基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構的製作方法

2023-05-10 01:35:56 1

本發明涉及射頻微波通信
技術領域：
，尤其涉及一種基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構。
背景技術：
：在現代微波通信系統中，帶通濾波器(bpf)需具有良好的選擇性，帶外抑制度，寬阻帶以及小型化結構。傳統的基於加載式諧振器的多模bpf雖然具有較好的選擇性，但是存在很多寄生通帶。多模諧振器通過單一諧振體，可以產生多個諧振模式，因此，運用多模諧振器設計微波器件可以有效減小器件尺寸。現有技術中的帶通濾波器的通帶選擇性不高，不能完全滿足現代微波通信系統的需求。多模諧振器雖然已經被提出，但只是運用於寬帶濾波器的設計。而本發明基於qmdgsr採用了新的源載耦合饋電方法，首次提出了基於qmdgsr的尺寸較小的三通帶濾波結構。同時還給出並驗證了其等效電路模型，推導出了該三通帶濾波結構的零點計算方法。技術實現要素：本發明的主要目的提供一種基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構，不僅加工簡單成本低廉，而且產生三個基本傳輸通帶，具有較高的通帶選擇性，不需要增加額外諧振體，縮小了結構尺寸。為實現上述目的，本發明提供了一種基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構，包括pcb介質板、四模缺陷地式諧振器以及兩根微帶饋線，所述四模缺陷地式諧振器刻蝕在pcb介質板的一表面，兩根微帶饋線分別設置在pcb介質板的另一表面，所述四模缺陷地式諧振器的形狀關於該四模缺陷地式諧振器的第一中心軸線對稱，並且關於該四模缺陷地式諧振器的第二中心軸線對稱，第一中心軸線與第二中心軸線相互垂直；所述四模缺陷地式諧振器包括第一諧振單元和四個第二諧振單元，第一諧振單元由第一槽線、第二槽線和第三槽線構成，第二諧振單元由第四槽線、第五槽線和第六槽線構成，其中，第一諧振單元的形狀為h形、或者為準h形，第二諧振單元的形狀為l形、準l形、u形、或者為準u形；四個第二諧振單元的一端分別連接第一諧振單元的四端，每一個第二諧振單元向第一中心軸線延伸並向四模缺陷地式諧振器的中心彎折；位於第一中心軸線同側的兩個第二諧振單元之間隔有間隔；兩根微帶饋線的前端分別延伸到pcb介質板的邊緣形成兩個埠，兩根微帶饋線的末端分別從位於第一槽線同側的兩條第四槽線向第一中心軸線延伸並終止靠近第二諧振單元的閉口處，兩根微帶饋線關於第一中心軸線對稱，兩根微帶饋線末端之間的間距靠近，兩根微帶饋線形成源載耦合的饋電結構，該饋電結構形成四個傳輸零點形成三通帶濾波結構。優選的，所述第一槽線的一端連接第二槽線的中部，第一槽線的另一端連接第三槽線的中部，第二槽線和第三槽線平行並均與第一槽線垂直；第四槽線的一端連接第二槽線或者第三槽線的另一端，並向第一中心軸線向第延伸，第四槽線的另一端連接第五槽線的一端，第五槽線的另一端連接第六槽線的一端並向第二中心軸線延伸，第四槽線和第六槽線平行並與第五槽線垂直。優選的，部分所述第一槽線、位於第一槽線一側的第二槽線或者第三槽線、位於第一槽線一側的同一第二諧振單元中的第四槽線、第五槽線和第六槽線包圍的pcb介質板形成第一極板，該第一極板的形狀為l形，第一極板的數量為兩個，兩個第一極板關於第一中心軸線軸對稱。優選的，部分所述第一槽線、位於第一槽線另一側的第二槽線或者第三槽線、位於第一槽線另一側的同一第二諧振單元中的第四槽線、第五槽線和第六槽線包圍的pcb介質板形成第二極板，第二極板的形狀為l形，第二極板的數量為兩個，兩個第二極板關於第一中心軸線軸對稱。