閃爍存儲器陣列的製作方法

2023-04-26 01:21:36

專利名稱：閃爍存儲器陣列的製作方法
本申請要求名稱為閃爍存儲器陣列的1997年9月19日申請的美國臨時中請60/059349、名稱為負電壓泵電路的1997年9月19日申請的美國臨時申請60/059683、名稱為閃爍存儲器陣列的編程和測試的1997年9月23日申請的美國臨時申請60/059797的權益。
本發明的其它方案，包括各種字線或行線搭接到金屬線以提供較好的導電性；在非易失性存儲器單元上提供測試圖形；在非易失性存儲器單元上提供應力測試；相同頁或扇區的所有行共用解碼電路用於擦除和編程；提供將非編程電壓供給所有非選擇單元的小型解碼電路；和提供負電壓泵。
附圖的詳細說明本發明中，公開了閃爍存儲器陣列。能夠使用具有任何類型的閃爍存儲器單元。但是，特別適合使用下述閃爍存儲器單元。
閃爍存儲器單元

圖1(a)示出存儲器單元10的一個實例。存儲器單元10包括半導體基片12，具有在其間分開的源極14，漏極16和溝道18。選擇柵20位於溝道18的第一部分38上，其由第一絕緣層22分開。儘管在圖1(a)中選擇柵20示為重疊一部分漏極16，但是選擇柵20重疊漏極16不是主要的。選擇柵20是被沉積在基片12上的第一多晶矽層。不同於US4462090中所說明的尋址柵，用在存儲器單元10中的選擇柵20是平面的，因此不需要經過不對中。第一絕緣層22能夠是諸如氧化矽的傳統絕緣材料。
由第二多晶矽層構成的浮柵24具有兩個部分在選擇柵20上的並由第二絕緣層26分開的第一部分，和在基片12上的並由第三絕緣層28分開的第二部分。浮柵24的第二部分擴充到在選擇柵20和源極14之間的一部分溝道18上。另外，浮柵24的第二部分擴充到源極14上。
控制柵30在選擇柵20和浮柵24上，由第四絕緣層32分開。存儲器單元10由供給在四個端子即源極14、漏極16、選擇柵20和浮柵24上的電壓控制。
圖1(b)示出存儲單元10的布置圖，其是基於使用1μmCMOS技術設計規則設計的。由於下面要討論的單元的可量測性，單元尺寸可以減小到接近直接正比於定標技術(scaled technology)的線寬。例如使用1μmCMOS技術，n+漏極區16能夠是0.3μm深；n+源極區14能夠是0.5-0.6μm深；第一絕緣膜區22能夠是180的熱生長SiO2膜；第三絕緣膜區28能夠是100的熱生長SiO2膜；第二絕緣膜區26能夠是具有250SiO2等價厚度的ONO膜；第四絕緣膜區32能夠是另一具有250SiO2等價厚度的ONO膜。選擇柵20的長度能夠是1μm；全部浮柵24的長度能夠是1.1μm，具有0.5μm在選擇柵上的重疊和0.6μm直接在基片上；控制柵30的長度能夠是1.1μm，具有0.25μm重疊選擇柵20和0.85μm重疊浮柵24。
通常根據下述步驟製造存儲器單元10a)在第一導電類型的半導體基片12上形成絕緣的有源器件區；b)在半導體基片12的有源器件區上形成第一絕緣膜22；c)在定義第一溝道區的基片的有源器件區上通過第一絕緣膜22形成選擇柵20；d)在沒有被選擇柵20覆蓋的有源器件區上形成第三絕緣膜28，在選擇柵20上形成第二絕緣膜26；e)在定義第二溝道區的半導體基片12上通過第三絕緣膜28和在選擇柵20上通過第二絕緣膜26形成浮柵24；f)在選擇柵20和浮柵24上形成第四絕緣膜32；g)在選擇柵20和浮柵24上通過第四絕緣膜32形成控制柵30；h)利用第二導電類型諸如砷的離子注入，利用分別摻雜源極和漏極區14和16，形成源極區14和漏極區16。通常，隔離體(spacer)靠近浮柵24和選擇柵20放置。砷以大約為1×1015到1×1016個離子/cm2的濃度注入，並且注入電壓為30Kev到80Kev。由於形成周邊電晶體LDD結用以減小短溝道電晶體熱電子效應所要求的隔離體的出現，注入的砷將很少或沒有與浮柵24重疊。此後，砷注入的橫向擴散將使砷雜質到達基本上接近浮柵24和選擇柵20側壁的區域。但是，浮柵24和源極區14之間的重疊不足以允許單元工作所要求的Fowler-Nordheim隧穿幅值。因此，要求第二注入以形成較大程度重疊浮柵24的較深源極區14；ⅰ)利用第二導電類型諸如磷的離子注入，在有或沒有隔離體靠近浮柵24側壁放置並引起在源極區14中離子注入通過熱擴散的橫向擴散的情況下，形成被一部分浮柵24重疊的源極區14。磷以大約為1×1014到1×1016個離子/cm2的濃度注入，並且注入電壓大約為30Kev到80Kev。由於鱗比砷具有1.5到2倍的較深注入範圍和2到3倍的較高擴散常數，注入的鱗形成了比漏極區16較深的源極區14。較深的源極結引起與浮柵24較大的重疊，其提供了用於擦除操作的隧道效應區。具有鱗注入的源極區的較高濃度還使在源極結和源極到隧道氧化物界面區之間的電壓降最小化，使得能夠感應出較高的隧道電流。具有較深源極結的另一原因是其將具有較高的接地柵或負柵加速結擊穿電壓，更重要的是，其具有較低的引起從源極結到基片漏電的帶到帶隧道電流。帶到帶隧道電流將使過負載出現在共晶片的乘法器上，引起低Vcc工作困難。
擦除或寫入「1」為了寫入「1」或者擦除存儲器單元10，使得存儲單元10處於導電狀態，將例如為12V的高電壓加到源極S14。漏極D16，選擇柵SEL20和控制柵CG30都處於地電勢。由於在浮柵24和選擇柵20之間和在浮柵24和控制柵30之間的高電容性耦合，由於在源極區14和浮柵24之間很低的電容性耦合以及在源極區16和浮柵24之間的重疊，很大比例的所加電壓出現在源極區14和浮柵24上。這引起通過Fowler-Nordheim隧道效應機制電子從浮柵24隧穿到源極區14，但不會到達基片。
圖2示出了電容耦合元件。浮柵和源極之間的電壓差ΔVf-g可以表示為ΔVf-g=Vs(C(f-Cg)+C(f-sel))/(C(f-Cg)+C(f-sel)+C(f-s))=VsRe這裡Re是擦除操作期間的耦合比率，和Re=(C(f-Cg)+C(f-sel))/(C(f-Cg)+C(f-sel)+C(f-s))Vs是源極電壓；C(f-Cg)是在浮柵和控制柵之間的總的耦合電容；C(f-sel)是在浮柵和選擇柵之間的總的耦合電容；C(f-s)是在浮柵和源極之間的總的耦合電容。
根據上述給出的尺寸，擦除耦合比率Re為89％。由於Vs是12V，10.68V的總電壓出現在100A隧道效應的氧化物(即第三絕緣膜28)上，其足以感應出從源極區14和浮柵28的足夠的隧道電流，並引起浮柵28正向充電。
在源極電壓為12V時，在源極結上可以發生帶到帶的隧道效應機制，其將增加源極電流的幅值。由於共晶片電壓乘法器通常用作為供應高電壓，帶到帶的隧道電流將要求更強的電壓乘法器設計。
擦除單元10的一種方法是給控制柵30加負偏置(-8到-10V)，同時保持選擇柵20為地電勢或者為與控制柵30相同的負偏置，並且將源極14上的電壓僅僅升高到5V或接近Vcc，例如為6-7V。該方法的優點是源極電壓現在處於較低的電勢。通過減小源極電壓，人們可以直接從Vcc電源或從僅具有較少泵浦級的電壓乘法器中供給該源極電壓，有較高的電流供應能力。
