用於磁碟的玻璃基板及其製造方法,以及磁碟的製作方法

2023-04-25 12:30:16

專利名稱：用於磁碟的玻璃基板及其製造方法,以及磁碟的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於磁碟的玻璃基板，用來拋光所述玻璃基板的主表面的方 法，以及磁碟。
背景技術：
近年來，對於安裝在硬碟驅動器之類的信息處理裝置中的磁碟的高記錄密 度的要求在持續增加，在此情況下，目前玻璃基板廣泛用來代替常規的鋁基 板。對高記錄密度的要求在不斷提高，為了滿足這種要求，人們提出了一種使 用包含膠態二氧化矽的拋光漿料的方法作為對玻璃基板的主表面進行高精度拋光的方法(例如專利文獻1和2)。專利文獻l所揭示的方法是將鹼加在包含膠態二氧化矽的拋光液中，將拋 光液的pH值調節到高於10.2，最高為12。專利文獻2中所揭示的方法是通過使用專利文獻1所述的方法，使用包含由 有機矽氧垸化合物水解形成的膠態二氧化矽的磨粒作為磨粒，解決了在主表面 上形成很小的凸出物的問題。專利文獻l: JP-A-2003-173518專利文獻2: JP-A-2006-82138專利文獻2所揭示的使用通過有機矽氧垸化合物水解形成的膠態二氧化矽的方法具有以下的問題這種膠態二氧化矽與通過常規矽酸鈉法製得的膠態二 氧化矽相比成本很高，幾乎不適於製造需要能以低成本獲得的用於磁碟的玻璃 基板。另外，考慮即使使用由常規的矽酸鈉法製得的膠態二氧化矽，也可以通過 使用軟拋光墊將表面糙度減小到一定的範圍。但是在這種情況下，拋光所需的 時間會很長。另外，考慮可以通過延長拋光時間將表面糙度減小的一定的範圍，但是形
成很小的凸起物的問題幾乎無法解決。在此情況下，本發明的一個目的是提供即使膠態二氧化矽不是由有機矽氧 垸化合物水解生成的，也能夠克服上述問題(例如能夠以高精度拋光玻璃基板的 主表面)的方法。以上很小的凸起物是所謂的通過掩蔽形成的凸起缺陷。所述凸起缺陷是拋 光之後形成的很小凸起物，這是由於在拋光過程中，在覆蓋有例如附著於基板 的凝膠狀二氧化矽的基板上的很小部分的去除速率與該基板的其它部分相比 是很小的。發明內容本發明提供了一種方法，該方法通過拋光圓形玻璃板，製備用於磁碟的玻 璃基板，該方法包括以下步驟使用包含至少一種水溶性聚合物和膠態二氧化 矽的漿料(下文中將這種漿料稱為本發明的漿料)拋光圓形玻璃板的主表面，所 述至少一種水溶性聚合物選自具有氨基的水溶性有機聚合物、包含胺鹽基團的水溶性有機聚合物、以及包含季銨鹽基團的水溶性有機聚合物。本發明還提供了一種用於磁碟的玻璃基板，通過原子力顯微鏡測得的主表面的算術平均糙度(下文中將算數平均糙度稱為Ra)最多為0.16納米，主表面外 周部分的下降度(degree of roll-off)最多為50納米。 此處，本發明中的下降度將在下文中進行描述。


圖l是包括主表面的外周部分(outer peripheral portion)、倒角平面(chamferedplane)和外周緣表面的部分的截面示意圖。符號"a"表示倒角平面，b表示外周緣表面，c表示主表面外周部分，d表示倒 角平面"a"和主表面外周部分c之間的邊界。圖l中的虛線是用來確定下降度(在邊緣部分彎曲(sagging))程度的基線g。 該基線g定為在向著所述主表面外周部分c上主表面中心方向，在距離邊界d 2.5-5毫米的部分與部分f重疊的直線，或者與部分f最接近的直線。在主表面外周部分c上，朝向主表面中心、距離邊界d0.25-5毫米的部分是下 降測量區域e。下降度等於下降測量區域e中的主表面外周部分c距離基線g的最大高度和