優選的，所述第一槽線的長度為l1＝23.5mm、寬度為w1＝0.68mm；第二槽線和第三槽線的長度均為l2＝12mm；第二槽線和第三槽線的寬度均為w2＝0.3mm；第四槽線的長度為l3＝11.05mm、寬度為w3＝0.3mm；第五槽線的長度為l4＝2.8mm、寬度為w3＝0.3mm；第六槽線的長度為l5＝7.3mm、寬度為w3＝0.3mm；位於第一槽線同側的兩條第五槽線之間的距離為s1＝0.8mm，第一槽線與第六槽線之間的距離為s2＝2.27mm。優選的，所述第一槽線和第六槽線之間的部分pcb介質板形成第一電感ls，第一電感ls的數量為四個，位於第一槽線同側的分別形成兩個第一電感ls的兩個pcb介質板連通，位於第一中心軸線同側的形成第一電感ls的pcb介質板和形成第一極板的pcb介質板連通，位於第一中心軸線同側的形成第一電感ls的pcb介質板和形成第二極板的pcb介質板連通；位於第一槽線同側的兩條第五槽線之間的pcb介質板形成第二電感lp，第二電感lp的數量為兩個，位於第一槽線同側的形成第二電感lp的pcb介質板和分別形成兩個第一電感ls的兩個pcb介質板連通並形成t形的形狀。優選的，所述四模缺陷地式諧振器外圍的pcb介質板形成射頻地平面，形成射頻地平面的pcb介質板和形成第二電感lp的pcb介質板連通，位於第一中心軸線同側的第一極板和第二極板形成第一電容cm，第一極板或者第二極板和金屬地平面之間形成第二電容cc。優選的，所述兩根微帶饋線的末端間隔之間的pcb介質板形成源載耦合電容cs，每一根微帶饋線與四模缺陷地式諧振器之間的pcb介質板形成饋電耦合電容cp，饋電耦合電容cp的數量為兩個，位於每一根微帶饋線的pcb介質板與位於第一槽線下側的分別形成兩個第一電感ls的pcb介質板連通。優選的，所述兩根微帶饋線分別和第一槽線同側的兩條第四槽線的位置對應且關於第一中心軸線對稱，微帶饋線的寬度比第四槽線的寬度寬，所述微帶饋線的末端終止於靠近第五槽線處，每一根微帶饋線的靠近第二中心軸線的邊緣到第四槽線的遠離第二中心軸線的邊緣的距離為d1＝1.35mm。優選的，所述兩根微帶饋線末端之間的間距d2為1.6mm，每一根微帶饋線的寬度w0均為2.34mm，每一根微帶饋線的阻抗均為50ω。相較於現有技術，本發明所述基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構實現了不僅加工簡單成本低廉，而且可以產生三個基本傳輸通帶，形成三通帶濾波結構，因此被廣泛應用於寬帶和多頻段射頻微波通信中。由於四模缺陷地式諧振器是在饋電平面上開槽獲得，因此不需要增加額外諧振體，具有縮小本發明所述基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構尺寸的功能。附圖說明圖1是本發明基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構的整體結構示意圖；圖2是本發明三通帶濾波結構中的四模缺陷地式諧振器刻蝕在pcb介質板下底面的結構示意圖；圖3為四模缺陷地式諧振器中的第一諧振單元的結構圖；圖4為四模缺陷地式諧振器中的第二諧振單元的結構圖；圖5是本發明三通帶濾波結構中的兩根微帶饋線刻蝕在pcb介質板上表面的結構示意圖；圖6是本發明基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構的等效電路模型；圖7是本發明基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構的奇偶模等效電路；圖8是本發明基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構的pcb仿真與電路仿真結果示意圖；圖9是兩根微帶饋線之間的間距d2對四個傳輸零點tz1、tz2、tz3、tz4的影響示意圖；圖10是四模缺陷地式諧振器的奇偶模等效電路模型；圖11為第一電容cm對四個傳輸零點的影響以及四模缺陷地式諧振器在ftz1和ftz4頻率時的電流分布；圖12是三通帶濾波結構的簡化電路模型及其相應奇偶模等效電路圖。