定位載物臺、使用該定位載物臺的凸瘤形成裝置和凸瘤形成方法

2023-04-28 16:49:51

專利名稱：定位載物臺、使用該定位載物臺的凸瘤形成裝置和凸瘤形成方法
技術領域：
本發明涉及定位載物臺、使用該定位載物臺的凸瘤形成裝置和凸瘤形成方法。
背景技術：
在電子零部件的製造工藝中人們使用了將晶片定位的定位載物臺。
例如，如圖1所示，用支撐臂65的前端的晶片支撐板66支撐晶片1，在定位輥67 位於晶片1的外緣的外側的狀態下，使限位臂72相對支撐臂65移動，定位輥67和限位 輥74利用彈簧的彈力以適當的負荷挾持住晶片1 (例如，參照專利文獻l)。
例如，像具有熱電性的壓電基板那樣，伴隨溫度的變化而產生電荷的情況下，必須 使消電用接觸構件靠接在載置於凸瘤形成裝置等的定位載物臺上的晶片上，來消除電荷。 如圖2所示，把研缽狀的孔14166設置在消電用構件1416上，把地線14109安裝在消電 用接觸構件14121的一端的球14115上，彈簧14162頂押另一端的球14105，使消電用 接觸構件14121接觸晶片表面，由此使表面的帶電入地(例如，參照專利文獻2)。
專利文獻l:特開平10-163214號(圖l)
專利文獻2:特開2000-210664號(圖2)
例如，在凸瘤形成等工序中，在加熱被載置在載物臺上而定好位的晶片時，晶片有 可能破損。這是因為加熱使處於被定位而約束住的狀態的晶片熱膨脹，從而產生的內應 力超過其強度。
在伴隨溫度的變化而產生電荷的情況下，如果分別進行晶片的定位和消電，工序或 設備就複雜，很難提高生產效率。

發明內容
鑑於上述的現狀，本發明的目的在於提供一種能夠防止強制力作用於定好位的晶片 的定位載物臺、使用該定位載物臺的凸瘤形成裝置和凸瘤形成方法。 為解決上述的課題，本發明提供如下構成的定位載物臺。
定位載物臺具備載置晶片的晶片載置面、定位構件和靠押構件；定位構件鄰接被載 置於所述晶片載置面上的晶片，並且大致垂直於所述晶片載置面延伸；靠押構件靠接在 被載置於所述晶片載置面上的晶片上，並把該晶片彈力靠押在所述定位構件上。所述靠
押構件具有略斜對所述晶片載置面的靠接面，該靠接面靠接在被載置於所述晶片載置面 上的晶片的外緣近旁，並且把該晶片沿斜方向靠押在所述晶片載置面上。
按照上述構成，靠押構件的靠接面，把被載置於晶片載置面上的晶片的外緣近旁大 致朝向定位構件靠押。由於靠接面斜對晶片載置面，所以平行於晶片載置面的分力和垂 直於晶片載置面且朝向晶片載置面的分力作用於單晶片，後一分力把晶片頂壓在晶片載 置面上。這樣，晶片就不會從晶片載置面上飄浮起來，同時能夠把晶片靠押在定位構件 上。與單純地沿晶片載置面僅僅施加平行力來把晶片靠押在定位構件上的情況相比，可 以抵禦其他強制力作用於晶片。
所述靠押構件最好至少其靠接面具有導電性。
按照上述構成，在晶片帶電的情況下，使導電性的靠押構件的靠接面接觸晶片的外 緣近旁，就能夠把晶片的電荷從靠押構件的靠接面上除掉。
為解決上述的問題，本發明提供一種如以下那樣構成的定位載物臺。
定位載物臺具備載置晶片的晶片載置面和定位構件；定位構件鄰接被載置於所述晶 片載置面上的晶片，並且大致垂直於所述晶片載置面而延伸。定位載物臺具有彈性變形 構件，該彈性變形構件把所述定位構件靠接在被載置於晶片載置面上的晶片上，並把該 定位構件保持在將該晶片定位於規定位置的定位位置上。在超過規定大小的靠押力沿大 體反向於被載置於所述晶片載置面上的晶片的方向作用於定位構件上時，所述彈性變形 構件就彈性變形，而使所述定位構件沿大體反向於被載置於所述晶片載置面上的晶片的 方向從所述定位位置退讓。
