同軸型非接觸式3d-mcm垂直互連方法

2023-04-28 08:50:51

專利名稱：同軸型非接觸式3d-mcm垂直互連方法
技術領域：
本發明涉及一種主要應用於K波段三維多晶片組件(3D-MCM)垂直互連方法。
背景技術：
隨著大規模集成電路技術、新型電子材料技術和封裝互連技術的快速發展，電子裝備正在向小型化、輕量化、高可靠、多功能和低成本方向發展，尤其對機載和星載等電子裝備，實現小型化、輕量化對於提高其電性能指標和靈活機動性尤為重要。作為電子裝備前端的微波組件已在現代通訊導航、民用和軍用雷達等系統中廣泛應用，因此必須研究解決微波組件功能越來越複雜、電性能指標要求越來越高，而體積越來越小、重量越來越輕的矛盾，在滿足微波組件電氣性能要求的前提下，儘可能提高微波組件的集成度、減小體積和重量。目前在微波毫米波頻段，單一的麗IC晶片尚無法實現複雜系統級集成，而90年代發展起來的多晶片組件(MCM)技術將多個集成電路晶片和其它片式元器件封裝在一塊高密度多層互連基板上，成為一個獨立的系統級組件，解決了系統發展的矛盾，是目前能最大限 度的發揮高集成度，高速單片IC性能，實現整機小型化、高可靠、高性能的最有效的途徑之一。所謂封裝是指將半導體集成電路晶片可靠地安裝到一定的外殼上，封裝用的外殼不僅起著安放、固定、密封、保護晶片和增強電熱性能的作用，而且還是溝通晶片內部世界與外部電路的橋梁，即晶片上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印製板上的導線與其他器件建立連接。因此，封裝對集成電路和整個電路系統都起著重要的作用。晶片的封裝技術已經歷了幾代的變遷，從DIP、PQFP、PGA、BGA、CSP到MCM，技術更先進，晶片面積與封裝面積之比越來越趨近於1，適用頻率更高，耐溫性能更好，引腳數增多，引腳間距減小，可靠性提高，使用更加方便。隨著IC的飛速發展，I / 0數急劇增加，要求封裝的引腳數相應增多，出現了「高密度封裝」，90年代，在高密度、單晶片封裝的基礎上，將高集成度、高性能、高可靠性的通用集成電路晶片和專用集成電路晶片ASIC在高密度多層互連基板上用表面安裝技術(SMT)組裝成為多種多樣的電子組件、子系統或系統，由此而產生了多晶片組件(MCM)。在通常的晶片印刷電路板(PCB)和表面安裝技術(SMT)中，晶片工藝要求過高，影響其成品率和成本；印刷電路板尺寸偏大，不符合當今功能強、尺寸小的要求，並且其互連和封裝的效應明顯，影響了系統的特性；多晶片組件將多塊未封裝的裸晶片通過多層介質、高密度布線進行互連和封裝，尺寸遠比印刷電路板緊湊，工藝難度又比晶片小，成本適中。因此，MCM是現今較有發展前途的系統實現方式，是微電子學領域的一項重大變革技術，對現代化的計算機、自動化、通訊業等領域將產生重大影響。MCM組裝的是超大規模集成電路和專用集成電路的裸片，而不是中小規模的集成電路，技術上MCM追求高速度、高性能、高可靠性和多功能，而不像一般混合IC技術以縮小體積重量為主。MCM是將多塊未封裝的IC晶片高密度安裝在同一基板上構成的部件，省去了 IC的封裝材料和工藝，節約了原材料，減少了製造工藝，縮小整機/組件封裝尺寸和重量。隨著微電子技術的進一步發展，晶片的集成度大幅度提高，對封裝的要求也更加嚴格，2D-MCM的缺點也逐漸暴露出來。目前，2D-MCM組裝效率最高可達85%，已接近二維組裝所能達到的最大理論極限，這已成為混合集成電路持續發展的障礙。當前二維MCM封裝密度已不能滿足新一代通信系統、微波或毫米波雷達的應用要求。為了改變這種狀況，目前MCM技術已經發展到最高組裝密度可達200%的三維多晶片組件(3D-MCM)封裝。3D-MCM是將多個裸晶片或二維多晶片組件(2D MCM)沿z軸方向層疊起來的封裝技術，相對於單晶片封裝和2D MCM具有很多優點，如體積小、重量輕，矽片的封裝效率大大提高，延遲進一步縮短，噪聲降低，速度更快等。三維多晶片組件(3D MCM- Three Dimension