本發明目的實現、功能特點及優點將結合實施例，將在具體實施方式部分一併參照附圖做進一步說明。具體實施方式為更進一步闡述本發明為達成上述目的所採取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對本發明的具體實施方式、結構、特徵及其功效進行詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，並不用於限定本發明。參照圖1所示，圖1是本發明基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構的整體結構示意圖。在本實施例中，本發明提出的三通帶濾波結構包括四模缺陷地式諧振器(qmdgsr)1、射頻地平面2以及兩根微帶饋線3。所述四模缺陷地式諧振器1刻蝕在pcb介質板10的一表面(例如下表面，參考圖2所示)，該表面沒有刻蝕四模缺陷地式諧振器1的剩餘部分稱作為射頻地平面2，兩根微帶饋線3分別設置在pcb介質板10的另一表面(例如上表面，參考圖5所示)。所述pcb介質板10為一種金屬介質板，該pcb介質板10的厚度為0.79mm，介電常數為2.34。參考圖2所示，圖2是四模缺陷地式諧振器刻蝕在pcb介質板下底面的結構示意圖。在本實施例中，所述四模缺陷地式諧振器1具有上下和左右均為對稱的結構，使得該四模缺陷地式諧振器1同時具有四個諧振模式，每一諧振模式的諧振頻率具有良好的可調性。所述四模缺陷地式諧振器1的形狀和結構具體描述如下：所述四模缺陷地式諧振器1的形狀關於該四模缺陷地式諧振器1的第一中心軸線ab對稱，並且關於該四模缺陷地式諧振器1的第二中心軸線cd對稱，第一中心軸線ab與第二中心軸線cd相互垂直。在本實施例中，所述四模缺陷地式諧振器1包括第一諧振單元11和四個第二諧振單元12。其中，第一諧振單元11的形狀為h形、或者為準h形，本實施例中定義的準h形為整體上近似於h形的形狀。第二諧振單元12的形狀為l形、準l形、u形、或者為準u形，本實施例中定義的準l形為整體上近似於l形，例如l形的一自由端(即不與第一諧振單元11連接的一端)可彎折較小的一段，該非常小的一段的長度相對於該自由端所在邊的長度而言較短。本實施中定義的準u形為整體上近似於u形的一自由端(即不與第一諧振單元11連接的一端)可再彎折至少一次，在該每次彎折後的彎折端的長度相對於該自由端所在邊的長度而言較短，從而使得整體上仍然近似於u形，不會顯著影響第二諧振單元12的性能。四個第二諧振單元12的一端分別連接第一諧振單元11的四端。每一個第二諧振單元12向第一中心軸線ab延伸並向四模缺陷地式諧振器1的中心彎折，該彎折的次數為兩次。四個第二諧振單元12的l形、準l形、u形或者準u形的開口均朝向四模缺陷地式諧振器1的四周。位於第一中心軸線ab或者第二中心軸線cd同側的兩個第二諧振單元12之間隔有間隔。參考如圖3所示，圖3為四模缺陷地式諧振器中的第一諧振單元的結構圖。在本實施例中，所述第一諧振單元11由第一槽線111、第二槽線112和第三槽線113構成。該第一槽線111的一端連接第二槽線112的中部，第一槽線111的另一端連接第三槽線113的中部。第二槽線112和第三槽線113平行並均與第一槽線111垂直，因此，第一槽線111、第二槽線112和第三槽線113構成了h形或者準h形。參考如圖4所示，圖4為四模缺陷地式諧振器中的第二諧振單元的結構圖。在本實施例中，當第二諧振單元12為u形或者準u形，該第二諧振單元12由第四槽線124、第五槽線125和第六槽線126構成。第四槽線124的一端連接第二槽線112或者第三槽線113的另一端，並向第一中心軸線向第ab延伸，第四槽線124的另一端連接第五槽線125的一端，第五槽線125的另一端連接第六槽線126的一端並向第二中心軸線cd延伸。第四槽線124和第六槽線126平行並與第五槽線125垂直。其中，第六槽線126的長度比第四槽線224的長度短。