最小高度之差。當主表面外周部分C位於基線g以上時，該高度是正值，當主表 面外周部分C位於基線g以下時，該高度是負值。另外，本發明提供了磁碟，該磁碟包括通過上述用來製備用於磁碟的玻璃 基板的方法製造的用於磁碟的玻璃基板或者上述的用於磁碟的玻璃基板,以及 層疊在所述玻璃基板上的多層，這多層包括為記錄層的磁層。本發明人發現當使用高硬度拋光墊、以及其中包含膠態二氧化矽並且添加 有聚氧丙烯二胺的的漿料拋光圓形玻璃板的主表面時，與在不加入聚氧丙烯二胺的條件下進行拋光的情況相比，前者的Ra很低。基於該發現完成了本發明。根據用來製造本發明的用於磁碟的玻璃基板的方法，即使在使用具有高硬度的拋光墊的情況下，仍可製得常規方法尚未能製得的Ra最多為0.16納米的用 於磁碟的玻璃基板。另外，製得了一種用於磁碟的玻璃基板，其中主表面的Ra最多為0.16納米， 主表面外周部分的下降度最多為50納米。另外，可以減小上述掩蔽造成的凸起缺陷。下面將參照優選實施方式詳細描述本發明。
具體實施方式
根據本發明的用來製造用於磁碟的玻璃基板的方法(下文稱為本發明的制 造方法)，玻璃基板通常是通過以下步驟製造的。即，在圓形玻璃板的中心設置 一個圓孔，依次進行到角、主表面的磨光和邊緣表面的鏡面拋光。然後將上述 進行過這樣處理的圓形玻璃板層疊，蝕刻內周緣表面，通過例如噴塗法對蝕刻 後的內周緣表面塗敷例如包含聚矽氮烷化合物的液體，然後進行燒制，在所述 內周緣表面上形成塗層膜(保護塗層膜)。然後對其內周緣表面上形成有塗層膜 的各圓形玻璃板的主表面進行拋光，使其形成平坦光滑的表面，從而製得用於 磁碟的玻璃基板。本發明的製造方法不限於上述方法。例如，可以對內周緣表面進行刷子拋 光，代替在內周緣表面上形成保護塗層膜；所述主表面磨光步驟可以分為粗磨 光步驟和精磨光步驟，可以在所述粗磨光步驟和精磨光步驟之間提供外形加工 步驟(在圓形玻璃板的中心鑽孔，進行倒角和對邊緣表面拋光)，或者可以如專 利文獻2所述在主表面拋光步驟之後提供化學回火步驟。無需再言，對於中心沒 有圓孔的玻璃基板的製造，不需要在圓形玻璃板的中心鑽孔。
所述主表面磨光通常是使用平均粒度為6-8微米的氧化鋁磨粒或者包含氧 化鋁的金屬氧化物磨粒進行的。通常對磨光後的主表面以30-40微米的去除量進行拋光，然後使用本發明 的漿料進行拋光，這樣Ra通常最高為0.16納米。為了拋光主表面，首先使用包含平均粒度為0.9-1.8微米的氧化鈰的漿料以 及聚氨酯拋光墊拋光主表面。然後使用本發明的漿料，在例如0.5-30千帕的拋光壓力下，對主表面進行 進一步的拋光。拋光壓力優選至少為4千帕。如果小於4千帕，在拋光過程中玻 璃基板的穩定性會減小，從而主表面上的波紋會很明顯。用來使用本發明的漿料進行拋光的拋光墊通常是由具有以下性質的聚氨 酯泡沫塑料製成的拋光墊所述聚氨酯泡沬塑料的肖氏D硬度為45-75，可壓縮 性為0.1-10%，密度為0.5-1.5克/釐米3;或者所述聚氨酯泡沫塑料的肖氏A硬度 為30-99,可壓縮性為0.5-10%，密度為0.2-0.9克/釐米3;或者所述聚氨酯泡沫塑 料的肖氏A硬度為5-65,可壓縮性為0.1-60%，密度為0.05-0.4克/釐米3。