編程或寫入「0」為了將「0」寫入存儲器單元10，使得存儲單元10處於非導電狀態，將例如為5到8V的高電壓加到源極S14。將10到12V的第二高電壓加到控制柵30。漏極電壓保持在0V或者在0.3到1.0V量級的較小偏置電壓上。選擇柵20下面的恰好在電晶體閾值電壓Vt之上的小電壓例如Vt+ΔV(這裡ΔV為0.1到0.5V)加到選擇柵20上。選擇柵20上的電壓使電晶體在微安量級上從漏極16到源極14流過一個小電流。由於加在控制柵30和源極區14上的高電壓，在浮柵24上的電勢耦合很高。浮柵電壓Vf由下述方程可以得到Vf=(Vcg*C(f-Cg)+Vsel*C(f-sel)+Vs*C(f-s))/(C(f-Cg)+C(f-sel)+C(f-s))這裡Vcg是加到控制柵30上的電壓；Vsel是加到選擇柵20上的電壓；Vs是加到源極14上的電壓；C(f-Cg)，C(f-sel)和C(f-s)與前述定義相同。
施加Vcg=12V，Vs=8V和Vsel=1V，則Vf=9.1V。該電勢引起溝道近區34被拉高。在溝道18上面的浮柵24左邊沿下面的基片12的表面電勢被估計為大約1V，低於浮柵電壓或8V。由於選擇電晶體恰好被偏置在閾值電壓之上，選擇柵20下面的溝道電勢接近於為0V或小的偏置電壓的漏極電壓，正如前述。因此，在緊靠選擇柵20下面的溝道18中的區域和緊靠浮柵24下面的溝道18中的區域上產生了近似為8V的電壓差。在緊靠選擇柵20下面的溝道的區域和緊靠浮柵24下面的溝道的區域之間的間隙寬度近似為200到400。因此就產生了2到4MV/cm的電場，其高得足以引起熱電子從溝道18注入到浮柵24並且將浮柵24充電到非導電狀態。
在浮柵24和選擇柵20之間，在浮柵24和控制柵30之間和源極區14和浮柵24之間的重疊區域形成了存儲單元的電容性耦合元件。這些區域是垂直堆積或者沿側壁形成。由於垂直堆積元件的比率與定標無關以及側壁元件的電容僅僅依賴於多晶矽柵的厚度而非定標尺寸，存儲器單元10的耦合比率將不隨定標的傳統單元的耦合比率發生衰減。
由於由選擇柵20和控制柵30提供的對浮柵24的高耦合比率，浮柵24的寬度並不比圖1(b)所示的有源擴散區的寬度寬。由於這個原因，存儲器單元10的尺寸可以與傳統堆積柵型閃爍單元尺寸相比或小於它，傳統堆積柵型閃爍單元要求在浮柵和場氧化物區之間有某些重疊以增加耦合比率。
另外，由於分柵結構，存儲器單元10不具有堆積柵單元的過擦除問題。此外，存儲器單元10的一個獨特的特性是選擇柵20的長度能夠被限定在最小的線寬上。不同於傳統的分柵結構，存儲器單元10對對準變化是完全不靈敏的。這消除了在傳統分柵型閃爍存儲器單元中常見的穿通和漏電問題，這在美國專利US5，029，130中進行了示例。因此，存儲器單元10優越於傳統的堆積和分柵單元。
由於低的編程和擦除電流的性質，編程和擦除操作所要求的高電壓可以有共晶片電壓乘法器提供。電壓乘法器可以在單一的5V，3.3V或者更低的電源下工作。因此，該單元允許存儲器陣列在5V，3.3V或者更低電壓的單一電源下工作。
存儲器單元110的第二實例示於圖3的示意剖面圖中。存儲器單元110具有與圖1(a)所示實例的相同元件。因此，相同的數字用於指定類似的部件。圖3所示的第二實例和圖1(a)所示的第一實例之間的差別僅僅是控制柵30包裹著浮柵24，並且擴展到源極區14，但是從那裡被絕緣。存儲器單元110的優點是兩方面(1)控制柵30完全包裹著浮柵24使得在控制柵30和浮柵24之間的不對準將不影響單元110的耦合比率。(2)源極區14上的隧道氧化物區即位於靠近浮柵24邊沿的第三絕緣層28部分通常非常脆弱，在源極區離子注入工藝誘導下損壞。藉助完全包裹著浮柵24的控制柵30包括彎角，其用作為保護隧道氧化物的完整性。但是，為了使源極結到達隧道氧化物區下面的層次，在沉積控制柵30之前就形成n區14a。n區14a的形成是在形成浮柵24之後和在形成第四絕緣層32之前或之後通過直接離子注入完成的。注入離子的種類可以是AS或P+。隨後進行熱激發使注入離子擴散到浮柵下面的區域中。
圖4中示出了存儲器單元210第三實例的剖面示意圖。同樣，由於存儲器單元210類似於存儲器單元110和存儲器單元10，因此類似部件被指定為類似的數字表示。存儲器單元210與存儲器單元110和存儲器單元10之間的差別僅僅是1)存儲器單元210的控制柵30在漏極區16上具有一個與選擇柵20的邊沿對準的邊沿；和2)存儲器單元210的控制柵30在源極區14上具有另一個與浮柵24的邊沿對準的邊沿。
在控制柵30形成之前，限定選擇柵20和浮柵24，使得選擇柵20的左邊沿和浮柵24的右邊沿伸過控制柵30的極限尺寸。在控制柵30確定之後，控制柵30用作為刻蝕掩膜以刻蝕選擇柵20的左邊沿和浮柵24的右邊沿。存儲單元210的主要優點是單元尺寸小於存儲器單元110和10。缺點是選擇柵20的長度是控制柵30和選擇柵20之間非對準的函數，以及浮柵24的長度是控制柵30和浮柵24之間非對準的函數。
圖5(a)中示出了存儲器單元310第四實例的剖面示意圖。同樣，由於存儲器單元310類似於存儲器單元210，110和10，因此類似部件被指定為類似的數字表示。差別是溝道18被分成三個區。正如前述，選擇柵20定位在溝道18的第一部分38上，通過第一絕緣層22從那裡分開。浮柵24具有在選擇柵20上面的第一部分並且從那裡進行絕緣，和具有在基片12上面的第二部分並且從那裡進行絕緣以及擴展到在選擇柵20和源極區14之間的溝道18的第二部分37上。控制柵30具有在浮柵24上面的部分並且從那裡進行絕緣，和具有在選擇柵20上面的部分並且從那裡進行絕緣，以及是在溝道18的第三部分36上並且從那裡進行絕緣。另外，控制柵30伸展到漏極區16的上面，與漏極區16不接觸。對漏極區16的訪問是通過基片12上的漏極線完成的。圖5(b)中示出了第四實例的布置圖。藉助存儲器單元310，控制柵30還用作為存儲器陣列的字線。選擇存儲器單元310，當控制柵30偏置在高電壓或Vcc時，其接通直接在控制柵30下面的溝道18的部分36。偏置選擇柵20使得溝道18的部分38在讀期間總是接通。存儲器單元310是按與存儲器單元210，110和10相同的機制進行編程和擦除的。
圖6中示出了存儲器單元410第五實例的剖面示意圖。存儲器單元410類似於存儲器單元310。存儲器單元410與存儲器單元310之間的差別僅僅是選擇柵20具有一個與浮柵24的邊沿對準的邊沿，使用說明存儲器單元210時說明的類似的自對準技術。因此，控制柵30直接在浮柵24和溝道18上，但不直接在選擇柵20上。類似於存儲器單元310的實例，存儲器單元410具有包括三部分38，37和36的溝道，在該三部分38，37和36上分別具有選擇柵20，浮柵24和控制柵30。存儲器單元410的工作原理與存儲器單元310的工作原理相同。
參考圖7a，其示出了存儲器單元510第六實例。存儲器單元510類似於存儲器單元210。存儲器單元510與存儲器單元210之間的差別僅僅是控制柵30具有與浮柵24的第一邊沿和第二邊沿對準的第一邊沿和第二邊沿，使用說明存儲器單元210時說明的類似的自對準技術。因此，控制柵30直接在浮柵24和溝道18上，但不直接在選擇柵20上。另外，由於控制柵具有與浮柵24的兩個邊沿對準的兩個邊沿，該結構是自對準的。存儲器單元510的工作原理與存儲器單元210的工作原理相同。另外，存儲器單元510具有按前述存儲器單元10所說明的方法形成的源極區14和漏極區16。
