一種電子產品中eMMC的上電電路的製作方法
2023-05-02 19:14:36
專利名稱：一種電子產品中eMMC的上電電路的製作方法
技術領域：
本發明屬於電子產品的電路領域，具體是指一種是電子產品中eMMC的上電電路。背景技術：
eMMC (Embedded MultiMediaCard)為MMC協會所訂立的內嵌式存儲器標準規格。eMMC的一個明顯優勢是在封裝中集成了一個控制器，它提供標準接口並管理快閃記憶體，使得廠商能專注於產品開發的其他部分，並縮短向市場推出產品的時間。Nand Flash內存是Flash內存的一種，其內部採用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand Flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，包括數位相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤、平板電腦等。但由於Nand Flash晶片的不同品牌包括三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(Hynix)或美光(Micron)等，而且 Nand Flash 製程技術更新換代快，平均每年都會推陳出新，所以在使用時都需要根據每家公司的產品和技術特性來重新設計。這對於需要快速推出產品的消費類電子來說，無疑是浪費了時間，延誤了開發周期。因此，像eMMC這種把所有存儲器和管理Nand Flash的控制晶片都包在一顆MCP上的概念，逐漸風行起來。舊設計的eMMC沒有專門的復位信號，晶片的復位是通過上電後，軟體寫入Reset指令來實現的。該技術在存儲設備燒寫程序後需要重啟的情況下，或是數碼產品快速上下電的情況下，會出現上電不完全，或是電荷洩放不完全的情況，影響到電子產品的正常使用。新設計的eMMC設計中已經增加了專門的復位信號。但是現在市面上新舊兩種設計的eMMC都還在流通，這對電子產品的物料替換產生了很大的困難，有可能出現上一批產品正常，第二批產品不正常的問題。有鑑於此，本發明人針對現有技術的缺陷深入研究，並有本案產生。
發明內容本發明所要解決的技術問題在於提供一種電子產品中eMMC的上電電路，使得eMMC Flash得到可靠的復位上電，並且在系統下電後快速放電，提高了系統的穩定性。本發明採用以下技術方案解決上述技術問題一種是電子產品中eMMC的上電電路，包括電源控制電路和放電電路兩部分；其中電源控制電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R5，三極體Q3、PMOS管Q1、電容C344 ;其中電阻R5 —端連接到SYS_RESET，另一端連接到三極體Q3的基極，三極體Q3的發射極接地，三極體Q3的集電極連接電阻R2，電阻R2的另一端分別連接電阻Rl、PMOS管Ql的柵極、電容C344、放電電路中的NMOS管Q2的柵級；PM0S管Ql的漏極分別連接電阻R1、電容C344、以及VCC30 ；PM0S管Ql的源極連接放電電路的電阻R3、以及VCC_FLASH ；其中放電電路包括電阻R3和NMOS管Q2 ;電阻R3 —端連接VCC_FLASH，另一端連接NMOS管Q2的漏極，NMOS管Q2的源極接地；其中三極體Q3型號為3904，PMOS管Ql型號為WPM2341，NMOS管Q2的型號為WNM2016 ；其中電容C344型號為C0603。所述電阻R1、R2、R3、R5的型號均為R0603。所述三極體Q3、PMOS管Ql、NMOS管Q2的封裝尺寸為S0T23。所述電容C344容量為0. IuF0本發明的優點在於本發明使得eMMC的上電復位可控，並且讓eMMC能在快速上下電的情況下，洩放內部電荷，保證它的上電可靠，提高了系統的穩定性，解決了量產中遇到的物料替換問題。
下面參照附圖結合實施例對本發明作進一步的描述。圖I是本發明電路結構示意圖。
具體實施方式如圖I所示，一種是電子產品中eMMC的上電電路，包括電源控制電路和放電電路兩部分；其中電源控制電路包括電阻Rl (阻值100K)、電阻R2 (阻值10K)、電阻R5 (阻值10K)，三極體Q3、PM0S管Q1、電容C344 (容量0. IuF);其中電阻R5—端連接到SYS_RESET，另一端連接到三極體Q3的基極，三極體Q3的發射極接地，三極體Q3的集電極連接電阻R2，電阻R2的另一端分別連接電阻RUPMOS管Ql的柵極、電容C344、放電電路中的NMOS管Q2的柵級；PM0S管Ql的漏極分別連接電阻R1、電容C344、以及VCC30 ；PM0S管Ql的源極連接放電電路的電阻R3、以及VCC_FLASH ；其中放電電路包括電阻R3(阻值33R)和NMOS管Q2 ；電阻R3 —端連接VCC_FLASH，另一端連接NMOS管Q2的漏極，NMOS管Q2的源極接地；其中三極體Q3型號為3904，PMOS管Ql型號為WPM2341，NMOS管Q2的型號為WNM2016 ；其中電容C344型號為C0603。