感光膜的曝光方法及曝光設備的製作方法

2023-05-11 10:00:21

專利名稱：感光膜的曝光方法及曝光設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及感光膜，更具體地說，涉及感光膜的曝光方法及曝光設備。
背景技術：
近來，已經開發出克服了陰極射線管的缺點(諸如重量大及體積大) 的各種平板顯示器。相應地，這些平板顯示器的使用在增長。這些平板 顯示器包括液晶顯示器、場發射顯示器、等離子體顯示板及電致發光顯 不器。
這些平板顯示器的薄膜是通過多個掩模工藝而形成。這些掩模工藝 中的每一個都包括薄膜澱積(塗覆)工藝、洗滌工藝、光刻工藝、蝕刻 工藝、光刻膠移除工藝及測試/檢測工藝。更具體地說，光刻工藝包括 塗布(apply)工藝，其中將感光膜塗布到形成在基板上的薄膜上；曝光 工藝，其中使用掩模對感光膜進行曝光；以及顯影工藝，其中對所曝光 的感光膜進行顯影。
用在曝光工藝中的現有技術曝光設備使用例如由汞放電燈(mercury discharge lamp)所生成的紫外光來對感光膜進行曝光。然而，現有技術 曝光設備中的放電燈只有1000小時的短壽命，這要求在更換放電燈的任 何時候中斷工作，從而導致了由於燈更換及產量損失所引起的費用。因 為放電燈需要一段冷卻時間來散發掉120(TC工作熱量、實際的更換時間 以及正確地定位更換的放電燈的再校準時間，所以工作中斷較長。
來自現有技術曝光設備的放電燈的光包括對於曝光不必要的光的波 長。因此，現有技術曝光設備需要濾光器來過濾掉不必要波長的光，因 此現有技術曝光設備具有複雜的結構及較大的尺寸。此外，現有技術曝 光設備的放電燈必須保持在打開狀態，以防止由於頻繁地開燈及關燈所
5導致的熱應力所引起的破損產生。附加地提供光閘(shutter),以在沒有 使用現有技術曝光設備的放電燈時阻擋光發射。因為放電燈保持在打開 狀態，所以現有技術曝光設備浪費了電力。而且，現有技術曝光設備的 放電燈包含對環境有害的物質(諸如汞)，因此在使用現有技術曝光設備 的放電燈時產生了額外的處理費用。

發明內容
因此，本發明的實施方式致力於一種用於感光膜的曝光方法和曝光 設備。
本發明實施方式的一個目的是提供一種花費較低且工作更高效的曝 光設備。
本發明實施方式的另一 目的是提供一種成本更低且更高效地對感光 膜進行曝光的曝光方法。
本發明實施方式的另一目的是提供一種成本更低且更高效地對感光 膜進行構圖的方法。
本發明實施方式的其它特徵及優點將在以下的說明書中進行闡述， 將通過以下說明書而部分地變得明了，或者可以通過對本發明的實踐而 得知。本發明實施方式的這些目的和其它優點可以通過在書面說明書、 權利要求書及附圖中具體指出的結構來實現和獲得。
為了實現這些和其它優點，並且根據本發明實施方式的目的，如在 此具體實施和廣泛描述的， 一種用於感光膜的曝光設備包括多個發光 二極體，其用於生成光以對感光膜進行曝光；遮光物，其位於所述多個 發光二極體之間以防止噪聲；載物臺(stage),其用於容納其上具有所述 感光膜的基板；以及平行器(parallelizer)，其位於所述發光二極體與所 述載物臺之間，所述平行器用於將來自所述多個發光二極體的光重定向 為垂直地入射到所述感光膜上。
在另一方面， 一種用於感光膜的曝光方法包括以下步驟將具有感 光膜的基板設置在載物臺上；以及控制發光二極體陣列的每個發光二極 管的光學輸出以生成光，由位於發光二極體與載物臺之間的平行器重定向這些光，以使其垂直地入射到所述感光膜上。
