半導體外延生長襯底的製作方法
2023-05-11 08:35:46
專利名稱：半導體外延生長襯底的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體外延生長的生長襯底。
背景技術：
為了降低生產成本，使得LED進入通用照明領域，LED行業正在經歷採用大尺寸的生長襯底的發展過程。生長襯底的尺寸越大，均勻性問題越重要，只有解決了大尺寸生長襯底的外延生長的均勻性問題，採用大尺寸生長襯底以便降低成本的優勢才能充分表現出來。在外延生長時，生長襯底的第二主表面接觸加熱的石墨盤，溫度較高；生長襯底的第一主表面散熱，並接觸氣體，溫度較低，兩個主表面之間的溫度差使得生長襯底翹曲。另夕卜，外延層與生長襯底的熱漲係數不同，每個生長襯底的內部應力、厚度及厚度均勻性等各不相同，因此，每片生長襯底在外延生長過程中，會發生翹曲，而且，翹曲的形狀和程度各不相同，這就使得每片生長襯底的溫度場的分布不同，導致外延片上的每個晶片的性能不同。只是單純改進設備，很難完全解決同一外延片上的晶片的性能的均勻性問題。需要改進生長襯底。在這個方向，已經有一些努力。因此，需要一種新的劃分成子區域的生長襯底，即具有劃分成子區域的生長襯底的優點，又具有生長襯底沒有被汙染和損傷以及減小生長襯底的翹曲等優點，使得劃分成子區域的生長襯底成為可以量產的產品。
實用新型內容本實用新型的目的是提供一種劃分成子區域的生長襯底，以減少生長襯底翹曲，改進生長襯底內部的 溫度場分布不均勻性的現象，從而使同一個外延片上的晶片的性能均勻，並且改善晶片的性能，因此，使得這一種劃分成子區域的生長襯底可以應用於大批量、低成本的生產。本實用新型提供一種新的劃分成子區域的生長襯底，S卩，通過刻蝕在生長襯底的第一主表面(頂面)上形成溝槽，並且在溝槽的底面上形成氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層，溝槽把生長襯底分成全少兩個個子區域，最後進行生長襯底製造工藝的拋光工藝過程。生長襯底的第二主表面(底面)在外延生長時接觸石墨盤。這樣製造的生長襯底的原理和優勢在於，(I)最後進行的拋光工藝過程消除了在生長襯底上形成溝槽和形成氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層時造成的對子區域的表面的汙染和對子區域的表面的晶體的損傷，因此，後續生長的外延層的性能得到保證和提高，因而可以量產。(2)氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層的導熱係數遠小於生長襯底(包括氮化鎵生長襯底、藍寶石生長襯底、矽生長襯底、石墨生長襯底、氧化鋁陶瓷生長襯底、氮化鋁陶瓷生長襯底、氧化鋅生長襯底)的導熱係數，使得溝槽的底面與生長襯底的底面的溫度差小於子區域的頂面和子區域的底面的溫度差，每個子區域的頂面和底面之間的溫度差造成的翹曲力量與相鄰的子區域的頂面和底面之間的溫度差造成的翹曲力量將至少部分抵消。(3)與整個生長襯底相比較，每個子區域的尺寸比較小，因此，由於每個子區域的頂面和底面之間的溫度差造成的每個子區域的翹曲程度較小。(4)每個子區域上的外延層對其下面的生長襯底的拉伸或擠壓作用與相鄰的子區域上的外延層對其下面的生長襯底的拉伸或擠壓作用相互抵消。(5)與整個生長襯底相比較，每個子區域的尺寸比較小，因此，由於每個子區域的外延層與生長襯底的熱漲係數的失配造成的每個子區域的翹曲程度較小。因此，上述的原理和優勢不但提高外延片上不同位置的晶片的性能，而且使得在外延生長過程中生長襯底的翹曲程度降低，提高生長襯底內部的溫度場分布的均勻性；提高生長襯底內部的溫度場分布的均勻性，減小了外延層內的應力，進而提高了晶片性能的均勻性，達到提高外延片上不同位置的晶片的性能的均勻性，提高大批量生產的良品率。下述的描述適用於本實用新型的所有實施實例。(I) 一種劃分成子區域的生長襯底，包括:生長襯底，生長襯底的第一主表面具有溝槽，在溝槽中具有氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層，氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層覆蓋溝槽的底面。