無機組合物物品的製作方法

2023-04-28 05:10:56 1

專利名稱：：無機組合物物品的製作方法
技術領域：
：本發明涉及一種無機組合物物品，本發明特別是涉及一種用於各種信息磁記錄裝置的磁記錄媒體用基板，尤其是用於垂直磁記錄媒體中的兼具表面超平滑性、清潔性、高強度的圓盤狀信息記錄媒體用基板的無機組合物物品。技術背景本發明中所謂"信息記錄媒體"，是指可用於作為個人電腦的硬碟而使用的固定型硬碟、移動型硬碟、或卡型硬碟，數碼攝像機、數碼像機、或音頻用硬碟，汽車導航系統用硬碟，行動電話用硬碟或者各種電子設備用硬碟的信息;茲記錄媒體。近年來，為了適應個人電腦的多媒體化，並且數碼攝像機及數碼像機需要處理影像及聲音等大數據，因此必須有大容量的信息磁記錄裝置。其結果是，為了增大面記錄密度，傾向於增加信息磁記錄媒體的位密度(bitdensity)及磁軌密度(trackdensity),從而縮小存儲單元(bitcell)的尺寸。因此，磁頭必須更力。接近於磁碟表面而運作。另外，如果記錄密度超過100Gb/in2,那麼如此小的;茲化單元變得對熱不穩定，因此對於超過100Gb/iW的高記錄密度化的要求來說，面內記錄方式已達到物理極限。對此，一直是用垂直;茲記錄方式。此垂直-茲記錄方式將易；茲化軸作為垂直方向，因此可極大地減小存儲點尺寸(bitsize),而且通過具有所期望的Jf某體膜厚(面內記錄方式的5~10倍)也可以獲得減小退石茲場(demagnetizingfield)或者獲得形狀》茲各向異性(shapemagneticanisotropy)的效果，因此可解決在以前的面內方向的磁記錄方式的高密度化中所產生的記錄能量減少或對熱不穩、定的問題，乂人而可以比7JC平石茲i己錄(LongitudinalMagneticRecording)方式更加格外地實現記錄密度增加。因此，在垂直磁記錄方式中，實用水平達到100Gb/iW以上的記錄密度已可以達到大量生產的水平，而對於超過300Gb/iW的記錄密度的研究也正在進行中。近年來的信息磁記錄裝置中，是以CSS(接觸起停，ContactStartStop)方式運行的，此CSS方式是重複進行磁頭在裝置啟動前與信息磁記錄媒體磁碟基板接觸，而在裝置啟動時浮在信息磁記錄媒體磁碟基板上的動作。此時，如果兩者的接觸面超出必要而成為鏡面，則會因為由吸附引起的摩擦係數增大，而發生旋轉啟動不順利、信息磁記錄媒體表面受損等問題。這樣一來，對信息磁記錄媒體磁碟基板有如下要求隨著記錄容量增大而使磁頭低上浮化及防止磁頭吸附在信息磁記錄媒體磁碟基板上的相反要求。對於這些相反要求，業界正在開發在信息磁記錄媒體磁碟基板的特定區域製造磁頭的啟動及4f止部的4fi文區(landingzone)的#支術。另一方面，對應於所述停放區技術，業界也開發了完全接觸磁頭、在啟動停止時使磁頭從信息磁記錄媒體磁碟基板上離開的斜坡加載(rampload)技術(^磁頭的接觸式記錄)，因而防止^f茲頭吸附於i茲盤基^l上的凹凸變得不再必要。因此，通過將基板的表面製成超平滑面，可在顯著接近於信息記錄媒體表面的狀態下運作，從而可縮小存儲單元的尺寸並可提高記錄密度。而且，如果隨著記錄密度的提高而磁頭上浮高度為15nm以下，那麼垂直》茲記錄i某體也有低上浮化的傾向，進一步有4妻近式記錄(nearcontactrecording)或4妄觸式記錄化的傾向。另一方面，因為將i某體表面有效地用作數據區域，所以從以前設置停放區域的方式，變為無停放區域的斜坡加載方式。因此，為了降低此上浮高度或者可進行接觸式記錄，磁碟表面的數據區域或基板表面的整個面必須為超平滑面。而且，因為伴隨記錄密度的增加，磁頭及媒體的定位要求具有高精度，所以對磁碟基板或磁信息記錄裝置的各構成部件要求具有高尺寸精度。而且，也不可忽視對於這些構成部件的平均線性熱膨脹係數差的影響，所以必須極力減小這些平均線性熱膨脹係數差。進一步嚴格地講，大多是優選磁碟基板的平均線性熱膨脹係數也極小程度地大於這些構成部件的平均線性熱膨脹係數。特別是小型磁信息記錄媒體中所使用的構成部件的平均線性熱膨脹係數為+90~+100(xi0-7°C-1)左右的構成部件被充分地使用，而存在如下缺點磁碟基板也必須具有此程度的熱膨脹係數，即使熱膨脹係數稍有偏離，也會產生寫入誤差。在此垂直;茲記錄方式中，因為沿著與i某體面垂直的方向進行磁化，所以使用與以前的在面內方向具有易磁化軸的i某體不同，而是在垂直方向具有易磁化軸的媒體。作為垂直磁記錄方式的記錄層，現進行研究及實用化的是CoCrPt、CoCrPt-Si、CoCrPt-Si。2等Co類合金、FePt等Fe類合金等。然而，此種FePt等或其他氧化物類磁記錄媒體，為了使磁性體結晶粒子微細化以及向垂直方向生成，而必須提高其成膜溫度。另外，在近期的研究中，也有時為了提高磁特性而在高溫(300~90(TC左右)下進行退火(annealing)。因此，基板材料必須可以耐受這樣的高溫，而不會產生基板變形或表面粗糙度變化等。而且，這些磁記錄媒體基板並沒有會對成膜的媒體結晶造成影響的結晶各向異性、異物、雜質等，組織也必須是緻密均質、微細，而且必須具有可耐受各種藥品的清洗或蝕刻的化學穩定性。另外，雖然為了實現信息記錄及讀取的高速化，而進^f亍了使磁記錄裝置的信息磁記錄媒體磁碟基板高速旋轉化方面的技術開發，但是高速旋轉化會產生彎曲或變形，因此要求基板材料具有高機械強度。此外，相對於目前的固定型信息;茲記錄裝置來說，可移動式或卡式等信息,茲記錄裝置正處於研究及實用化階段，而對於在數碼攝像機、數碼像機等中的應用也開始研究，所以這些要求正不斷提高。然而，在以前的磁碟基板材料中大量使用鋁合金，但是鋁合金制基板於研磨工序中容易在基板表面產生突起或者斑點狀凹凸，從而難以獲得充分的平坦性及平滑性。而且，因為鋁合金是柔軟材料且易變形，所以難以適應薄型化。另外，因為存在高速旋轉時的彎曲而導致產生磁頭破損且損傷媒體等問題，所以鋁合金並非是可以充分適應今後的高密度記錄化的材料。而且，因為磁記錄方式中最重要的是成膜時的耐熱溫度須小於30(TC，所以如果在300。C以上進行成膜加工，或者在50090(TC左右的高溫下進行退火，則基板會發生熱變形。因此，鋁合金制基板難以用作需要進行如此高溫處理的磁記錄媒體用基板。作為克服所述鋁合金基板的問題的材料，有高硬度且衝擊強度優異的非晶玻璃基板、化學強化玻璃基板、結晶化玻璃基板等。作為非晶玻璃基板或化學強化玻璃基板，已知有經化學強化的鈉鈣玻璃(sodalimegalss，SiO「CaO-Na20)或鋁矽酸鹽玻璃(Si02—Al203-Na20),在使用這些基板的情況下，因為它們是非晶玻璃，所以基板本身的耐熱性低。即，在300。C以上的高溫下使磁記錄i某體成膜在這些基板上後，會產生平坦度變差的媒體成膜後變形的問題。