE在等式2中，YI為通過UV/Vis/NIR光譜儀使用色差分析程序(ASTM，D1925)計算的值，並且XCIE、YCIE和ZCIE分別是由紅色、綠色和藍色色標表示的相對值。在等式2中，YI為通過UV/Vis/NIR光譜儀使用色差分析程序(ASTM，D1925)計算的值，並且XCIE、YCIE和ZCIE分別是由紅色、綠色和藍色色標表示的相對值。下表6中列出了根據APS含量的YI值。[表6]如表6中所列出的，揭示了當氨基矽烷化合物以過量含量包含在整個矽烷母料的矽烷化合物中時，YI值增加。4.IR分析為了檢測包含其中改性母料中一些矽烷基的烴基轉化成羥基的部分並且還包含含有胺官能團的部分的支鏈，並且為了測量封裝膜層合期間通過氨基矽烷化合物促進水解將甲氧基矽基(Si-O-CH3)轉化成矽烷醇基(Si-OH)的水平，測量製備例1至3和比較製備例1中製備的改性母料以及實施例1至3和比較例1中製備的封裝膜在改性母料和封裝物中的亞甲基(CH2)的峰面積以及矽烷醇基(Si-OH)和胺基(NH2)的峰面積。使用以下方法在以下條件下測量每個峰面積。使用Varian660-IR以ATR模式將金剛石/硒化鋅(ZnSe)與所製備的改性母料和封裝物試樣各自彼此緊密地附接，入射光從金剛石/硒化鋅的一側以45°的入射角照射以測量波長區域為600cm-1至4,000cm-1的紅外線的吸收率，並且使用所測量的吸收率測量每個峰面積。在這種情況中，峰值可為測量反射光32次的平均值。矽烷醇基(Si-OH)和胺基(NH2)的峰面積通過在2,400cm-1至3,800cm-1的波數範圍下設定基線並且在3,100cm-1至3,600cm-1的波數範圍下對峰面積進行積分來計算，並且亞甲基(CH2)的峰面積通過在690cm-1至760cm-1的波數範圍下設定基線並且在705cm-1至735cm-1的波數範圍下對峰面積進行積分來計算。照射次數：32解析度：4封裝膜的測量結果列於下表7中並示於圖4中，並且改性母料的測量結果列於下表8中並示於圖5中。[表7][表8]5.透光率的測量為了測量實施例3和比較實施例1中製備的封裝物的透光率，另外製備試樣。試樣通過以下步驟來製備：將厚度為500μm的上述封裝物插入兩個光學顯微鏡用載玻片(厚度：約1mm)之間，並且在真空層合機中在如下表9中所列的層合溫度條件下層合封裝物。在這種情況中，使用導引物製備試樣使得兩個重疊的封裝物板的厚度的總和為約500±50μm，並使用霧度計對于波長550nm的光測量霧度和總透光率。下表9中列出了所測量的總透光率和霧度值。在這種情況中，在將試樣裝入試樣料鬥中並在根據JISK7105標準的條件下測量之後，透射率和霧度值計算成一式三份所測量值的平均。層合時間固定為：真空保持5分鐘/壓制保持30秒/壓力保持10分鐘。狹縫寬度：32nm檢測器單元：外部(2D檢測器)時間常數：0.2秒[表9]如表9所列以及圖6和7所示，揭示了無論氨基矽烷存在與否，在110℃的低溫下層合的樣品都顯示出低的霧度和高的總透光率。因此，可以看出，在其中單獨使用乙烯基三甲氧基矽烷的比較例1的情況下，封裝物在110℃的層合溫度下具有低粘合強度，並因此不能用作太陽能電池封裝物，但是在其中添加氨基矽烷的實施例3的情況下，封裝物顯示出高的粘合強度和優良的透光率，甚至在低層合溫度下也是如此。