在另一方面， 一種用於感光膜的構圖方法包括以下步驟將具有感 光膜的基板設置在載物臺上；將掩模設置在所述感光膜與發光二極體陣 列之間；控制發光二極體陣列的每個發光二極體的光學輸出以生成光， 由位於所述發光二極體與投影光學系統之間的平行器重定向這些光；以 及將投影光學系統設置在所述掩模與所述感光膜之間，以在考慮到所述 基板的收縮/膨脹程度的情況下對來自所述掩模的光進行修正。
應當理解的是，本發明實施方式的以上概述及以下的詳述都是示例 性和解釋性的，並旨在提供對所要求保護的本發明的進一步解釋。


包括附圖以提供對本發明的進一步理解，併入附圖而構成本申請的
一部分，附圖示出了本發明的(多個)實施方式並與說明書一起用於解
釋本發明的原理。在附圖中
圖1為根據本發明第一實施方式的曝光設備的立體圖2為圖1所示的曝光設備的截面圖3A到圖3C為圖2所示的平行器的實施方式的截面圖4為例示了從圖2所示的平行器生成平行光的截面圖5為例示了圖2所示的平行器與遮光膜之間的連接關係的截面圖6為例示了圖1所示的掩模的截面圖7為根據本發明第二實施方式的曝光設備的截面圖8為例示了圖7所示的遮光膜的另一實施方式的截面圖9為例示了圖7及圖8所示的LED的截面圖IO為根據本發明第三實施方式的曝光設備的截面圖11為例示了用於驅動根據本發明第一到第三實施方式的曝光設備
的LED的光源驅動單元的框圖12為例示了用於調整根據本發明第一到第三實施方式的曝光設
備的LED的光量的光調整單元的第一實施方式的框圖13為例示了用於調整根據本發明第一到第三實施方式的曝光設備的LED的光量的光調整單元的第二實施方式的框圖；以及
圖14為例示了具有多個薄膜(這些薄膜是使用根據本發明一個實施 方式的曝光設備通過光刻工藝而形成)的液晶板的立體圖。
具體實施例方式
現在詳細描述本發明的優選實施方式，在附圖中說明這些實施方式 的示例。在附圖中，將儘可能地使用相同的附圖標記來指明相同或類似 的部分。
圖1為根據本發明第一實施方式的曝光設備的立體圖，而圖2為圖 1所示的曝光設備的截面圖。如圖1和圖2所示，曝光設備110包括矩陣 陣列形式的發光二極體(LED) 102、遮光膜104、平行器106、掩模108 及與掩模108相對的載物臺111。載物臺111支撐其上塗布有感光膜(未 圖示)的基板IOI。
LED 102安裝在印刷電路板112上，印刷電路板112由散熱材料制 成，該散熱材料將由LED102產生的熱量散發掉。這些LED102可同時 打開和關閉，或者可單獨打開和關閉，以生成用於對感光膜進行曝光的 光。即，LED 102生成在曝光工藝中所用的短波長光，例如波長為100-400 nm的紫外光。如上所述，LED102使用短波長光，因此不需要光閘或用 於過濾掉不必要的長波長的光的濾光器。因此，本發明實施方式的曝光 設備具有簡單的結構，並且減小了成本並具有更小的總體尺寸。
LED 102具有幾萬小時到幾十萬小時的壽命，以通過極大地減少工 作中斷時段的發生而保持產量。由於LED能夠單獨打開和關閉，所以能 夠將與感光膜的曝光區域相對應的LED 102打幵，而將與感光膜的非曝 光區域相對應的LED關閉，以選擇性地對感光膜進行曝光。因為LED 102 能夠被打開和關閉，使得可以僅在需要光的時候才打開LED 102，減小 了電力消耗。此外，LED102不使用有害物質(諸如汞)，因此有益於環 保。