按照上述構成，由於彈性變形構件的彈性變形使與晶片靠接的定位構件從定位位置 退讓，所以可避免超過規定大小的靠押力從定位構件作用於晶片，從而能夠防止強制力 作用於定好位的晶片。
作為上述的彈性變形構件，可以採用板簧或雙金屬結構等。在採用雙金屬結構的情 況下，彈性變形構件本身會因定位載物臺的加熱引起的溫度變化而自行變形，自然能夠 防止應力的產生。
為解決上述的問題，本發明提供一種如以下構成的凸瘤形成裝置。
凸瘤形成裝置具備至少兩臺前述的任一種構成的定位載物臺(以下簡稱"載物臺")、 加熱被載置於所述載物臺的所述晶片載置面上的晶片的加熱單元和載物臺移動單元；該 載物臺移動單元使所述各載物臺在面對焊接裝置的凸瘤形成位置與從該凸瘤形成位置退
讓開的退讓位置之間一體地移動。所述載物臺移動單元使所述各載物臺按順序移動到所 述凸瘤形成位置，所述焊接裝置對處於所述凸瘤形成位置的被載置於所述載物臺上的晶
片形成凸瘤；另一方面，從處於所述退讓位置的其他所述載物臺的所述晶片載置面上取 下已經形成了凸瘤的晶片；然後，把要形成凸瘤的晶片載置在該載物臺的所述晶片載置 面上，由加熱單元進行加熱。
在上述的構成中，加熱單元既可以設置在各個載物臺的內部，也可以設置在各個載 物臺的外部。
按照上述的構成，除能夠防止強制力作用於定好位的晶片之外，還能夠在一方載物 臺形成凸瘤的過程中用其他方載物臺進行晶片的裝卸或晶片的加熱等，所以容易提高生 產效率。
為解決上述的問題，本發明提供一種如以下那樣構成的凸瘤形成方法。
凸瘤形成方法使用至少兩臺前述的任一種構成的定位載物臺(以下簡稱"載物臺")， 在被載置於所述載物臺的所述晶片載置面上的晶片上順次形成凸瘤。凸瘤形成方法是， 一面一體地移動所述各載物臺， 一面重複進行如下第一步驟和第二步驟第一步驟是把 第一方的至少一臺所述載物臺配置在面對焊接裝置的凸瘤形成位置，而把另一方的至少 一臺所述載物臺配置在從所述凸瘤形成位置退讓開的退讓位置；第二步驟是把所述第一 方的所述載物臺配置在所述退讓位置，而把所述另一方的所述載物臺配置在所述凸瘤形 成位置。在所述第一步驟和第二步驟中，所述焊接裝置對被配置在所述焊接位置的所述 載物臺的所述晶片載置面上的晶片形成凸瘤；而從被配置於所述退讓位置的所述載物臺 的所述晶片載置面上取下已經形成了凸瘤的晶片；然後，把要形成凸瘤的晶片載置在該 載物臺的所述晶片載置面上，進行加熱。
按照上述的方法，除能夠防止強制力作用於定好位的晶片之外，還能夠在用一方載 物臺形成凸瘤的過程中用另一方載物臺進行晶片的裝卸或晶片的加熱等，所以容易提高 生產效率。
按照本發明的定位載物臺、使用該定位載物臺的凸瘤形成裝置和凸瘤形成方法能夠 防止強制力作用於定好位的晶片。


圖1是晶片的定位機構的說明圖。(現有技術例)
圖2是消電機構的說明圖。(現有技術例)
圖3是凸瘤形成裝置的平面構成圖。(實施例)
圖4是載物臺移動裝置的構成圖。(實施例)
圖5是凸瘤形成裝置的動作的說明圖。(實施例)
圖6是晶片交接動作的說明圖。(實施例)
圖7是晶片交接動作的說明圖。(實施例)
圖8是晶片交接動作的說明圖。(實施例)
圖9是晶片交接動作的說明圖。(實施例)
圖IO是表示載物臺的構成的斷面圖。(實施例)
圖ll是表示載物臺的構成的(a)平面圖、(b)斷面圖。(實施例)
符號說明
2 晶片
10 凸瘤形成裝置
20 載物臺移動裝置(載物臺移動單元)
21、 22加熱載物臺(定位載物臺)
24 載物臺主體 24a上表面(晶片載置面)
26 夾持杆(靠押構件) 26s靠接面
27 板簧(彈性變形構件)
28 定位銷(定位構件)
具體實施例方式
以下參照圖3 圖11說明本發明的實施方式。