因此，第四槽線124、第五槽線125和第六槽線126構成了u形或者準u形。當第二諧振單元12為l形、準l形，該第二諧振單元12也可通過相應的槽線形成l形或者準l形的結構。再參考圖2所示，部分第一槽線111、位於第一槽線111一側的第二槽線112或者第三槽線113、位於第一槽線111一側的同一第二諧振單元12中的第四槽線124、第五槽線125和第六槽線126包圍的pcb介質板形成第一極板31，該第一極板31的形狀為l形。第一極板31的數量為兩個(分別為與第二槽線112圍成的pcb介質板和與第三槽線113圍成的pcb介質板)，兩個第一極板31關於第一中心軸線ab軸對稱。部分第一槽線111、位於第一槽線111另一側的第二槽線112或者第三槽線113、位於第一槽線111另一側的同一第二諧振單元12中的第四槽線124、第五槽線125和第六槽線126包圍的pcb介質板形成第二極板32，第二極板32的形狀為l形。第二極板32的數量為兩個(分別為與第二槽線112圍成的pcb介質板和與第三槽線113圍成的pcb介質板)，兩個第二極板32關於第一中心軸線ab軸對稱。再參考圖1所示，第一槽線111的長度為l1＝23.5mm、寬度為w1＝0.68mm；第二槽線112和第三槽線113的長度相等，均為l2＝12mm；第二槽線112和第三槽線113的寬度相等，均為w2＝0.3mm；第四槽線124的長度為l3＝11.05mm、寬度為w3＝0.3mm；第五槽線125的長度為l4＝2.8mm、寬度為w3＝0.3mm；第六槽線的長度為l5＝7.3mm、寬度為w3＝0.3mm；位於第一槽線111同側的兩條第五槽線125之間的距離為s1＝0.8mm，第一槽線111與第六槽線126之間的距離為s2＝2.27mm；如圖5所示，圖5是本發明三通帶濾波結構中的兩根微帶饋線刻蝕在pcb介質板上表面的結構示意圖。由於所述兩根微帶饋線3分別設置在相對於四模缺陷地式諧振器1設置在pcb介質板10的另一表面，因此兩根微帶饋線3在pcb介質板10的另一表面上對四模缺陷地式諧振器1進行饋電。在本實施例中，兩根微帶饋線3的前端分別延伸到pcb介質板10的邊緣形成兩個埠(第一埠p1和第二埠p2)，微帶饋線3的末端分別從位於第一槽線111同側的兩條第四槽線124向第一中心軸線ab延伸並終止靠近第二諧振單元12的l形、準l形、u形或者準u形的閉口處，兩根微帶饋線3關於第一中心軸線ab對稱。需要強調的是，兩根微帶饋線3同時位於第一槽線111同一上側的兩條第四槽線124上，或者同時位於第一槽線111同一下側的兩條第四槽線124上，而不是位於四模缺陷地式諧振器1的對角線上的兩條第四槽線124上。在本實施例中，兩根微帶饋線3和第一槽線111同側的兩條第四槽線124的位置對應，且關於第一中心軸線ab對稱。微帶饋線3的寬度比第四槽線124的寬度寬，使得微帶饋線3覆蓋部分的第四槽線124。每根微帶饋線3的寬度w0優選為2.34mm，微帶饋線3的另一端終止於靠近第五槽線125處，並未接觸到第五槽線125。優選的，每一根微帶饋線3的阻抗均為50ω，每一根微帶饋線3的靠近第二中心軸線cd的邊緣到第四槽線124的遠離第二中心軸線cd的邊緣的距離為d1，兩根微帶饋線3之間的間距靠近，定義兩根微帶饋線3之間的間距為d2，該間距為d2小於5mm(即0-5mm範圍內的值)，本實施例中優選為d2＝1.6mm；由於兩根微帶饋線3之間的間距為d2確定，一旦pcb介質板10的長度確定(例如l0)，因此每一根微帶饋線3的長度則為d0＝(l0-d2)/2。在本實施例中，下表1為本發明基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構尺寸參數：表1：基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構尺寸參數參數mm參數mm參數mm參數mmw02.34w10.68w20.3w30.3d11.35d21.6s10.8s22.27在本發明中，由於兩根微帶饋線3的末端距離靠的很近(兩根微帶饋線3之間的間距d2為0-5mm)，因此形成了源載耦合的饋電結構。