(2)溝槽把生長襯底分隔成至少兩個子區域，在每個子區域，生長襯底的第一主表面暴露，外延層不在溝槽的底面上生長。(3)子區域包括邊緣子區域和中心子區域，邊緣子區域的一個邊與其他子區域不相連接，而是生長襯底的邊緣。中心子區域的所有的邊與其他子區域連接。(4)氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層包括，二氧化矽覆蓋層，氮化矽覆蓋層。(5)溝槽的寬度大於等於2倍的預計的後續生長的外延層的厚度。(6)子區域 的形狀包括，多邊形、圓形、環形、不規則形狀、不規則環形狀，以及多邊形、圓形、環形、不規則形、不規則環形狀的組合。子區域的多邊形狀包括，三角形、正方形、長方形、平行四邊形、五邊形、六邊形、八邊形，等。子區域的形狀的組合包括，至少兩個相同形狀的子區域，或者，至少兩個不相同形狀的子區域。(7)溝槽的俯視形狀包括，直線形狀、圓弧形狀、曲線形狀、不規則形狀，以及直線形狀、圓弧形狀、曲線形狀、不規則形狀的組合。直線形狀溝槽包括，與平邊平行的直線、與平邊垂直的直線、與平邊成非90度非O度的角度的斜線。(8)溝槽的俯視形狀由下述的至少一個元素組成，元素包括:與平邊平行的直線、與平邊垂直的直線、與平邊成非90度非O度的角度的斜線、圓弧、曲線，以及與平邊平行的直線元素、與平邊垂直的直線元素、與平邊成非90度非O度的角度的斜線元素、圓弧元素、曲線元素的組合。溝槽的俯視形狀的組合包括，至少兩個相同俯視形狀的溝槽，或者，至少個不相同俯視形狀的溝槽。(9)圓形溝槽由多個首尾相連的圓弧形狀溝槽組成。(10)多邊形溝槽由多個首尾相連的直線形狀溝槽組成。(11)任何一條斜線形狀溝槽、圓弧形狀溝槽、曲線形狀溝槽、不規則形狀溝槽都可以用多個較短的平行於平邊2的直線形狀溝槽和多個較短的垂直於平邊2的直線形狀溝槽代替。一個實施實例:較短的平行於平邊2的直線形狀溝槽的長度等於一個預計後續製造的晶片的平行於平邊2的邊的邊長加切割道的寬度，較短的垂直於平邊2的直線形狀溝槽的長度等於同一個晶片的垂直於平邊2的邊的邊長加切割道的寬度。(12)生長襯底進一步包括邊緣溝槽，邊緣溝槽形成在生長襯底的圓周的邊緣。邊緣溝槽的俯視形狀包括圓形和不規則形狀。(13)邊緣溝槽中形成氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層，氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層覆蓋邊緣溝槽的底面。(14)生長襯底包括，氮化鎵生長襯底(GaN)、碳化矽生長襯底(SiC)、藍寶石生長襯底、矽生長襯底(Si)、石墨生長襯底、氧化鋁陶瓷生長襯底、氮化鋁陶瓷生長襯底、玻璃生長襯底、氧化鎵生長襯底、氧化鋅生長襯底。(15)製造劃分成子區域的生長襯底的方法的一個實施實例:先進行切割工藝步驟、再進行磨薄工藝步驟、然後進行形成溝槽和氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層工藝步驟、最後進行拋光工藝步驟。(16)製造劃分成子區域的生長襯底的方法的一個實施實例:先進行切割工藝步驟、再進行形成溝槽和氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層工藝步驟、然後進行磨薄工藝步驟、最後進行拋光工藝步驟。(17)本實用新型的區域生長技術，可以應用於LED行業的外延生長，也可以應用於其他行業的外延生長，例如，雷射，矽半導體，等。
圖1a和圖1b分別展示在先的生長襯底的結構的實施實例。圖2a至圖2k，圖2m，圖2n，圖2p至圖2t分別展示本實用新型的具有不同形狀的溝槽和不同形狀的子區域的生長襯底的實施實例的俯視圖和截面圖。圖3a至圖3c展示本實用新型的生長襯底上溝槽的截面形狀及製造工藝的一個實施實例的截面圖。 圖4a和圖4c展示本實用新型的生長襯底上溝槽的截面形狀及製造工藝的一個實施實例的截面圖。圖5a和圖5c展示本實用新型的生長襯底上溝槽的截面形狀及製造工藝的一個實施實例的截面圖。