所述拋 光墊的肖氏A硬度優選至少為20。如果肖氏A硬度小於20，則去除速率可能會很 低。所述肖氏D硬度和肖氏A硬度分別是通過JIS K7215所規定的測量塑料的硬 度計A硬度和D硬度的方法測定的。另外，可壓縮性(單位％)通過以下方法測量。即，將拋光墊切割成合適的 尺寸以製備樣品。在對未施加負荷狀態的樣品施加10千帕的應力負荷30秒時， 使用Sch叩per型厚度測量設備測量樣品的厚度V然後，測量立刻對厚度為to狀 態下的樣品施加110千帕的應力負荷5分鐘時樣品的厚度h。由這些數值t。和", 根據(to-tOxlOO/to進行計算，將結果看作可壓縮性。在測量拋光墊的肖氏D硬度和肖氏A硬度時，疊加拋光墊樣品，測量其硬度: 這樣測得的硬度可能並不適合作為控制拋光現象的拋光墊的硬度。因此，本發明人決定將使用用於橡膠的通用自動硬度計、Bareiss製造的能 夠測量各拋光墊樣品硬度的數字測試儀(digi test)、以及IRHD微量檢測器測定的 硬度看作拋光墊的硬度(下面將該硬度稱為拋光墊硬度)。也就是說，拋光墊硬度 的測量是根據IS048規定的國際橡膠硬度(IRHD)測試方法M (中等硬度的微尺 寸測試)，在一定的靜負荷之下進行的。拋光主表面的步驟不限於此。例如，在使用本發明的漿料進行拋光之前,
可以使用包含平均粒度為0.15-0.25微米的氧化鈰的漿料和聚氨酯製得的拋光墊 拋光主表面，這樣Ra為0.4-0.6納米，通過三維表面結構分析顯微鏡(例如Zygo Co.，Ltd.製造的NV200)，在波長範圍 ^0.25納米的條件下，在1毫米X0.7毫米範 圍內測得的微波紋度(micro-waviness)(Wa)例如最高為0.2納米，或者可使用常 規的膠態二氧化矽漿料代替上述含氧化鈰的漿料。由上述另外的拋光造成的玻 璃板厚度損失(去除量)通常為l-2微米。下文中將描述本發明的槳料。眾料中各組分的含量用質量百分數表示。所述槳料的pH值優選為8-12。如果小於8，膠態二氧化矽可能發生聚集(例 如如果所述膠態二氧化矽是通過矽酸鈉法製備的)。更優選pH值至少為9。如果 pH值超過12,處理會變得很困難。對膠態二氧化矽的種類沒有限制，但是常用的是通過矽酸鈉法製備的膠態 二氧化矽，例如FUJIMI INCORPORATED製備的COMPOL-80。本發明漿料中膠態二氧化矽的含量通常為5-40%。包含氨基的水溶性有機聚合物、包含胺鹽基團的水溶性有機聚合物以及包 含季銨鹽基團的水溶性有機聚合物是能夠減小主表面上的Ra的組分，必須包含 它們當中的至少一種。由於這些包含氨基或胺鹽基團的水溶性聚合物可能粘附 在矽酸鹽玻璃上，因此認為所述凸起物會被選擇性地磨掉，以減小Ra。所述漿料中的水溶性聚合物的含量優選為0.001-10%。如果其小於0.001%， 則以上的Ra不夠小。更優選其含量至少為0.1%,特別優選至少為0.5%。如果超 過10%,去除速率會顯著減小。更優選最多為5%。所述包含氨基的水溶性有機聚合物(下文稱為水溶性多胺)是任意的聚合 物，只要其為一個分子內包含至少兩個氨基的水溶性化合物即可。在本說明書 中，水溶性可為任意的水平，只要能夠用肉眼觀察到，在拋光化合物液體用作 拋光化合物時的濃度下，聚合物能夠完全溶解在該液體中即可。通常，水溶性 意指至少1質量％、優選至少5質量％、更優選至少30質量％的聚合物溶解在純 水中。