參考圖7b，其示出了存儲器單元610第六實例的另一種變化。存儲器單元610類似於存儲器單元510。存儲器單元610與存儲器單元510之間的差別僅僅是選擇柵20還具有與浮柵24邊沿和控制柵30邊沿對準的邊沿。因此，控制柵30具有與浮柵24第一邊沿和選擇柵20的一個邊沿對準的第一邊沿。控制柵30具有與浮柵24第二邊沿對準的第二邊沿。存儲器單元610還具有按前述存儲器單元10所說明的方法形成的源極區14和漏極區16。存儲器單元610的工作原理與存儲器單元510的工作原理相同。
存儲器單元510和610的優點是控制柵30具有與浮柵24的第一邊沿和第二邊沿對準的第一邊沿和第二邊沿，由此能夠消除在控制柵30和浮柵24之間因未對準導致的敏感性。當控制柵30非均質地刻蝕時，刻蝕工藝能夠通過要變成控制柵30的多晶矽層、通過在控制柵30和浮柵24之間的絕緣層32進行，直到浮柵24按上述兩個邊沿的限定被完全刻蝕為止。然後，當刻蝕進行到浮柵24和選擇柵20之間的絕緣區26時，由於絕緣區26(一般為二氧化矽)能夠用作為刻蝕阻擋，在此刻蝕停止。當刻蝕進行到二氧化矽26時，刻蝕減慢，由此表明刻蝕工藝的結束。對於存儲器單元610，選擇柵20和基片溝道18之間的氧化物層22能夠用作為自對準刻蝕工藝中的刻蝕阻擋。但是，為了刻蝕通過選擇柵20，需要掩膜步驟以保護剩餘的存儲器單元、單元是其一部分的存儲器陣列、以及周邊區域，這些未被選擇柵20覆蓋。
最後，存儲器單元510的另一優點是可以有逐步階梯高度轉變(gradual step height transition)。在存儲器單元510中，從選擇柵20到浮柵24和控制柵30具有在高度上的逐次變化。由於有在高度上的逐次變化，不存在突變步驟，使潛在階梯覆蓋區問題(potential step coverage problem)最小化。另一方面，存儲器單元610將具有不利階梯覆蓋區問題(worse step coverageproblem)，並且選擇柵20的長度將受到控制柵30和選擇柵20之間對準的影響。但是，存儲器單元610可以在面積上比存儲器單元510小。
存儲器單元10，110，210，310，410，510或610能夠用在1996年3月18日申請的美國專利申請08/619，258公開的陣列中，其公開在此作為參考。另外，存儲器單元10，110，210，310，410，510或610能夠用在圖8所示的陣列中。存儲器單元分別以右陣列和左陣列40a和40b布置。
在優選實例中，存儲器單元在每一個陣列40a和40b中以每行512個單元布置。一組八行的閃爍單元構成一頁。在每一個陣列40a和40b中有256頁，或者2048(8×256)行的單元。因此，每一個陣列40a和40b中全部包含了大約為1兆(8×256×512)個單元，兩個陣列40a和40b結合具有2兆個單元。字線解碼器42置於右存儲器陣列40a和左存儲器陣列40b之間，並將它們分開。字線解碼器42在一個時間僅僅啟動存儲器陣列40a或40b的一個。字線解碼器42解碼地址信號44和選擇256頁線的一個，以及在所選擇頁的八個字線中選擇一個字線。因此，每個頁線啟動八行單元或(8×512)個或4096個單元。所選擇頁線還被進一步解碼為八個字線，每個字線被連接到在那個行中的每個單元的選擇柵20上。
類似地，靠近右邊存儲器陣列40a或靠近左邊存儲器陣列40b分別是控制柵和AVSS驅動器46a和46b。響應地址信號44，每個控制柵和AVSS驅動器46a和46b產生控制柵信號congx和地信號agndx(這裡x是從0到255)，其施加到一個存儲器陣列40a或40b的一頁上。因此，控制柵和AVSS驅動器46a產生256個cong信號和256個agnd信號，每個cong信號施加到右邊存儲器陣列40a一頁的單元的控制柵30上，每個agnd信號施加到右邊存儲器陣列40a一頁的單元的源極14上。控制柵和AVSS驅動器46b還產生256個cong和agnd信號，每個cong和agnd信號施加到左邊存儲器陣列40b一頁上。這示於圖9中。儘管圖9示出了具有兩個電晶體的每個存儲器單元，應當注意這僅僅是為說明的目的，並且至此是說明存儲器單元。
Cong信號由電荷泵100提供具有高電壓，如圖15所示。儘管圖8中所示的存儲器陣列是兩個電荷泵100，對於控制柵驅動器46a和46b中的每個各帶有一個(電荷泵100)，但是很清楚，一個單電荷泵100能夠給兩個控制柵驅動器46a和46b提供高電壓信號。
ARVSS信號通過電源82提供，如圖16所示。類似於電荷泵100，圖8中所示的存儲器陣列能夠為每個控制柵驅動器和AVSS驅動器46a和46b提供一個電源82，或者單電源82能夠給兩個控制柵驅動器和AVSS驅動器46a和46b提供電壓信號。電源82提供6-8V電壓，其在擦除和編程期間提供給ARVSS。在讀出期間，3.5V的電壓從VDD提供並且通過電晶體84提供。
在單元的每一頁中，有8個cong線，每個都提供電給一行的存儲器單元。但是，在單元的每一頁中，僅有4個agndx線，每個都提供電給兩行的存儲器單元。存儲器單元配置為具有源極14相互連接在一起的相鄰行的單元。因此，在每頁中僅僅需要4個agndx線以給8行的單元供電。
對於每個存儲器陣列40a和40b有八(8)個傳感放大器50。因此，每個傳感放大器50用作存儲器單元列的一個I/O塊，其由64位線的存儲器陣列40a或40b構成。由於正如前面所說明的，每個存儲器子陣列40a和40b包括512列的存儲器陣列，在每個存儲器陣列40a或40b中有8個I/O塊。第一傳感放大器50a1將用作存儲器I/O塊1，其包括連接到位線0-63的存儲器單元。第二傳感放大器50a2將用作存儲器I/O塊2，其包括連接到位線64-127的存儲器單元，等等。在讀出或編程期間，在每個I/O塊中選擇64位線的特定一個是由地址線A0…A5完成的。另外，傳感放大器50a和50b能夠被結合成僅僅為8個傳感放大器用於存儲器陣列40a和40b，其帶有選擇存儲器陣列40a或存儲器陣列40b的地址線A17。
在讀出操作期間，Y通電路60將所選擇的位線連接到合適的傳感放大器。在讀出操作期間A/C碼電路70是不工作的。在字節編程期間，Y通電路60將所選擇的位線連接到合適的數據緩存器80，同時A/C碼解碼電路70將每個存儲器I/O塊中沒有選擇的位線連接到電壓源Vcc(見圖11和12(a和b))以防止電流在沒有選中單元中的流動。
儘管圖9所示的A/C碼電路70是作為接近存儲器陣列40a或40b的「頂部」定位的，即在定位在Y通電路60和傳感放大器50和數據緩存器80一側的相反側上，這僅僅是為了說明而示例性的。實際上，A/C碼電路70布置在存儲器子陣列40a和40b上，如圖10和12(a和b)所示。
正如圖10中所示，I/O塊中的每個64位線也向為通道電晶體(pass transistor)的Y通電路60供電。每個Y通電路60接收列選擇信號Yx(x=0-63)。列選擇信號Yx是從選擇左邊或右邊存儲器陣列50a和50b的地址信號A0…A5和A17解碼來的信號。每個Y通電路60將I/O塊的每個位線連接到傳感放大器50，與該I/O塊相關。選擇左傳感放大器50b或選擇右傳感放大器50a是由地址線A17完成的。