Multi-Chip Module)是近幾年正在發展的一種電子封裝技術。3D-MCM封裝進一步減小了體積，減輕了重量。相對於2D-MCM而言，3D-MCM可 使系統的體積縮小晶片預留腔10倍以上，重量減輕6倍以上。3D-MCM中晶片之間的互連長度比2D-MCM短得多，可進一步減小信號傳輸延遲時間和信號噪聲，降低了功耗，信號傳輸(處理)速度增加。互連帶寬，特別是存儲器帶寬往往是影響計算機和通信系統性能的重要因素。降低延遲時間和增大總線寬度是增大信號寬度的重要方法。3D-MCM正好具有實現此特性的突出優點。由於3D—MCM內部單位面積的互連點數大大增加，具有更高的集成度，使其整機(或系統)的外部連接點數和插板大大減小，因此可靠性得到進一步提高。3D-MCM與2D-MCM及SMT技術單位連接點數相比較，每單位面積的連接點數比2D-MCM多I 3個數量級以上，比SMT技術多I 4個數量級以上。3D-MCM雖然具有以上所述的優點，但仍然有一些困難需要克服。和2D-MCM相比，3D-MCM的封裝密度增加了。在3D-MCM封裝中，隨著晶片封裝密度的增加，基板面積上的單位體積容納的熱量就越來越高，因此散熱是關鍵問題，一般採用以下方法採用低熱阻材料，如金剛石或化學氣相澱積(CVD)金剛石薄膜；採用水冷或強制空冷；採用導熱粘膠或散熱通孔將熱量儘快散發出去。另外，作為一項新技術，3D-MCM還需進一步完善，需更新設備，開發新的軟體，還要承擔一定的風險。根據多層互連基板的結構和工藝技術的不同，MCM大體上可分為三類①層壓介質MCM(MCM-L) 陶瓷或玻璃瓷MCM(MCM-C) 矽或介質材料上的澱積布線MCM(MCM-D)。MCM-L是採用多層印製電路板做成的MCM，製造工藝較成熟，生產成本較低，但因晶片的安裝方式和基板的結構所限，高密度布線困難，因此電性能較差，主要用於30MHz以下的產品。 MCM-C是採用高密度多層布線陶瓷基板製成的MCM，結構和製造工藝都與先進IC極為相似，其優點是布線層數多，布線密度、封裝效率和性能均較高，主要用於工作頻率(30-50)MHz的高可靠產品。它的製造過程可分為高溫共燒陶瓷法(HTCC)和低溫共燒陶瓷法(LTCC)，由於低溫下可採用Ag、Au、Cu等金屬和一些特殊的非傳導性材料，近年來，低溫共燒陶瓷法佔主導地位。 MCM-D是採用薄膜多層布線基板製成的MCM，其基體材料又分為MCM-D / C(陶瓷基體薄膜多層布線基板的MCM)、MCM-D / M(金屬基體薄膜多層布線基板的MCM)、MCM-D / Si (矽基薄膜多層布線基板的MCM)等三種，MCM-D的組裝密度很高，主要用於500MHz以上的產品。三維封裝的基本特點是在垂直於晶片表面的方向上進行堆疊晶片，晶片之間通過線焊、通孔垂直互連或倒裝焊形式連接。主要有三種類型埋置型、有源基板型和疊層型。其主要優點為體積小、重量輕，信號傳輸延遲時間小、低噪聲、功耗低、極大地提高了組裝效率和互連效率，增大信號帶寬，加快信號傳輸速度，多功能性、高可靠性和低成本性。3D封裝雖然可有效地縮減封裝面積並進行系統的整合，但其結構較複雜且散熱設計、電學特性、翹曲度及可靠性控制與組裝合格率等都比單一晶片封裝更具挑戰性。3D-MCM技術是適應集成電路向小型、高速、大功率和高密度發展需要的關鍵技術，已成為當前國內外的研究熱點。國內外也可以看到一些關於3D-MCM的研究報導，但研究對象一般是單種晶片疊層型，通常是在陶瓷或有機基板上通過單一的鍵合互連工藝如倒扣焊。在3D-MCM中，形成三維結構的關 鍵在於如何實現各平面電路間的垂直互連。