靜電防護電路、顯示面板和裝置的製作方法

2023-04-28 06:54:16

本實用新型涉及靜電防護技術領域，尤其涉及一種靜電防護電路、顯示面板和裝置。

背景技術：

在半導體器件中，靜電損傷(ESD：Electro Static Discharge)是一種常見的不良現象。靜電損傷會導致絕緣介質的擊穿，從而引起閾值電壓的漂移或者柵電極和源電極、漏電極之間的短路。

對於薄膜電晶體器件，在工作過程中，數據掃描線或柵極掃描線的靜電荷積累到一定的程度，分離柵電極和源電極、漏電極的絕緣介質薄膜就有可能發生擊穿，從而導致源電極和柵電極的短路(DGS),即使絕緣層沒有發生擊穿，積累靜電會引起柵電極和源電極之間的電壓差異，導致TFT(薄膜電晶體)閾值電壓的漂移而改變TFT工作特性。

目前為了降低高壓靜電對顯示面板的影響，通常採用了靜電保護電路對TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display,薄膜電晶體-液晶顯示器)的製造過程中產生的高壓靜電進行釋放或者保持面板內外電荷的均衡，以解決現有技術中存在的容易導致在TFT關斷後，數據掃描線/柵極掃描線和公共電極/配線上產生過多的漏電流而造成電壓波動，進而形成不良，影響顯示品質。

技術實現要素：

本實用新型的主要目的在於提供一種靜電防護電路、顯示面板和裝置，解決現有技術中當驅動線上的電壓公共電極電壓走線上的電壓發生突變時，會產生較大的漏電流從而對驅動線上的電壓或公用電極電壓上的電壓產生影響，進而造成顯示不良，影響顯示品質的問題。

為了達到上述目的，本實用新型提供了一種靜電防護電路，包括開關控制單元、用於存儲電荷的第一靜電存儲單元和用於存儲電荷的第二靜電存儲單元；

所述第一靜電存儲單元的第一端與驅動線連接，所述第一靜電存儲單元的第二端與所述開關控制單元連接；

所述第二靜電存儲單元的第一端與所述開關控制單元連接，所述第二靜電存儲單元的第二端與公共電極走線連接；

所述開關控制單元用於當所述驅動線上的電壓在預定時間內的電壓變化值大於第一預定電壓變化值時控制所述第一靜電存儲單元的第二端與所述公共電極走線連接，當所述公共電極走線上的電壓在預定時間內的電壓變化值大於第二預定電壓變化值時，控制所述第二靜電存儲單元的第一端與所述驅動線連接。

實施時，所述驅動線包括數據掃描線和/或柵極掃描線；所述公共電極走線包括公共電極線和/或公共電極配線。

實施時，所述第一靜電存儲單元包括第一電容，所述第二靜電存儲單元包括第二電容。

實施時，所述開關控制單元包括：

第一開關電晶體，第一端與驅動線連接，第二端與所述第一靜電存儲單元的第二端連接，第三端與第一節點連接；

第二開關電晶體，第一端與所述第一節點連接，第二端與所述驅動線連接，第三端與所述第二靜電存儲單元的第一端連接；

第三開關電晶體，第一端與所述公共電極走線連接，第二端與所述第一節點連接，第三端與所述公共電極走線連接；以及，

第四開關電晶體，第一端與所述第二靜電存儲單元的第一端連接，第二端與所述第一節點連接，第三端與所述公共電極走線連接。

實施時，所述開關控制單元包括：

第一開關電晶體，第一端與驅動線連接，第二端與所述驅動線連接，第三端與第一節點連接；

第二開關電晶體，第一端與所述第一節點連接，第二端與所述第一靜電存儲單元的第二端連接，第三端與所述第一靜電存儲單元的第一端連接；

第三開關電晶體，第一端與所述公共電極走線連接，第二端與所述第一節點連接，第三端與所述公共電極走線連接；以及，

第四開關電晶體，第一端與所述第二靜電存儲單元的第一端連接，第二端與所述第一節點連接，第三端與所述第二靜電存儲單元的第一端連接。

實施時，所述第一開關電晶體、所述第二開關電晶體、所述第三開關電晶體和所述第四開關電晶體都為n型電晶體，或者，所述第一開關電晶體、所述第二開關電晶體、所述第三開關電晶體和所述第四開關電晶體都為p型電晶體。

本實用新型還提供了一種顯示面板，包括上述的靜電防護電路。

本實用新型還提供了一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。

與現有技術相比，本實用新型所述的靜電防護電路、顯示面板和裝置通過採用與驅動線連接的第一靜電存儲單元、與公共電極走線連接的第二靜電存儲單元，可以避免開關控制單元關斷後驅動線上的漏電流流入公共電極或公共電極的漏電流流入驅動線而造成驅動線或公共電極線上的電壓波動而影響顯示品質。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例所述的靜電防護電路的結構圖；

