Hemt器件及其製作方法
2023-07-19 08:24:41 1
Hemt器件及其製作方法
【專利摘要】一種高電子遷移率場效應電晶體(HEMT)，所述HEMT具有襯底、位於所述襯底上的溝道層和位於所述溝道層上的勢壘層，所述HEMT包括在所述勢壘層上的應力誘發層，所述應力誘發層改變柵極和漏極之間的漂移區域中的所述勢壘層中的壓電效應。在所述柵極和所述漏極之間的所述漂移區域中存在具有非均勻橫向分布的二維電子氣(2DEG)。
【專利說明】HEMT器件及其製作方法
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請涉及於2012年5月23日提交的題為「Controlling LateralTwo-Dimens1nal Electron Hole Gas HEMT in Type III Nitride Devices Using 1nImplantat1n Through Gray Scale Mask」 的美國專利申請 N0.13/478，402 號、以及於2012 年 5 月 23 日提交的題為 「Non-Uniform Two-Dimens1nal Electron Gas Profilein II1-Nitride HEMT Device」的美國專利申請N0.13/479，018號，其全部內容通過引用合併於此。此外，本申請還涉及於2012年5月23日提交的題為「HEMT GaN Device with a Non-Uniform Lateral Two-Dimens1nal Electron Gas Profi le and Method ofManufacturing the Same」的美國專利申請N0.13/478，609號，其全部內容通過引用合併於此。
【技術領域】
[0003]本發明示出了具有非均勻橫向二維電子氣輪廓的高電子遷移率電晶體(HEMT)GaN器件及其製作方法。本發明涉及III族氮化物類型的高電子遷移率電晶體(HEMT)器件，尤其涉及漂移區域中的二維電子氣(2DEG)。
【背景技術】
[0004]高電子遷移率電晶體(HEMT)為一種在帶隙不同的兩種材料之間併入結(即，異質結)的場效應電晶體。氮化鎵(GaN)HEMT由於其大功率性能而廣受關注。在功率應用中採用的III族氮化物類型HEMT器件中，在導通電阻和擊穿電壓(BV)之間存在相衝突的設計而引發的折衷。由於BV和導通電阻之間的關係最少為二次關係，因此對於給定的漂移區域長度，BV的改善會導致器件中的F0M(定義為BV2/Ron)的顯著改善。
[0005]在現有技術中，具有均勻2DEG密度的III族氮化物類型HEMT器件會導致在柵極區域之下或附近處出現峰值電場。這種電場分布趨向於接近矩形形狀而不是所期望的梯形形狀，其中梯形形狀可以降低器件的單位漂移區域長度的擊穿電壓。場板和多級場板的使用是用於改進電場分布而採用的一些技術。但是，場板通常導致出現多個峰值並且不能夠獲得理想的平坦電場分布，而可能呈現出鋸齒形輪廓。場板還會增加柵-漏電容。此外，場板級數的增加會顯著增大處理複雜度和成本。
[0006]Furukawa的美國專利N0.7，038, 253描述了矽(Si)上GaN基器件技術，該技術在漂移區域內採用了均勻的2DEG輪廓。由於在Furukawa的器件中沒有採用任何場成形技術，所以源漏之間的擊穿電壓和動態導通電阻受到柵極區域下電場的局部增強的限制，因此需要對降低了這種器件所能夠獲得的品質因數(figure of merit,F0M)的器件進行額外設計。
[0007]在H.Xing 等人的 「High Breakdown Voltage AlGaN/GaN HEMTs Achieved ByMultiple Field Plates」中，描述了採用多場板的場成形技術以改進電場分布。但是，多場板不能獲得均勻的電場，而可能具有鋸齒類型的分布，並且引入了柵-漏電容。實施這種器件結構還會增加器件複雜度和成本。