如圖2所示，遮光膜104為在矩陣陣列形式的LED 102之間具有壁 的格子形狀。遮光膜104的壁在印刷電路板112上方延伸到高度H。遮光膜104的壁將LED 102的矩陣劃分為多個光發射區域114，各個光發 射區域114都具有各自的一個LED 102。遮光膜104的高度H防止了均 勻度相對較低的不期望光120，並且使準直半角(collimation half angle) 最小化。更具體地說，遮光膜104遮擋了從相鄰光發射區域114發出的 不期望的光，以防止除了來自直接位於基板表面上方的光發射區域114 的光之外的光入射到該基板的表面上。當各個LED 102的不期望的光120 入射到相鄰LED 102的光發射區域114時，這些不期望的光120成為噪 聲。因此，遮光膜104由光吸收材料製成。
平行器106將來自各個LED 102的光重定向為與基板101的厚度方 向平行的光，使得來自LED 102的光垂直地入射到掩模108和基板101 表面上的感光膜(未圖示)上。平行器106由可使得與形成在基板101 上的感光膜反應的波長穿過的材料製成。例如，平行器106由具有高光 透射率的透明材料(例如石英、玻璃、壓克力(acryl)、聚甲基丙烯酸酯 (PMMA)、聚碳酸酯或矽)製成。平行器106為包括多個單獨形成或一 體形成的光學透鏡116的透鏡陣列。以曲面形式來形成多個光學透鏡116， 使得與掩模108相對的光學透鏡116的表面朝著掩模108突出。以圖3A 到3C所示結構中的至少一種結構來形成多個光學透鏡116。
圖3A中的光學透鏡116在與相應LED 102相對應的區域內具有球 面。圖3B中的光學透鏡116在與相應LED 102相對應的區域內具有非球 面。圖3C中的光學透鏡116被設置為使得光學透鏡116的與LED 102 相對的後表面及光學透鏡116的與掩模108相對的前表面朝著掩模108 突出。多個光學透鏡116可按照一對一的關係與各個LED 102相對應， 或者按照一對多的關係與各個LED 102相對應。雖然該實施方式描述了 可以為圖3A到3C所示透鏡陣列中的一種透鏡陣列的平行器106，但是， 平行器106也可以為圖3A到3C所示透鏡陣列中的至少兩個相同陣列的 組合，或者為圖3A到3C所示透鏡陣列中的至少兩個不同陣列的組合。
如圖4所示，入射光首先被光學透鏡116的後表面折射，然後再被 光學透鏡116的前表面折射，從而被重定向為與遮光膜104平行的光。 光學透鏡116具有由斯涅爾定律(Snell'slaw)所確定的折射率和曲率半徑，以將來自LED 102的入射光重定向為與環繞LED 102的遮光膜104 平行的光，或者重定向為垂直於基板101的表面。此外，為了調整光透 射率，可對光學透鏡116的表面進行塗覆。
光學透鏡116具有指定的寬度(wl)和相對於LED 102的指定間隔 距離(h)，使得從LED 102發出的光當中的不期望的光不會入射到光學 透鏡116上，而只有有效光才入射到光學透鏡116上。具體地說，光學 透鏡116的寬度(wl)大於LED 102的寬度(w2)。在光學透鏡116的 寬度(wl)不大於LED102的寬度(w2)的情況下，從LED102發射的 有效光當中的具有較大擴張角度(Se)的有效光不會入射到光學透鏡116 上，而只有具有較小擴張角度(Se)的有效光才入射到光學透鏡116上， 因此降低了光學效率。
當溫度升高時，平行器106的光學透鏡116膨脹，使得光學透鏡116 的曲率半徑改變。因此，應當將曝光設備保持在預定的工作溫度範圍內。 為此，可以將用於感測曝光設備的溫度的溫度傳感器設置在印刷電路板 112上，並且可以額外地提供用於根據所感測的溫度而升高或降低曝光設 備溫度的溫度控制單元。