圖2是本實用新型所述的靜電防護電路的第一具體實施例的結構圖；

圖3是本實用新型所述的靜電防護電路的第二具體實施例的結構圖。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本實用新型保護的範圍。

如圖1所示，本實用新型實施例所述的靜電防護電路包括開關控制單元11、用於存儲電荷的第一靜電存儲單元12和用於存儲電荷的第二靜電存儲單元13；

所述第一靜電存儲單元12的第一端與驅動線DL連接，所述第一靜電存儲單元12的第二端與所述開關控制單元11連接；

所述第二靜電存儲單元13的第一端與所述開關控制單元11連接，所述第二靜電存儲單元13的第二端與公共電極走線VCOML連接；

所述開關控制單元11用於當所述驅動線DL上的電壓在預定時間內的電壓變化值大於第一預定電壓變化值時控制所述第一靜電存儲單元12的第二端與所述公共電極走線VCOML連接，當所述公共電極走線VCOML上的電壓在預定時間內的電壓變化值大於第二預定電壓變化值時，控制所述第二靜電存儲單元13的第一端與所述驅動線DL連接。

本實用新型實施例所述的靜電防護電路通過採用與驅動線連接的第一靜電存儲單元、與公共電極走線連接的第二靜電存儲單元，可以避免開關控制單元關斷後驅動線上的漏電流流入公共電極或公共電極的漏電流流入驅動線而造成驅動線或公共電極線上的電壓波動而影響顯示品質。

在以上的實施例中，當所述驅動線上的電壓在預定時間內的電壓變化值大於第一預定變化值時，指的也即所述驅動線上的電壓發生突變時；

噹噹所述公共電極走線上的電壓在預定時間內的電壓變化值大於第一預定變化值時，指的也即所述公共電極走線上的電壓發生突變時。

具體的，所述驅動線可以包括數據掃描線和/或柵極掃描線；所述公共電極走線可以包括公共電極線和/或公共電極配線。

在具體實施時，所述第一靜電存儲單元可以包括第一電容，所述第二靜電存儲單元可以包括第二電容。

具體的，所述開關控制單元可以包括：

第一開關電晶體，第一端與驅動線連接，第二端與所述第一靜電存儲單元的第二端連接，第三端與第一節點連接；

第二開關電晶體，第一端與所述第一節點連接，第二端與所述驅動線連接，第三端與所述第二靜電存儲單元的第一端連接；

第三開關電晶體，第一端與所述公共電極走線連接，第二端與所述第一節點連接，第三端與所述公共電極走線連接；以及，

第四開關電晶體，第一端與所述第二靜電存儲單元的第一端連接，第二端與所述第一節點連接，第三端與所述公共電極走線連接。

具體的，所述開關控制單元可以包括：

第一開關電晶體，第一端與驅動線連接，第二端與所述驅動線連接，第三端與第一節點連接；

第二開關電晶體，第一端與所述第一節點連接，第二端與所述第一靜電存儲單元的第二端連接，第三端與所述第一靜電存儲單元的第一端連接；

第三開關電晶體，第一端與所述公共電極走線連接，第二端與所述第一節點連接，第三端與所述公共電極走線連接；以及，

第四開關電晶體，第一端與所述第二靜電存儲單元的第一端連接，第二端與所述第一節點連接，第三端與所述第二靜電存儲單元的第一端連接。

在具體實施時，所述第一開關電晶體、所述第二開關電晶體、所述第三開關電晶體和所述第四開關電晶體都為n型電晶體，或者，所述第一開關電晶體、所述第二開關電晶體、所述第三開關電晶體和所述第四開關電晶體都為p型電晶體。

在實際操作時，所述第一端可以為柵極，所述第二端可以為源極，所述第三端可以為漏極；或者，所述第一端可以為柵極，所述第二端可以為漏極，所述第三端可以為源極。

下面通過兩個具體實施例來說明本實用新型所述的靜電防護電路。

如圖2所示，本實用新型所述的靜電防護電路的第一具體實施例包括開關控制單元、用於存儲電荷的第一靜電存儲單元和用於存儲電荷的第二靜電存儲單元；

所述第一靜電存儲單元包括第一電容C11；

所述第二靜電存儲單元包括第二電容C12；

所述開關控制單元包括：

第一開關電晶體TFT11，柵極與驅動線DL連接，源極所述第一電容C11的第二端連接，漏極與第一節點P1連接；

第二開關電晶體TFT12，柵極與所述第一節點P1連接，源極與所述驅動線DL連接，漏極與所述第二電容C12的第一端連接；

第三開關電晶體TFT13，柵極與公共電極走線VCOML連接，源極與所述第一節點P1連接，漏極與所述公共電極走線VCOML連接；以及，

第四開關電晶體TFT14，柵極與所述第二電容C12的第一端連接，源極與所述第一節點P1連接，漏極與所述公共電極走線VCOML連接；

TFT11、TFT12、TFT13和TFT14都是n型電晶體。

在本實用新型如圖2所示的靜電防護電路的第一具體實施例中，DL可以為數據掃描線或柵極掃描線，VCOML可以為公共電極線或公共電極配線。

本實用新型如圖2所示的靜電防護電路的第一具體實施例在工作時，當驅動線DL上有很高的靜電荷積累時，TFT11、TFT12和TFT14導通，驅動線DL上的電荷和公共電極走線VCOML上的電荷達到均衡，避免了對驅動線DL造成靜電損傷；