圖中的數字符號代表的含義如下:I表示生長襯底，IOla和IOlb表示兩個相鄰的阱，102表示把兩個相鄰的阱分開的阱壁，103a和103b表示兩個相鄰子區域中的外延層作用在阱壁上的力，104表不外延層，105表示溝槽，106表示生長在溝槽中的外延層，IO7表示臺面，108表示生長在檯面上的外延層，111至133表示不同形狀的子區域，2表示生長襯底的平邊(flat)，3表示溝槽的橫截面，311至318表示不同形狀的溝槽，41表示形成在生長襯底的子區域的第一主表面上的氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層，42表示形成在溝槽的側壁上的氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層，43表示形成在溝槽的底部的氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層。
具體實施方式
為使本實用新型的實施實例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本實用新型的實施實例中的附圖，對本實用新型的實施實例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施實例是本實用新型的一部分實施實例，而不是全部的實施實例。基於本實用新型中的實施實例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施實例，都屬於本實用新型保護的範圍。注意，在下面所有的實施實例中，生長襯底上的溝槽的底部都有一層氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層，有兩種情況:(I)氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層的表面與生長襯底的第一主表面相平；(2)氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層的表面比生長襯底的第一主表面低，從而形成一個淺溝槽。無論是哪種情況，對於後續的外延生長的影響都基本上相同，因此，在下面的描述中，統稱為溝槽，不加以區分。圖1a展示在先的生長襯底的結構的一個實施實例。在生長襯底I上形成阱，圖中展示相鄰的兩個阱IOla和101b，中間由阱壁102隔開。外延層首先在阱中生長，然後，生長到覆蓋整個生長襯底。在阱IOla和IOlb中的外延層對生長襯底I的作用103a和103b相互抵消。其缺點是:(I)在形成阱的過程中造成對生長襯底表面的汙染和損傷沒有消除；
(2)這種阱結構不能消除生長襯底本身的上、下表面的溫度差造成的生長襯底的翹曲。(3)在阱和阱壁上方的外延層對生長襯底I的作用仍然存在。(4)外延片的不均勻性仍然比較大,不能批量生產。 圖1b展示在先的生長襯底的結構的一個實施實例。在生長襯底I上形成互相間隔的溝槽105和臺面107。溝槽105的深度要大於後續生長的外延層的厚度。外延層106在溝槽105中生長。外延層108在臺面107上生長。溝槽中的外延層和檯面上的外延層互不相連。優點是:解決了外延生長過程中，矽襯底的裂紋問題。其缺點是:(I)在形成溝槽105和臺面107的過程中造成對生長襯底表面的汙染和損傷沒有完全消除；(2)這種結構不能消除生長襯底本身的上、下表面的溫度差造成的生長襯底的翹曲；(3)邊緣效應使得外延層性能降低。(4)外延片的不均勻性仍然比較大，因此，大批量生產的良品率較低。圖2a展示本實用新型的被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。生長襯底I具有平邊2 (flat)，生長襯底I的第一主表面上形成2條平行於平邊2的直線形狀的溝槽311和2條垂直於平邊2的直線形狀的溝槽312，溝槽311和312把生長襯底I分隔成9個子區域:8個不規則形狀的邊緣子區域112和I個正方形或四邊形的中心子區域 111。圖2b展示圖2a的實施實例的AA截面圖。生長襯底I的第一主表面上形成溝槽3，並且在溝槽中形成氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層43。一個實施實例:氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層43的上表面與生長襯底的子區域的第一主表面處於同一平面。