具體來說，優選的是至少一種水溶性聚合物選自以下聚合物水溶性聚 醚多胺、水溶性聚亞垸基多胺、聚乙烯亞胺、水溶性聚乙烯基胺、水溶性聚烯 丙基胺、水溶性聚賴氨酸和水溶性脫乙醯殼多酸。特別優選的水溶性多胺是水 溶性聚醚多胺或水溶性聚亞垸基多胺。對所述水溶性多胺的分子量並沒有特別的限制，只要多胺是水溶性的即可, 但是優選其重均分子量為100-100，000,更優選為100-2,000。如果重均分子量小於IOO,則水溶性多胺的效果會很小。如果其大於IOO,OOO，即使該多胺是水溶性的，仍然會對拋光化合物的物理性質(例如流動性)造成不利影響。如果重均分子量超過2，000,在許多情況下，在純水中的溶解度會減小。特別優選的水溶性多 胺是重均分子量為100-2000的水溶性聚醚多胺或水溶性聚亞烷基多胺。本發明特別優選的水溶性多胺是選自以下的至少一種水溶性多胺重均分 子量為100-2000的水溶性聚醚多胺、以及重均分子量為100-2000的水溶性聚亞 烷基多胺。從對膠態二氧化矽的分散體進行高效穩定化的方面來看，所述水溶 性聚醚多胺的重均分子量更優選為150-800，更加優選為100-400。上述聚醚多胺是包含至少兩個氨基和至少兩個醚氧原子的化合物。所述氨 基優選是伯氨基(-NH2)。所述聚醚多胺可包含仲氨基(-NH-)或者叔氨基作為氨 基，但是本發明中的聚醚多胺優選是包含至少兩個伯氨基、基本不含其它氨基 的化合物，特別優選是僅含有兩個伯氨基的聚醚二胺。所述聚醚多胺優選是具 有以下結構的化合物，使得多元醇或者聚醚型多元醇中羥基的氫原子被氨基烷 基取代。所述多元醇優選是二元醇至六元醇，特別優選是二元醇，所述聚醚型 多元醇優選是二羥基至六羥基的聚氧化烯基多元醇，特別優選是聚氧化烯二 醇。所述氨基烷基優選是0:2.6氨基烷基，例如2-氨基乙基、2-氨基丙基、2-氨基 -l-甲基乙基、3-氨基丙基、2-氨基-l,l-二甲基乙基或4-氨基丁基。所述多元醇優選是包含醚氧原子的<:2.8二元醇，例如乙二醇、二甘醇、丙二 醇或二丙二醇。所述聚醚型多元醇優選是其中重複單元為(:2.6氧化烯基的聚醚 二醇，例如聚乙二醇(即聚氧乙烯二醇)，如三甘醇或四甘醇；聚丙二醇(即聚氧 丙烯二醇)，如三丙二醇或四丙二醇；或者包含至少兩種氧化烯基的聚氧化烯二 醇，例如聚(氧丙烯/氧乙烯)二醇。所述聚亞垸基多胺是包含至少三個通過亞垸基連接的氨基的化合物。較佳 的是，所述末端氨基是伯氨基，分子內部的氨基是仲氨基。更優選的是在分子 兩末端都包含伯氨基、在分子內部包含至少一個仲氨基的線型聚亞垸基多胺。 在一個分子中存在至少三個夾在一個氨基和另一個氨基之間的由亞烷基組成 的連接部分，這樣的多個位於氨基之間的連接部分可以是相同的或不同的。較 佳的是，所有這些部分都是相同的，或者在與兩個末端伯氨基相連的氨基之間 的兩個連接部分是相同的，另外的位於氨基之間的連接部分是不同的。 一個位於氨基之間的連接部分優選包含2-8個碳原子，特別優選在與兩個末端伯氨基 連接的氨基之間的兩個連接部分各自包含2-8個碳原子，其它的位於氨基之間的