垂直互連是完成2D-MCM轉化為3D-MCM的重要途徑。垂直互連是指3D模塊內電源、接地、信號與層之間的相互連接。微波電路的垂直互連主要考慮的是損耗問題，即其電特性要符合低插入損耗、高隔離度、低反射等要求。微波垂直互連結構研究的主要目標是提高集成電路的集成度、速度和可靠性。目前，應用最多的3D-MCM垂直互連技術——焊球陣列連接技術。基於疊層型基板的3D-MCM封裝結構，採用焊球陣列連接技術以焊料為主體。首先在需連接的基板上形成金屬化焊盤，然後在焊盤上放置焊球形成焊料凸點。還要通過引線鍵合、倒裝焊等多種互連方式將不同類型的半導體晶片三維封裝於一種由疊層模塊所形成的立體封裝結構中；通過封裝表層的植球工藝形成與表面組裝技術(SMT)兼容的BGA器件輸出端子；利用不同熔點焊球實現封裝體內各級球柵陣列(BGA )的垂直互連，形成融合多種互連方式3D-MCM封裝結構垂直互連所形成的焊料凸點、基扳之間的連接。焊球本身在操作、存儲和運輸過程中，由於彼此以及與容器壁的碰撞會變黑。氧化作用如果嚴重，會造成焊球和其相連的襯底焊盤間引起不充分的焊接。並且這種垂直互連技術如果溫度控制不當，BGA與引線鍵合晶片同面組裝情況下晶片封裝面高出焊球高度，會造成焊料凸點結構不均勻或焊料凸點存在許多氣孔狀物。焊料凸點少量的氣孔不影響連接功能，但是如果凸點內氣孔的面積很大，將對凸點的結構輕度造成負面影響，可能引起脫焊或塌陷，最後將導致3D-MCM內部開路、短路、抗機械衝擊能力下降，影響垂直互連的可靠性。如果多塊基板與隔板的疊裝和垂直互連焊料凸點中的孔洞、基板與隔板垂直互連中的虛焊和3D-MCM不同焊接區域焊料脫焊或塌陷，需要重新焊接的話，需要重新置球，給生產裝配3D-MCM帶來不便，不利於自動化組裝生產；而且由於焊球陣列所佔基板體積較大，因此不適應3D-MCM小型化發展的趨勢。

發明內容
本發明的目的是針對上述現有技術存在的不足之處，提供一種插入損耗小，連接可靠性高、能夠進一步減小體積，並能覆蓋K波段的3D-MCM的垂直互連方法，以突破焊球陣列連接技術體積大，可靠性差的瓶頸。本發明的上述目的可以通過以下措施來達到，一種同軸型非接觸式3D-MCM的垂直互連方法，其特徵在於包括如下步驟在上模塊3上制出一個臺階孔8作為同軸線I的輸A 口，同軸線I的內芯7垂直穿過空氣介質孔9和第一介質基板4的過孔12與第一耦合電容片14相連接；在第一介質基板4，B面上的第一耦合電容片14和第二介質基板5，C面上的第二耦合電容片20分別對應無地區域13、24，並在電容片周圍布局接地孔；第一耦合電容片14和第二耦合電容片20通過電磁耦合，將信號傳輸到帶有阻抗變化的微帶線22上，經過阻抗變化後最後傳輸到微帶傳輸線輸出口 2，實現同軸線到微帶線的垂直過渡；然後在上模塊3與下模塊6之間設置屏蔽電磁耦合區域的屏蔽板17，把屏蔽板17鏤空圓弧過渡開口 18的鏤空部分作為兩耦合電容片的耦合區域，並讓出微帶傳輸線2的路由位置；當上模塊3、屏蔽板17和下模塊6三者合一時，通過第一接地孔11、第二接地孔19和屏蔽板17部分形成共地，構成疊層型3D-MCM結構。一種同軸型非接觸式3D-MCM垂直互連結構，包括上模塊3、屏蔽板17和下模塊6，其特徵在於，制有晶片預留位置 10的上模塊3包含制有臺階孔8和空氣介質孔9的第一金屬腔體，同軸線I、貼合在上模塊3下端面上的第一介質基板4，其中，同軸線I的內芯7穿過下端面第一介質基板4的過孔12與第一耦合電容片14相連接，第一介質基板4，B面上的第一耦合電容片14布有接地的螺旋形第一高阻線15 ;下模塊6包含一個對應第二耦合電容片20位置制有圓形孔25的第二金屬腔體6和貼合在下模塊6上端面的第二介質基板5，其中，布有第二高阻線21的第二耦合電容片20相連微帶傳輸線22，帶有阻抗變化的微帶傳輸線22與微帶傳輸線2連接；為上述兩耦合電容片提供耦合區域的屏蔽板17位於第一介質基板4和在第二介質基板5之間，同軸線I上的射頻信號通過電容耦合的方式過渡至微帶傳輸線2中，構成疊層型3D-MCM結構。