一個實施實例:氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層43的上表面低於生長襯底的子區域的第一主表面。圖2c展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。生長襯底I具有平邊2，生長襯底I的第一主表面上形成一條平行於平邊2的直線形狀的溝槽311和一條垂直於平邊2的直線形狀的溝槽312，互相垂直的溝槽311和312把生長襯底I分隔成4個不規則形狀的邊緣子區域113。一個實施實例:一個生長襯底具有多於兩條直線形狀的溝槽。圖2d展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。一個圓形溝槽313把生長襯底I分成一個圓環形狀的邊緣子區域114和圓形的中心子區域115。注意:一個圓形溝槽由多個首尾相連的圓弧形狀溝槽組成。圖2e展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。兩個圓形溝槽313a和313b把生長襯底I分成一個圓環形狀的邊緣子區域114、一個圓環形狀的中心子區域116和一個圓形的中心子區域115。一個實施實例:一個生長襯底具有多於兩個的圓形溝槽。圖2f展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例俯視圖。一個八邊形溝槽314把生長襯底I分成一個不規則形狀的邊緣子區域117和一個八邊形狀的中心子區域118。八邊形溝槽314由兩條平行於平邊2的直線形狀的溝槽、兩條垂直於平邊2的直線形狀的溝槽、四條斜線形狀的溝槽首尾相連組成的。圖2g展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。不規則形狀溝槽315把生長襯底I分 成一個不規則形狀的邊緣子區域119和一個不規則形狀的中心子區域120。溝槽315由兩條平行於平邊2的直線形狀溝槽315e和315f、兩條垂直於平邊2的直線形狀溝槽315g和315h、兩條斜線形狀溝槽315a和315b以及與兩條斜線邊315a和315b相對應的分別由多個較短的平行於平邊2的直線形狀溝槽315d和多個較短的垂直於平邊2的直線形狀溝槽315c組成。注意:任何一條斜線形狀溝槽、圓弧形狀溝槽、曲線形狀溝槽都可以用多個較短的平行於平邊2的直線形狀溝槽和多個較短的垂直於平邊2的直線形狀溝槽代替。圖2h展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例俯視圖。兩個八邊形溝槽314a和314b把生長襯底I分成一個不規則形狀的邊緣子區域117、一個不規則環形狀的中心子區域121和一個八邊形的中心子區域118。八邊形溝槽314a和314b的各兩個邊分別平行於平邊2。一個實施實例:一個生長襯底具有多於兩個八邊形溝槽。圖2i展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。六邊形溝槽316把生長襯底I分成一個不規則形狀的邊緣子區域122和一個六邊形狀的中心子區域123。六邊形溝槽316的兩個邊平行於平邊2。圖2j展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。兩個六邊形溝槽316a和316b把生長襯底I分成一個不規則形狀的邊緣子區域122、一個不規則環形狀的中心子區域124和一個六邊形的中心子區域123。六邊形溝槽316a和316b的各兩個邊分別平行於平邊2。[0081]六邊形溝槽可以認為是直線形狀溝槽和斜線形狀溝槽的組合。—個實施實例:一個生長襯底具有多於兩個六邊形溝槽。圖2k展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。四邊形溝槽317把生長襯底I分成一個不規則形狀的邊緣子區域125和一個四邊形狀的中心子區域126。四邊形溝槽317的兩個邊平行於平邊2。圖2m展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。兩個四邊形溝槽317a和317b把生長襯底I分成一個不規則形狀的邊緣子區域125、一個不規則環形狀的中心子區域127和一個四邊形的中心子區域126。