平行器106可被固定到遮光膜104上，然後將遮光膜104設置在印 刷電路板112的上方。在另一替換方式中，將遮光膜104附著到印刷電 路板112上，然後將平行器106設置到遮光膜104上方。在又一替換方 式中，通過將遮光膜104插入到形成在平行器106的各個光學透鏡116 之間的溝槽118內，可將平行器106與遮光膜104自行對齊，如圖5所 示。
掩模108包括透明掩模基板108a和形成在掩模基板108a上的掩模 圖案108b。由其中形成有掩模圖案108b的遮擋區域遮擋來自平行器106 的平行光，而其中未形成有掩模圖案108b的透射區域透射平行光。通過 穿過掩模108的透射區域的光將指示了透射區域和遮擋區域的圖案轉印 (transcribe)到感光膜上。
來自平行器106的平行光在掩模108的掩模圖案108b邊緣處具有 20度或更小的準直半角(0/2)，如圖6所示。這裡，準直半角(0/2)表
10示平行光的擴張程度。使用掩模108通過光刻工藝，將感光膜構圖為具 有90到110度的錐形角。
圖7為根據本發明第二實施方式的曝光設備的截面圖。如圖7所示， 曝光設備包括與圖1所示的曝光設備的組件相同的組件，除了圖7中的 曝光設備的遮光膜塗覆在LED的發光表面的外部上以外。因此，省略了
對該實施方式的曝光設備中的與第一實施方式中的組件基本上相同的組 件的詳細描述。
如圖7所示，遮光膜126塗覆在LED 102的發光表面的外部或外緣 部分上，或者如圖8所示，塗覆在LED 102的發光表面的外部和LED 102 之間的印刷電路板112上。具體地說，遮光膜126塗覆在具有介電質124 (介電質124保護生成紫外光的發光晶片122)的發光表面的外部上，如 圖9所示。因此，從LED 102的被遮光膜126所覆蓋的外部之外的其餘 未被覆蓋的發光表面發出光。
如上所述，遮光膜126形成在LED 102的可發射不期望光120 (其 導致噪聲)的發光表面的外部，並且遮光膜126防止了發射不期望光120。 即，遮光膜126遮擋了從各個LED 102的發光表面的外部發出的不期望 光120，使得從各個LED 102的發光表面的外部發出的不期望光120不 會入射到相鄰LED 102的發光區域上。當LED 102的不期望光120入射 到相鄰LED 102的發光區域114上時，不期望光120成為噪聲。為此， 遮光膜126由光吸收材料製成。
圖10為根據本發明第三實施方式的曝光設備的截面圖。如圖10所 示，曝光設備包括與圖1所示的曝光設備的組件相同的組件，除了圖10 中的曝光設備還包括投影光學系統138以外。因此，省略了對該實施方 式的曝光設備中的與第一實施方式中的組件基本上相同的組件的詳細描 述。
圖10所示的投影光學系統138形成在掩模108與其上塗覆有感光膜 的基板101之間。具體地說，使用具有投影光學系統138的曝光設備110 而對薄膜電晶體基板的薄膜進行構圖。因為由於澱積方法(例如化學汽 相澱積(CVD)或濺射)需要對薄膜電晶體基板的薄膜(例如金屬層和
ii半導體層)進行熱處理，這導致基板的尺寸收縮或膨脹幾十到幾百ppm， 所以難以通過接近式曝光(proximity exposure)來獲得所需的具有高分辨 率的圖案。
在本發明的實施方式中，使用具有投影光學系統138的曝光設備來 對感光膜進行曝光，以形成具有高解析度的精細圖案(這種精細圖案無 法通過接近式曝光形成)。由於投影光學系統138在考慮基板101的收縮 /膨脹程度的情況下修正了來自掩模108的光，並且使用修正後的光對感 光膜進行曝光，所以可以防止由於澱積工藝中的熱處理所導致的感光膜 線寬減小。