連接部分包含2-6個碳原子。所述聚醚二胺和聚亞烷基多胺各自優選是具有以下結構式的化合物(l): H2N-(R-X-)k-R-NH2 (1)式中11是(:2.8亞烷基，X是氧原子或-NH-,對於聚醚二胺，k是至少為2的整 數，或者對於聚亞垸基多胺，k是至少為l的整數，前提是一個分子中的多個R 可以是不同的。具體來說，所述聚醚二胺優選是具有以下結構式(2)的化合物，所述聚亞烷 基多胺優選是具有以下結構式(3)的化合物 H2N-R2-0陽(R'-0-)m-R2-NH2 (2) H2N-R4-NH-(R3-NH-)n-R4-NH2 (3)式中Ri是亞乙基或亞丙基，！12是<:2.6亞烷基，113是<:2.6亞烷基，W是C2.8亞垸基，m是至少為l的整數，n是至少為l的整數，前提是Ri和W可以是相同或不同 的，rS和W可以是相同或不同的。具體來說，式(2)的聚醚二胺可以是例如聚氧丙烯二胺(一種化合物，其中 W和ie為亞丙基，m至少為l),聚氧乙烯二胺(一種化合物，其中W和I^為亞乙 基，m至少為l),或者4，7，10-三氧雜-十三烷-l，13-二胺(一種化合物，其中W是亞 乙基，W是三亞甲基，m是2)。具體來說，式(3)的聚亞烷基多胺可以是例如四亞 乙基五胺(一種化合物，其中113和114是亞乙基，n是2),五亞乙基六胺(一種化合 物，其中113和114是亞乙基，n = 3)，七亞乙基八胺(一種化合物，其中113和114是亞 乙基，n二5),N,N，-二(3-氨基丙基)-乙二胺(一種化合物，其中113是亞乙基，114是 三亞甲基，n=l),或者N，N，-二(2-氨基乙基)-l，4-丁二胺(一種化合物，其中R3 是四亞甲基，114是亞乙基，n=l)。包含胺鹽基團的水溶性有機聚合物可以是例如椰油胺，硬化的牛油胺，松 香胺或環氧乙烷加成類高級垸基胺。包含季銨鹽基團的水溶性有機聚合物可以是例如其中季銨鹽基團為環氧 乙烷加成類季銨鹽或雙季銨鹽的聚合物。下面將描述本發明的玻璃基板。Ra和下降度呈折衷關係，即使在減小磁頭的浮動高度時，也難以防止碰撞 之類的缺點，在不影響磁頭浮動位置的情況下難以防止在邊緣部分的附近碰撞 之類的缺點。但是，對於本發明的用於磁碟的玻璃基板(本發明的玻璃基板)，下降度小
至最多為50納米，Ra小至最多為0.16納米。因此，認為能夠克服上述以前難以 解決的問題。本發明玻璃基板的Ra和下降度優選分別最多為0.13納米和20納米。本發明的磁碟的特徵是，使用本發明的玻璃基板、即通過本發明的製造方 法製造的玻璃基板作為基板，所述磁碟是通過己知的方法製得的，例如通過將 多層層疊在所述玻璃基板上而製得的，所述多層包括為記錄層的磁層。下面將參照實施例更詳細地描述本發明。但是應當理解本發明並不限於這 些具體實施例。實施例實施例l將通過浮法製得的矽酸鹽玻璃板加工成圓環型圓形玻璃板(其中心有一個 圓孔的圓形玻璃板)，由該玻璃板可製得外徑65毫米、內徑20毫米、厚度0.635 毫米的玻璃基板。內周緣表面和外周緣表面用金剛石磨粒研磨，玻璃板的上表 面和下表面用氧化鋁磨粒磨光。然後對內周緣表面和外周緣表面進行倒角，倒角寬度為0.15毫米，倒角角 度為45°。在對內周緣表面和外周緣表面進行處理之後，使用氧化鈽漿料作為拋光化 合物，使用刷子作為拋光器具，在邊緣表面上進行鏡面精加工處理。處理量是 沿半徑方向除去量為30微米。然後使用氧化鈰漿料(氧化鈰平均粒度約l.l微米)作為拋光化合物，使用 聚氨酯墊作為拋光器具，用雙面拋光器對上主表面和下主表面進行拋光。沿著 上主表面和下主表面之間的厚度方向的總處理量為35微米。