四邊形溝槽317a和317b的各兩個邊分別平行於平邊2。四邊形溝槽可以認為是直線形狀溝槽的組合。一個實施實例:一個生長襯底具有多於兩個四邊形溝槽。圖2n展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。一個圓形溝槽313、兩條平行於平邊2的直線形狀的溝槽311和2條垂直於平邊2的直線形狀的溝槽312把生長襯底I分成一個圓環形狀的邊緣子區域114、一個四邊形狀的中心子區域111和八個不規則形狀的中心子區域128。圖2n展示圓形溝槽和直線形狀的溝槽的組合，其中，圓形溝槽可以認為是多個首尾相連的圓弧形狀溝槽的組合。圖2p展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。一個八邊形溝槽314、兩條平行於平邊2的直線形狀的溝槽311和2條垂直於平邊2的直線形狀的溝槽312把生長襯底I分成一個不規則形狀的邊緣子區域117、五個四邊形狀的中心子區域111和四個三角形狀的中心子區域129。圖2p展示八邊形溝槽和直線形狀溝槽的組合，其中，八邊形溝槽可以認為是直線形狀溝槽和斜線形狀溝槽的組合。圖2q展示被溝 槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。一個八邊形溝槽314和一個圓形溝槽313把生長襯底I分成一個圓環形狀的邊緣子區域114、一個八邊形狀的中心子區域118和一個不規則環形的中心子區域130。八邊形溝槽314的兩個邊平行於平邊2。圖2q展示八邊形溝槽和圓形溝槽的組合，其中，八邊形溝槽可以認為是直線形狀溝槽和斜線形狀溝槽的組合，圓形溝槽可以認為是多個首尾相連的圓弧形狀溝槽的組
入
口 ο圖2r展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。一個八邊形溝槽314、兩條斜線形狀的溝槽315a和315b、一個圓形溝槽313把生長襯底I分成一個圓形的中心子區域115、兩個不規則形狀的中心子區域132和兩個不規則形狀的邊緣子區域131。八邊形溝槽314的兩個邊平行於平邊2。圖2r展示八邊形溝槽、斜線形狀溝槽和圓形溝槽的組合，其中，八邊形溝槽可以認為是直線形狀溝槽和斜線形狀溝槽的組合，圓形溝槽可以認為是多個首尾相連的圓弧形狀溝槽的組合。圖2s展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。一個圓形溝槽313和兩個不連接的圓弧形狀溝槽318a和318b把生長襯底I分成一個圓環形的邊緣子區域114、一個不規則形狀的中心子區域133。圖2s展示圓形溝槽和圓弧形狀溝槽的組合，其中，圓形溝槽可以認為是多個首尾相連的圓弧形狀溝槽的組合。注意:溝槽的俯視形狀的組合還包括直線形狀、圓弧形狀、曲線形狀、不規則形狀的其他組合，不限於上述列舉的實施實例。[0093]圖2t展示被溝槽分成子區域的生長襯底的一個實施實例的俯視圖。一個圓形溝槽313把生長襯底I分成一個圓環形的邊緣子區域114和一個圓形狀的中心子區域115。生長襯底I的邊緣上形成邊緣溝槽，邊緣溝槽由圓弧溝槽318和直線溝槽311組成。一個實施實例:不規則邊緣溝槽是由多條較短的平行於平邊2的直線形狀的溝槽和多條較短的垂直於平邊2的直線形狀的溝槽首尾相連、環繞生長襯底的邊緣形成的。圖3a至圖3c展示本實用新型的生長襯底上溝槽的截面形狀及製造工藝的一個實施實例的截面圖。圖3a展示，在生長襯底I上形成溝槽3，形成氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層，覆蓋層43覆蓋溝槽3的底部，覆蓋層42覆蓋溝槽3的側壁，覆蓋層41覆蓋子區域的第一主表面。圖3b展示，通過溼法或幹法刻蝕，去除子區域的第一主表面上的覆蓋層41，覆蓋層43的頂部低於子區域的第一主表面。圖3c展示，通過磨薄、然後進行拋光工藝步驟，或者直接進行拋光工藝步驟，使得子區域的第一主表面達到圖3a和圖3b中的BB線的厚度，覆蓋層43的頂部低於子區域的第一主表面，形成一個淺溝槽。圖4a至圖4c展示本實用新型的生長襯底上溝槽的截面形狀及製造工藝的一個實施實例的截面圖。