一種高可靠性封裝的製作方法
2023-05-11 08:06:16 8
專利名稱：一種高可靠性封裝的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體晶片封裝技術領域。
背景技術：
晶片封裝技術就是將內存晶片包裹起來，以避免晶片與外界接觸，防止外界對晶片的損害的一種工藝技術。空氣中的雜質和不良氣體，乃至水蒸氣都會腐蝕晶片上的精密電路，進而造成電學性能下降。不同的封裝技術在製造工序和工藝方面差異很大，封裝後對內存晶片自身性能的發揮也起到至關重要的作用。隨著光電、微電製造工藝技術的飛速發展，電子產品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發展，因此晶片元件的封裝形式也不斷得到改進。晶片的封裝技術多種多樣，有DIP、P0FP、TS0P、BGA、QFP、CSP等等，種類不下三十種，經歷了從DIP、TSOP到BGA的發展歷程。晶片的封裝技術已經歷了幾代的變革，性能日益先進，晶片面積與封裝面積之比越來越接近1，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，以及引腳數增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便。隨著表面貼裝技術的廣泛應用，一種比較嚴重的失效模式就是封裝體在客戶端進行表面貼裝SMT時，晶片封裝體從界面處開裂，界面處的導線鍵合受到分離應力作用容易開路而導致產品失效，界面處的晶片建立了與外界的潮氣通路，其失效機理就是由於有些工序中溫度比較高，界面所吸收的潮氣在高溫下體積迅速膨脹，產生的應力高於界面的結合力導致的開裂。為此JEDEC固態技術協會公布了針對SMT器件的潮氣敏感度的標準，對此給了明確的潮氣敏感度定義、實驗方法、等級劃分。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種高可靠性封裝，其能夠提高晶片封裝中多個關鍵界面的結合強度，降低潮氣等級數；延長產品使用壽命；解決處理後的保存時間問題。為解決上述技術問題，本發明提供了如下技術方案一種高可靠性封裝，其中，包括以下步驟，晶片切割、晶片鍵合在引線框架或者基板上；導線鍵合，將引線框架放入溼菲林溶液中電鍍，所述溼菲林溶液濃度為60% -70%,電鍍時間為5-10秒，溫度為50-55攝氏度，然後用清水清洗，烘乾 後進行等離子清洗處理；然後對待處理材料表面施用助粘劑溶液，常溫風乾或烘乾，然後進行後道工序，環氧樹脂包覆晶片，晶片座。作為本發明所述的高可靠性封裝的優選方案之一，其中所述溼菲林溶液濃度為65% -68%,電鍍時間為5-8秒，溫度為50-53攝氏度，然後用清水清洗，烘乾後，先使用氬氣對待處理材料進行等離子處理，再使用氮氣進行等離子處理等離子清洗處理；然後對待處理材料表面施用助粘劑溶液，所述活性成分為3-氨丙基矽三醇與三鈦酸異丙酯及乙烯基二甲氧基娃燒的混合體，二者比例為1_2 : 1-2 : 6_8。作為本發明所述的高可靠性封裝的優選方案之一，其中所述溼菲林溶液濃度為67%，電鍍時間為7秒，溫度為50攝氏度，然後用清水清洗，烘乾後，先使用氬氣對待處理材料進行等離子處理，再使用氮氣進行等離子處理等離子清洗處理；然後對待處理材料表面施用3%濃度的助粘劑混合溶液，所述活性成分為3-氨丙基矽三醇與三鈦酸異丙酯，兩者比例為9 I。作為本發明所述的高可靠性封裝的優選方案之一，其中所述溼菲林溶液濃度為68%，電鍍時間為6秒，溫度為55攝氏度，然後用清水清洗，烘乾後，先使用氬氣對待處理材料進行等離子處理，再使用氮氣進行等離子處理等離子清洗處理；然後對待處理材料表面施用5%濃度的助粘劑混合溶液，所述活性成分為3-氨丙基矽三醇與三鈦酸異丙酯，兩者比例為8 2。採用本發明有益的技術效果包括能夠提高多個關鍵界面的結合強度，防止分層、開裂的出現，避免工藝過程中不必要的全檢和次品；能夠降低產品的潮氣等級數，消除產品在客戶端使用時潛在的缺陷，本身成本很低，降低了封裝總體的成本；能夠延長產品的使用壽命一倍以上,提高產品的市場競爭力。
具體實施方式