當地址信號A0…A5的一個組合選擇了I/O塊中的特定位線時，在其它七個I/O塊之一個中的對應位線也被選擇了。例如，如果地址線A0…A5上的地址信號使得選中了來自I/O塊1(0-63位線)的位線10，則也選中來自I/O塊2(64-127位線)的位線74和來自I/O塊3(128-193位線)的位線138等。簡言之，當來自存儲器子單元的編程或讀出操作發生了給Y通電路通電時，就能夠同時進行8個數據信號的編程或讀出操作。
參考圖11，其示出了A/C碼解碼電路70，Y通電晶體60，傳感放大器50和與64位線的I/O塊1相聯繫的數據緩存器80的示意圖。
參考圖12，其較詳細示出了圖11中所示的A/C碼解碼電路70的一個例子。A/C碼解碼電路70接收地址線A0…A5以及求反信號線0…5。因此，12個地址線給每個A/C碼解碼電路70供電。依賴於每個地址信號是否給通道電晶體的柵極供電，相關位線被連接到或不被連接到電壓源Vcc。例如，為了將位線0連接到Vcc，地址信號A0，A1，A2，A3，A4和A5之一個將不得不為高。對於位線1，地址信號0，A1，A2，A3，A4和A5之一個將不得不為高。正如前面所討論的，A/C碼電路70在字節編程期間將沒有選中的位線連接到Vcc。因此，在字節編程期間，僅僅A17使能存儲器陣列50a或存儲器陣列50b。而且，在每個I/O塊中，64位線的63將通過A/C碼電路70被連接到Vcc。
參考圖12(b)，其示出了位線布置和形成一部分A/C碼電路70之相關電晶體的平面圖。從圖12(b)可以看出，A/C碼電路70的布置是非常緊湊的，很象ROM碼布置圖。
類似地，每個Y通電晶體60接收列選擇信號Yx(其也是從地址信號A0，A1，A2，A3，A4和A5及A17解碼來的)並且將選擇的位線連接到數據緩存器80。如果供給數據緩存器80的信號D為高，(或者輸入數據=「1」)，則選擇的位線被連接到Vcc----恰好與相同I/O塊中所有剩餘的63位線一樣。當輸入數據=「1」時，單元保持在被擦除狀態。如果供給數據緩存器80的信號D為低，(或者輸入數據=「0」)，則選擇的位線被連接到Vcc。這編程所選擇的單元。
每個字線是由多晶矽1(多晶1)層做成的。每個單元的每個浮柵24是由多晶矽2(多晶2)層做成的。連接到單元控制柵30的每個congx線是由多晶矽3(多晶3)層做成的。連接到單元源極14的每個agndx線是由基片上的擴散層做成的。最後，連接到單元漏極16的每個位線是由金屬1(金屬1)層做成的。
Congx線(多晶3)是從陣列40a或40b的周邊即從控制柵和AVSS驅動器46a或46b上向字線解碼器42供電的，並且在編程和擦除期間帶有高電壓，和與字線(多晶1)平行。它們不交叉字線，它們也不交叉位於陣列40a和40b之間的字線解碼器42。而且，由於agndx線(擴散)是從陣列40a或40b的周邊即從控制柵和AVSS驅動器46a或46b上向字線解碼器42供電的，並且在編程和擦除期間帶有高電壓以及與字線(多晶1)平行，它們不交叉字線，它們也不交叉位於陣列40a和40b之間的字線解碼器42。而且，由於cognx線(多晶3)和agndx線(擴散)僅從周邊從向對應的存儲器子陣列供電，不交叉位於存儲器子陣列40a和40b之間的字線解碼器42，因此控制柵/AVSS驅動器46a或46b的設計允許該電路具有在Y方向(與多晶1/多晶3/擴散線的垂直方向)上為雙倍的存儲器單元的節距。這允許對控制柵陣列接地或AGNDx驅動器46a或46b有較容易的布圖設計。通過將字線解碼器42和字線從congx線分開，其帶有相互來的高電壓和高電壓源100，藉助其間的存儲器陣列，能夠使高電壓的有害影響最小。
為了減小字線(多晶1)和陣列Vss(或AGND)線(擴散)電阻，採用了第二金屬層(金屬2)。金屬2層完全用作各種線的相互搭接或連接。金屬2層與行線(多晶1)，cognx線(多晶3)和agndx線(擴散)平行對準，與位線(金屬1)垂直。因此，金屬2層定位在每個多晶1，多晶3和擴散線上並交叉金屬1線。在控制柵線(congx線，其是多晶3)工作時，電阻不是關鍵。因此，每頁的控制柵線(congx，或多晶3)在存儲器陣列的結尾是短路的。
由於每個陣列40a和40b是由多頁構成的，因此相對於一頁來解釋各種線的搭接。一頁中字線(多晶1)的搭接示於圖13中，並如下所述。一頁中有八個字線，指定為WL0，WL1，WL2，WL3，WL4，WL5，WL6和WL7。四個金屬2線的每一個都連接到靠近單元0，單元64，單元128等的字線WL0，WL2，WL4和WL6的每一個。另外四個金屬2線的每一個都連接到靠近單元32，單元96，單元160等的字線WL1，WL3，WL5和WL7的每一個。因此，奇數和偶數字線交替地搭接空間32分開的單元。金屬2到多晶1的搭接是經過從金屬2到金屬1用從金屬1到緊靠近它的多晶1之接觸實現的。
對於在每頁中擴散線或AGND的搭接，圖14示出了該搭接，並且按照下述。在每頁中，有4個擴散線或AGND線，每一個都供給具有連接到一個擴散線之源極14的相鄰行單元的兩行存儲器單元。單金屬2部分平行對準四個擴散線。
每頁中擴散線對金屬2的搭接如下所述。提供有多個金屬1部分。金屬1線垂直於擴散線放置，並且通過32單元彼此在空間上分開。金屬1線靠近單元0，單元32，單元64等放置。另外，用於每頁的金屬1部分與用於其它頁的金屬1的每個部分空間上分開。每個擴散線具有對在該頁中金屬1部分的接觸孔。金屬1依次通過臨近在金屬1和擴散線之間接觸孔的通路孔連接到金屬2。
因此，總之，在每頁內有9個金屬2線，它們都平行於8個字線。在每個32單元中(或者搭接位置)，使用了9個金屬2線的的5個。5個金屬2線的的4個用於搭接到8個字線的4個上。並且第五個金屬2線用於搭接到擴散線AGND。在隨後的搭接位置即32單元分開處，另一4個金屬2線用於搭接到其它8個字線的4個上。第5金屬2線用於搭接擴散線AGND。
正如前述，在每個陣列40a或40b中，有512列，被分成8個I/O塊，每個I/O塊包括64位線(圖9中所示)。64位線的每一個是由6個地址信號的一個通電的。當通電了一個位線時，不選擇所有其它的位線。
在頁擦除期間，一頁的所有8×512個單元是同時被擦除的。這含有被施加到4個agndx線的6V電壓，這裡x是所選擇頁(0-255)。8個對應的congx線(x=0-255)將具有在其上施加的-10.0V的電壓。所選擇陣列的所有位線處於3.5V電壓，而所選擇陣列的所有字線接地。
在讀出期間，所選擇頁的各種線上的電壓按照下述。四個AVSS線或agndx線都接地。相同選擇頁中的congx線偏置在1.5V。所選擇的位線將連接到1.5V的電源。相同I/O塊中的所有沒有選擇的位線將懸浮或在其上加0電壓。選擇的字線偏置在Vcc。所有其它的字線偏置在0V。流過所選擇位線的所選擇存儲器單元(如果存儲器單元導電)的電流由相關的通過Y通電晶體60連接到所選擇位線的傳感放大器50檢測。