[0008]需要對HEMT器件的F0M進行顯著的改善，尤其需要改善對於給定漂移區域長度的擊穿電壓，從而改善器件的F0M(定義為BV2/Ron)。本發明的實施例公開了針對上述問題和其他需求的解決方案。
【發明內容】
[0009]在本發明公開的第一實施例中，一種高電子遷移率場效應電晶體(HEMT)具有襯底、位於所述襯底上的溝道層和位於所述溝道層上的勢壘層，該HEMT包括位於所述勢壘層上的應力誘發層，所述應力誘發層改變柵極和漏極之間的漂移區域中的所述勢壘層中的壓電效應，其中二維電子氣(2DEG)在所述柵極和所述漏極之間的所述漂移區域中具有非均勻橫向分布。
[0010]在本發明公開的另一個實施例中，一種製作高電子遷移率場效應電晶體(HEMT)的方法包括:在襯底上形成溝道層；在所述溝道層上形成勢壘層；以及在所述勢壘層上形成應力誘發層，所述應力誘發層改變柵極和漏極之間的漂移區域中的所述勢壘層中的壓電效應，其中二維電子氣(2DEG)在所述柵極和所述漏極之間的所述漂移區域中具有非均勻橫向分布。
[0011]通過下文的詳細描述和附圖，將會清楚地示出本發明的這些或其他特徵和有益效果。在附圖和說明書中，數字標號表明不同的特徵，在全部附圖和說明書中，類似的數字標號代表類似的特徵。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]圖1示出了根據本發明的HEMT器件中位於載流子供應層上的沉積層，該沉積層具有不同尺寸的開口以誘發應力並且調節二維電子氣(2DEG)的密度；
[0013]圖2示出了根據本發明的HEMT器件中位於載流子供應層上的沉積層，該沉積層具有不同高度輪廓以誘發應力並且調節二維電子氣(2DEG)的密度；以及
[0014]圖3A和3B為根據本發明製造HEMT器件的方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0015]在下文中，示出了許多具體的細節以清楚地描述本發明公開的各種具體實施例。但是，本領域技術人員應該可以理解到本發明可以在不必包含以下討論的全部具體細節的情況下實施。在其他情況下，並未描述公知特徵以免混淆本發明。
[0016]參考圖1，示出了場效應電晶體(FET)器件結構10。FET器件結構10包括生長在襯底12上的諸如GaN層14和AlGaN層16之類的II1-V族層的疊層，其中襯底12可為任何常用於生長III族氮化物類型材料的合適襯底。合適的襯底包括但不限於矽(Si)、藍寶石、碳化矽(SiC)、和塊狀單晶氮化鎵(GaN)。
[0017]II1-V族層的疊層可以包括生長在襯底12上的GaN或鋁鎵氮(AlGaN)緩衝層。隨後在緩衝層上生長用作溝道和載流子輸運層的III族類型層，例如GaN層14。隨後在GaN層14上生長用作勢壘層和載流子供應層的V族類型層，例如AlGaN層16。在GaN層14和AlGaN層16之間可以設置A1N分隔層以改進器件的電學性能。
[0018]如圖1中所示，在勢壘層16上方生長應力誘發層46以誘發應力並調節如圖1中所示的2DEG 42中的電荷。在一個實施例中，如圖1中所示，採用掩模對應力誘發層46進行刻蝕以在特定區域中形成開口 48。這樣的應力誘發層46能對應力誘發層46中的應力進行調節。應力改變了勢壘層16中的壓電效應，從而改變了柵極22和漏極20之間的漂移區域中 2DEG 42。
[0019]可以通過在應力誘發層46中刻蝕不同尺寸的開口 48來獲得對漂移區域上方的應力誘發層46中的應力的橫向控制，基於沉積層施加至勢壘或電荷供應層的應力的極性來確定開口 48的尺寸是從柵極22至漏極20增大或減小。
[0020]如果需要從柵極22至漏極20增加漂移區域內的壓電效應，則開口 48的尺寸在柵極22附近較大並且朝漏極20的方向減小，如圖1所示。
[0021]如果需要從柵極22至漏極20減少漂移區域內的壓電效應，則開口 48的尺寸在柵極22附近較小並且朝漏極20的方向增大。