本發明相比於現有技術具有如下有益效果。為了使垂直互連結構所佔體積小，本發明採用螺旋形式圍繞在耦合電容片的周圍高阻線，縮小了耦合區域面積，滿足了結構小型化。由於採用電磁耦合，屏蔽板17提供0. 15mm的空氣間距，使得垂直互連的插入損耗小，連接可靠性高，並且由於整個結構分為三個部分，易於組裝和返修，因此這種垂直互連在電路、結構、工藝三方面取得了平衡。本發明的垂直互連的電容片面積比焊球陣列所佔面積小，並且上模塊3與下模塊6之間不需要焊接，只需要通過電容片電磁耦合的實現垂直過渡，解決了目前垂直互連無法在小型化，連接可靠性，易於組裝三者之間達到平衡的問題。


圖I是本發明同軸型非接觸式3D-MCM垂直互連結構的示意圖。圖2是圖I上模塊3的分解結構示意圖。圖3是圖I的分解示意圖。圖4是圖3第一介質基板4的A面構造示意圖。圖5是圖3第一介質基板4的B面構造示意圖。圖6是圖3第二介質基板的C面構造示意圖。圖7是圖3第二介質基板的D面構造示意圖。圖中1同軸線，2微帶傳輸線輸出埠，3上模塊,4第一介質基板,5第二介質基板，6下模塊，7同軸線I的內芯，8臺階孔，9空氣介質孔，10晶片預留腔，11第一接地孔，12過孔，13無地區域，14第一耦合電容片，15第一高阻線，16第二無地區域，17屏蔽板，18鏤空圓弧過渡開口，19第二接地孔，20第二耦合電容片，21第二高阻線，22帶有阻抗變化的微帶傳輸線，23第三無地區域，24第四無地區域，25圓形孔。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明。參閱圖I。運用於K波段3D-MCM垂直互連結構由上模塊3、屏蔽板17和下模塊6三大部分構成，為了實現垂直互連，阻抗50Q同軸線I通過臺階孔8垂直插入空氣介質孔9中。臺階孔8固定住同軸線I。整個模塊垂直過渡路線為同軸線I輸入埠一通過空氣介質孔9的同軸線I的內芯7 —第一稱合電容片14和第二稱合電容片20電磁稱合一帶有阻抗變化的微帶傳輸線22 —微帶傳輸線輸出埠 2。參閱圖2、圖3。同軸線I的主模為TCM模(在傳播方向上，電場與磁場的縱向分量都為零的傳播模式)，無截止頻率，可以從直流工作到毫米波。同軸型非接觸式3D-MCM垂直互連結構，包括上模塊3、屏蔽板17、下模塊6。上模塊3包含制有晶片預留位置10、臺階孔8和空氣介質孔9的第一金屬腔體、貼合在上模塊3下端面上的第一介質基板4和同軸線I ;同軸線I的內芯7垂直穿過空氣介質孔9，和第一介質基板4的過孔12與第一耦合電容片14相連接，並且同軸線I的內芯7暴露在空氣介質孔9中，並與之形成同軸；同軸線I的內芯7穿過下端面第一介質基板4的過孔12與第一耦合電容片14相連接，第一介質基板4，B面上的第一耦合電容片14螺旋環繞第一高阻線15，第一高阻線15接地；第一介質基板4, B面上的第一稱合電容片14和第二介質基板5, C面上的第二稱合電容片20通過電磁耦合，信號傳輸到帶有阻抗變化的微帶線22上，經過阻抗變化後最後傳輸到微帶傳輸線輸 出口 2，實現同軸線到微帶線的垂直過渡；下模塊6包含一個含有圓形孔25的第二金屬腔體和位於下模塊6上端面的第二介質基板5，圓形孔25對應第二耦合電容片20的位置；分布在第二介質基板5，C面上的第二耦合電容片20和第二高阻線21，第二耦合電容片20與帶有阻抗變化的微帶傳輸線22連接，帶有阻抗變化的微帶傳輸線22與微帶傳輸線2連接，第二高阻線21接地；並制有為上述兩耦合電容片提供耦合區域的屏蔽板17位於第一介質基板4和第二介質基板5之間。