另外，使用平均粒度小於上述氧化鈰的氧化鈰(平均粒度約0.2微米)作為拋 光化合物，使用聚氨酯墊作為拋光器具，用雙面拋光器對上主表面和下主表面 進行拋光。沿著上主表面和下主表面之間的厚度方向的總處理量為1.6微米。使用Veeco Instmments製造的原子力顯微鏡觀察這樣製得的圓形玻璃板的 主表面，結果表面糙度Ra為0.48納米。另外，通過以下步驟製備本發明的漿料。用蒸餾水稀釋FUJIMI INCORPORATED生產的COMPOL-80，以製備固體 濃度為24質量％的包含水以及膠態二氧化矽的2千克漿液。另外將200克BASF生產的重均分子量為230的聚氧丙烯二胺(商品名聚醚 胺D230)加入到1.8千克蒸餾水中，然後進行攪拌，製得聚醚胺水溶液。該水溶
液中聚醚胺的含量為10質量％。將以上製備的槳液和水溶液混合，製備漿料(分散體)。該漿料的pH值為10.9。使用聚氨酯泡沫塑料製造的拋光墊作為拋光器具、使用上述漿料作為拋光 化合物，在14.7千帕的拋光壓力下，在14米/分鐘的支架(carrier)圓周速度之下， 對上述Ra為0.48納米的圓形玻璃板拋光20分鐘，所述拋光墊的硬度為55.5,肖氏 A硬度為53.5。，可壓縮性為1.9%,密度為0.24克/釐米3。結果製得主表面Ra為 0.129納米的玻璃基板。去除量為0.18微米。在測量Ra之前，進行以下的清潔。即，依次通過純水噴淋進行清潔，用 PVA(聚乙烯醇)海綿和水進行擦洗清潔，用PVA(聚乙烯醇)海綿和鹼性洗滌劑 進行擦洗清潔，用PVA(聚乙烯醇)海綿和水進行擦洗清潔，然後用純水噴淋進 行清潔，然後進行吹氣。實施例2如下製備水溶液，然後將該水溶液與所述漿液混合。即將120克聚醚胺加 入到1.88千克蒸餾水中，然後進行攪拌以製備聚醚胺水溶液。所述水溶液中聚 醚胺的含量為6質量％。將所述聚醚胺水溶液與2千克實施例1所述的漿液混合， 製備pH值為10.8的漿料。依照與實施例1相同的方式拋光20分鐘，其不同之處在於使用上述槳料作 為拋光漿料，製得主表面Ra為0.130納米的玻璃基板。去除量為0.18微米。實施例3依照以下步驟製備水溶液，然後將其與漿液混合。即將40克聚醚胺加入到 1.96千克蒸餾水中，然後進行攪拌，製備聚醚胺水溶液。該水溶液中聚醚胺的 含量為2質量％。將所述聚醚胺水溶液與2升實施例1的漿液混合，製備pH10.6 的漿料。依照與實施例1相同的方式拋光20分鐘，不同之處在於，使用上述漿料作 為拋光漿料，製得主表面Ra為0.146納米的玻璃基板。去除量為0.19微米。 實施例4依照與實施例l相同的方式進行拋光，其不同之處在於，使用聚氨酯泡沫 塑料製成的拋光墊作為拋光器具、在12千帕的拋光壓力下、在40米/分鐘的支架 圓周速度下，進行50分鐘的雙面拋光，所述拋光墊的密度為40.6,肖氏A硬度為 79°,可壓縮性為0.5%，密度為0.54克/釐米3。結果製得主表面Ra為0.125納米、
下降度=15.2納米的玻璃基板。去除量為0.90微米。下降度使用Zygo Co.， Ltd. 製造的NV200測量。另外，對於這樣製得的玻璃基板主表面上存在的19個很小的缺陷，通過 SEM-EDX分析缺陷的形狀和組成部分，結果這些缺陷都不是掩蔽造成的凸起缺陷。比較例l以上的COMPOL-80用蒸餾水稀釋，製備固體濃度為12質量％的漿料。依 照與實施例l相同的方式進行拋光，其不同之處在於，使用上述漿料作為拋光 漿料，製得主表面Ra為0.176納米的玻璃基板。