[0022]由於2DEG區域中的電荷密度局部地由壓電效應的大小所確定，因此通過根據從柵極22到漏極20的距離來改變漂移區域上方壓電效應的大小，可以獲得非均勻的2DEG42。在圖1中所示的實施例中，漂移區域中壓電效應從柵極22向漏極20的方向增加，並且開口 48的尺寸在柵極22附近較大並且朝向漏極20的方向減小。這種實施例會導致2DEG42的密度改變，以使漂移區域中2DEG的密度從柵極22向著漏極20的方向增加。
[0023]如上所述，如果需要漂移區域中壓電效應從柵極22向著漏極20的方向減小，則開口 48的尺寸在柵極22附近較小並且朝向漏極20的方向增大。
[0024]在另一個實施例中，如圖2中所示，在AlGaN層16上生長應力誘發層50。在此實施例中通過採用灰度級光刻法形成具有橫向輪廓並且高度變化的應力誘發層50以獲得非均勻橫向2DEG 44。
[0025]灰度級光刻法採用灰度級掩模來形成應力誘發層50，使其具有橫向輪廓，並使其高度在柵極22和漏極20之間的漂移區域中基於所要誘發的應力的極性而增大或減小。
[0026]在圖2中所示的實施例中，應力誘發層50的高度在柵極22和漏極20之間的漂移區域中增加。應力誘發層50根據沿漂移區域從柵極22向著漏極20的距離來改變將漂移區域上方壓電效應的大小作為。在圖2所示的實施例中，漂移區域中的應力和壓電效應從柵極22向著漏極20的方向增加。這種實施例會導致2DEG 42的密度改變，以使漂移區域中2DEG 44的密度從柵極22朝向漏極20的方向增加。
[0027]如上所述，如果希望漂移區域中壓電效應從柵極22朝向漏極20的方向減小，漂移區域中應力誘發層50的高度應當沿著從柵極22朝向漏極20的方向減小。
[0028]在圖1中的實施例中的應力誘發層46中、或在圖2中的實施例中的應力誘發層50中打開接觸窗口，之後採用金屬蒸發或金屬濺射來形成源極接觸18和漏極接觸20以與勢壘層16接觸。
[0029]在應力誘發層46或應力誘發層50上生長鈍化層24。
[0030]隨後通過刻蝕溝槽來形成柵極區域，該溝槽穿過在源極18和漏極20之間的柵極區域中的鈍化層24和應力誘發層46或50、並且進入AlGaN層16。在另一個實施例中，刻蝕的溝槽可以延伸穿過AlGaN層16並且部分進入GaN層14至合適的深度。隨後在源極18和柵極22之間、以及柵極22和漏極20之間的區域上沉積柵極絕緣層26，並且還將柵極絕緣層26沉積為延伸進AlGaN層16的刻蝕溝槽的內襯。如果刻蝕溝槽延伸進入GaN層14，那麼還將柵極絕緣層26形成為延伸進入GaN層14的刻蝕溝槽的內襯。
[0031]在沉積了柵極絕緣層26之後，通過蒸發或濺射形成柵極金屬22並使其填充刻蝕溝槽。
[0032]作為後端處理的一部分可以形成各種交替的鈍化層和金屬層以改進器件的寄生電阻並且提供與器件襯墊和/或封裝的連接。
[0033]採用應力誘發層46或50來改變勢壘或電荷供應層16中的壓電效應，並且由此改變柵極22和漏極20之間的漂移區域中的2DEG密度，由此可以通過在柵極22和漏極20之間的漂移區域中獲得平坦的電場分布，從而提供了對III族氮化物類型HEMT器件的品質因數(F0M)的明顯改進。在漂移區域中的2DEG 42被改變以形成非均勻的橫向2DEG分布44，如圖1和2中所示。由沿著漂移區域的該非均勻橫向2DEG分布44可以獲得平坦的電場分布，這提供了被定義為BV2/Ron的品質因數(F0M)的改善。
[0034]圖3A和3B為根據本發明製造HEMT器件的方法的流程圖。
[0035]在步驟100中，在襯底上形成溝道層。隨後在步驟102中，在溝道層上形成勢壘層。隨後在步驟104中，在勢壘層上形成應力誘發層，該應力誘發層改變柵極和漏極之間的漂移區域中的勢壘層中的壓電效應，其中二維電子氣(2deg)在柵極和漏極之間的漂移區域中具有非均勻橫向分布。
[0036]在步驟106中，在勢壘層上形成應力誘發層的步驟包括在柵極和漏極之間形成具有多個不同尺寸開口的材料，該多個不同尺寸開口的尺寸從柵極朝向漏極的方向減小或增大。
[0037]在步驟108中，在勢壘層上形成應力誘發層的步驟包括採用灰度級光刻來形成高度從柵極朝向漏極的方向減小或增大的材料。