一種實施例，先對晶片切割、晶片鍵合在引線框架或者基板上；導線鍵合，將引線框架放入溼菲林溶液中電鍍，所述溼菲林溶液濃度為60% _70%，電鍍時間為5-10秒，溫度為50-55攝氏度，然後用清水清洗，烘乾後。將其裝入反應腔內，可以多條平鋪，自動或手動皆可。將待處理材料的表面暴露在等離子體入射範圍內，連接真空泵抽真空，進行等離子處理；然後對待處理材料表面施用助粘劑溶液，常溫風乾或烘乾，然後進行後道工序，環氧樹脂包覆晶片，晶片座。
另一種實施方式中，其中所述溼菲林溶液濃度為65% -68%，電鍍時間為5-8秒，溫度為50-53攝氏度，然後用清水清洗，烘乾後，將其裝入反應腔內，可以多條平鋪，自動或手動皆可。將待處理材料的表面暴露在等離子體入射範圍內，連接真空泵抽真空，進行等離子處理。先使用氬氣對待處理材料進行等離子處理，再使用氮氣進行等離子處理等離子清洗處理；然後對待處理材料表面施用助粘劑溶液，所述活性成分為3-氨丙基矽三醇與三鈦酸異丙酯及乙烯基三甲氧基矽烷的混合體，三者比例為1_2 1-2 6-8。另一種實施方式中，所述溼菲林溶液濃度為67%，電鍍時間為7秒，溫度為50攝氏度，然後用清水清洗，烘乾後，將其裝入反應腔內，可以多條平鋪，自動或手動皆可。將待處理材料的表面暴露在等離子體入射範圍內，連接真空泵抽真空，進行等離子處理。先使用氬氣對待處理材料進行等離子處理，再使用氮氣進行等離子處理等離子清洗處理；然後對待處理材料表面施用3%濃度的助粘劑混合溶液，所述活性成分為3-氨丙基矽三醇與三鈦酸異丙酯，兩者比例為9 I。應說明的是，以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非限制，儘管參照較佳實施例對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發明技術方案的精神和範圍，其均應涵蓋在本發明的權利要求範圍當中。
權利要求
1.一種高可靠性封裝，其特徵在於，包括以下步驟，晶片切割、晶片鍵合在引線框架或者基板上；導線鍵合，將引線框架放入溼菲林溶液中電鍍，所述溼菲林溶液濃度為60% -70%,電鍍時間為5-10秒，溫度為50-55攝氏度，然後用清水清洗，烘乾後進行等離子清洗處理；然後對待處理材料表面施用助粘劑溶液，常溫風乾或烘乾，然後進行後道工序，環氧樹脂包覆晶片，晶片座。
2.根據權利要求1所述的高可靠性封裝，其特徵在於所述溼菲林溶液濃度為65% -68%,電鍍時間為5-8秒，溫度為50-53攝氏度，然後用清水清洗，烘乾後，先使用氬氣對待處理材料進行等離子處理，再使用氮氣進行等離子處理等離子清洗處理；然後對待處理材料表面施用助粘劑溶液，所述活性成分為3-氨丙基矽三醇與三鈦酸異丙酯及乙烯基二甲氧基娃燒的混合體，二者比例為1_2 : 1-2 : 6_8。
3.根據權利要求1所述的高可靠性封裝，其特徵在於所述溼菲林溶液濃度為67%，電鍍時間為7秒，溫度為50攝氏度，然後用清水清洗，烘乾後，先使用氬氣對待處理材料進行等離子處理，再使用氮氣進行等離子處理等離子清洗處理；然後對待處理材料表面施用3%濃度的助粘劑混合溶液，所述活性成分為3-氨丙基矽三醇與三鈦酸異丙酯，兩者比例為 9 I。
4.根據權利要求1所述的高可靠性封裝，其特徵在於所述溼菲林溶液濃度為68%，電鍍時間為6秒，溫度為55攝氏度，然後用清水清洗，烘乾後，先使用氬氣對待處理材料進行等離子處理，再使用氮氣進行等離子處理等離子清洗處理；然後對待處理材料表面施用5%濃度的助粘劑混合溶液，所述活性成分為3-氨丙基矽三醇與三鈦酸異丙酯，兩者比例為 8 : 2。
全文摘要
本發明公開了一種高可靠性封裝，其特徵在於，包括以下步驟，晶片切割、晶片鍵合在引線框架或者基板上；導線鍵合，將引線框架放入溼菲林溶液中電鍍，所述溼菲林溶液濃度為60％-70％，電鍍時間為5-10秒，溫度為50-55攝氏度，然後用清水清洗，烘乾後進行等離子清洗處理；然後對待處理材料表面施用助粘劑溶液，常溫風乾或烘乾，然後進行後道工序，環氧樹脂包覆晶片，晶片座。能夠提高產品有效性，延長產品使用壽命；解決處理後的保存時間問題。
文檔編號H01L23/495GK103066030SQ20111032520
公開日2013年4月24日 申請日期2011年10月22日 優先權日2011年10月22日
發明者不公告發明人 申請人:無錫世一電力機械設備有限公司