而且，基板內的鹼成分溶出，可能成為對膜造成損傷等的問題根源。結晶化玻璃基板的楊氏模量(Young'smodulus)及硬度方面優於其他非晶玻璃基板或化學強化玻璃基板，相反，在衝擊強度或環向彎曲強度方面，雖然充分滿足了作為信息磁記錄裝置在實用方面所必要的特性，卻劣於實施了化學強化處理後的非晶玻璃基板。結晶化玻璃是通過對特定組成的非晶玻璃進行加熱而在內部析出結晶而獲得的，眾所周知結晶化玻璃的機械強度高於非晶玻璃的機械強度，但是為了進一步提高機械強度而嘗試對結晶化玻璃實施化學強化處理。(例如，專利文獻1專利文獻9等)。然而，尚未發現適用於近年來所要求的磁記錄媒體基板用途的結晶化玻璃。專利文獻1中記載的Li20-A1203-Si02類結晶化玻璃，具有P-鋰輝石(Li2A12Si4012)來作為結晶相，通過使此結晶相析出後進行化學強化處理而提高其強度，但此析出結晶是具有負的熱膨脹係數的材料，因此對於信息記錄媒體基板而言並不適合。並且，其用途限於反射鏡。而且，專利文獻2中記載的Na20-A1203-Si02類結晶化玻璃、專利文獻3中記載的Li20-A1203-Si02類結晶化玻璃，具有(3-石英(e-Si02)固溶體來作為結晶相，專利文獻4及專利文獻5中記載的Li20-A1203-Si02類結晶化玻璃，具有P-石英(P-Si02)固溶體及/或P-鋰輝石(P-Li2A12Si4012)來作為結晶相，其析出結晶是具有負的熱膨脹係數的材料，因此對於信息記錄媒體基板而言並不適合。而且，並無關於結晶粒徑、楊氏模量以及比重的任何討論。而且,在專利文獻6中介紹了一種使作為結晶相的鎂橄欖石(2Mg0/Si02)及/或鋅尖晶石(Zn0.A1203)的結晶而析出的Si02-Na20-B203-A1203類結晶化玻璃，其結晶體積比率高達70%以上，難以使研磨後的表面粗糙度變得平滑。而且，其用途僅限於建築物或烹飪用具用頂板。而且，在專利文獻7中記載了一種化學強化基板，其是使二矽酸鋰(Li2Si205)及/或鋰輝石(Li2A12Si4012)中的至少一種析出而作為結晶相的Si02-Li20-A1203類結晶化玻璃、及Li20-A1203-Si02類非晶玻璃進行離子交換而獲得的，但專利文獻7中並未列舉出關於結晶化玻璃的化學強化的實施例。而且，在專利文獻8中，關於Mg0-A1203-Si02類結晶化玻璃，具有oc-石英(a-Si02)與假藍寶石(4Mg0.5A1203.Si02)的混晶或者P-石英((3-鋰霞石固溶體)，其結晶量高達75質量百分比以上，難以使研磨後的表面粗糙度變得平滑。而且，並無關於下述楊氏模量、比重、結晶粒徑以及結晶速率的任何討論。而且，在專利文獻9中介紹了一種結晶化玻璃的強化方法，此結晶化玻璃含有選自(3-鋰霞石(Li20.A1203.2Si02)、P-鋰輝石(Li20.A12034Si02)、霞石((Na,K)AlSi04)、三斜霞石(Na20.A12032Si02)、p-石英(|3-Si02)所組成的群組中的結晶相，在其析出結晶中含有P-鋰霞石、p-鋰輝石或石英的情況下，因為此析出結晶是具有負的熱膨脹係數的材料，所以對於信息記錄々某體基板而言並不適合。另外，在此析出結晶中含有霞石或三斜霞石的情況下，因為不含有助於化學強化的鋰成分，而且化學強化必須達到590-730。C的高溫，所以對於信息記錄媒體用基板而言並不適合。此外，並無關於下述楊氏模量、比重、結晶粒徑、以及結晶速率的任何討論。專利文獻1日本專利特開2005-37906號公報專利文獻2日本專利特開昭61-286245號公報專利文獻3日本專利特開平05-70174號公報專利文獻4日本專利特開昭49-99521號公報專利文獻5日本專利特開昭59-116150號公報專利文獻6日本專利特開2006-62929號公報專利文獻7日本專利特開平10-226532號公報專利文獻8日本專利特開昭50-38719號/>才艮專利文獻9日本專利特開昭47-49299號/>才艮
發明內容本發明的目的在於提供一種機械強度及化學穩定性優異的無機組合物物品，特別是提供一種信息記錄媒體用磁碟基板用等的無機組合物品，其可適應如上所述的磁信息記錄裝置的設計改良，而且在面內磁記錄方式及垂直磁記錄方式中的任一方式中，兼具亦可充分適應用以進行高密度記錄的斜坡加載方式的良好的表面特性，且具有可耐受高速旋轉化或落下衝擊的高強度，還兼具符合各驅動構件的熱膨脹特性及耐熱性，熔融溫度低且生產性高。本發明為了達成所述目的而反覆進行了積極的試驗研究，結果發現含有Li20成分及A1203成分，Li20與A1203的質量百分比的比率Li20/A1203為O.3以上，並且含有結晶，在表面設置著壓應力層的無機組合物，可鑑於所述目的，獲得比以前的無^a且合物物品更有利的無才幾組合物品，^Mv而完成本發明。而且，本發明的無機組合物物品具有可適應信息記錄裝置的高速旋轉的高強度、以及對於移動式用途而言優異的耐沖擊特性，更兼具容易符合驅動構成部件的熱膨脹特性，由於所述這些方面，可獲得與以前的用於信息記錄媒體等的基板相比更有利的基板。另外，作為所含有的結晶，優選選自一矽酸鋰、二矽酸鋰、ot-石英、oc-石英固溶體、a-方石英、oc-方石英固溶體中的一種或者兩種以上。這些結晶是通過控制結晶粒子析出量、結晶度而使研磨而成的表面的平滑性極其優異的結晶。特別是使用了達成本發明目的之結晶化玻璃等無機組合物的信息記錄媒體用磁碟基板等，從其表面平滑性來看，適合用於斜坡加載方式。而且，所述結晶也是特別適於獲得如上所述的所期望的平均線性熱膨脹係數的結晶相。更具體而言，本發明提供以下所述的各部分。(1)一種無機組合物物品，其以氧化物換算，含有Li20成分及A1203成分，Li20及A1203的質量比Li20/A1203為0.3以上，並且含有結晶，在表面設置著壓應力層。其進一步方案為，其中(2)如(1)所述的該無機組合物物品，含有選自以一矽酸鋰、二珪酸鋰、a-石英、a-石英固溶體、a-方石英、a-方石英固溶體所組成的群組中的一種以上來作為結晶相。(3)如(1)或者(2)所述的無機組合物物品，所述該壓應力層是通過由離子半徑大於表面層所含有的離子的陽離子進行取代而形成的。(4)如(1)至(3)中任一項所述的無機組合物物品，所述該壓應力層是通過對物品進行加熱，然後使其驟冷而形成的。(5)如(1)至(4)中任一項所述的無機組合物物品，所述該壓應力層是通過對表面層進行離子注入而形成的。(6)如(1)至(5)中任一項所述的無機組合物物品該無機組合物，顯示結晶相的粒子的含量為質量百分比70%質量百分比以下。(7)如(1)至(6)中任一項所述的無機組合物物品該無機組合物，顯示結晶相的粒子的平均粒徑為1pm以下。