根據本發明第一到第三實施方式的曝光設備的LED由圖11所示的 光源驅動單元136驅動。圖11所示的光源驅動單元136可以單獨地或集 中地驅動多個LED 102。光源驅動單元136對提供給LED 102的驅動電 流或驅動電壓進行控制，由此對LED 102的光學輸出進行控制。
如圖12和13所示，本發明實施方式的曝光設備還可以包括光調整 單元130，以均勻地控制從各個LED 102發出的光量。如圖12和13所 示，光調整單元130包括光源控制單元134和至少一個光檢測單元132。
該至少一個光檢測單元132對從根據本發明第一到第三實施方式的 曝光設備的LED 102發出的光量進行測量。這裡，以一對一的關係與LED 102相對應的多個光檢測單元132對從相應LED 102發出的光量進行測 量，如圖12所示。在替換方式中， 一個光檢測單元132可以對應於多個 LED 102，並且對從這些LED 102發出的光量進行測量，如圖13所示。
光源控制單元134基於由該至少一個光檢測單元132所測量的光量， 來生成光源控制信號。即，光源控制單元134將所測量的光量與預定的 參考光量進行比較，並且生成與兩者之間的差值相對應的光源控制信號。
光源驅動單元136可以單獨地或集中地驅動多個LED 102。響應於 光源控制信號，光源驅動單元136對提供給LED 102的驅動電流或驅動 電壓進行控制，由此對LED 102的光學輸出進行控制。以下，將描述對 提供給LED 102的驅動電流進行控制的光源驅動單元136。在所測量的 從LED 102發出的光量小於預定的參考光量並且LED 102達到相對較低
12亮度的情況下，光源驅動單元136增加提供給達到相對較低亮度的LED 102的驅動電流。於是，LED102達到增強的亮度，因此滿足參考亮度。 另一方面，在所測量的從LED 102發出的光量大於預定的參考光量並且 LED 102達到相對較高亮度的情況下，光源驅動單元136減小提供給達 到相對較高亮度的LED 102的驅動電流。然後，LED102達到減小的亮 度，因此滿足參考亮度。為了調整提供給LED 102的驅動電流，對光源 驅動單元136的與LED 102連接的打開/關閉開關(未圖示)進行控制。 即，對控制打開/關閉開關的脈衝的佔空比(dutyratio)或頻率進行調整。 由此，均勻地保持了從本發明實施方式的曝光設備的LED 102發出的光 的總亮度。
圖14為例示了具有多個薄膜和厚膜(這些薄膜和厚膜是使用根據本 發明一個實施方式的曝光設備通過光刻工藝而形成)的液晶板的立體圖。 圖14所示的本發明實施方式的液晶板包括薄膜電晶體基板150和濾色器 基板140，薄膜電晶體基板50和濾色器基板140彼此接合，並且其間插 設有液晶層160。
濾色器基板140包括依次形成在上基板142上的黑底144、濾色器 146、公共電極148及柱狀分隔體(未圖示)。黑底144將上基板142劃 分為其中形成有濾色器146的多個單元區域，並且防止了外部光的反射 和相鄰單元之間的光學幹擾。劃分為紅色(R)、綠色(G)和藍色(B) 濾色器的濾色器146分別形成在由黑底144所劃分的單元區域上，並且 分別透射R、 G和B光。公共電極148為透明導電層，其在驅動液晶時 提供作為基準的公共電壓(Vcom)。柱狀分隔體用於在薄膜電晶體基板 150與濾色器基板140之間保持均勻的單元間隙。薄膜電晶體基板150包 括形成在下基板152上的選通線156和數據線154，使得選通線156和數 據線154彼此交叉，薄膜電晶體158分別靠近交叉點，而像素電極170 分別形成在由交叉結構所形成的像素區域內。