[0038]在步驟110中，在勢壘層上形成鈍化層。在步驟112中，形成柵極，其包括步驟:形成延伸穿過鈍化層並進入勢壘層的溝槽，在溝槽中沉積柵極絕緣層，並且在柵極絕緣層上形成柵極金屬。在步驟114中，形成延伸穿過鈍化層並進入勢壘層的步驟還包括形成溝槽以延伸進入溝道層。
[0039]在步驟116中，在漏極下方的應力誘發層中形成開口以提供漏極與勢壘層的接觸。並且最後，在步驟118中，在源極下方的應力誘發層中形成開口以提供源極與勢壘層的接觸。
[0040]由此根據專利法規的要求對本發明進行了描述，本領域技術人員可以理解如何對本發明做出修改和改變以使其滿足特定的要求和條件。可以在不脫離在此公開的本發明的範圍和精神的情況下對本發明做出這些修改和改變。
[0041]以上示出的對示例性和優選實施例的詳細描述的目的在於根據法規要求對本發明進行展示和公開。其目的並非窮舉或將本發明限於所描述的(多個)具體形式中，而僅用於使得本領域其他技術人員可以理解本發明如何適應於特定的用途或實施。對本領域從業技術人員來說，進行修改和改變的可能性是顯而易見的。對包含容差、特徵尺寸、特定操作條件、工程標準等的示例性實施例的描述並不意味著限制，其可以在各種實施方式之間改變或隨著本領域的狀態改變而進行改變，其並不暗含任何限制。 申請人:根據現有技術公開了本發明，但仍然預期進一步改進，並且可以通過考慮這些改進(即未來的「現有技術」)使得本發明在未來仍然適用。其目的在於，本發明的範圍由本文的權利要求書及其可適用的等價物所限定。除非明確指出，否則權利要求書中涉及的單數形式並非意味著「一個和僅一個」。此外，對於本發明任何元素、組件、或方法、過程步驟，不管這些元素、組件、或步驟是否在權利要求書中明確地要求保護，它們都不意味著無償貢獻給公眾。本發明的元素除非採用短語「裝置，用於…」來清楚地引用，否則不能根據美國法典第35卷第112節第6段來解釋權利要求的元素，並且本文中的步驟除非採用「包括…的步驟」來清楚地引用，否則也不能根據上述條款來解釋權利要求的方法或過程步驟。
[0042]構思:
[0043]本文至少公開了以下構思。
[0044]構思1.一種高電子遷移率場效應電晶體(HEMT)，具有襯底、位於所述襯底上的溝道層和位於所述溝道層上的勢壘層，所述HEMT包括:
[0045]位於所述勢壘層上的應力誘發層，所述應力誘發層改變柵極和漏極之間的漂移區域中的所述勢壘層中的壓電效應；
[0046]其中二維電子氣(2DEG)在所述柵極和所述漏極之間的所述漂移區域中具有非均勻橫向分布。
[0047]構思2.如構思1所述的HEMT，其中所述應力誘發層包括一種材料，該材料在所述柵極和所述漏極之間具有多個不同尺寸的開口。
[0048]構思3.如構思2所述的HEMT:
[0049]其中所述多個不同尺寸的開口的尺寸從所述柵極朝向所述漏極的方向減小；並且
[0050]其中在所述漂移區域中所述2DEG的密度從所述柵極朝向所述漏極的方向增大。
[0051]構思4.如構思2所述的HEMT，其中，所述多個不同尺寸的開口的尺寸從所述柵極朝向所述漏極的方向增大。
[0052]構思5.如構思1所述的HEMT:
[0053]其中，所述應力誘發層包括一種材料，該材料的高度在從所述柵極朝向所述漏極的方向上增大；並且
[0054]其中在所述柵極和所述漏極之間的所述漂移區域中所述2DEG的密度增大。
[0055]構思6.如構思1所述的HEMT，其中所述應力誘發層包括一種材料，該材料的高度在從所述柵極朝向所述漏極的方向上減小。
[0056]構思7.如構思1所述的HEMT，其中
[0057]所述襯底包括矽(Si)、藍寶石、碳化矽(SiC)、或塊狀單晶氮化鎵(GaN)；
[0058]所述溝道層包括GaN層；並且
[0059]所述勢壘層包括AlGaN層。
[0060]構思8.如構思1所述的HEMT，還包括:
[0061]位於所述應力誘發層上方的鈍化層；並且
[0062]其中所述柵極包括:
[0063]延伸穿過所述鈍化層並且進入所述勢壘層的柵極金屬；以及
[0064]對延伸穿過所述鈍化層並且進入所述勢壘層的所述柵極金屬進行圍繞的柵極絕緣層。