最後在字節編程期間，所選擇頁的所選擇agndx線(x=0-255)連接到6V的電源。相同選擇頁的所有8個congx線(x=0-255)連接到10V的電源。相同選擇頁字線的8個線(0-7)之一個(x=0-255)連接到+1.5V的電源。在此，相同選擇行的所有512個單元將具有下列電壓字線上為+1.5V，控制柵線上為10V和選擇行中單元的源極14上為6V。選擇頁中沒有選中行的所有其它存儲器單元將具有下述電壓字線上為0.0V，控制柵線上為10V和行中單元的源極14上為6V。最後，沒有選中頁的所有行將具有下述電壓字線上為0.0V，控制柵線上為0.0V和源極14上為0.0V。選中的位線電壓依賴於輸入數據。當數據=「0」時，電壓為0V。當數據=「1」時，電壓大約為3.5V。沒有選中位線上的電壓大約為3.5V。
測試格盤測試圖具有AC碼電路70的本發明存儲器陣列還特別適合於容易測試。在字節編程操作期間，來自外部的數據供給存儲器陣列並被編程到所選擇的單元中。在字節編程中，選擇的8位為每位具有消耗大約10微安總共為大約80微安的電流。另外字節編程時間大約為10-20微秒。
由於編程時存儲器單元10，110，210，310，410，510，或610使用了非常低的電流，因此在測試時有可能同時編程選擇頁所有512個字節的固定測試圖形。這極大地加快了測試過程。特別是，如果編程分配了100微秒，在測試期間，則將被編程的每個單元的電流消耗將僅僅在1微安的量級。對於每頁4K位，這將要求大約總共為4毫安，其仍然在機載電壓泵的範圍內。因此，在測試期間具有固定圖形的512位元組的編程將僅僅要求100微秒。對比之下，如果測試是使用字節編程技術進行的，這將要求大約為5120微秒的最小量。因此，在50×量級上的時間節省可以在機載測試中實現。
在運載工具上測試是通過圖12a中所示的AC碼電路70實現的。特別是，通過選擇測試信號即測試1，測試2，測試3或測試4，能夠將選擇電壓加在位線上。通過控制柵線，字線，和AGND上施加有其它合適的電壓，能夠同時編程選擇頁的存儲器單元。測試1和測試3加在奇數位線，而測試2和測試4加在偶數位線。
地址線A0連接到每個偶數位線例如BL0，BL2，BL4，…BL62的電晶體上，而其補碼線連接到每個奇數位線例如BL1，BL3，BL5，…BL63的電晶體上。地址線A1連接到每隔兩個連續位線從BL0開始例如BL0，BL1，BL4，BL5，…BL61的電晶體上。當然，其補碼線連接到每隔兩個連續位線的從BL2開始例如BL2，BL3，BL6，BL7，…BL62，BL63的電晶體上。地址線A2連接到每隔四個連續位線從BL0開始例如BL0，BL1，BL2，BL3，…BL59的電晶體上。當然，其補碼線連接到每隔四個連續位線的從BL4開始例如BL4，BL5，BL6，BL7，…BL60，BL61，BL62，BL63的電晶體上。地址線A3連接到每隔八個連續位線從BL0開始例如BL0-BL7，…BL55的電晶體上。當然，其補碼線連接到每隔八個連續位線的從BL8開始例如BL8-BL15，…BL56-BL63的電晶體上。地址線A4連接到每隔十六個連續位線從BL0開始例如BL0-BL15，…BL47的電晶體上。當然，其補碼線連接到每隔十六個連續位線的從BL16開始例如BL16-BL31，…BL48-BL63的電晶體上。最後，地址線A5連接到每隔32個連續位線從BL0開始例如BL0-BL31的電晶體上。當然，其補碼線連接到每隔32個連續位線的從BL32開始例如BL32-BL63的電晶體上。
圖12a表示了AC碼70的布置圖，其包括示於圖12b的用於測試電路的電晶體。擴散中的剖開表示氧化物區。在多晶矽的地址線(或測試1，測試2，測試3和測試4線)交叉擴散區處，形成了電晶體。
例如(例1)，如果希望選擇頁中來自I/O埠之一的位圖是偶數字線00000000等奇數字線11111111等則測試1和測試2為低，而測試3和測試4為高。偶數字線接1.5V，奇數字線接地。選擇頁中所有的控制柵為10V。選擇頁中所有的AGND線為6V的編程電壓。
另一例子(例2)的位圖形為奇數字線00000000等偶數字線11111111等。
這恰是例1的反例。僅有的區別是奇數字線和偶數字線上的電壓交換了。
另一例子(例3)的位圖形為偶數字線10101010等奇數字線11111111等。
在這種情況下，測試1和測試4為高，測試2和測試3為低。偶數字線接1.5V，奇數字線接0V。
另一例子(例4)的位圖形為奇數字線10101010等偶數字線11111111等。
這恰是例3的反例。奇數字線和偶數字線上的電壓交換了。
組合例3和例4產生的測試位圖形是奇數字線10101010等偶數字線01010101等。
其它測試位圖包括奇數字線10101010等偶數字線11111111等。(例5)和偶數字線01010101等奇數字線11111111等。(例6)和偶數字線00000000等奇數字線00000000等。(例7)用於在選擇頁中產生測試圖形的電壓如下數據「0」 「1」 「1」 「1」AGND6v 6v 6v 6vCONG10v 10v 10v 10vWL 1.5v 1.5v 0v 0vBL 0v 3.5v 0v 3.5v應力測試測試期間單元能夠進一步施加應力以確定其可靠性。按前述設置的編程電壓能夠增加以增加存儲器單元上的應力。施加到選擇頁的非選擇行中的單元或選擇行中的單元之CONG上的電壓增加近1.5V。在圖15所示的電路中，電壓泵90產生接近13.0V的輸出信號VPG。該高電壓通過引起大約1.5V的一個二極體壓降的電晶體98(其柵極連接到漏極)提供。因此，大約11.5V提供給電晶體92。在正常工作期間，電晶體92(其柵極連接到漏極)也引起大約1.5V的一個二極體壓降。因此，在正常工作期間，大約10.0V的電壓是作為輸出信號VCONG提供的。但是在測試期間，HPGN信號為高。這引起電平移位器94通電，其接通了電晶體96。當電晶體96導通(和其柵極為大約13V)時，其引起來自泵的電壓旁路電晶體92，由此提供11.5V的電壓給CONG線。這引起在測試期間在被擦除的單元上設置了附加的電壓應力。因此，能夠減小測試期間的測試時間以取得相同的應力效果。
負電壓電路圖17是表示在編程，頁擦除，和讀出的各種操作期間施加到存儲器單元上的電壓圖表。標識為單元A，B，C，E和G的單元涉及圖9中所示的單元。
圖中示出，每個控制柵和AVSS驅動器46能夠看成包括256個控制單元48，它們每一個都以圖18中方框圖形式示出。每個控制柵和AVSS驅動器46a和46b都接收從輸入頁地址產生的20頁預先解碼器輸出線，它們被分成三組xp1v0-3；xp24-11和xp312-19，來自xp1的頁預先解碼器線的輸出之一，和來自xp2的頁預先解碼器線的輸出之一，和來自xp3的頁預先解碼器線的輸出之一被提供給每個控制單元48的三輸入與非門69。與非門69的輸出由反相器72反相。如果供給與非門69的三個選擇信號為高，則反相器72的輸出，信號en，將為高。這作為輸入供給第二與非門52，時鐘信號clk作為其它輸入信號之一供給第二與非門52。第二與非門52的輸出是信號pumpb，其是解碼的clk信號，即如果控制單元48是選擇的或解碼的控制單元48，信號pumpb是時鐘信號。如果沒有選擇控制單元48，則信號pumpb留在高電平，不進行計時。信號pumpb提供給電路塊49。