第一介質基板4, B面上的第一稱合電容片14和第二介質基板5，C面上的第二耦合電容片20周圍分別布局的接地孔11和19。當上模塊3、屏蔽板17、下模塊6三者合一時，通過第一接地孔11、第二接地孔19和屏蔽板17部分形成共地。在上模塊3與下模塊6之間設置屏蔽電磁耦合區域的屏蔽板17，把屏蔽板17鏤空圓弧過渡開口 18的鏤空部分作為兩耦合電容片的耦合區域，並讓出微帶傳輸線2的路由位置；將分布在第一介質基板4，B面上的第一耦合電容片14和第二介質基板5，C面上的第二耦合電容片20分別螺旋環繞的第一高阻線15和第二高阻線21後，除第一耦合電容片14、第二高耦合電容片20分別對應無地區域13、24外，其餘部分全部為地，使得信號更多地集中在耦合區域內；屏蔽板17的鏤空部分鏤空圓弧過渡開口 18形成有0. 15mm厚度的空氣間隙，屏蔽板的實體部分17對電磁耦合區域起屏蔽作用。第一耦合電容片14和第一高阻線15分布在第一介質基板4的B面上，第一耦合電容片14與同軸線I的內芯7連接，第一高阻線15接地；第二耦合電容片20和第二高阻線21分布在第二介質基板5的C面上，第二耦合電容片20與帶有阻抗變化的微帶傳輸線22連接，帶有阻抗變化的微帶傳輸線22與微帶傳輸線2連接，第二高阻線21接地。接地孔11、19需要金屬化，第一介質基板4和第二介質基板5用焊錫分別焊到上模塊3的第一金屬腔體和下模塊6的第二金屬腔體，第一介質基板4，B面第一I禹合電容片14與同軸線內芯7相焊接,上模塊3、屏蔽板17、下模塊6從上而下羅疊起來。參閱圖4-圖7。分布在第一介質基板4的B面上的第一I禹合電容片14和第一高阻線15，第二介質基板5的C面上的第二耦合電容片20和第二高阻線21，第一高阻線15、第二高阻線21模擬電感的作用。為了使其第一耦合電容片14和第一高阻線15、第二耦合電容片20和第二高阻線21的體積縮小，第一高阻線15、第二高阻線21分別螺旋地環繞在第一耦合電容片14、第二耦合電容片20的外圍，並且第一高阻線15、第二高阻線21接地。為了使信號更多地集中在耦合區域內，上模塊3下端面的第一介質基板4的A面和下模塊6上端面第二介質基板5的D面，除了第一耦合電容片14、第二耦合電容片20分別對應第一無地區域13、第四無地區域24的圓形位置，其餘部分都為地。為了電磁屏蔽，第一耦合電容片14、第二耦合電容片20周圍分別布滿第一接地孔11和第二接地孔19，而第一耦合電容片14和第一高阻線15與地之間有一定的間隙，形成圓環第二無地區域16。而位於第二介質基板5上的第二耦合電容片20、第二高阻線21、帶有阻抗變化的微帶傳輸線22和微帶傳輸線2與地之間同樣形成有圓環圖形的第三無地區域23。為了防止電磁洩漏，在下模塊6的第二金屬腔體中對應第二耦合電容片20的位置有個直徑與第四無地區域24 —樣大，深 度為0. 8mm的下陷圓孔25。當上模塊3、屏蔽板17、下模塊6三者合一時，通過第一接地孔
11、第二接地孔19和屏蔽板17部分形成共地。為了實現射頻信號的理想合成與傳輸，垂直互連的兩個埠需進行阻抗匹配，其中同軸線輸入埠 I的匹配通過調整介質空氣孔9的高度和寬度，以及在第一介質基板4的B面上的第一耦合電容片14和第一高阻線15來實現；微帶線輸出埠 2的阻抗匹配，通過在第二介質基板5的C面上的第二耦合電容片20和第二高阻線21，以及連接第二耦合電容片20帶有阻抗變化的微帶傳輸線22來完成。
權利要求