如圖3的平面構成圖所示，凸瘤形成裝置10交互地對被載置於2臺加熱載物臺21、 22上的晶片2、 2形成凸瘤。
晶片2例如是用來形成表面波濾波器(SAW濾波器)的LiTaOs (鉭酸鋰)或LiNb03 (鈮酸鋰)等具有熱電性的壓電體；地電極形成在晶片2外緣近旁。
在圖3所示的構成中，載物臺移動裝置20沿左右方向(X方向) 一體地移動2臺加 熱載物臺21、 22，各加熱載物臺21、 22被交互地配置在位於焊接裝置的焊接頭40的正 下方的凸瘤形成位置。焊接頭40把凸瘤形成在被載置於凸瘤形成位置的加熱載物臺21、 22上的晶片2、 2上。在載物臺移動裝置20的兩側配置著供料用的晶片盒12和收納用 的晶片盒14。
如圖4所示，加熱載物臺21、 22被固定在載物臺移動裝置20的沿左右方向(X方 向)移動的一臺移動座23的上面。移動座23由未圖示的電機等致動器來驅動，在左右
兩位置之間移動，移動座23的移動使加熱載物臺21、 22—體地移動。
移動座23位於圖中的左側時，如實線所示的那樣，被配置在右側的加熱載物臺22 位於焊接頭40的正下方的凸瘤形成位置，左側的加熱載物臺21被配置在凸瘤形成位置 以外的位置，即退讓位置。
移動座23位於圖中的右側時，左側的加熱載物臺21被配置在位於焊接頭40的正下 方的凸瘤形成位置。如點劃線22a所示的那樣，右側的加熱載物臺22被配置在凸瘤形成 位置以外的位置，即退讓位置。
加熱器(未圖示)被內裝在各加熱載物臺21、 22中，在所載置的晶片2上形成凸瘤 之前，加熱器就會把所載置的晶片2 —直加熱到規定的溫度。
如圖3所示，沿載物臺移動裝置20和晶片盒12、 14移動的傳送裝置30傳送晶片2。
如符號30a、 30d所示，在面對晶片盒12、 14的位置上，傳送裝置30的後述的臂 32 (參照圖6 圖9)前後(Y方向)進退，對晶片盒12、 14進行晶片2的交接。
移動座23即加熱載物臺21、 22位於用實線表示的左側時，如符號30b所示，對著 處於退讓位置的左側的加熱載物臺21，對加熱載物臺21進行晶片2的交接。移動座23 即加熱載物臺21、 22位於右側時，如符號30c所示，對著處於退讓位置的右側的加熱載 物臺22，對加熱載物臺22進行晶片2的交接。
傳送裝置30就用上述的動作錯開周期地把晶片2從供給用的晶片盒12傳送到載物 臺21、 22，或者從載物臺21、 22把晶片2傳送到收納用的晶片盒14。
然後，參照圖5說明用凸瘤形成裝置10在晶片2上形成凸瘤的整體工序。
如圖5 (a)所示，載物臺移動裝置20使加熱載物臺21、 22位於左側時，如箭頭Ll 所示，傳送裝置30在面對供給用的晶片盒12的位置30a上，從橫裝了多片晶片2的供 給用的晶片盒12中僅取出一片晶片2;然後，如箭頭L2所示， 一直把晶片2傳送到面 對左側的加熱載物臺21的位置30b;繼而如箭頭L3所示，把晶片2載置在左側的加熱 載物臺21上，並定位於規定位置；然後，使被載置到左側的加熱載物臺21上的晶片2 一直升溫到規定溫度(110 130°C)。
接下來，如圖5 (b)所示，載物臺移動裝置20把加熱載物臺21、 22—體地移動到 右側，在焊接裝置的焊接頭40的正下方的凸瘤形成位置，用焊接頭40把凸瘤形成在被 載置於左側的加熱載物臺21上且已經預熱到規定溫度U10 13(TC)的晶片2上。
即，利用圖像識別裝置和處於晶片2上的基準標記校正晶片2上的圖形的坐標和焊 接頭40的X-Y工作檯的坐標，焊接頭40用Au線在溫升到規定溫度G10 13(TC)的晶 片2上形成Au球。利用加熱載物臺21的熱和超聲波振動，將所形成的Au球凸瘤焊接(金屬結合)在晶片2的A1電極上。該凸瘤形成作業在整片晶片2上進行。