電路塊49的輸出是信號agnd和cong。信號cong是泵浦的負電壓，其在擦除期間提供給上述的閃爍單元10，110，210，310，410，510或610的控制柵。在優選的實施例中，上述閃爍單元配置成陣列，具有連接在相同頁的相同8行中的512×8個單元的控制柵上的公共控制柵線。正如圖19中所示，公共控制柵線僅僅從控制柵驅動器(46a或46b)伸展到存儲器陣列部分(40a或40b)，不伸展到字線解碼器42。
輸出信號agnd還同時提供給相同頁(或8行存儲器單元)的存儲器單元的源極。因此，通過將(6-7V)的電壓提供給配置成相同8行(或頁)中的單元的源極，和通過將(-10V)的負電壓提供給配置成相同8行的相同單元的控制柵，基於解碼的地址信號和時鐘信號，8行中的單元能夠被同時擦除。
正如圖20所示，電路決49包括接收信號arvss的第一鎖定電路54，其是在編程和擦除期間提供的電源信號(6-7V)。另外，電路塊49還接收使能信號en和enb或en。電路塊49響應產生agnd信號。第一電路54接收信號arvss並且具有兩個平行的電流通路，使能信號en和en(反相器72和與非門69的輸出)分別加在其上。當使能信號en或en信號為高時，另一個就應為低。這僅僅引起一側的第一電路54為高。標記為15和17的兩個PMOS電晶體交叉連接，使得如果一個PMOS電晶體導通，則另一個就將截止。如果使能信號en為高，其意味選擇頁是用於編程或擦除，則這引起電晶體148導電，使agnd為低，其接通PMOS電晶體17。這引起提供的arvss信號是作為輸出agnd信號。如果使能信號en為低，其意味著讀模式或沒有選擇用於編程或擦除的頁，則電晶體150是導電的。這是因為enb或en為高。這引起agnd接地。
使能信號en或en還提供給鎖定電路56。鎖定電路56類似於第一電路54，在於其具有兩個平行的電流通路，交叉耦合一對PMOS電晶體。信號Vcong提供給兩個PMOS電晶體的源極。Vcong在編程期間為提供給選擇頁存儲器單元之控制柵的10-12V電壓，在讀出模式期間大約為3.5V電壓以及在擦除模式期間大約為1.5V電壓。PMOS電晶體116的漏極提供輸出信號v0。在該結構中，鎖定電路56阻止DC電流流動。當en為高時，電晶體125導通，將信號sig連接到vob。擦除期間，sig是0V。這接通PMOS電晶體116，引起vcong(或1.5V)被供給v0。編程期間，sig是1.5V。但是，供給PMOS電晶體116的源極的電壓近似為10V。因此，當en為高時，近似為10V的電壓在編程期間將被供給v0。最後，當en為低時，enb為高。這接通電晶體126，將v0連接到sig或近似為1.5V。讀出模式期間，所有的控制柵為1.5V。
最後，電路塊49包括第二電路58，在擦除期間，其將負高電壓提供給選擇頁存儲器單元的控制柵。在編程和讀出模式期間，電路58的電晶體132導通以將電壓V0傳到cong，其被連接到存儲器單元的控制柵。在擦除模式期間，電晶體132和64截止並且控制柵電壓由電路塊58提供。第二電路58從鎖定電路56中接收泵信號pumpb和輸出信號v0。第二電路58還包括啟動器電路61，其接收負電壓信號neghi，在擦除期間，該電壓信號為-10V量級，在編程期間為+10V和在讀出期間為3.5V。
啟動器電路61包括PMOS型電晶體61，其具有柵極，源極和漏極，連接源極以接收輸入信號neghi，以及連接柵極以接收輸入信號ngate。啟動器電路61的工作如下。當在擦除模式輸入信號ngate為-4V量級時，PMOS電晶體61導電。但是，由於加在PMOS型電晶體61源極(即信號neghi)的電壓要更負於加在PMOS型電晶體61柵極(即信號ngate)的電壓，因此在PMOS型電晶體61漏極的輸出將為-4V+｜Vth｜或近似為-2.75V。這是信號phb。Phb提供給PMOS電晶體68的柵極，對此信號neghi提供給其漏極。由於加在PMOS型電晶體68柵極電壓(在-2.75V量級)不負於漏極電壓(在-10V量級)，因此源極電壓將為-2.75V+｜Vthp｜量級或近似為-1.5V。這是輸出信號cong。
對於沒有選擇的控制柵，泵信號pumpb不是計時時鐘。Cong的輸出電壓是-1.5V。對於選擇的控制柵，泵信號pumpb是計時時鐘，其引起信號phb變得更負。隨著泵信號pumpb開始泵浦，信號phb開始變得更負。這順次引起輸出信號cong變得更負。Cong信號也被連接到電晶體66，其在時鐘斷路周期期間順次將更負的電壓提供給節點phb。該正反饋繼續將cong泵浦到neghi。信號phb和cong之泵浦作用的波形示於圖22。Cong1被泵浦到-10V。
圖21表示(選擇的)和(沒有選擇的)信號波形。對於沒有選擇的控制柵，phb不是計時時鐘。因此對於沒有選擇存儲器單元的cong電壓近似為-1.5V或(-2.75+｜Vthp｜)。
在擦除，編程和讀出三種操作模式中說明的各種信號電壓如下擦除編程讀出arvss 6v 6v3.5vvcong 1.5v 10v 3.5vneghi -10v 10v 3.5vngate -4v 10v 3.5vvgate 1.5v 0v0v
sig 0v 1.5v1.5vagnd 6v-s6v-s00v-n0v-n0cong-10v-s 10v-s 1.5v-1.5v-n 1.5v-n這裡s是對於選擇的存儲器單元，n是對於沒有選擇的存儲器單元。
權利要求
1．一種電可擦除和可編程只讀存儲器陣列，所述陣列包括存儲器單元陣列，每個存儲器單元包括具有多個端子的浮柵存儲器電晶體，所述存儲器單元陣列配置成多行和多列；連接到所述陣列的所述多行存儲器單元的多個字線，同時一條字線連接到相同行中的存儲器單元；行解碼器，其位於靠近所述陣列一側並連接到所述多個字線，用於接收地址信號和用於將低電壓信號提供給在此響應的所述多個字線；連接到所述陣列的所述多行存儲器單元的多個編程線；與所述多個字線平行但空間分開並且僅僅擴展到所述行解碼器的所述多個編程線；和高電壓發生電路，其位於靠近所述陣列的另一側，即相對的一側，並且連接到所述多個編程線，用於接收所述地址信號和用於將高電壓信號提供給在此響應的所述多個編程線。
2．權利要求1的陣列，其中所述存儲器單元陣列是存儲器單元的第一子陣列，其中所述多個字線是第一多個字線，其中所述多個編程線是第一多個編程線；並且其中所述高電壓發生電路是第一高電壓發生電路。
3．權利要求2的陣列，還包括存儲器單元第二子陣列，每個存儲器單元包括具有多個端子的浮柵存儲器電晶體，所述存儲器單元第二子陣列配置成多行和多列；所述存儲器單元第二子陣列具有靠近所述行解碼器的一個側面位置；連接到所述第二子陣列的所述多行存儲器單元的多個第二字線，一條第二字線連接到相同行中的存儲器單元；每個所述第二字線與所述第一子陣列存儲器的所述第一字線之一基本上平行於和成直線；連接到所述第二子陣列之所述多行存儲器單元的多個第二編程線；與所述多個第一編程線成直線但空間分開並且僅僅擴展到所述行解碼器的所述多個第二編程線；和第二高電壓發生電路，其位於靠近所述第二子陣列的另一側，即相對的一側，並且連接到所述多個第二編程線，用於接收所述地址信號和用於在此響應將高電壓信號提供給所述多個第二編程線。