去除量為0.37微米。比較例2依照與實施例4相同的方式進行拋光，其不同之處在於，通過用蒸餾水對 上述COMPOL-80進行稀釋，製得固體濃度為12質量％的漿料，將其用作拋光漿 料，進行45分鐘的拋光，製得主表面Ra為0.132納米、下降度為112.3納米的玻璃 基板。去除量為0.90微米。認為該Ra是與實施例4一樣小的水平，這是由於使用墊密度為40.6的軟拋光 墊進行了50分鐘的長時間拋光。而在與比較例2相類似的條件下進行拋光，但是不同之處在於使用比較例2 的漿料，則對於製得的玻璃基板主表面上存在的5個很小的缺陷，依照與實施 例4相同的方式分析缺陷的形狀和組成部分，結果其中三個缺陷是由掩蔽造成 的凸起缺陷。本發明適用於製造用於磁碟的玻璃基板。2006年7月18日提交的日本專利申請第2006-195396號和2006年9月27日提 交的日本專利申請第2006-262514號的全文，包括說明書、權利要求書、附圖和 摘要在內，全部參考結合入本文中。
權利要求
1.一種通過拋光圓形玻璃板，製造用於磁碟的玻璃基板的方法，該方法包括使用漿料拋光所述圓形玻璃板的主表面的步驟，所述漿料包含至少一種水溶性聚合物和膠態二氧化矽，所述至少一種水溶性聚合物選自包含氨基的水溶性有機聚合物、包含胺鹽基團的水溶性有機聚合物和包含季銨鹽基團的水溶性有機聚合物。
2. 如權利要求l所述的製造用於磁碟的玻璃基板的方法，其特徵在於，所述 漿料包含水溶性聚醚多胺。
3. 如權利要求1或2所述的製造用於磁碟的玻璃基板的方法，其特徵在於， 所述漿料包含水溶性聚亞烷基多胺。
4. 如權利要求l、 2或3所述的製造用於磁碟的玻璃基板的方法，其特徵在 於，所述漿料包含環氧乙烷加成類季銨鹽或二季銨鹽。
5. 如權利要求l-4中任一項所述的製造用於磁碟的玻璃基板的方法，其特 徵在於，所述漿料中水溶性聚合物的含量為0.001-10質量％。
6. 如權利要求l-5中任一項所述的製造用於磁碟的玻璃基板的方法，其特 徵在於，所述漿料的pH值為8-12。
7. —種用於磁碟的玻璃基板，用原子力顯微鏡測得，主表面的算術平均糙 度最多為0.16納米，在所述主表面外周部分的下降度最多為50納米。
8. 如權利要求7所述的用於磁碟的玻璃基板，其特徵在於，所述算術平均 糙度最多為0.13納米。
9. 如權利要求7或8所述的用於磁碟的玻璃基板，其特徵在於，在所述主表 面外周部分的下降度最多為20納米。
10. —種磁碟，其包括通過如權利要求l-6中任一項所述的製造用於磁 盤的玻璃基板的方法製造的用於磁碟的玻璃基板，或者如權利要求7-9中任一項 所述的用於磁碟的玻璃基板，還包括層疊在所述玻璃基板上的多個層，這些層 中包括用作記錄層的磁層。
全文摘要
一種通過拋光圓形玻璃板，製造用於磁碟的玻璃基板的方法，該方法包括使用漿料拋光所述圓形玻璃板的主表面的步驟，所述漿料包含至少一種水溶性聚合物和膠態二氧化矽，所述至少一種水溶性聚合物選自包含氨基的水溶性有機聚合物、包含胺鹽基團的水溶性有機聚合物和包含季銨鹽基團的水溶性有機聚合物。
文檔編號C09G1/16GK101108467SQ20071013793
公開日2008年1月23日 申請日期2007年7月17日 優先權日2006年7月18日
發明者吉田伊織, 宮原修, 宮谷克明, 臼井寛, 金喜則 申請人:旭硝子株式會社