其間，傳送裝置30移動到面對右側的加熱載物臺22的位置30c，如箭頭R4所示， 從右側的加熱載物臺22上把已經形成了凸瘤的晶片2取出來；然後，如箭頭R5所示， 把已經形成了凸瘤的晶片2 —直傳送到面對收納用的晶片盒14的位置30d，繼而如箭頭 R6所示，把形成了凸瘤的晶片2收入收納用的晶片盒14內。然後，在面對供給用的晶 片盒12的位置30a上，如箭頭Rl所示，把晶片2從供給用的晶片盒12中取出來，然後 如箭頭R2所示，把晶片2—直傳送到面對右側的加熱載物臺22的位置30c;再如箭頭 R3所示，把晶片2載置到右側的加熱載物臺22上，把被載置在右側的加熱載物臺22上 的晶片2 —直加熱到規定溫度。
一旦對被載置在左側的加熱載物臺21上的整片晶片2的凸瘤形成結束，如圖5 (c) 所示，載物臺移動裝置20把加熱載物臺21、 22—體地移動到左側。左側的加熱載物臺 21從後述的載物臺主體24的空氣孔24t (參照圖IO)噴出空氣，把所載置的晶片2降 溫到規定的下降溫度(70 90°C)。當晶片2達到規定的下降溫度(如8(TC)，夾持杆26 (參照圖6 10)就張開，把晶片2—直傳送到收納用的晶片盒14。即，如箭頭L4所示， 傳送裝置30移動到面對左側的加熱載物臺21的位置30b，並從左側的加熱載物臺21把 形成了凸瘤的晶片2取出來；然後，如箭頭L5所示，把形成了凸瘤的晶片2—直傳送到 面對收納用的晶片盒14的位置30d;如箭頭L6所示，把形成了凸瘤的晶片2以橫裝的
狀態收入收納用的晶片盒14內。
其間，焊接裝置的焊接頭40把凸瘤形成在被載置於右側的加熱載物臺22的晶片2上。
與加熱載物臺21、 22的移動同步，交互使用加熱載物臺21、 22，錯開周期地進行 同樣的動作，由此就能夠高效率地形成凸瘤。
以下，參照圖6 圖11更詳細說明加熱載物臺21、 22和傳送裝置30。
如圖6 圖9所示，加熱載物臺21、 22的多個舉升銷25可以從載置晶片2的載物 臺主體24的上表面24a伸出縮回。比載物臺主體24的上表面24a更上側處，配置有從 上表面24a突出來的兩根定位銷28和一對夾持杆26。
傳送裝置30的主體31處於面對晶片盒12、 14 (參照圖5)或加熱載物臺21、 22 的位置30a 30d (參照圖5)時，其載置晶片2的臂32會從主體31前進或後退到晶片 盒12、 14 (參照圖5)或加熱載物臺21、 22。
然後參照圖6 圖9說明從傳送裝置3 0向加熱載物臺21、 22的載物臺主體24上 表面24a載置晶片2的動作。
如圖6中箭頭32a所示，傳送裝置30的臂32在載置了晶片2的狀態下向加熱載物 臺21、 22前進，此時， 一對夾持杆26處於張開狀態。即，各夾持杆26的前端從加熱載 物臺21、 22的載物臺主體24上表面24a的應載置晶片2的位置退回來。
如圖7中箭頭32b所示，傳送裝置30的臂32把晶片2傳送到載物臺主體24的上方 後(詳細地說是，舉升銷25的上方)，就使其下降，並把晶片2的支承交給舉升銷25， 即舉升銷25的上端支承住晶片2。
然後，如圖8中箭頭32c所示，傳送裝置30的臂32保持下降了的狀態原樣退讓到 主體31側。
接下來，如圖9中箭頭25a所示，支承住晶片2的舉升銷25下降，晶片2被載置於 載物臺主體24的上表面24a。然後，夾持杆26如箭頭26a所示的那樣轉動，而成為關 閉狀態，夾持杆26的前端側靠接在晶片2的一側(圖中的左側)，把晶片2向定位銷28 靠押。這樣，晶片2的另一側(圖中的右側)就靠接在定位銷28上，而被定位。此時， 晶片2被夾持在夾持杆26與定位銷28之間。