4．權利要求3的陣列，每個存儲器單元還包括半導體基片，其具有第一區和第二區，其間具有溝道，所述第二區具有比所述第一區更大的摻雜濃度；在所述基片上並從這裡絕緣開的選擇柵，其擴展到所述溝道的第一位置上；浮柵，其具有在所述選擇柵上的第一位置並從這裡絕緣開，以及具有從所述基片絕緣開和擴展到所述溝道的第二部分以及所述第二區的一部分並且位於所述選擇柵和所述第二區之間的第二位置；在所述浮柵上並從這裡絕緣開的控制柵。
5．權利要求4的陣列，其中每個所述第一和第二字線連接到所述存儲器單元的選擇柵。
6．權利要求5的陣列，其中每個所述第一和第二編程線連接到所述存儲器單元的控制柵。
7．權利要求2的陣列，還包括連接到所述第一子陣列之所述多行存儲器單元的多個第二編程線；與所述多個第一編程線平行但空間分開，並且連接到所述高電壓發生電路的所述多個第二編程線。
8．權利要求7的陣列，其中每個第一編程線和第二編程線連接到相同行的存儲器單元。
9．權利要求3的陣列，還包括連接到所述第一子陣列之所述多行存儲器單元的多個第三編程線；與所述多個第一編程線平行但空間分開，並且連接到所述第一高電壓發生電路的所述多個第三編程線；連接到所述第二子陣列之所述多行存儲器單元的多個第四編程線；與所述多個第二編程線平行但空間分開，並且連接到所述第二高電壓發生電路的所述多個第四編程線。
10．權利要求9的陣列，其中第一編程線和第三編程線連接到所述第一子陣列的相同行中的存儲器單元，和其中第二編程線和第四編程線連接到所述第二子陣列的相同行中的存儲器單元。
11．一種存儲器陣列，包括配置成多行和多列之陣列的多個存儲器單元；多個矽線，其由摻雜矽製成，連接到所述多行的存儲器單元，同時矽線連接到相同行中的存儲器單元；多個金屬搭接線，每個都平行於矽線；和多個空間分開的連接器，其與每個矽線相關，用於將所述矽線電連接到其相關的金屬搭接線上；其中，矽線的每個所述空間分開的連接器並不配置成與相鄰矽線的空間分開連接器成相同列；其中，矽線的每個所述空間分開的連接器配置成與靠近相鄰矽線之矽線的空間分開連接器成相同列。
12．權利要求11的存儲器陣列，其中每個所述矽線由摻雜的多晶矽製成。
13．權利要求11的存儲器陣列，其中每個所述存儲器單元是非易失性存儲器單元。
14．一種存儲器陣列，包括配置成多行和多列的陣列的多個存儲器單元；多個矽線，其由摻雜矽製成，連接到所述多行的存儲器單元，同時矽線連接到相同行中的存儲器單元；所述多個矽線被分成多組，每組具有多個矽線；多個第一金屬搭接線，每個都基本上垂直於矽線，同時第一金屬搭接線與每組所述多個矽線相關；和多個連接器，每個都與一組的矽線相關，用於將所述多個矽線電連接到與所述組相關的第一金屬搭接線上；多個第二金屬搭接線，每個都基本上垂直於第一金屬搭接線並在此連接，同時一個第二金屬搭接線與每組所述多個矽線相關。
15．權利要求14的存儲器陣列，其中每個所述矽線由摻雜的單晶矽製成。
16．權利要求14的存儲器陣列，其中每個所述存儲器單元是非易失性存儲器單元。
17，一種電可擦除和可編程只讀存儲器陣列，包括配置成多行和多列的非易失性存儲器單元的陣列，同時每個存儲器單元包括具有多個端子的浮柵存儲器電晶體，其中所述多個端子之一個是數據端子，其中數據在編程期間能夠被提供給每個所述存儲器單元；連接到配置成相同列的所述多個存儲器單元的所述數據端子的多個列線；和測試電路，用於響應測試信號將所述多個列線連接到電壓源。
18．權利要求17的陣列，其中所述測試電路還包括第一測試電路，用於響應第一和第二測試信號將奇數列線連接到第一和第二電壓源；第二測試電路，用於響應第三和第四測試信號將偶數列線連接到第三和第四電壓源。
19．權利要求18的陣列，其中所述第一和第三電壓源是相同的。
20．權利要求19的陣列，其中所述第二和第四電壓源是相同的。
21．權利要求20的陣列，其中所述第一測試電路包括第一MOS電晶體，其具有空間分開的第一和第二端子，其間具有溝道，以及用於控制在所述第一和第二端子之間導電電流的第三端子，所述第三端子用於接收所述第一測試信號，並且所述第一端子連接到所述第一電壓源和所述第二端子連接到所述奇數列線；第二MOS電晶體，其具有空間分開的第一和第二端子，其間具有溝道，以及用於控制在所述第一和第二端子之間導電電流的第三端子，所述第三端子用於接收所述第二測試信號，並且所述第一端子連接到所述第二電壓源和所述第二端子連接到所述奇數列線。
22．權利要求21的陣列，其中所述第二測試電路包括第三MOS電晶體，其具有空間分開的第一和第二端子，其間具有溝道，以及用於控制在所述第一和第二端子之間導電電流的第三端子，所述第三端子用於接收所述第三測試信號，並且所述第一端子連接到所述第三電壓源和所述第二端子連接到所述偶數列線；第四MOS電晶體，其具有空間分開的第一和第二端子，其間具有溝道，以及用於控制在所述第一和第二端子之間導電電流的第三端子，所述第三端子用於接收所述第四測試信號，並且所述第一端子連接到所述第四電壓源和所述第二端子連接到所述偶數列線。
23．權利要求22的陣列，其中每個所述列線由摻雜的單晶半導體製成，並且其中每個所述第一，第二，第三和第四MOS電晶體包括與所述列線集成的第一和第二端子，並且其中所述第三端子由多晶矽形成，與所述溝道絕緣開。
24．權利要求22的陣列，還包括多個第一測試電路，每個第一測試電路連接到所述奇數列線。
25．權利要求23的陣列，還包括多個第二測試電路，每個第二測試電路連接到所述偶數列線。
26．一種用於測試具有浮柵存儲器電晶體類型的非易失性存儲器單元的方法，每個存儲器電晶體具有多個端子，包括編程端子，其用於編程所述存儲器單元，所述方法包括產生第一電壓，足以用於編程所述存儲器電晶體；在所述存儲器電晶體工作期間將所述第一電壓提供給所述編程端子；產生第二電壓，其大於所述第一電壓，並且也足以用於編程所述存儲器電晶體；和在所述存儲器電晶體測試期間將所述第二電壓提供給所述編程端子。
27．權利要求26的方法，用於測試多個所述非易失性存儲器單元，每個類型都具有浮柵存儲器電晶體，每個存儲器電晶體具有多個端子，包括編程端子，其用於編程所述存儲器單元；所述多個所述非易失性存儲器單元配置成多行和多列的陣列。
28．權利要求27的方法，其中所述提供所述第二電壓的步驟將所述第二電壓提供給非選擇存儲器單元。
29．權利要求27的方法，其中所述提供所述第二電壓的步驟將所述第二電壓提供給所選擇的存儲器單元。
30．權利要求27的方法，其中所述第一電壓是由降低所述第二電壓產生的。
31．一種電可擦除和可編程只讀存儲器陣列，包括配置成多行和多列的非易失性存儲器單元的陣列，每個存儲器單元包括具有多個端子的浮柵存儲器電晶體，其中所述多個端子之一個是編程端子，其中電壓能夠被提供在其上以編程所述存儲器單元；用於產生第一電壓的第一電路；具有輸入，輸出，以及在所述輸入和所述輸出之間的兩個電流通路的旁路電路；其中所述兩個電流通路之一個具有在所述輸入和所述輸出之間的電壓降；並且所述兩個電流通路之另一個是連接到所述輸出的所述輸入，所述旁路電路響應控制信號用於控制沿著所述另一電流通路被提供給所述輸入的電壓；所述第一電壓提供給所述旁路電路的所述輸入；所述旁路電路的所述輸出連接到所述編程端子；以及控制信號發生器，用於在測試模式時產生所述控制信號。