(8)如(1)至(7)中任一項所述的無機組合物物品，當將所述無機組合物物品在水浴中的鹼金屬離子溶出量設為A,將設置所述壓應力層之前的物品在水浴中的i威金屬離子溶出量設為B時，A/B<1。(9)如(1)至(8)中任一項所述的無^L組合物物品，，沒置所述該壓應力層之前的物品，以氧化物換算的質量百分比計，含有下述各成分Si02:50%~90%、及Li20:超過4%且15°/。以下、及A1203:2%~20%。(10)如(9)所述的無機組合物物品，設置所述該壓應力層之前的物品，以氧化物換算的質量百分比計，含有下述各成分Mg0:0%~3%、及/或Zn0:0%~10%、及/或Ca0:0%~7%、及/或Ba0:0°/。~7%、及/或Sr0:0°/。~7°/。、及/或P205:0°/。~3%、及/或Zr02:0%~10%、及/或Ti02:0%~5%、及/或K20:0%~3%、及/或Na20:0%~2%、及/或Sb203成分與As203成分中的1種以上的總量0%~2%。(11)如(1)至(10)中任一項所述的無機組合物物品，所述該無機組合物是結晶化玻璃。(12)—種信息記錄媒體用結晶化玻璃基板，其包含(1)至(11)中任一項所述的無一幾組合物物品o(13)—種信息記錄^某體，其使用了(12)所述的信息記錄^某體用結晶化玻璃基板。(14)電子電路基板，其包含(1)至(11)中任一項所述的無機組合物物品。(15)—種電子電路，其使用了(14)所述的電子電^各基板。(16)—種濾光片用基板，其包含(1)至(11)中任一項所述的無機組合物物品。(17)—種濾光片，其是在(16)所述的濾光片用基板上形成電介質多層膜而形成的。(18)—種無機組合物物品的製造方法，將無機組合物浸漬在經過加熱的化學強化處理液中，通過由離子半徑大於所述無機組合物中的表面層所含有的離子的陽離子進行取代而在表面設置壓應力層，所述無機組合物以氧化物換算，含有Li20成分及Al203成分，LbO及Al2Cb的質量比Li20/Al203為0.3200810089515.8說明書第10/32頁以上，並且含有結晶。(19)一種無機組合物物品的製造方法，通過對無機組合物進行加熱後使其驟冷而在表面設置壓應力層，所述無機組合物以氧化物換算，含有"0成分及A1203成分，Li20及A1203的質量比Li20/Al203為0.3以上，並且含有結曰曰曰c(20)—種無才幾組合物物品的製造方法，通過對無才幾組合物進4亍離子注入而在表面設置壓應力層，所述無機組合物以氧化物換算，含有Li20成分及A1203成分，Li20及A1203的質量比Li20/Al203為0.3以上，並且含有結晶。(21)如(18)至(20)的中任一項所述的無機組合物物品的製造方法，所述無機組合物含有選自以一矽酸鋰、二矽酸鋰、a-石英、a-石英固溶體、a-方石英、a-方石英固溶體所組成的群組中的一種以上來作為結晶相。(22)如(17)至(19)的中任一項所述的無機組合物物品的製造方法，所述無機組合物是結晶化玻璃，所述結晶化玻璃是通過進行成核工序，並在所述成核工序之後進行結晶成長工序而獲得的，所述成核工序是使用玻璃原料熔融及驟冷而製成原玻璃，在450。C620。C下對該原玻璃進行熱處理，所述結晶成核工序是在620。C800。C下，即在高於成核工序的溫度的溫度下，進行熱處理。(23)如(22)所述的無機組合物物品的製造方法，所述玻璃原料，以氧化物換算的質量百分比計，含有下述各成分Si02:50%~90%、及Li20:超過4%且15%以下、及A1203:2%~20%。(24)如(23)所述的無機組合物物品的製造方法，所述玻璃原料，以氧化物換算的質量百分比計，含有下述各成分MgO:0%~3%、及/或ZnO:0%~10%、及/或CaO:0%~7%、及/或BaO:0%~7%、及/或SrO:0%~7%、及/或P205:0%~3%、及/或Zr02:0%~10%、及/或Ti02:0%~5%、及/或K20:0%~3%、及/或Na20:0%~2%、及/或Sb203成分與As203成分中的1種以上的總量0%~2%。本發明的無機組合物物品的有益效果為可通過形成壓應力層而明顯地提高對於信息磁記錄媒體用磁碟基板等基板而言較理想的沖擊強度、環向彎曲強度，且具有可耐受高速旋轉化的機械強度、以及優異的耐沖擊特性。此外，本發明提供一種可以抑制隨著表面的壓應力層的形成而造成鹼離子從基板溶出，而且用來縮小磁頭與存儲媒體的距離的研磨後的表面粗糙度優異的基板，特別是提供一種適用於信息記錄媒體、電子電路、濾光片等的基板。具體實施方式接著，說明本發明的無機組合物物品的具體實施形態。本發明的無機組合物物品，以氧化物換算，含有Li20成分及Al23成分，"20及人1203的質量比"20"1203為0.3以上，並且含有結晶，在表面設置著壓應力層。在表面設置著壓應力層的情況下，特別是在利用化學強化來形成壓應力的情況下，必須含有"20成分。而且，為了穩定地製成無機組合物且提高離子的擴散係數，必須含有Al力3成分。此外，為了容易地形成壓應力且使衝擊強度明顯地增大，Li20/Al203(質量比)必須為0.3以上，更優選為0.4以上；最優選為0.6以上。在所述質量比為0.3以下的情況下，容易析出&-鋰輝石或P石英固溶體，而如果析出這些結晶，則會難以獲得在本發明中所必需的無機組合物物品的平均線性熱膨脹係數(+50xl(T7°C—^+130x10—'.tT1)。另一方面，如果質量比過大，即Li20含量才及大地增加，而且A1A成分含量降低，則化學穩定性會惡化，因此，Li20/Al203(質量比)的上限優選為5，更優選為4,最優選為3。接著，說明壓應力層。本發明的無機組合物物品，通過在表面設置壓應力層，來實現進一步提高無機組合物本身所具有的機械強度的效果，而通過使無機組合物含有結晶可使所述效果更高。壓應力層的形成方法例如可列舉化學強化法，該方法是由離子半徑大於無機組合物的表面層所含有的離子的陽離子來進行取代。另外，壓應力層的形成方法還可列舉對無機組合物進行加熱然後使其驟冷的熱強化法、以及對表面層進4亍離子注入的離子注入法。化學強化法中，在30060(TC的溫度下，將無機組合物浸漬在例如含有鉀或者/或鈉的鹽，例如硝酸鉀(KN03)或硝酸鈉(NaN03)或其複合鹽的熔融鹽中0.5~12小時。由此，進行交換反應而引起無機組合物物品的容積增加，該交換反應是將存在於無機組合物的表面層(當無機組合物為結晶化玻璃時，由析出的結晶以外的殘存玻璃成分而形成的表面層)的鋰離子(Li+)交換為陽離子、即鉀離子(r)或者/或鈉離子(Na+)，其中所述陽離子、即鉀離子(K+)或者/或鈉離子(Na+)的離子半徑大於鋰離子。因此，無機組合物物品表層中產生壓應力，從而作為沖擊特性指標的環向彎曲強度增加。對於熱強化法並無特別限定，例如將無機組合物加熱到300。C600。