由於該源載耦合的形成，該饋電結構能夠產生四個傳輸零點，從而形成了本發明所述的三通帶濾波結構。需要說明的是，只要兩根微帶饋線3的末端距離小於5mm，均可形成三通帶特性。本發明的具體實施例d2優選為1.6mm，可以獲得較好的三通帶特性。如圖6所示，圖6是本發明基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構的等效電路模型。通過上述的結構設計，本發明採用奇偶膜理論來為四模缺陷地式諧振器1提取出等效電路模型，三通帶濾波結構具體的等效電路模型描述如下：第一槽線111和第六槽線126之間的部分pcb介質板形成第一電感ls，由於有四個第二諧振單元12，因此第一電感ls的數量為四個。位於第一槽線111同側的分別形成兩個第一電感ls的兩個pcb介質板連通。位於第一中心軸線ab同側的形成第一電感ls的pcb介質板和形成第一極板的pcb介質板連通。位於第一中心軸線ab同側的形成第一電感ls的pcb介質板和形成第二極板32的pcb介質板連通。位於第一槽線111同側的兩條第五槽線125之間的pcb介質板形成第二電感lp。由於第一槽線111的兩側各有兩條第五槽線125，因此第二電感lp的數量為兩個。位於第一槽線111同側的形成第二電感lp的pcb介質板和分別形成兩個第一電感ls的兩個pcb介質板連通並形成t形的形狀。所述四模缺陷地式諧振器1外圍的pcb介質板形成射頻地平面2，形成射頻地平面2的pcb介質板和形成第二電感lp的pcb介質板連通。位於第一中心軸線ab同側的第一極板31和第二極板32形成第一電容cm，第一極板31或者第二極板32和金屬地平面11之間形成第二電容cc。兩根微帶饋線3末端間隔之間的pcb介質板形成源載耦合電容cs，每一根微帶饋線3與四模缺陷地式諧振器(qmdgsr)1之間的pcb介質板形成饋電耦合電容cp。由於有兩根微帶饋線3，因此形成兩個饋電耦合電容cp。位於每一根微帶饋線3的pcb介質板與位於第一槽線111下側的分別形成兩個第一電感ls的兩個pcb介質板連通。如圖7所示，為本發明基於三通帶濾波結構的三通帶濾波結構的奇偶模等效電路。其中，圖7(a)為三通帶濾波結構的奇模等效電路，圖7(b)為三通帶濾波結構的偶模等效電路。其中，第一中心軸線ab在奇模中相當於短路，可以看作是一個虛擬的接地面。當第一中心軸線ab相當於短路時，則電流不會通過第二電感lp，則第二電感lp無效。第一中心軸線ab在偶模中相當於開路。當第一中心軸線ab相當於開路時，則形成第二電感lp的pcb介質板相當於被剖成了兩半。由於電感的大小和金屬的粗細有關，因此第一中心軸線ab相當於開路時的第二電感lp的大小的兩倍，即此時第二電感lp的大小為2lp。同樣的，第二中心軸線cd短路在奇模中相當於短路，可以看作是一個虛擬的接地面。當第二中心軸線cd短路時，則第一電容cm的兩級板之間的距離相當於縮短了一半。由於電容的大小和極板之間的距離有關，因此第二中心軸線cd相當於短路時的第一電容cm的大小是原來的第一電容cm的大小的兩倍，即此時第一電容cm的大小為2cm。當第二中心軸線cd在偶模中相當於開路時，則第一電容cm中沒有電荷，第一電容cm＝0。參考圖8所示，圖8為本發明基於四模缺陷地式諧振器1的三通帶濾波結構的pcb仿真與電路仿真結果示意圖。其中，電路仿真原器件值為cm＝0.6pf，cc＝1.62pf，cp＝1.5pf，cs＝0.2pf，lp＝1.1nh，ls＝1.27nh。其中s11表示兩個埠p1和p2的反射係數，s21表示兩個埠p1和p2之間的傳輸係數。從圖8中可以看出，pcb仿真與電路仿真具有很高的重合度，因此本發明三通帶濾波結構的等效電路模型具有較高的準確性。