當公共電極走線VCOML上有較高靜電荷積累時，TFT12、TFT13和TFT14導通，公共電極走線VCOML上電荷和驅動線DL上的的電荷達到平衡，避免了靜電荷對公共電極走線VCOML造成損傷。

在圖2所示的具體實施例中，TFT11的漏極通過第一電容C11和驅動線DL連接，TFT12的源極通過第二電容C12和公共電極走線VCOML連接，避免了較大的漏電流對驅動線DL(數據掃描線/柵極掃描線)和公共電極走線VCOML(公共電極線/公共電極配線)的電壓造成影響。

在圖2所示的實施例中，TFT11、TFT12、TFT13和TFT14都是n型電晶體，但是在實際操作時，TFT11、TFT12、TFT13和TFT14也可以為p型電晶體，當驅動線DL上的電壓從高電壓突變為低電壓時，TFT11、TFT12和TFT14導通，當公共電極走線VCOML上的電壓從高電壓突變為低電壓時，TFT12、TFT13和TFT14導通。

如圖3所示，本實用新型所述的靜電防護電路的第二具體實施例包括開關控制單元、用於存儲電荷的第一靜電存儲單元和用於存儲電荷的第二靜電存儲單元；

所述第一靜電存儲單元包括第一電容C21；

所述第二靜電存儲單元包括第二電容C22；

所述開關控制單元包括：

第一開關電晶體TFT21，柵極與驅動線DL連接，源極與所述驅動線DL連接，漏極與第一節點P1連接；

第二開關電晶體TFT22，柵極與所述第一節點P1連接，源極與所述第一電容C21的第二端連接，漏極與所述第一電容C21的第一端連接；

第三開關電晶體TFT23，柵極與所述公共電極走線VCOML連接，源極與所述第一節點P1連接，漏極與所述公共電極走線VCOML連接；以及，

第四開關電晶體TFT24，柵極與所述第二電容C22的第一端連接，源極與所述第一節點P1連接，漏極與所述第二電容C22的第一端連接；

TFT21、TFT22、TFT23和TFT24都是n型電晶體。

在本實用新型如圖3所示的靜電防護電路的第二具體實施例中，DL可以為數據掃描線或柵極掃描線，VCOML可以為公共電極線或公共電極配線，TFT22的源極通過C21和驅動線DL(數據掃描線/柵極掃描線)連接；TFT24的漏極通過C22和公共電極走線VCOML(公共電極線/配線)連接。

本實用新型如圖3所示的靜電防護電路的第二具體實施例在工作時，

當驅動線DL(數據掃描線/柵極掃描線)上有較高的靜電荷積累時，TFT21、TFT22和TFT24導通，靜電荷釋放到公共電極走線VCOML(公共電極線/配線)上，驅動線DL(數據掃描線/柵極掃描線)上的電荷和驅動線DL(數據掃描線/柵極掃描線)上的電荷達到均衡，避免了對驅動線DL(數據掃描線/柵極掃描線)造成靜電損傷。

當驅動線DL(數據掃描線/柵極掃描線)上有較高的靜電荷積累時，TFT22、TFT23和TFT24導通，靜電荷釋放到驅動線DL(數據掃描線/柵極掃描線)上，公共電極走線VCOML(公共電極線/配線)上的電荷和驅動線DL上(數據掃描線/柵極掃描線)掃描線的電荷達到平衡，避免了靜電荷對公共電極走線VCOML(公共電極線/配線)造成損傷。

在圖3所示的第二具體實施例中，TFT22的源極通過電容C21和驅動線DL(數據掃描線/柵極掃描線)連接，TFT24的柵級和漏極通過C22與公共電極走線VCOML(公共電極/配線)連接，避免了較大的漏電流對驅動線DL(數據掃描線/柵極掃描線)和公共電極走線VCOML(公共電極線/配線)的電壓造成影響。

在圖3所示的實施例中，TFT21、TFT22、TFT23和TFT24都是n型電晶體，但是在實際操作時，TFT21、TFT22、TFT23和TFT24也可以為p型電晶體，當驅動線DL上的電壓從高電壓突變為低電壓時，TFT21、TFT22和TFT24導通，當公共電極走線VCOML上的電壓從高電壓突變為低電壓時，TFT12、TFT13和TFT14導通。

本實用新型實施例所述的顯示面板包括上述的靜電防護電路。

本實用新型實施例所述的顯示裝置包括上述的顯示面板。

以上所述是本實用新型的優選實施方式，應當指出，對於本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護範圍。