薄膜電晶體158使得響應於提供給選通線156的掃描信號而提供給 數據線154的像素信號充入(fill)到像素電極170，並且保持像素電極 170的充電狀態(filling state)。像素電極170接收從薄膜電晶體158提供
13的像素信號，並且生成與形成在濾色器基板140上的公共電極148之間 的電勢差。由於該電勢差，位於薄膜電晶體基板150與濾色器基板140 之間的液晶分子根據介電各向異性(dielectric anisotropy)而轉動，並且 對經由像素電極170而從背光單元入射的光量進行調整，然後這些光穿 過濾色器基板140。
使用感光膜(使用根據本發明第一到第三實施方式的曝光設備通過 光刻工藝而對其進行了構圖)通過蝕刻工藝對薄膜電晶體基板和濾色器 基板的非感光膜(例如導電層及半導體層)進行構圖。具體地說，通過 將根據本發明第一到第三實施方式中的任何一個的曝光設備的LED發出 的光重定向為平行光，並且通過掩模將平行光照射到感光膜上，來對形 成在非感光膜上的感光膜進行曝光。通過顯影工藝對經過曝光的感光膜 進行構圖，由此生成感光圖案。使用感光圖案作為掩模通過蝕刻工藝對 非感光膜進行構圖。
使用根據本發明第一到第三實施方式的曝光設備通過光刻工藝對薄 膜電晶體基板或濾色器基板的感光膜(例如濾色器)進行構圖。具體地 說，通過將根據本發明第一到第三實施方式中的任何一個的曝光設備的 LED發出的光重定向為平行光，並且通過掩模將平行光照射到感光膜上， 來對感光膜進行曝光。通過顯影工藝對經過曝光的感光膜進行構圖。
使用本發明實施方式的曝光設備通過光刻工藝來形成其它平板顯示 器(例如等離子體顯示板、電致發光顯示器和場發射顯示器及上述液晶 顯示板)的薄膜或厚膜。
如上所述，本發明實施方式使用具有長壽命的LED作為光源，由此 極大地降低了維護成本，提高了生產率並且減少了更換過程。此外，本 發明實施方式使用了發射不需要濾光器或光閘的短波長光的LED，以得 到具有較小尺寸的簡單結構，這種簡單結構降低了安裝費用。此外，本 發明實施方式使用了能夠打開和關閉的LED，由此減小了功耗。此外， 本發明實施方式沒有使用採用了有害的放電氣體(例如汞)的放電燈， 因此本發明實施方式有益於環保。而且，本發明實施方式為LED遮擋住 不需要的光，以保持從LED發出的光的均勻度。對於本領域的技術人員，顯然可以在不背離本發明的精神和範圍情 況下，對本發明的實施方式作出各種變化或修改。因此，本發明的實施 方式旨在涵蓋落入了所附權利要求及其等同物範圍內的本發明的修改和 變化。
本申請要求於2007年12月31日提交的韓國專利申請No. 2007-0141751的優先權，在此通過引用併入其全部內容。
權利要求
1、一種用於感光膜的曝光設備，該曝光設備包括多個發光二極體，其用於生成光以對感光膜進行曝光；遮光物，其位於所述多個發光二極體之間以防止噪聲；載物臺，其用於容納其上具有所述感光膜的基板；以及平行器，其位於所述發光二極體與所述載物臺之間，其中，所述平行器將來自所述多個發光二極體的光重定向為平行光。
2、 根據權利要求l所述的用於感光膜的曝光設備，該曝光設備還包 括掩模，其位於所述平行器與所述載物臺之間。
3、 根據權利要求1所述的用於感光膜的曝光設備，其中，所述多個 發光二極體為矩陣陣列的形式。
4、 根據權利要求1所述的用於感光膜的曝光設備，其中，所述發光 二極體安裝在散熱電路板上，該散熱電路板散發由所述發光二極體產生 的熱量。