所述電阻Rl、R2、R3、R5的型號均為R0603。電阻R5的阻值只要能保證三極體Q3完全導通時的基極電流就行了，一般常用4. 7K-47K的電阻；電阻R3的阻值可以在100R以內，阻值越小放電越快；電阻Rl、R2的阻值可變，但要保證在三極體Q3導通時，電阻Rl兩端的電壓要大於PMOS管Ql的導通闕值電壓，即Vgs>2. 5V。又因為Vgs越大，匪OS管Q2導通電阻電阻越小，損耗也越小，且考慮到功耗，所以電阻Rl可以在10K-100K選取，電阻R2對應在1K-10K選取 所述三極體Q3、PMOS管Ql、NMOS管Q2的封裝尺寸為S0T23。電源控制電路由PMOS管Ql控制電源電路導通，由電阻R5、三極體Q3產生控制信號，由電阻Rl、R2分壓電路設置控制PMOS管Ql導通的Vgs電平。放電電路NMOS管Q2控制電荷放電電路導通，電阻R3做為放電電路的負載電阻。
在系統上電前，SYS_RESET引腳為低電平，三極體Q3截止，此時PMOS管Ql的柵極因為電阻Rl的上拉所以為高電平，PMOS管Ql的Vgs=Ov,所以PMOS管Ql截止，eMMC不上電。又因為此時NMOS管Q2的柵極為高電平，Vgs=3V，所以NMOS管Q2導通，通過電阻Rl組成放電迴路，洩放eMMC內部電荷。當電路上電並開始穩定工作時，SYS_RESET輸出高電平，控制三極體Q3導通，電阻RU R2 形成分壓，PMOS 管 Ql 的 Vgs=-3V，所以 PMOS 管 Ql 導通，VCC_FLASH=VCC30, NMOS 管Q2的柵極為低電平，Vgs=O. 3V，NMOS管Q2截止，eMMC開始上電。採用本發明的方案後，eMMC Flash可以得到可靠的復位上電，並且能在系統下電後快速放電，提高了系統的穩定性，解決了量產中遇到的物料替換問題。以上所述僅為本發明的較佳實施用例而已，並非用於限定本發明的保護範圖。凡 在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換以及改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
權利要求
1.一種是電子產品中e麗C的上電電路，其特徵在於包括電源控制電路和放電電路兩部分； 其中電源控制電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R5，三極體Q3、PM0S管Ql、電容C344 ;其中電阻R5 —端連接到SYS_RESET，另一端連接到三極體Q3的基極，三極體Q3的發射極接地，三極體Q3的集電極連接電阻R2，電阻R2的另一端分別連接電阻RUPMOS管Ql的柵極、電容C344、放電電路中的NMOS管Q2的柵級；PM0S管Ql的漏極分別連接電阻R1、電容C344、以及VCC30 ；PM0S管Ql的源極連接放電電路的電阻R3、以及VCC_FLASH ； 其中放電電路包括電阻R3和NMOS管Q2 ;電阻R3 —端連接VCC_FLASH，另一端連接NMOS管Q2的漏極，NMOS管Q2的源極接地； 其中三極體Q3型號為3904，PMOS管Ql型號為WPM2341，NM0S管Q2的型號為WNM2016 ； 其中電容C344型號為C0603。
2.如權利要求I所述的一種是電子產品中eMMC的上電電路，其特徵在於所述電阻R1、R2、R3、R5 的型號均為 R0603。
3.如權利要求I所述的一種是電子產品中eMMC的上電電路，其特徵在於所述三極體Q3、PM0S管Q1、NM0S管Q2的封裝尺寸為S0T23。
4.如權利要求I所述的一種是電子產品中eMMC的上電電路，其特徵在於所述電容C344 容量為 O. IuF0
全文摘要
一種是電子產品中eMMC的上電電路，包括電源控制電路和放電電路兩部分；其中電源控制電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R5，三極體Q3、PMOS管Q1、電容C344；其中放電電路包括電阻R3和NMOS管Q2；其中電阻R5一端連接到SYS_RESET，另一端連接到三極體Q3的基極，三極體Q3的發射極接地，三極體Q3的集電極連接電阻R2，電阻R2的另一端分別連接電阻R1、PMOS管Q1的柵極、電容C344、放電電路中的NMOS管Q2的柵級。本發明使得eMMC Flash得到可靠的復位上電，並且在系統下電後快速放電，提高了系統的穩定性。
文檔編號G11C16/20GK102969023SQ20121045778
公開日2013年3月13日 申請日期2012年11月14日 優先權日2012年11月14日
發明者林旭 申請人:福州瑞芯微電子有限公司