C後，實施水冷卻(watercooling)及/或空氣冷卻(aircooling)等急速冷卻，這樣可形成由玻璃的表面與內部的溫度差而產生的壓應力層。另外，通過與所述化學處理法組合使用，可更有效地形成壓應力層。對於離子注入法並無特別限定，例如，以不會破壞作為對象的無機組合物表面的程度的加速能量、加速電壓，來使任意離子碰撞無機組合物的表面，由此，可以不會破壞周邊而將所期望的離子注入到無機組合物表面。然後，視需要進行熱處理，由此可與其他方法同樣地在表層部形成壓應力層。在使用化學強化法的情況下，因為以離子半徑大於無機組合物的表面層所含有的離子的陽離子進行取代，所以利用經取代的離子半徑大的陽離子而使表面層產生壓應力。例如在較多地含有以鋰為構成成分的材料中，最表面的鋰離子被離子半徑大於所述鋰離子的離子，例如鉀離子或鈉離子所取代，其結果造成鹼金屬離子在水浴中的溶出量低於無機組合物的溶出量。這樣一來，有利於抑制信息記錄媒體、特別是磁性膜的鹼離子所造成的破壞(鹼離子遷移(alkalimigration))。在將本發明的無機組合物物品在水浴中的石威金屬離子溶出量設為A，將設置壓應力層之前的物品在水浴中的鹼金屬離子溶出量設為B的情況下，優選A/B〈1,更優選的形態為A/B<0.9,最優選的形態為A/B<0.8。鹼離子溶出量的測定是利用離子色譜法(ionchromatography)來進行的。所謂鹼離子溶出量，是指在軟片暗包中裝填80毫升的超純水(室溫)與圓盤狀的無機組合物(直徑約65mmx0.635mm),然後在溫度約保持為3(TC的乾燥機內保持3小時後，取出圓盤並進行離子色i普測定後所獲得的鹼離子的總量(ng/disk)。以下，說明將本發明的無機組合物物品的無機組合物的顯示結晶相的粒子的粒徑、表面特性、物理特性、及組成限定為所述情況的理由。首先，對於結晶相而言，優選含有為了獲得所期望的表面粗糙度而使析出比例較大且結晶相為微細的球狀粒子形狀的一矽酸鋰(Li2Si03)、二矽酸鋰(Li2Si20s)、a-石英(a-Si02)、a-石英固溶體(a-Si02固溶體)、a-方石英(a-Si02)或者a-方石英固溶體(a-Si02固溶體)中的任一種以上。這些結晶相例如可通過對原玻璃進行熱處理而析出，但因為是以比較低的熱處理溫度而析出，所以微細的結晶粒子會析出，從而容易使表面性、物理特性均優異。另外，即使在所述一矽酸鋰(Li2Si03)與二矽酸鋰(Li2SiA)的結晶相共存的結晶溫度(crystallizationtemperature)區域中，在比較低的溫度區域，結晶粒徑非常小，因此可獲得特別好的表面粗糙度、環向彎曲強度，而且強化處理後的環向彎曲強度特別優異。為了容易實現下述研磨後的表面粗糙度降低及優異的機械特性，這些顯示結晶相的粒子的存在比率的下限優選為l質量百分比，更優選為3質量百分比，進一步優選為5質量百分比，其上限優選為70質量百分比，更優選為69質量百分比，最優選為68質量百分比。根據此形態，當已經將無機組合物在信息記錄媒體用磁碟基板等基板上成形時，可實現研磨後的基板的表面粗糙度Ua)降低及形成壓應力層後基板的優異的機械特性。另外，作為結晶量的定量處理，根據利用X射線衍射裝置(Phillips公司製造，商品名X'pert-MPD)而獲得的X射線衍射圖來求出衍射峰(diffractionpeak)面積，並且根據分析曲線來評價含量。而且，一般而言，所述化合物之間的含量有可能根據溫度範圍而稍微變化，但在熱膨脹係數的關係中，滿足Li2Si03〈Li2Si205〈cx—Si02。此類原玻璃的平均線性熱膨脹係數為+60~+120(xio-7匸—。左右，因此如果使熱膨脹係數差較大的a-Si02等較多地析出，則結晶與原玻璃間的畸變會增大，容易對強度造成影響。因此，Li2Si03與原玻璃的熱膨脹係數差小於cx-Si02與原玻璃的熱膨脹係數差，所以Li2Si03是更加有效的結晶。關於作為無機組合物物品的材料的無機組合物，如果析出具有負的平均線性熱膨脹係數的結晶相，則無機組合物物品無法獲得所述所期望的平均線性熱膨脹係數，因此，優選不含有具有負的平均線性熱膨脹係數的P-石英、|3-石英固溶體。而且，為了使析出結晶相更微細，且使表面平滑，優選不含有ct-鱗石英、以Zn-透鋰長石為首的透鋰長石、矽灰石、鎂橄欖石、透輝石、霞石、斜頑輝石、釣長石、鋇長石、鉤鋁黃長石、長石、矽鋅礦、富鋁紅柱石、鋼玉石、矽釣石、斜矽4丐石及它們的固溶體等。另外，為了維持良好的機械強度，優選也不含有以Hf-鴒酸鹽或Zr-鴒酸鹽為首的鵠酸鹽、以鈦酸鎂、鈦酸鋇或鈦酸錳為首的鈦酸鹽、富鋁紅柱石、三矽酸二鋇、Al203'5Si02及它們的固溶體等。接著，關於表面特性則如上所述般，隨著信息記錄媒體的面記錄密度提高，在最近的時間內磁頭的上浮高度為15nm以下，今後將是IOnm以下，並進一步向接近式記錄方式或完全接觸的接觸式記錄方式的方向發展。為了適應此傾向，磁碟基板等的基板表面的平滑性必須優於常規產品。即使要以常規水平的平滑性向磁記錄媒體進行高密度的輸入輸出，但因磁頭與媒體間的距離較大，所以無法進行磁信號的輸入輸出。而且，如果要縮小此距離，則媒體(磁碟基板)的突起會與磁頭碰撞，從而會引起磁頭破損或媒體破損。因此，為了即使以此特別低的上浮高度或接觸狀態也不會引起磁頭破損或磁碟基板破損，且為了不會產生磁頭與媒體吸附，表面粗糙度Ra(算術平均粗糙度)的上限優選為IOA以下，更優選為5A以下，進一步優選為4A以下，最優選為3A以下。而且，為了獲得如此平滑的研磨麵，無機組合物的結晶粒子的平均粒徑的上限優選為1iam以下，更優選為200nm以下，最優選為150nm以下。而且，為了使機械強度及耐熱性良好，無機組合物的結晶粒子的平均粒徑的下限優選為1nm。進而，可以通過使微細的結晶粒子均勻地析出，來提高無機組合物的機械強度。特別是析出結晶粒子可以防止微細裂縫的成長，從而可顯著減少由研磨加工時的碎屑等而引起的微細缺口。而且，通過使此種微細的結晶均勻地析出並在表面形成壓應力層，可極大地提高無機組合物的機械強度，特別是環向彎曲強度。從以上觀點考慮，結晶粒子的平均粒徑的範圍優選為所述範圍。因此，例如在制為磁記錄媒體用磁碟基板等基板的情況下，可增大面記錄密度，而且即使為了提高記錄密度而使基板本身高旋轉化，也不會發生彎曲或變形，且可以降低由此旋轉而引起的振動，並降低由振動或彎曲所引起的數據讀取的誤差數(TMR)。此外，耐沖擊特性優異，因此特別是作為移動式用途等的信息記錄媒體，可顯示出對於磁頭破損、基板的破壞而言優異的穩定動作性。其中，所謂顯示結晶相的粒子是構成結晶相的粒子，且包括結晶質的粒子及非晶質的粒子。其中，所謂所述結晶粒子的平均粒徑，是指利用透射電子顯微鏡(TEM,TransmissionElectronMicroscope)圖^象所觀'J定出的面禾口、基準的4:M聖的中央累積值("中值粒徑"d50)。