圖4a展示，在生長襯底I上形成溝槽3，形成氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層，覆蓋層43覆蓋溝槽3的底部，覆蓋層42覆蓋溝槽3的側壁，覆蓋層41覆蓋子區域的第一主表面。圖4b展示，通過溼法或幹法刻蝕，去除子區域的第一主表面上的覆蓋層41，覆蓋層43的頂部低於子區域的第一主表面。圖4c展示，通過磨薄、然後進行拋光工藝步驟，或者直接進行拋光工藝步驟，使得子區域的第一主表面達到圖4a中的BB線的厚度，覆蓋層43的頂部與子區域的第一主表面處於同一平面。圖5a至圖5c展示本實用新型生長襯底上溝槽的截面形狀及製造工藝的一個實施實例的截面圖。圖5a展示，在生長襯底I上形成溝槽3，形成氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層，覆蓋層43覆蓋溝槽3的底部，覆蓋層41覆蓋子區域的第一主表面。圖5b展示，通過溼法或幹法刻蝕，去除子區域的第一主表面上的覆蓋層41，覆蓋層43的頂部高於子區域的第一主表面。圖5c展示，通過磨薄、然後進行拋光工藝，或者直接進行拋光工藝，使得子區域的第一主表面達到圖5 a中的BB線的厚度，覆蓋層43的頂部與子區域的第一主表面處於同一平面。最後應說明的是:以上實施實例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述實施實例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述實施實例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施實例技術方案的精神和範圍。
權利要求1.一種半導體外延生長襯底,包括:生長襯底，所述的生長襯底的第一主表面具有溝槽，在所述的溝槽中具有氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層，所述的氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層覆蓋所述的溝槽的底面，所述的溝槽把所述的生長襯底分隔成至少兩個子區域，在每個所述的子區域，所述的生長襯底的第一主表面暴露。
2.根據權利要求1的半導體外延生長襯底，其特徵在於，所述的溝槽的寬度大於等於2倍的預計的後續生長的外延層的厚度。
3.根據權利要求1的半導體外延生長襯底，其特徵在於，所述的子區域的形狀包括，多邊形、圓形、環形，以及所述的多邊形、所述的圓形、所述的環形的組合。
4.根據權利要求3的半導體外延生長襯底，其特徵在於，所述的子區域的多邊形狀包括，三角形、正方形、長方形、平行四邊形、五邊形、六邊形或八邊形。
5.根據權利要求1的半導體外延生長襯底，其特徵在於，所述的溝槽的俯視形狀包括，直線形狀、圓弧形狀、曲線形狀，以及所述的直線形狀、所述的圓弧形狀、所述的曲線形狀的組合；所述的溝槽的俯視形狀的組合包括，至少兩個相同形狀的所述的溝槽，或者，至少兩個不相同形狀的所述的溝槽。
6.根據權利要求1的半導體外延生長襯底，其特徵在於，所述的生長襯底具有一個平邊；所述的溝槽的俯視形狀由下述的至少一個元素組成，所述的元素包括:與所述的平邊平行的直線、與所述的平邊垂直的直線、與所述的平邊成非90度非O度的角度的斜線、圓弧、曲線，以及所述的與所述的平邊平行的直線、所述的與所述的平邊垂直的直線、所述的斜線、所述的圓弧、所述 的曲線的組合。
專利摘要本實用新型揭示一種劃分成子區域的生長襯底，包括生長襯底，形成在生長襯底第一主表面上的溝槽，氧化覆蓋物或氮化覆蓋物形成在溝槽中，溝槽把生長襯底分隔成至少兩個子區域。溝槽的俯視形狀包括，直線形狀、圓弧形、曲線形、不規則形狀。子區域的形狀包括，三角形、正方形、長方形、平行四邊形、五邊形、六邊形、八邊形、圓形、環形、不規則形狀、不規則環形狀，以及上述形狀的組合。溝槽的寬度大於等於2倍的預計的後續生長的外延層的厚度。生長襯底進一步包括邊緣溝槽，邊緣溝槽形成在生長襯底的圓周的邊緣。邊緣溝槽的形狀包括圓環形狀和不規則形狀。
文檔編號C30B19/12GK203085624SQ20122023084
公開日2013年7月24日 申請日期2012年5月22日 優先權日2012年5月22日
發明者彭暉 申請人:張濤, 彭暉