32．權利要求31的陣列，其中在相同行中多個所述存儲器單元的所述編程端子連接在一起。
33．權利要求32的陣列，其中在測試期間所述第一電壓被提供給在相同選擇行中的存儲器單元的全部編程端子。
34．權利要求32的陣列，其中在測試期間所述第一電壓被提供給在多個所選擇行中的存儲器單元的全部編程端子。
35．權利要求31的陣列，其中所述旁路電路包括第一電晶體，其具有第一和第二端子，其間具有溝道，以及用於控制在第一和第二端子之間導電電流的柵極，所述柵極連接到所述第一端子，並且其中所述一個電流通路是通過所述電晶體的溝道，並且其中所述另一個電流通路是從第一端子到所述柵極；和控制電晶體，其具有第一和第二端子，其間具有溝道，以及用於控制在第一和第二端子之間導電電流的柵極，所述柵極用於接收所述控制信號，並且所述第一端子連接到所述第一電晶體的所述第一端子；和其中所述控制電晶體的所述第二端子和所述第一電晶體的所述第二端子在所述輸出連接在一起。
36．一種存儲器陣列，包括配置成多行和多列的非易失性存儲器單元的陣列，同時每個存儲器單元包括具有多個端子的浮柵存儲器電晶體，其中所述存儲器電晶體是至少具有第一和第二端子的類型，其中在擦除期間，擦除電壓施加到所述第一和第二端子，並且其中在編程期間，編程電壓施加到所述第一和第二端子；多個第一線，每個都連接到相同行中存儲器單元的第一端子；多個第二線，每個都連接到相同行中存儲器單元的第二端子；存儲器單元的所述陣列配置成多組，同時每組包括多行的存儲器單元；用於產生所述擦除電壓的第一電路；用於產生所述編程電壓的第二電路；和解碼電路，用於接收地址信號和用於將所述擦除電壓或編程電壓提供給選擇組的所述第一和第二線。
37．權利要求36的陣列，其中每個所述存儲器單元還包括第三端子；第四端子；多個第三線，每個都連接到相同行中所述存儲器單元的第三端子；多個第四線，每個都連接到相同列中所述存儲器單元的第四端子；其中施加到所選擇組中存儲器單元的所述第三和第四端子上的選擇電壓的組合確定了所述選擇組中選擇存儲器單元的編程。
38．權利要求37的陣列，其中所述解碼電路是第一解碼電路，並且其中所述陣列還包括第二解碼電路，用於接收所述地址信號和用於提供選擇電壓以選擇在所述選擇組中的所述多個第三線之一的一個第三線，其中所述選擇存儲器單元連接到所述選擇的第三線；將要編程的數據存儲到所述選擇存儲器單元的數據存儲緩存器被連接到選擇的第四線；和其中，所述選擇的第四線連接所述選擇的存儲器單元的第四端子。
39．權利要求38的陣列，還包括用於產生非選擇電壓的第一電路；和第二電路，用於將所述非選擇電壓連接到多個第四線，它們不連接到選擇存儲器單元的第四端子。
40．一種存儲器陣列，包括配置成多行和多列的非易失性存儲器單元的陣列，每個存儲器單元包括具有多個端子的浮柵存儲器電晶體，其中所述存儲器電晶體是至少具有一個端子的類型，其中在編程期間，編程電壓施加到選擇存儲器單元的所述一個端子上，並且非選擇電壓施加到不連接所選擇存儲器單元的所有存儲器單元的所述一個端子上；多個第一線，每個都連接到相同列中存儲器單元的第一端子；和解碼電路，用於接收地址信號和用於將所述非選擇電壓提供給不連接到所述選擇存儲器單元之第一端子的所述第一線。
41．權利要求40的陣列，其中所述解碼電路還包括多個電晶體，每個電晶體包括第一端子，第二端子，其間具有溝道，以及用於控制在所述第一端子和所述第二端子之間導電電流的柵極；所述多個電晶體的每一個具有連接到所述第一線之一個的所述第一端子，和連接到所述非選擇電壓的所述第二端子，以及具有連接到所述地址信號的所述柵極。
42．權利要求41的陣列，其中所述第一線由摻雜的單晶矽製成，並且每個所述電晶體包括在所述第一線中的剖面，其形成所述溝道，具有在所述剖面上的柵極。
43．權利要求42的陣列，其中所述柵極由摻雜的多晶矽製成。
44．一種負電壓泵電路，包括第一輸入，用於接收解碼的時鐘信號；第二輸入，用於接收負電壓；第一和第二PMOS電晶體，每個都具有第一端子，第二端子，其間具有溝道，以及用於控制在所述第一端子和所述第二端子之間電流流動的柵極；和所述第一PMOS電晶體的和所述第二PMOS電晶體的所述第一端子連接在一起，並且連接到所述第二輸入，所述PMOS電晶體的所述第二端子是所述泵電路的輸出並被連接到所述第二PMOS電晶體的所述柵極，以及所述第一PMOS電晶體的所述柵極連接到所述第二PMOS電晶體的所述第二端子和所述第一輸入。
45．權利要求44的負電壓泵電路，還包括連接到所述第二輸入的啟動器電路，接收所述負電壓和將啟動電壓提供給所述第一輸入。
46．權利要求45的負電壓泵電路，其中所述啟動電壓是所述負電壓泵電路的輸出，在所述解碼時鐘信號是不變電壓的情況下，代表非選擇信號。
47．一種存儲器陣列，包括配置成多組的非易失性存儲器單元的陣列，每組包括多個存儲器單元，並且每個存儲器單元包括具有多個端子的浮柵存儲器電晶體，其中所述存儲器電晶體是至少具有一個端子的類型，其中在擦除期間，擦除電壓施加到選擇組存儲器單元的所述一個端子上，並且非選擇電壓施加到所有其它組的所述一個端子上；解碼電路，用於接收地址信號和時鐘信號，和用於響應它產生解碼信號，所述解碼信號是被提供給所述選擇組的存儲器單元的解碼時鐘信號，或者所述解碼信號是被提供給所有其它組的解碼非時鐘信號；多個負泵電路，每個電路與每組相關，每個電路包括用於接收所述解碼信號的第一輸入；用於接收負電壓的第二輸入；第一和第二PMOS電晶體，每個都具有第一端子，第二端子，其間具有溝道，以及用於控制在所述第一端子和所述第二端子之間電流流動的柵極；和所述第一PMOS電晶體的和所述第二PMOS電晶體的所述第一端子連接在一起，並且連接到所述第二輸入，所述PMOS電晶體的所述第二端子是所述泵電路的輸出並被連接到所述第二PMOS電晶體的所述柵極，以及所述第一PMOS電晶體的所述柵極連接到所述第二PMOS電晶體的所述第二端子和所述第一輸入；和所述泵電路的所述輸出連接到每組中所述存儲器單元的所述一個端子。
48．權利要求47的負電壓泵電路，還包括連接到所述第二輸入的啟動器電路，接收所述負電壓和將所述啟動電壓提供給所述第一輸入。
49．權利要求48的負電壓泵電路，其中所述啟動電壓是所述負電壓泵電路的輸出，在所述解碼信號是解碼非時鐘信號的情況下。
全文摘要
一種新型閃爍存儲器陣列具有存儲器單元(41a,40b)的陣列,每個存儲器單元是具有多個端子的浮柵存儲器電晶體。該存儲器單元(40a,40b)配置成多行和多列,用字線連接相同行中的存儲器單元。行解碼器(44)位於靠近一側存儲器陣列並連接到多個字線,用於接收地址信號和用於提供低電壓信號。多個編程線(D0－D7)連接到陣列的多行存儲器單元(41a,41b),一個編程線連接到相同行中的存儲器單元。該多個編程線(D0－D7)與多個字線成直線但空間分開,並且僅僅伸展到行解碼器(44)。高電壓發生電路(100)位於靠近陣列的另一側,即相對的一側,並且被連接到多個編程線(D0－D7),用於接收地址信號和用於在此響應給多個編程線提供高電壓信號。
文檔編號H01L29/423GK1286793SQ98811360
公開日2001年3月7日 申請日期1998年9月16日 優先權日1997年9月19日
發明者林天樂, 沈秉堯 申請人:積憶科技股份有限公司