而且，所謂環向彎曲強度是指利用同心圓彎曲法所測定出的彎曲強度,此同心圓彎曲法是製成直徑為65mm厚度為0.635mm左右的薄圓板狀樣品，並利用由圓形的支撐環與承重環來測定該圓板狀樣品的面內強度的方法。然後，對環向彎曲強度及比重加以說明。如上所述，為了提高記錄密度及數據傳輸速度，信息記錄媒體磁碟基板的高速旋轉化傾向不斷進行，而為了適應此傾向，且為了防止由高速旋轉時的彎曲而引起的磁碟振動，基板材料必須為高剛性、低比重的材料。而且，在用於-茲頭接觸或可移動記錄裝置之類的可攜式記錄裝置的情況下，必須具有可充分耐受此情況的機械強度、高楊氏模量以及表面硬度，具體而言，表面形成了壓應力層後的彎曲強度優選為400MPa以上，楊氏模量優選為80GPa以上。然而，如果基板材料僅為高剛性但比重卻較大，則高速旋轉時會因其重量較大而產生彎曲，並發生振動。相反，如果基板材料為低比重但剛性卻較小，則同樣也會發生振動。另一方面，如果比重過低，則結果會難以獲得所期望的機械強度。因此，為了獲得高剛性而低比重的相反特性的平衡，楊氏模量(GPa)/比重優選為3Q以上，更優選為33以上，最優選為35以上。而且，即使為高剛性，比重也必須為2.7以下，如果比重低於2.2,則難以實質獲得具有所期望剛性的基板。而且，對於平均線性熱膨脹係數而言，隨著記錄密度的提高，磁頭與媒體的定位須達到高精度，因此要求媒體基板或磁碟的各構成部件具有高尺寸精度。因此，無法忽視基板與這些構成部件的熱膨脹係數差的影響，從而必須儘量減小它們的平均線性熱膨脹係數差。特別是用於小型磁信息記錄媒體的構成部件的熱膨脹係數，在25~IO(TC的範圍內，多為+90~+100(x10-7-°C_1)左右，基板也必須具有此種程度的熱膨脹係數，但有時也可以由驅動器製造商而在構成部件中使用具有偏離所述範圍的熱膨脹係數(+70左右~+125左右(xl(T7.XT)的材料。由於以上所述的原因，在25100。C的範圍內，平均線性熱膨脹係數的下限優選為+50(xl(T7.°C—0以上，上限優選為+130(xl0-7。CT1)以下，從而可在本發明的無機組合物的結晶系中兼顧到強度，且也可適應所使用的構成部件的多種材質。從研磨後容易獲得平滑的面，且在表面形成了壓應力層的情況下容易獲得高機械強度的觀點考慮，本發明的無機組合物優選為結晶化玻璃。接著，以下說明無機組合物的組成。另外，構成無機組合物的各成分由氧化物換算的質量百分比來表示。此處，所謂"氧化物換算的質量百分比"，鹽等，在熔融時完全分解後變為氧化物的情況下，將其生成氧化物的質量總和設為IOO質量百分比，來表述無機組合物中所含有的各成分量。本發明的無機組合物是例如使具有特定組成的玻璃原料熔解、成形並緩慢冷卻後，進而進行熱處理而製造的。Si02成分是對於通過熱處理來生成作為結晶相而析出的一矽酸鋰、二矽酸鋰、a-石英、a-石英固溶體、a-方石英、a-方石英固溶體極其有用的成分。如果Si02成分的含量小於50%,則所獲得的無機組合物的析出結晶不穩定且組織容易粗大化，並且如果Si02成分的含量超過90。/。，則進行熱處理之前的無機組合物(稱作原組合物)的熔融及成形容易變得困難。因此，優選使Si02成分的含量的下限為50%,更優選為55%,最優選為60%，其上限優選為90%,更優選為85%,最優選為82°/。。Li20成分是對於通過原組合物的熱處理來生成作為結晶相而析出的一矽酸鋰(Li2Si03)及二矽酸鋰(Li2Si205)極其重要的成分。"20成分的含量如果為4%以下，則所述結晶的析出容易變得困難，並且原組合物的熔融容易變得困難，並且如果1^20成分的含量超過15%,則所獲得的結晶不穩定且組織容易粗大化，化學穩定性也容易降低。因此，Li20成分的含量的下P艮優選為大於4%,更優選為5%,最優選為5.5%，其上限優選為15°/，更優選為14%,最優選為13°/。。人1203成分對於提高無機組合物的化學穩定性及機械硬度而言較佳。雖然由於熱處理條件而析出結晶的種類有所不同，但即使考慮了各種熱處理條件，為了使Ah03不會固溶而析出一矽酸鋰(Li2Si03)及二矽酸鋰(Li2Si205)，八1203的含量的上限優選為20%,更優選為15%,最優選為10°/。而且，為了使無機組合物的化學穩定性良好，Al^成分的下限優選為2%，更優選為2.5%，最優選為3%。MgO、CaO、BaO、SrO、及ZnO成分是可以提高無機組合物的熔融性同時可以防止析出結晶粗大化的任意成分，且有效地將作為結晶相的一矽酸鋰、二矽酸鋰、a-石英、a-石英固溶體、a-方石英、a-方石英固溶體的各結晶粒子析出為球狀。如果過量含有這些成分，則所獲得的結晶不穩定且組織容易粗大化，因此MgO成分的含量優選為3%以下，更優選為2.8°/。以下，最優選為2.5%以下。並且，CaO成分的含量優選為7%以下，更優選為5°/。以下，最優選為3%以下。BaO成分的含量優選為7%以下，更優選為6%以下，最優選為5°/。以下。並且，SrO成分的含量優選為7°/。以下，更優選為6°/。以下，最優選為5%以下。另外，ZnO成分的含量優選為10°/。以下，更優選為8.5°/。以下，最優選為7%以下。在本發明中，PA成分是用作無機組合物的結晶成核劑的有用的任意成分。如果PA成分的含量超過3%,則會產生原組合物的乳白失透(devitrification),因此優選為3°/。以下。另夕卜，如果PA成分的含量小於1%,則有時結晶成核會不充分且容易使析出結晶相異常成長，因此P20s成分的含量的範圍為，其上限更優選為3%,其下限更優選為1%。Zr02成分除了與PA成分同樣地作為無機組合物的結晶成核劑而發揮作用之外，還是具有顯著提高析出結晶的微細化、材料的機械強度以及化學穩定性的效果的有用的任意成分。如果所述成分的含量超過10%,則原組合物的熔融容易變得困難，因此所述成分的含量優選為10%以下，更優選為6.5%以下，最優選為6.(W以下。Ti02成分除了與Zr02成分或P205成分同樣地作為無機組合物的結晶成核劑而發揮作用之外，還是具有顯著提高析出結晶的微細化、材料的機械強度以及化學穩定性的效果的有用的任意成分。如果所述成分的含量超過5°/。，則原組合物的熔融容易變得困難，因此優選為5%以下，更優選為4.8%以下，最優選為4.5%以下。而且，為了使所期望的結晶析出，優選所述P20s成分、Zr02成分、或者Ti02成分中的任一種以上的總量為1%以上，更優選為1.5%以上，最優選為2%以上。K20成分是提高無機組合物的熔融性並且防止析出結晶粗大化的任意成分。為了容易地獲得這些效果，1(20成分的含量優選為3.0%以下，更優選為2.8%以下，最優選為2.6%以下。