[0065]構思9.如構思1所述的HEMT，還包括:
[0066]位於所述勢壘層上方的鈍化層；並且
[0067]其中所述柵極包括:
[0068]延伸穿過所述鈍化層和所述勢壘層並且進入所述溝道層的柵極金屬；以及
[0069]對延伸穿過所述鈍化層和所述勢壘層並且進入所述溝道層的所述柵極金屬進行圍繞的柵極絕緣層。
[0070]構思10.如構思1所述的HEMT，還包括:
[0071]在所述應力誘發層中位於所述漏極下方的開口，用以提供所述漏極與所述勢壘層的接觸；以及
[0072]在所述應力誘發層中位於所述源極下方的開口，用以提供所述源極與所述勢壘層的接觸。
[0073]構思11.一種製作高電子遷移率場效應電晶體(HEMT)的方法，所述方法包括:
[0074]在襯底上形成溝道層；
[0075]在所述溝道層上形成勢壘層；以及
[0076]在所述勢壘層上形成應力誘發層，所述應力誘發層改變柵極和漏極之間的漂移區域中的所述勢壘層中的壓電效應；
[0077]其中二維電子氣(2DEG)在所述柵極和所述漏極之間的所述漂移區域中具有非均勻橫向分布。
[0078]構思12.如構思11所述的方法，其中在所述勢壘層上形成應力誘發層包括形成一種材料，該材料在所述柵極和所述漏極之間具有多個不同尺寸的開口。
[0079]構思13.如構思12所述的方法，其中:
[0080]所述多個不同尺寸的開口的尺寸從所述柵極朝向所述漏極的方向減小；並且
[0081]在所述漂移區域中所述2DEG的密度從所述柵極朝向所述漏極的方向增大。
[0082]構思14.如構思12所述的方法，其中，所述多個不同尺寸的開口的尺寸從所述柵極朝向所述漏極的方向增大。
[0083]構思15.如構思11所述的方法，其中:
[0084]在所述勢壘層上形成應力誘發層包括採用灰度級光刻來形成一種材料，該材料的高度在從所述柵極朝向所述漏極的方向上增大；並且
[0085]在所述漂移區域中所述2DEG的密度從所述柵極朝向所述漏極的方向增大。
[0086]構思16.如構思11所述的方法，其中在所述勢壘層上形成應力誘發層包括採用灰度級光刻來形成一種材料，該材料的高度在從所述柵極朝向所述漏極的方向上減小。
[0087]構思17.如構思11所述的方法，其中
[0088]所述襯底包括矽(Si)、藍寶石、碳化矽(SiC)、或塊狀單晶氮化鎵(GaN)；
[0089]所述溝道層包括GaN層；並且
[0090]所述勢壘層包括AlGaN層。
[0091]構思18.如構思11所述的方法，還包括:
[0092]在所述勢壘層上方形成鈍化層；以及
[0093]形成柵極，其中形成柵極包括步驟:
[0094]形成延伸穿過所述鈍化層並且進入所述勢壘層的溝槽；以及
[0095]在所述溝槽中沉積柵極絕緣層；以及
[0096]在所述柵極絕緣層上形成柵極金屬。
[0097]構思19.如構思18所述的方法，其中形成延伸穿過所述鈍化層並且進入所述勢壘層的溝槽還包括:
[0098]將所述溝槽形成為延伸進入所述溝道層。
[0099]構思20.如構思11所述的方法，還包括:
[0100]在所述漏極下方的所述應力誘發層中形成開口，以提供所述漏極與所述勢壘層的接觸；以及
[0101]在源極下方的所述應力誘發層中形成開口，以提供所述源極與所述勢壘層的接觸。
【權利要求】
1.一種高電子遷移率場效應電晶體(HEMT)，具有襯底、位於所述襯底上的溝道層和位於所述溝道層上的勢壘層，所述HEMT包括: 位於所述勢壘層上的應力誘發層，所述應力誘發層改變柵極和漏極之間的漂移區域中的所述勢壘層中的壓電效應； 其中二維電子氣(2DEG)在所述柵極和所述漏極之間的所述漂移區域中具有非均勻橫向分布。
2.如權利要求1所述的HEMT，其中所述應力誘發層包括一種材料，該材料在所述柵極和所述漏極之間具有多個不同尺寸的開口。
3.如權利要求2所述的HEMT: 其中所述多個不同尺寸的開口的尺寸從所述柵極朝向所述漏極的方向減小；並且 其中在所述漂移區域中所述2DEG的密度從所述柵極朝向所述漏極的方向增大。