1.一種同軸型非接觸式3D-MCM的垂直互連方法，其特徵在於包括如下步驟在上模塊(3)上制出一個臺階孔(8)作為同軸線I的輸入口，同軸線I的內芯7垂直穿過空氣介質孔(9)和第一介質基板4的過孔(12)與第一耦合電容片14相連接；在第一介質基板(4)，B面上的第一耦合電容片(14)和第二介質基板(5)，C面上的第二耦合電容片(20)分別對應無地區域(13、24)，並在電容片周圍布局接地孔；第一耦合電容片(14)和第二耦合電容片(20)通過電磁耦合，將信號傳輸到帶有阻抗變化的微帶線(22)上，經過阻抗變化後最後傳輸到微帶傳輸線輸出口(2)，實現同軸線到微帶線的垂直過渡；然後在上模塊(3)與下模塊(6)之間設置屏蔽電磁耦合區域的屏蔽板(17)，把屏蔽板(17)鏤空圓弧過渡開口(18)的鏤空部分作為兩耦合電容片的耦合區域，並讓出微帶傳輸線(2)的路由位置；當上模塊(3)、屏蔽板(17)和下模塊(6)三者合一時，通過第一接地孔(11)、第二接地孔(19)和屏蔽板(17)部分形成共地，構成疊層型3D-MCM結構。
2.根據權利要求I所述的同軸型非接觸式3D-MCM的垂直互連方法，其特徵在於，整個模塊的垂直過渡路線為同軸線I輸入埠一通過空氣介質孔(9)的同軸線(I)的內芯(7)—第一耦合電容片(14)和第二耦合電容片(20)電磁耦合一帶有阻抗變化的微帶傳輸線(22)—微帶傳輸線輸出埠(2)。
3.根據權利要求I所述的同軸型非接觸式3D-MCM的垂直互連方法，其特徵在於，同軸線輸入埠 I的匹配通過調整介質空氣孔(9)的高度和寬度，以及在第一介質基板(4)，B面上的第一耦合電容片(14)和第一高阻線(15)來實現。
4.根據權利要求I所述的同軸型非接觸式3D-MCM的垂直互連方法，其特徵在於，微帶線輸出埠(2)的阻抗匹配，通過在介質基板(5)，C面上的第二耦合電容片(20)和第二高阻線(21)，以及連接第二耦合電容片(20)帶有阻抗變化的微帶傳輸線(22)來完成。
5.一種按權利要求I所述方法製作的同軸型非接觸式3D-MCM垂直互連結構，包括上模塊(3)、屏蔽板(17)和下模塊(6)，其特徵在於，制有晶片預留位置(10)的上模塊(3)包含制有臺階孔(8)和空氣介質孔(9)的第一金屬腔體，同軸線(I)、貼合在上模塊(3)下端面上的第一介質基板(4)，其中，同軸線(I)的內芯(7)穿過下端面第一介質基板(4)的過孔(12)與第一稱合電容片(14)相連接,第一介質基板(4), B面上的第一稱合電容片(14)布有接地的螺旋形第一高阻線(15 );下模塊(6 )包含一個對應第二耦合電容片(20 )位置制有圓形孔(25)的第二金屬腔體(6)和貼合在下模塊(6)上端面的第二介質基板(5)，其中，布有第二高阻線(21)的第二耦合電容片(20)相連微帶傳輸線(22)，帶有阻抗變化的微帶傳輸線(22)與微帶傳輸線(2)連接；為上述兩耦合電容片提供耦合區域的屏蔽板(17)位於第一介質基板(4)和在第二介質基板(5)之間，同軸線(I)上的射頻信號通過電容耦合的方式過渡至微帶傳輸線(2)中，構成疊層型3D-MCM結構。
全文摘要
本發明提出一種同軸型非接觸式3D-MCM的垂直互連方法，以同軸線1作為輸入口，同軸線(1)的內芯(7)垂直穿過空氣介質孔(9)和第一介質基板(4)的過孔(12)與第一耦合電容片(14)相連接，並且同軸線的內芯暴露在空氣介質孔(9)中；第一介質基板，B面上的第一耦合電容片和第二介質基板(5)，C面上的第二耦合電容片(20)分別螺旋環繞高阻微帶線(15、21)，並且高阻微帶線(15、21)分別接地；第一介質基板，B面上的第一耦合電容片和第二介質基板，C面上的第二耦合電容片通過電磁耦合，信號傳輸到帶有阻抗變化的微帶線(22)上，經過阻抗變化後最後傳輸到微帶傳輸線輸出口(2)，實現同軸線到微帶線的垂直過渡。
文檔編號H01L23/64GK102709275SQ20121018179
公開日2012年10月3日 申請日期2012年6月5日 優先權日2012年6月5日
發明者羅鑫, 趙青, 黃建 申請人:中國電子科技集團公司第十研究所