另外，Na20成分是提高無機組合物的熔融性的任意成分，如果過量含有化20成分，則容易引起析出結晶相增大或析出結晶相變化。因此，可在不會有損於所述特性的範圍內含有所述Na20成分，其含量的上限優選為2.0%以下，更優選為1.5%以下，最優選為1.0%以下。Sb203成分及AsA成分是作為無機組合物熔融時的淨化劑而添加的，而為了獲得作為淨化劑的效果，SW)3成分、As203成分中的一種成分以上的含量總和優選為2.0%以下，更優選為1.8°/。以下，最優選為1.5%以下。丫203成分、冊3成分、1^203成分以及81203成分是提高無機組合物的熔融性並且促進玻璃高楊氏模量化的任意成分。為了容易地獲得所期望的結晶，這些成分的各自的含量的上限優選為3.0%以下，更優選為2.8%以下，最優選為2.5°/。以下。而且，因PbO成分是對環境有害的成分，所以優選極力避免使用此成分。而且，由V、Cu、Mn、Cr、Co、Mo、Ni、Fe、Te、Ce、Pr、Nd以及Er的金屬氧化物所形成的成分，會使玻璃著色而且有可能會破壞其他特性，因此優選實質上不含有所述成分。接著，為了製造本發明的無機組合物，首先使具有所述組成的原料熔解，進行熱成形(hotform)及/或冷加工(coldworking),然後在進行結晶化的溫度範圍內，即，下限為450。C、優選為480。C、更優選為520。C以上，上限為62(TC、優選為580°C、更優選為560。C的溫度範圍內，進行約1~20小時的熱處理，形成結晶核，然後在下限為62(TC以上，上限為80(TC、優選為750°C、更優選為685。C的溫度範圍內，且以高於形成所述結晶核的熱處理溫度的溫度，進行約0.5-10小時的熱處理，促進結晶成長。此時，結晶成核溫度為45(TC以下時，因為結晶核尚未形成，所以結晶化並未開始，而當達到62(TC以上時，除了形成結晶核之外，也同時引起結晶成長，而變得無法控制結晶化。而且，結晶成長工序的溫度低於62(TC時，結晶難以成長為具有較佳的平均線性熱膨脹係數的結晶，而進一步達到800。C以上時，會析出具有低膨脹性質的結晶。通過這樣的熱處理，已結晶化的無機組合物的結晶相，優選自一矽酸鋰、二矽酸鋰、a-石英、a-石英固溶體、a-方石英、a-方石英固溶體中選擇的一種以上，且其平均粒徑優選為1jam以下，更優選為150nm以下，進一步優選為1nm以上150nm以下。因此，無機組合物物品均勻地析出微細的結晶，具有可用作信息磁記錄用磁碟基板的表面粗糙度，並且機械強度優異。而且，經此熱處理結晶化而成的無機組合物，具有壓應力形成前的環向彎曲強度為300MPa以上的機械強度，且在25100。C的溫度範圍內的平均線性熱膨脹係數的下限為+50(xi(TXT1)以上，上限為+130(xif)-7.。C-1)以下，優選為+120(xi(T.°C—0以下。而且，楊氏才莫量為80GPa以上，比重為2.7以下。而且，在利用通常的方法來研磨由此經熱處理結晶化而成的無機組合物所形成的基板之後，通過進行拋光，而獲得表面粗糙度Ra(算術平均粗糙度)優選為IOA以下，更優選為5A以下，進一步優選為4A以下，最優選為3A以下的平滑表面性。這些物性對於磁記錄媒體用磁碟基板等的用途而言較佳。因此，可獲得有用的磁記錄媒體用磁碟基板、電子電路基板、光碟基板材料。而且，通過在此磁碟基板材料上形成磁性膜，及視需要形成Ni-P電鍍層、或者基礎層、保護層、潤滑膜等，而獲得可適應高密度記錄的信息磁記錄媒體磁碟。而且，通過在濾光片基板材料上形成電介質多層膜，獲得濾光片。以下，使用實施例來更詳細地說明本發明，〗旦本發明不並限於以下實施例。表l-表3中，表示了本發明的無機組合物、即結晶化玻璃的無機組合物A~L,以及無機組合物(比較例)M的結晶化玻璃的成分組成的比例、結晶化玻璃的成核溫度、結晶溫度、結晶相、結晶度、平均結晶粒徑、比重、楊氏模量、維氏硬度、平均線性熱膨脹係數以及鹼離子溶出量的值。利用阿基米德、法(Archimedes)來觀'J定比重，利用超聲;皮法(ultrasonicmethod)來測定楊氏;f莫量，利用JISR1610來測定維氏石更度，利用J0GIS(日本光學硝子工業會規格)16-2003光學玻璃在常溫附近的平均線性熱膨脹係數的測定方法，且將溫度範圍設為25°C100。C的範圍，來測定平均線性熱膨脹係數。對於無機組合物A-L的結晶化玻璃中的任一種而言，均是混合氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽等原料，以使無機組合物以氧化物換算成為表1所示的組成，使用通常的熔解裝置在約1200~1550。C的溫度下將所述混合物熔解並加以攪拌而使其均質化，然後成形為圓盤狀，並進行冷卻，從而獲得玻璃成形體。另外，對於無機組合物M的結晶化玻璃而言，是混合氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽等原料，以使無機組合物以氧化物換算成為表l所示的組成，使用通常的熔解裝置在約1400~160(TC的溫度下將所述混合物熔解並加以攪拌而使其均質化，然後成形為圓盤狀，並進行冷卻，從而獲得玻璃成形體。然後，在表l所示的成核條件及結晶化條件下，對所述玻璃成形體進行熱處理以使其結晶化，從而獲得所期望的結晶化玻璃。接著，使用#800~#2000的金剛石小球(DiamondPellet)對此結晶化玻璃進行大約1~20分鐘的研磨，然後使用平均粒徑為3nm以下的研磨劑(氧化鈰)進行大約10~120分鐘的研磨，從而完成。所獲得的各結晶化玻璃的顯示結晶相的粒子的平均粒徑，是利用透射電子顯微鏡(TEM)而求得的。而且，各結晶粒子的結晶種類是通過XRD(X-rayDiffraction,X射線衍射)解析來鑑定的。然後，改變條件，在所獲得的無機組合物A~L及無機組合物M的無機組合物物品的基板表面設置壓應力層。在300-60(TC的溫度下，將其浸漬在含有鉀或者/或鈉的鹽，例如硝酸鉀(KN03)或硝酸鈉(NaN03)或其複合鹽的熔融鹽中0.5-12小時。表4及表5中，表示了實施例1~38及比較例1~12的壓應力形成條件(各種熔融鹽的種類、浸漬溫度、浸漬時間)，以及環向彎曲強度、及壓應力層形成前的環向彎曲強度rl與壓應力層形成後的環向彎曲強度r2的比率r2/rl。環向彎曲強度是利用同心圓彎曲法來求出斷裂荷載(breakingload),並根據圓盤內徑、外徑、板厚、泊松比(Poisson'sratio)、斷裂荷載利用下式1而計算出，所述同心圓彎曲法是製作直徑為65mm厚度為0.635mm的薄圓板狀樣品，並使用直徑為59隨的圓形支撐環以及直徑為26mm的承重環來測定圓板狀樣品的面內強度的方法。formulaseeoriginaldocumentpage28式中，P為斷裂荷載，a為圓盤外徑，b為圓盤內徑，h為板厚，v為泊松比。