這裡，只要夾持杆26與晶片2的靠接處大致是位於與定位銷28的相對的一側即可。 即若把晶片2看作無才'J 7 ，定位部圓形，則該夾持杆26在該圓形的中心左側轉動而關 閉並能產生向右側(定位銷28偵0靠押的力的地方就可以。
下面參照圖10的斷面圖來說明加熱載物臺21、 22的結構。
晶片2被定位於晶片2的中心與載物臺主體24的中心大體一致的位置，晶片2與載 物臺主體24從各自的中心向外熱膨脹。因此， 一旦把定位銷28做成固定結構，就不能 吸收載物臺主體24與晶片2的熱膨脹率之差異引起的變位量之差，結果，強制力就會作 用於晶片2與銷接觸的部分，這就有可能產生晶片2破裂之類的損傷。
因此，用板簧27來支撐定位銷28，板簧27彈性變形來吸收載物臺主體24與晶片2 的熱膨脹率之差異引起的變位量之差，從而防止強制力作用於晶片2。
板簧27被配置在加熱載物臺21、 22的載物臺主體24的下表面24b上，板簧27的 一端27a被螺釘29固定在載物臺主體24的下表面24b，定位銷28的基部則被固定在板 簧27的另一端27b。定位銷28遊嵌於形成在載物臺主體24上的貫通孔24s內，並從載 物臺主體24的上表面24a突出到上方。
一旦超過規定大小的力向圖中的右方向作用於定位銷28的末端，如圖中的點劃線所 示，板簧27就向下側彎曲成大體圓弧狀，而定位銷28向圖中的右側移動。這樣，就能 夠吸收載物臺主體24與晶片2的熱膨脹率之差異引起的變位量之差,從而能夠防止強制 力作用於晶片2。
另一方面，如後面詳細描述的那樣，靠押晶片2的夾持杆26是利用彈簧的力來靠押 晶片2的，等以防止夾持杆26施加強制力於晶片2。
夾持杆26的末端的接觸晶片2外緣的靠接面26s相對載物臺主體24的上表面24a 傾斜規定的角度0 (0°<9<90° ==，大體面對載物臺主體24的上表面24a。
夾持杆26至少其靠接面26s具有導電性，靠接面26s接地。 一旦夾持杆26關閉， 夾持杆26的靠接面26s就接觸形成在晶片2的外緣近旁的接地電極，並消除掉由具有熱 電性的常溫的晶片2在被載置於加熱載物臺21、 22期間因溫度變化而產生的電荷。由於 靠接面26s是傾斜形成，所以能夠可靠地接觸晶片2的接地電極，從而能夠確實地從晶 片2除掉電荷。
一旦夾持杆26關閉，靠接面26s就大體向定位銷28平行移動，並靠接在晶片2的 外緣近旁。此時，平行於載物臺主體24的上表面24a的平行分力和垂直於載物臺主體 24的上表面24a的向下分力作用於晶片2。後者向下的分力把晶片2頂押在載物臺主體 24的上表面24a上，所以既使定位銷28像點劃線所示的那樣傾斜，晶片2也不會從載 物臺主體24的上表面24a飄浮起來。
載物臺主體24形成有空氣孔24t，通過空氣孔24t的吸引把被載置於上表面24a的 晶片2的下表面2b吸住並固定。通過空氣孔24t使上表面24a與晶片2的下表面2b之 間的空氣流動，定位時，既容易使晶片2從上表面24a浮起來移動，同時冷卻凸瘤形成 後的晶片2。
下面參照圖11來說明夾持杆26的開閉機構120、 140。圖ll (a)是平面圖，圖11 (b)是沿圖ll (a)的B-B線切斷的斷面圖。
一對夾持杆26的開閉機構120、 140的結構如下。各夾持杆26的基部分別被固定在 轉軸124、 144的上端，轉軸124、 144貫穿加熱載物臺21、 22的載物臺主體24、 24而 被固定且轉動自如；連動板126、 146的一端分別被固定在各轉軸124、 144的下端。如 圖ll (b)所示，各連動板126、 146的另一端設置有間隙並重合，貫通孔127、 147分 別形成在該重合部分；直立設置在基座構件130上的配合銷132遊嵌在各貫通孔127、 147中。未圖示的拉力彈簧的一端掛在載物臺主體24的下表面，另一端掛在各連動板126、 146上，拉力彈簧的彈力向如圖11 (a)中的箭頭128、 148所示的方向靠押各連動板126、 146。直立設置了配合銷132的基座構件130在未圖示的伸縮汽缸等致動器的驅動下，在 箭頭138所示的方向上克服箭頭128、 148所示方向的拉力彈簧的彈力，可解除地使各連 動板126、 146轉動。