5、 根據權利要求4所述的用於感光膜的曝光設備，其中，所述遮光 物為塗覆在所述多個發光二極體的發光表面的外部上以及塗覆在位於所 述多個發光二極體之間的電路板上的膜。
6、 根據權利要求1所述的用於感光膜的曝光設備，其中，所述遮光 物為在所述多個發光二極體之間具有壁的格子形狀。
7、 根據權利要求6所述的用於感光膜的曝光設備，其中，所述平行 器具有用於附接到所述格子形狀的遮光物上的溝槽。
8、 根據權利要求1所述的用於感光膜的曝光設備，其中，所述平行 器具有分別與所述多個發光二極體相對應的光學透鏡。
9、 根據權利要求8所述的感光膜的曝光設備，其中，所述多個光學透鏡中的每一個都具有第一寬度，該有第一寬度比所述發光二極體的第 二寬度大。
10、 根據權利要求8所述的用於感光膜的曝光設備，其中，所述多 個光學透鏡中的每一個都具有非球形凸面。
11、 根據權利要求8所述的用於感光膜的曝光設備，其中，所述多 個光學透鏡中的每一個都具有凹面和凸面。
12、 根據權利要求1所述的用於感光膜的曝光設備，其中，所述遮 光物為塗覆在所述多個發光二極體的發光表面的外部上的膜。
13、 根據權利要求1所述的用於感光膜的曝光設備，該曝光設備還包括投影光學系統，其位於所述平行器與所述載物臺之間。
14、 根據權利要求1所述的用於感光膜的曝光設備，該曝光設備還 包括溫度傳感器，其用於感測所述曝光設備的溫度；以及溫度控制單 元，其用於增加或減小所述曝光設備的溫度。
15、 根據權利要求1所述的用於感光膜的曝光設備，該曝光設備還 包括至少一個光檢測單元，其用於對從所述曝光設備的多個發光二極 管發出的光量進行測量。
16、 根據權利要求1所述的用於感光膜的曝光設備，該曝光設備還 包括以一對一的關係與所述多個發光二極體相對應的多個光檢測單元， 其用於分別對從所述多個發光二極體發出的光量進行測量。
17、 一種使用具有發光二極體陣列、平行器及載物臺的曝光設備的 曝光方法，該曝光方法包括以下步驟將具有感光膜的基板設置在所述載物臺上； 將具有掩模圖案的掩模設置在所述載物臺與所述平行器之間； 從所述多個發光二極體生成光；以及 使用所述平行器來控制所述光以使其平行。
18、 根據權利要求17所述的感光膜的曝光方法，其中，在所述掩模 圖案的邊緣處，光的準直半角小於20度。
19、 根據權利要求17所述的感光膜的曝光方法，該曝光方法還包括 以下步驟測量所述曝光設備的溫度；以及控制所述曝光設備的溫度，使得所述平行器保持預定溫度。
20、 根據權利要求17所述的感光膜的曝光方法，其中，從所述多個 發光二極體生成光包括以下步驟分別測量並控制所述多個發光二極體的光輸出。
21、根據權利要求17所述的感光膜的曝光方法，該曝光方法還包括 以下步驟對所述掩模與所述感光膜之間的投影光學系統進行控制，以 根據所述基板的收縮/膨脹程度來對來自所述掩模的光進行調整。
全文摘要
本發明涉及感光膜的曝光方法及曝光設備。一種用於感光膜的曝光設備包括多個發光二極體，其用於生成光以對感光膜進行曝光；遮光物，其位於所述多個發光二極體之間以防止噪聲；載物臺，其用於容納其上具有所述感光膜的基板；以及平行器，其位於所述發光二極體與所述載物臺之間，所述平行器用於將來自所述多個發光二極體的光重定向為垂直地入射到所述感光膜上。
文檔編號G03F7/20GK101477311SQ200810214659
公開日2009年7月8日 申請日期2008年9月1日 優先權日2007年12月31日
發明者宋秉德, 金鐘一, 金鐘淡 申請人:樂金顯示有限公司