析出結晶相或結晶速率(顯示結晶相的粒子的存在比率)，是使用X射線衍射裝置(Phillips公司製造，商品名X'Pert-MPD)、扭描型電子顯孩支鏡觀察裝置、及能量分散型分析裝置(日立製作所公司製造，商品名:S-4000N，堀場製作所公司製造，商品名EX420)而進行鑑定的。[表l]tableseeoriginaldocumentpage29[表2]tableseeoriginaldocumentpage30[表3]tableseeoriginaldocumentpage31[表4]tableseeoriginaldocumentpage32[表5]tableseeoriginaldocumentpage33如表1~表3所示，在本發明的無機組合物A~L以及作為比較的無機組合物M中，Li20/Al203(質量比)、結晶相、結晶度及顯示結晶相的粒子的平均粒徑不同。無機組合物A~C的結晶化玻璃的結晶相選自一矽酸鋰、二矽酸鋰、a-石英中的一種或兩種以上，平均結晶粒徑為O.01iim以上O.15jam以下，均為孩i細且大致球狀。而且，無機組合物D~I的結晶化玻璃的結晶相選自oc-石英、a-石英固溶體、a-方石英、a-方石英固溶體中的一種或兩種以上，平均結晶粒徑為O.05jum以下，均為樣i細且大致球狀。無機組合物J~L的結晶化玻璃的結晶相選自二矽酸鋰、a-石英中的一種或兩種以上，平均結晶粒徑為0.15jam以下，均為孩i細且大致球狀。另一方面，無機組合物M的結晶化玻璃的結晶相是p-石英固溶體，平均結晶粒徑為O.06jum，均為孩麼細且大致球狀。如表4、表5所示，實施例1~37中的環向彎曲強度高於比較例1~11中的任一個環向彎曲強度。另外，在形成壓應力層時，使用硝酸鉀(KN03)來作為熔融鹽，在450°C、12hr的條件下固定並浸漬基板時，比較例13的環向彎曲強度r2與比較例12的環向彎曲強度rl的比r2/rl為1.4,小於2。這是因為比較例M的"20"1203較低，為O.17,所以無法完全進行離子交換交換，而結晶度高達70%,存在於結晶化玻璃中的非晶玻璃的比率較小。另一方面，在其他實施例中以相同的壓應力層形成條件而獲得的r2/rl至少為3以上，發生了急劇地增加。其中，在表4的實施例A中設置壓應力層的實施例4的環向彎曲強度為3480Gpa，在本實施例中為最高。而且，表4的比較例1與上述浸漬條件相同，其與實施例4的環向彎曲強度比r2/rl為7.0。其原因在於，實施例A的Li20/Al203》1.41,且結晶度較低,為6.3%，存在於結晶化玻璃中的非晶玻璃的比率高。接著，改變熔融鹽的種類，選擇硝酸鉀、硝酸鈉、以及以1:1比率(溶液的體積比)而混合的硝酸鉀與硝酸鈉來作為熔融鹽的種類。無論在哪一種熔融鹽中均可充分地進行離子交換，並形成壓應力層。然而，如實施例1~24所示，即使在同一組成中，對於結晶度較低的一方而言，使用硝酸鉀來作為熔融鹽的情況下的環向彎曲強度的值較高；相反，在結晶度較高的實施例C中形成了壓應力層的實施例17-24中，使硝酸鈉來作為熔融鹽的情況下的環向彎曲強度的值較高。認為上述情況的原因在於，在結晶度較低的情況下，進行鋰離子與鉀離子的取代時可能成為障壁(barrier)的結晶粒子的比率較小，從而容易進行離子交換；相反，在結晶度變高的情況下，進行鋰離子與鉀離子的取代時成為障壁的結晶粒子的比率變大，從而難以容易進行取代的傾向直接表現在環向彎曲強度上。因此，可知含有離子半徑小於鉀離子的鈉離子的熔融鹽，其結晶度高到一定程度，在此情況下，以結晶度約為10%為界，使用含有鈉離子的熔融鹽則會在短時間內形成壓應力層。然而，在考慮了著眼於降低^威離子溶出的情況下，通過離子交換^f吏鋰離子被鉀離子及/或鈉離子取代，對於離子半徑小於鉀離子的鈉離子而言，其鹼離子溶出速度更快，因此在考慮到提高環向彎曲強度與降低鹼離子溶出兩方面時，更優選使用含有鉀離子的熔融鹽。另外，在對將熔融鹽的種類設為硝酸鉀(K冊3)，將浸漬時間固定為0.5小時的情況下的浸漬溫度與環向彎曲強度的關係進行了研究之後，結果可知在任一實施例中，在高於35(TC的條件下、即45(TC的條件下顯示出更高的環向彎曲強度，而即使在550。C的條件下也顯示出與在45(TC的條件下大致相同或較高的環向彎曲強度。一^:而言，非晶玻璃的離子交換時的浸漬溫度j氐於玻璃轉化溫度(Tg,glasstransitiontemperature)的溫度為最高溫度，因此一般而言是400。C~500°C,根據所述實施例的結果可以預測結晶化玻璃的耐熱性高，可在高於非晶玻璃的溫度下浸漬在熔融鹽中，從而為了獲得與在45(TC下浸漬時的環向彎曲強度相同的強度，而通過將浸漬溫度設定為高於45(TC的溫度，則可使浸漬時間變得更短。關於化學強化處理時的離子交換的深度，可根據SEM/EDX觀察而知道表層部的鉀離子的量或者有無鈉離子。其結果，在本實施例中，進行離子交換到5~20iam的深度。另外，當進行觀察時，使用掃描型電子顯微鏡及能量分散型分析裝置(日立製作所公司製造，商品名S-4000N，堀場製作所公司製造，商品名EX420)。而且，利用DC濺鍍法，在通過所述實施例而獲得的基板上形成Cr中間層(80nm)、Co-Cr石茲性層(50nm)、SiC保護膜(10nm)。接著，塗覆全氟聚醚系潤滑劑(5nm),獲得信息磁記錄媒體。由此所獲得的信息磁記錄媒體，通過其良好的表面粗糙度而可使磁頭上浮高度低於以前的高度，並且利用斜坡加載方式，即使在磁頭與媒體接觸的狀態下進行輸入輸出，也可以不會產生磁頭破損、媒體破損地進行磁信號的輸入輸出。並且，由本發明的無機組合物物品形成的信息磁記錄媒體用基板，即使在以停放區方式而進行的雷射紋理(LaserTexture)中也顯示出穩定的凸塊形狀。[實施例39]通過在如下結晶化玻璃基板上分別形成Ti(ySi02、Ta202/Si02、Nb205/Si02的多層膜，而製作出幹涉型濾光片，所述結晶化玻璃基板是通過對所述無機組合物L的結晶化玻璃進行研磨之後進行拋光，以與實施例38相同的條件進行離子交換，然後清洗而獲得的。所述幹涉型濾光片的中心波長的溫度穩定性非常好，且可非常好地用作光通信用的帶通濾波器(bandpassfilter)。[實施例40]而且，在如下結晶化玻璃基板上利用塗覆或者層壓(laminate)形成感光性樹脂層，將描繪著所期望的圖案像的掩膜緊貼在此感光性樹脂層上，然後照射感光性樹脂具有感度(sensitivity)的波長的電石茲波，其中所述結晶化玻璃基板是通過對所述無機組合物C的結晶化玻璃進行研磨之後進行拋光，以與實施例18相同的條件進行離子交換，然後清洗而獲得的。然後利用規定的顯影液，在為正型感光性樹脂的情況下使感光部露出，而在為負型感光性樹脂的情況下使未曝光部露出，在基板上形成所期望的電路的圖像。