在把晶片2裝卸到加熱載物臺21、 22的載物臺主體24、 24的上表面24a上時，基
11座構件130沿箭頭138所示的方向移動，如虛線所示，各連動板126、 146重合在一條直 線上；如實線所示，夾持杆26的末端成為離開晶片2的張開狀態。
在把晶片2保持在加熱載物臺21、 22的載物臺主體24、 24的上表面24a上時，解 除使基座構件130移動的致動器的驅動，箭頭128、 148所示方向的拉力彈簧的彈力使各 連動板126、 146轉動到點劃線所示狀態。該連動板126、 146的轉動使夾持杆26轉動， 夾持杆26的末端成為接觸晶片2外緣的關閉狀態。
實施例1
加熱載物臺21、 22設定未載置晶片2時的溫度為70 9(TC，載置著晶片2時把溫 度升高到100 130°C。
設置在加熱載物臺21、 22上的板簧27的材料是SUS304;定位銷28和夾持杆26的 材料是S50C之類的碳素鋼，但是也可以是具有導電性的其他材料。
在加熱載物臺21、 22的載物臺主體24的上表面24a上，關閉夾持杆26，就使晶片 2的定位邊靠接在兩根定位銷28上，並把晶片2定位。此時，實質上，夾持杆26的靠 押使靠接在晶片2的定位邊上的定位銷28不傾斜或移動，S卩，板簧27不會彎曲，如此 就能夠準確地進行定位。
也可以不進行這樣的設計，而是在夾持杆26關閉，晶片2的定位邊靠接在定位銷 28上而將晶片2定位時，為了使定位銷28不傾斜或上下移動，例如也可以用汽缸等鎖 定板簧27，在載物臺的溫度上升時再解除鎖定。
夾持杆26至少其靠接面26s具有導電性，靠接面26s接地。在晶片2被載置於加熱 載物臺21、 22期間，夾持杆26關閉，夾持杆26的靠接面26s接觸形成在晶片2的外緣 近旁的接地電極，這樣，就能夠消除掉具有熱電性的常溫的晶片2在被載置於加熱載物 臺21、 22上而因升溫"降溫產生的電荷。
在晶片2為難以產生熱電電荷的結構的情況下，也可以在凸瘤形成後，使晶片2降 溫時，導電性的舉升銷25使晶片2的下表面抬起來而離開載物臺主體24的上表面24a， 優先縮短降溫時間。
實施例2
用上下貼合熱膨脹率不同的金屬材料而成的雙金屬結構的彈性變形構件來取代板簧27。
這樣，在晶片2升溫時，雙金屬結構的彈性變形構件本身自行彎曲變形，定位銷28從晶片2沿退讓方向移動，強制力就能不作用於晶片2。
實施例3
除凸瘤形成裝置外，只要是熱電性材料，並且是具有在材料內產生溫度變化的工序
的晶片加工裝置，凸瘤也可以採用實施例1或2的載物臺的構成。
例如，(a)具有在老化過程中或老化之後測定晶片的特性的載物臺的裝置、(b)具
有按晶片的等級在高溫下熱壓接晶片的載物臺的裝置、(c)具有按晶片的等級在高溫下 熱壓接晶片並進行超聲波接合的載物臺的裝置等。這些裝置也可以採用實施例1或2的 載物臺的構成。
如以上說明的那樣，由於使夾持杆26或定位銷28具有彈性，所以能夠吸收載物臺 主體24與晶片2的熱膨脹引起的變位量之差，從而能夠防止晶片2破裂之類的損傷。由 於使用靠接面26s為傾斜的夾持杆26，所以顯著地提高了晶片2具有熱電性的情況下的 消電可靠性。
本發明不限定於上述的實施方式，可以另外實施種種變更。
