快閃記憶體及其製作方法

2023-07-19 06:39:26

快閃記憶體及其製作方法
【專利摘要】本發明提供了一種快閃記憶體及其製作方法。其中一種快閃記憶體的製造方法包括：提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成存儲結構，所述存儲結構包括：第一介質層、在第一介質層上的浮柵、在浮柵上的第二介質層、在第二介質層上的控制柵；在所述存儲結構的側壁形成保護層；形成保護層後，在所述存儲結構周圍形成側牆；所述保護層用於防止所述存儲結構的側壁與形成側牆的物質發生反應。採用本發明的快閃記憶體的製造方法提高了快閃記憶體的讀、寫和擦除效率能力。
【專利說明】 快閃記憶體及其製作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體領域，特別涉及快閃記憶體及其製作方法。
【背景技術】
[0002]在目前的半導體產業中，集成電路產品主要可分為三大類型:邏輯、存儲器和模擬電路，其中存儲器件在集成電路產品中佔了相當大的比例。而在存儲器件中，近年來快閃記憶體(flash memory)的發展尤為迅速。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息，具有集成度高、較快的存取速度、易於擦除和重寫等多項優點，因而在微機、自動化控制等多項領域得到了廣泛的應用。
[0003]在各種各樣的快閃記憶體件中，基本分為兩種類型:疊柵器件和分柵器件，疊柵器件具有浮柵和控制柵，其中，控制柵位於浮柵上方，製造疊柵器件的方法比製造分柵器件簡單，但是電路設計較複雜。分柵結構的一個控制柵同時作為選擇電晶體(Selecttransistor),電路設計相對簡單。
[0004]快閃記憶體的標準物理結構稱為快閃記憶體單元(bit)。以疊柵器件為例，快閃記憶體單元的結構與常規MOS電晶體不同。常規的MOS電晶體的柵極(gate)和導電溝道間由柵極絕緣層隔開，一般為氧化層(oxide);而快閃記憶體單元在控制柵(CG control gate，相當於常規的MOS電晶體的柵極)與導電溝道間還多了一層物質，稱之為浮柵(FG:floating gate)。由於浮柵的存在，使快閃記憶體可以完成三種基本操作模式:即讀、寫、擦除。即便在沒有電源供給的情況下，浮棚的存在可以保持存儲數據的完整性。
[0005]在
【發明者】吳兵 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司