可使用由此而獲得的掩膜材料，利用乾燥法(dryprocess)在結晶化玻璃基板上形成圖案。此圖案有望用作生物晶片或圖案化介質(patternedmedia)、顯示器用基板等電子電路基板。為了能夠適應今後的磁記錄方式的高記錄密度化、特別是垂直磁記錄方式的高記錄密度化，必須使用本發明的無機組合物物品，本發明可提供一種具有優異的耐熱特性及衝擊特性、機械強度，並且在成膜時實現對使膜材料的結晶定位性變良好所必需的超平滑表面，鹼離子遷移少的各種基板。因此，本發明的無機組合物物品，不僅可適用於在HDD方向的垂直磁記錄媒體用基板的用途，而且另外也可用作在信息記錄i某體用基板、電子電路基板、濾光片用基板、濾光片用基板上形成電介質多層膜的濾光片。權利要求1.一種無機組合物物品，其特徵在於以氧化物換算，含有Li2O成分及Al2O3成分，Li2O及Al2O3的質量比Li2O/Al2O3為0.3以上，並且含有結晶，在表面設置著壓應力層。2.如權利要求1所述的無機組合物物品，其特徵在於其含有選自以一矽酸鋰、二矽酸鋰、cc-石英、a-石英固溶體、cc-方石英、a-方石英固溶體所組成的群組中的一種以上作為結晶相。3.如權利要求1所述的無機組合物物品，其特徵在於所述壓應力層是通過由離子半徑大於表面層所含有的離子的陽離子進行取代而形成的壓應力層。4.如權利要求1所述的無機組合物物品，其特徵在於所述壓應力層是通過對物品進行加熱，然後使其驟冷而形成的壓應力層。5.如權利要求1所述的無機組合物物品，其特徵在於所述壓應力層是通過對表面層進行離子注入而形成的壓應力層。6.如權利要求1所述的無機組合物物品，其特徵在於顯示結晶相的粒子的質量百分比含量為70%以下。7.如權利要求1所述的無機組合物物品，其特徵在於顯示結晶相的粒子的平均粒徑為1iam以下。8.如權利要求1所述的無機組合物物品，其特徵在於當將所述無機組合物物品在水浴中的鹼金屬離子溶出量設為A，將設置所述壓應力層之前的物品在水浴中的鹼金屬離子溶出量設為B時，A/B<1。9.如權利要求1所述的無機組合物物品，其特徵在於設置所述壓應力層之前的物品，以氧化物換算的質量百分比計，含有下述各成分Si02:50%~900/"及Li20:超過4°/且15°/。以下、及A1203:2%~20%。10.如權利要求9所述的無機組合物物品，其特徵在於設置所述壓應力層之前的物品，以氧化物換算的質量百分比計，含有下述各成分Mg0:0%~3%、及/或Zn0:0%~10%、及/或Ca0:0%~7%、及/或Ba0:0%~7%、及/或Sr0:0°/。~7°/、及/或P205:0%~3%、及/或Zr02:0%~10%、及/或Ti02:0%~5%、及/或K20:0%~3%、及/或Na20:0%~2%、及/或Sb^成分與As203成分中的l種以上的總量0%~2%。11.如權利要求1至10中任一項所述的無機組合物物品，其特徵在於所述無機組合物是結晶化玻璃。12.—種信息記錄媒體用結晶化玻璃基板，其特徵在於:其包含權利要求1至11中任一項所述的無機組合物物品。13.—種信息記錄糹某體，其特徵在於其使用了權利要求12所述的信息記錄媒體用結晶化玻璃基板。14.一種電子電路基板，其特徵在於其包含權利要求1至11中任一項所述的無才幾組合物物品。15.—種電子電路，其特徵在於其使用了權利要求14所述的電子電路基板。16.—種濾光片用基板，其特徵在於其包含權利要求1至ll中任一項所述的無機組合物物品。17.—種濾光片，其特徵在於其是在權利要求16所述的濾光片用基板上形成電介質多層膜而成的。18.—種無機組合物物品的製造方法，其特徵在於將無機組合物浸漬在經過加熱的化學強化處理液中，通過由離子半徑大於所述無機組合物中的表面層所含有的離子的陽離子進行取代而在表面設置壓應力層，所述無機組合物以氧化物換算，含有Li20成分及A1A成分，1^20及人1203的質量比"20〃1203為0.3以上,並且含有結晶。19.一種無機組合物物品的製造方法，其特徵在於通過對無機組合物進行加熱後使其驟冷而在表面設置壓應力層，所述無機組合物以氧化物換算，含有"20成分及人1203成分，"20及人1203的質量比"20"1203為0.3以上，並且含有結晶。20.—種無機組合物物品的製造方法，其特徵在於通過對無機組合物進行離子注入而在表面設置壓應力層，所述無機組合物以氧化物換算，含有1^20成分及人1203成分，1^20及人1203的質量比"20〃1203為0.3以上，並且含有結晶。21.如權利要求18至20中任一項所述的無機組合物物品的製造方法，其特徵在於所述無機組合物含有選自以一矽酸鋰、二矽S吏鋰、a-石英、a-石英固溶體、a-方石英、oc-方石英固溶體所組成的群組中的一種以上來作為結晶相。22.如權利要求17至19中任一項所述的無機組合物物品的製造方法，其特徵在於所述無機組合物是結晶化玻璃，所述結晶化玻璃是通過進行成核工序，並在所述成核工序然後進行結晶成長工序而獲得的，所述成核工序是使玻璃原料熔融及驟冷而製成原玻璃，在450°C-62(TC下對所述原玻璃進行熱處理，所述結晶成長工序是在620°C-800。C下，即在高於成核工序的溫度的溫度下，進行熱處理。23.如權利要求22所述的無機組合物物品的製造方法，其特徵在於所述玻璃原料，以氧化物換算的質量百分比計，含有下述各成分Si02:50%~90%、及Li20:超過4%且15°/。以下、及A1203:2%~20%。24.如權利要求23所述的無機組合物物品的製造方法，其特徵在於所述玻璃原料，以氧化物換算的質量百分比計，含有下述各成分MgO:0%~3%、及/或ZnO:0%~10%、及/或CaO:0%~7%、及/或BaO:0%~7%、及/或SrO:0%~7°/"及/或P205:0%~3%、及/或Zr02:0%~10°/。、及/或Ti02:0%~5%、及/或K20:0%~3%、及/或Na20:0°/。~2°/。、及/或Sb203成分與As203成分中的l種以上的總量0%~2%。全文摘要本發明公開了一種磁碟基板用等信息記錄媒體用的無機組合物物品，其在水平磁記錄方式及垂直磁記錄方式中的任一種方式下，兼具能夠充分適應用以進行高密度記錄的斜坡加載方式的良好的表面特性，且具有可耐受高速旋轉化、衝擊的高強度，兼具符合各驅動構件的熱膨脹特性及耐熱性，熔融溫度低且生產性高。無機組合物物品以氧化物換算，含有Li2O成分及Al2O3成分，Li2O及Al2O3的質量比Li2O/Al2O3為0.3以上，並且含有結晶，在表面設置著壓應力層。文檔編號G11B5/84GK101279818SQ20081008951公開日2008年10月8日申請日期2008年4月3日優先權日2007年4月6日發明者八木後剛,後藤直雪申請人:株式會社小原