由於饋電結構採用源載耦合方式，該三通帶濾波結構產生了四個傳輸零點，即tz1、tz2、tz3、tz4，從而形成三個通帶。如圖9所示，圖9為兩根微帶饋線3之間的間距d2對四個傳輸零點tz1、tz2、tz3、tz4的影響示意圖。在本實施例中，採用兩根微帶饋線3之間的間距d2可以為0-5mm，本實施例中的d2採用1.8mm、0.7mm和0.2mm來分別驗證四個傳輸零點tz1、tz2、tz3、tz4的影響。從圖9中可以看出，兩根微帶饋線3之間的間距d2隻影響tz1和tz4，而不影響tz2和tz3，因此可以確定tz1和tz4是由源載耦合產生，而tz2和tz3是由三通帶濾波結構的內部電路產生。為了計算tz2和tz3，本發明運用奇偶模理論分析了該三通帶濾波結構的等效電路。由圖1可知，四模缺陷地式諧振器1具有左右軸對稱的饋電結構，並關於第一中心軸線ab對稱，因此可獲得四模缺陷地式諧振器1的奇偶模等效電路模型，如圖10(a)和(b)所示。其中，10(a)為四模缺陷地式諧振器1的奇模等效電路模型；10(b)為四模缺陷地式諧振器1的偶模等效電路模型。從四模缺陷地式諧振器1的電流分布可以看出，在ftz2頻率時，電流可由四模缺陷地式諧振器1上端流入射頻地平面2，形成一個接地通路，導致電流不能流入另一埠，從而產生tz2。在ftz3頻率時，在四模缺陷地式諧振器1的上方形成了第二個左右傳輸的射頻通路，而本結構在四模缺陷地式諧振器1的下半部分本身具有一個射頻傳輸通路，因此這兩個通路形成了信號抵消，從而產生tz3。該結構在偶模和奇模條件下的導納計算公式(yine1,yino1)分別如(1)和(2)公式所示：其中，yine1代表偶模導納，yino1代表奇模導納，通過解方程yine1＝yino1，可以獲得tz2的諧振頻率ftz2和tz3的諧振頻率ftz3，如(3)公式所示。為了計算tz1和tz4的諧振頻率ftz1和ftz4，本發明三通帶濾波器在奇偶模條件下的等效電路如圖7(a)和(b)所示，同理，可以通過解方程yine2＝yino2來獲得相應的諧振頻率。但此時電路很複雜，因此本發明提出了一個高效的計算方法。如圖11所示為第一電容cm對四個傳輸零點的影響以及四模缺陷地式諧振器1在ftz1和ftz4頻率時的電流分布。可以看出第一電容cm幾乎不影響ftz1和ftz4，並且在ftz1和ftz4頻率時電流主要分布在四模缺陷地式諧振器1的下半部分。因此，在ftz1和ftz4頻率時，該三通帶濾波結構的電路模型可以簡化為如圖12(a)所示，其相應奇偶模等效電路如圖12(b)所示。此時的奇偶模等效電路得到了大大簡化，可以通過解方程yine3＝yino3來獲得tz1的諧振頻率ftz1和tz4的諧振頻率ftz4，如(4)公式所示：為了驗證ftz1和ftz4的準確性，下表2列出了ftz1和ftz4計算值在不同電容值cs條件下與仿真值的對比，可以看出計算結果與仿真結果具有很高的重合度，從而驗證了ftz1和ftz4的準確性。表2ftz1和ftz4的仿真結果與計算結果對比表其中，sim.ftz1表示ftz1的仿真結果，cal.ftz1表示ftz1的計算結果，sim.ftz4表示ftz4的仿真結果，cal.ftz4表示ftz4的計算結果。本發明所述基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構不僅加工簡單成本低廉，而且可以產生三個基本傳輸通帶，形成三通帶濾波結構，具有較高的通帶選擇性，因此被廣泛應用於寬帶和多頻段射頻微波通信中。由於四模缺陷地式諧振器是在饋電平面上開槽獲得，因此不需要增加額外諧振體，具有縮小本發明所述基於四模缺陷地式諧振器的三通帶濾波結構尺寸的功能。以上僅為本發明的優選實施例，並非因此限制本發明的專利範圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效功能變換，或直接或間接運用在其他相關的
技術領域：
，均同理包括在本發明的專利保護範圍內。當前第1頁12