4.如權利要求2所述的HEMT，其中，所述多個不同尺寸的開口的尺寸從所述柵極朝向所述漏極的方向增大。
5.如權利要求1所述的HEMT: 其中，所述應力誘發層包括一種材料，該材料的高度在從所述柵極朝向所述漏極的方向上增大；並且 其中在所述柵極和所述漏極之間的所述漂移區域中所述2DEG的密度增大。
6.如權利要求1所述的HEMT，其中所述應力誘發層包括一種材料，該材料的高度在從所述柵極朝向所述漏極的方向上減小。
7.如權利要求1所述的HEMT，其中 所述襯底包括矽(Si)、藍寶石、碳化矽(SiC)、或塊狀單晶氮化鎵(GaN)； 所述溝道層包括GaN層；並且 所述勢魚層包括AlGaN層。
8.如權利要求1所述的HEMT，還包括: 位於所述應力誘發層上方的鈍化層；並且 其中所述柵極包括: 延伸穿過所述鈍化層並且進入所述勢壘層的柵極金屬；以及 對延伸穿過所述鈍化層並且進入所述勢壘層的所述柵極金屬進行圍繞的柵極絕緣層。
9.如權利要求1所述的HEMT，還包括: 位於所述勢壘層上方的鈍化層；並且 其中所述柵極包括: 延伸穿過所述鈍化層和所述勢壘層並且進入所述溝道層的柵極金屬；以及對延伸穿過所述鈍化層和所述勢壘層並且進入所述溝道層的所述柵極金屬進行圍繞的柵極絕緣層。
10.如權利要求1所述的HEMT，還包括: 在所述應力誘發層中位於所述漏極下方的開口，用以提供所述漏極與所述勢壘層的接觸；以及 在所述應力誘發層中位於所述源極下方的開口，用以提供所述源極與所述勢壘層的接觸。
11.一種製作高電子遷移率場效應電晶體(HEMT)的方法，所述方法包括: 在襯底上形成溝道層； 在所述溝道層上形成勢壘層；以及 在所述勢壘層上形成應力誘發層，所述應力誘發層改變柵極和漏極之間的漂移區域中的所述勢壘層中的壓電效應； 其中二維電子氣(2DEG)在所述柵極和所述漏極之間的所述漂移區域中具有非均勻橫向分布。
12.如權利要求11所述的方法，其中在所述勢壘層上形成應力誘發層包括形成一種材料，該材料在所述柵極和所述漏極之間具有多個不同尺寸的開口。
13.如權利要求12所述的方法，其中: 所述多個不同尺寸的開口的尺寸從所述柵極朝向所述漏極的方向減小；並且 在所述漂移區域中所述2DEG的密度從所述柵極朝向所述漏極的方向增大。
14.如權利要求12所述的方法，其中，所述多個不同尺寸的開口的尺寸從所述柵極朝向所述漏極的方向增大。
15.如權利要求11所述的方法，其中: 在所述勢壘層上形成應力誘發層包括採用灰度級光刻來形成一種材料，該材料的高度在從所述柵極朝向所述漏極的方向上增大；並且 在所述漂移區域中所述2DEG的密度從所述柵極朝向所述漏極的方向增大。
16.如權利要求11所述的方法，其中在所述勢壘層上形成應力誘發層包括採用灰度級光刻來形成一種材料，該材料的高度在從所述柵極朝向所述漏極的方向上減小。
17.如權利要求11所述的方法，其中 所述襯底包括矽(Si)、藍寶石、碳化矽(SiC)、或塊狀單晶氮化鎵(GaN)； 所述溝道層包括GaN層；並且 所述勢魚層包括AlGaN層。
18.如權利要求11所述的方法，還包括: 在所述勢壘層上方形成鈍化層；以及 形成柵極，其中形成柵極包括步驟: 形成延伸穿過所述鈍化層並且進入所述勢壘層的溝槽；以及 在所述溝槽中沉積柵極絕緣層；以及 在所述柵極絕緣層上形成柵極金屬。
19.如權利要求18所述的方法，其中形成延伸穿過所述鈍化層並且進入所述勢壘層的溝槽還包括: 將所述溝槽形成為延伸進入所述溝道層。
20.如權利要求11所述的方法，還包括: 在所述漏極下方的所述應力誘發層中形成開口，以提供所述漏極與所述勢壘層的接觸；以及 在源極下方的所述應力誘發層中形成開口，以提供所述源極與所述勢壘層的接觸。
【文檔編號】H01L29/778GK104412388SQ201380025830
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2013年5月9日 優先權日:2012年5月23日
【發明者】薩梅·哈利勒, 卡裡姆·S·保特羅斯, 凱蘇克·稀恩奧哈拉 申請人:Hrl實驗室有限責任公司