權利要求
1.一種定位載物臺，具備載置晶片的晶片載置面、定位構件和靠押構件；定位構件鄰接被載置於所述晶片載置面上的晶片，並且沿大致垂直於所述晶片載置面的方向延伸；靠押構件靠接在被載置於所述晶片載置面上的晶片上，並把該晶片彈力靠押在所述定位構件上，其中，所述靠押構件具有略斜對所述晶片載置面的靠接面，該靠接面靠接在被載置於所述晶片載置面上的晶片的外緣近旁，並且把該晶片沿斜方向靠押在所述晶片載置面上。
2. 根據權利要求1記載的定位載物臺，其特徵在於所述靠押構件至少其靠接面具 有導電性。
3. —種定位載物臺，具備載置晶片的晶片載置面和定位構件，定位構件鄰接被載置 於所述晶片載置面上的晶片，並且沿大致垂直於所述晶片載置面的方向延伸；其中，定 位載物臺還具有彈性變形構件，該彈性變形構件使所述定位構件靠接在被載置於晶片載 置面上的晶片上，並使該定位構件保持在將該晶片定位於規定位置的定位位置上，在超 過規定大小的靠押力沿大體反向於被載置於所述晶片載置面上的晶片的方向作用於定位 構件上時，所述彈性變形構件就彈性變形，而使所述定位構件沿大體反向於被載置於所 述晶片載置面上的晶片的方向從所述定位位置退讓。
4. 一種凸瘤形成裝置，其特徵在於具備至少兩臺權利要求K 2或3所述的定位載 物臺(以下簡稱"載物臺")、加熱被載置於所述載物臺的所述晶片載置面上的晶片的加 熱單元和載物臺移動單元，該載物臺移動單元使所述各載物臺在面對焊接裝置的凸瘤形成位置與從該凸瘤形成位置退讓開的退讓位置之間移動，所述載物臺移動單元按順序使 所述各載物臺移動到所述凸瘤形成位置，所述焊接裝置對處於所述凸瘤形成位置的被載 置於所述載物臺上的所述晶片形成凸瘤；另一方面，從處於所述退讓位置的其他所述載 物臺的所述晶片載置面上取下已經形成了凸瘤的晶片；然後，把要形成凸瘤的晶片載置 在該載物臺的所述晶片載置面上，由加熱單元進行加熱。
5. —種凸瘤形成方法，其特徵在於使用至少兩臺權利要求l、 2或3所述的定位載物臺(以下簡稱"載物臺")，在被載置於所述載物臺的所述晶片載置面上的晶片上依次形成凸瘤， 一面移動所述各載物臺， 一面重複進行如下第一步驟和第二步驟；第一步驟是把第一邊的至少一臺所述載物臺配置在面對焊接裝置的凸瘤形成位置，而把另一邊 的至少一臺所述載物臺配置在從所述凸瘤形成位置退讓開的退讓位置；第二步驟是把所述第一邊的所述載物臺配置在所述退讓位置，而把所述另一邊的所述載物臺配置在所述 凸瘤形成位置；在所述第一步驟和第二步驟中，所述焊接裝置對處於所述焊接位置的所 述載物臺的所述片載置面上的晶片形成凸瘤，同時從被配置於所述退讓位置的所述載物 臺的所述晶片載置面上取下已經形成了凸瘤的晶片，然後，把要形成凸瘤的晶片載置在 該載物臺的所述晶片載置面上，進行加熱。
全文摘要
提供一種能夠防止強制力作用於定好位的晶片的定位載物臺、使用該定位載物臺的凸瘤形成裝置和凸瘤形成方法。把晶片(2)靠押在定位構件(28)上的靠押構件(26)，具有大體斜對晶片載置面(24a)的靠接面(26s)；靠接面(26s)靠接在晶片(2)的近旁，沿斜方向把晶片(2)靠押在晶片載置面(24a)上；彈性變形構件(27)把定位構件(28)保持在靠接定位在晶片(2)上的定位位置；在超過規定大小的靠押力作用於定位構件(28)上時，彈性變形構件(27)就彈性變形，而使定位構件(28)從定位位置退讓開。
文檔編號H01L21/68GK101176201SQ20068001686
公開日2008年5月7日 申請日期2006年5月12日 優先權日2005年5月18日
發明者關野雅樹, 足立直哉, 隅田雅之 申請人:株式會社村田製作所