一種母核為喹唑啉酮衍生物的化合物及其在OLED上的應用的製作方法

2023-07-23 18:21:01

本發明涉及半導體
技術領域：
，尤其是涉及一種以喹唑啉酮的衍生物為核心的化合物，以及其作為發光層材料在有機發光二極體上的應用。
背景技術：
：有機電致發光(OLED:OrganicLightEmissionDiodes)器件技術既可以用來製造新型顯示產品，也可以用於製作新型照明產品，有望替代現有的液晶顯示和螢光燈照明，應用前景十分廣泛。OLED發光器件猶如三明治的結構，包括電極材料膜層，以及夾在不同電極膜層之間的有機功能材料，各種不同功能材料根據用途相互疊加在一起共同組成OLED發光器件。作為電流器件，當對OLED發光器件的兩端電極施加電壓，並通過電場作用有機層功能材料膜層中的正負電荷，正負電荷進一步在發光層中複合，即產生OLED電致發光。有機發光二極體(OLEDs)在大面積平板顯示和照明方面的應用引起了工業界和學術界的廣泛關注。然而，傳統有機螢光材料只能利用電激發形成的25％單線態激子發光，器件的內量子效率較低(最高為25％)。外量子效率普遍低於5％，與磷光器件的效率還有很大差距。儘管磷光材料由於重原子中心強的自旋-軌道耦合增強了系間竄越，可以有效利用電激發形成的單線態激子和三線態激子發光，使器件的內量子效率達100％。但磷光材料存在價格昂貴，材料穩定性較差，器件效率滾落嚴重等問題限制了其在OLEDs的應用。熱激活延遲螢光(TADF)材料是繼有機螢光材料和有機磷光材料之後發展的第三代有機發光材料。該類材料一般具有小的單線態-三線態能級差(△EST)，三線態激子可以通過反系間竄越轉變成單線態激子發光。這可以充分利用電激發下形成的單線態激子和三線態激子，器件的內量子效率可以達到100％。同時，材料結構可控，性質穩定，價格便宜無需貴重金屬，在OLEDs領域的應用前景廣闊。雖然理論上TADF材料可以實現100％的激子利用率，但實際上存在如下問題：(1)設計分子的T1和S1態具有強的CT特徵，非常小的S1-T1態能隙，雖然可以通過TADF過程實現高T1→S1態激子轉化率，但同時導致低的S1態輻射躍遷速率，因此，難於兼具(或同時實現)高激子利用率和高螢光輻射效率；(2)即使已經採用摻雜器件減輕T激子濃度猝滅效應，大多數TADF材料的器件在高電流密度下效率滾降嚴重。就當前OLED顯示照明產業的實際需求而言，目前OLED材料的發展還遠遠不夠，落後於面板製造企業的要求，作為材料企業開發更高性能的有機功能材料顯得尤為重要。技術實現要素：針對現有技術存在的上述問題，本申請人提供了一種以喹唑啉酮衍生物為核心的化合物及其在有機電致發光器件上的應用。本發明化合物以喹唑啉酮衍生為核心，作為發光層材料應用於有機發光二極體，本發明製作的器件具有良好的光電性能，能夠滿足面板製造企業的要求。本發明的技術方案如下：一種母核為喹唑啉酮衍生物的化合物，所述化合物的結構如通式(1)所示：通式(1)中，Ar1、Ar2分別獨立的表示其中，Ar表示C5-20的芳基；n取1或2；R選取氫或通式(2)所示結構，且Ar1、Ar2中的R至少有一個選取通式(2)所示結構：其中X表示為氧原子、硫原子、硒原子、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的叔胺基中的一種；R1、R2分別獨立的選取氫、C1-10直鏈或支鏈的烷基、C5-20的環烷基、C5-20的芳基、C5-20的雜芳基或通式(3)所示結構；R3、R4分別獨立的選取C1-10直鏈或支鏈烷基、C5-20的環烷基、C5-20的芳基或C5-20的雜芳基。優選的，通式(2)中R1、R2分別獨立的採用通式(4)、通式(5)或通式(6)表示：其中，通式(5)、通式(6)中所述X表示為氧原子、硫原子、硒原子、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的叔胺基中的一種。優選的，所述通式(1)中的R為：中的任意一種。優選的，所述化合物的具體結構式為：中的任一種。本申請人還提供了一種包含所述化合物的發光器件，所述化合物作為發光層的主體材料，用於製作OLED器件。本申請人還提供了一種製備所述化合物的方法，當Ar1、Ar2表示為R時，製備過程中發生的反應為反應式1所示：當Ar1、Ar2表示為時，製備過程中發生的反應為反應式2所示：反應式1、2中的X分別獨立的表示Cl、Br、或I；n，m分別獨立的表示為0或1；其中反應式1的製備方法為：稱取喹唑啉酮的滷代物、Ar1-H、Ar2-H，用甲苯溶解；再加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇鈉；在惰性氣氛下，將上述反應物的混合溶液於反應溫度95～110℃，反應10～24小時，冷卻並過濾反應溶液，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到目標產物；所述喹唑啉酮的滷代物與Ar1-H、Ar2-H的摩爾比為1:0.8～2.0:0.8～2.0，Pd2(dba)3與滷代物的摩爾比為0.006～0.02:1，三叔丁基膦與滷代物的摩爾比為0.006～0.02:1，叔丁醇鈉與滷代物的摩爾比為1.0～3.0:1；反應式2的製備方法為：稱取喹唑啉酮的滷代物、Ar1-B(OH)2、Ar2-B(OH)2，用體積比為2:1的甲苯乙醇混合溶劑溶解；在惰性氣氛下，再加入Na2CO3水溶液、Pd(PPh3)4；將上述反應物的混合溶液於反應溫度95～110℃，反應10～24小時，冷卻並過濾反應溶液，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到目標產物；所述喹唑啉酮的滷代烷與Ar1-B(OH)2、Ar2-B(OH)2的摩爾比為1:1.0～2.0:1.0～2.0；Na2CO3與喹唑啉酮的滷代烷的摩爾比為1.0～3.0:1；Pd(PPh3)4與喹唑啉酮的滷代烷的摩爾比為0.006～0.02:1。反應式1中的Ar1-H、Ar2-H的製備方法如反應式3-1、反應式3-2所示，反應式2中的Ar1B(OH)2、Ar1B(OH)2的製備方法為反應反應式4所示：反應式3-1的製備方法為：稱取原料Mn、原料Nn，用甲苯:乙醇的體積比為2～3:1的混合溶劑溶解，再加入碳酸鈉水溶液，通氮氣除氧，並在氮氣的氛圍下加入四三苯基磷鈀；將上述反應物的混合液於95～120℃下反應10～24小時，冷卻分液，除去溶劑，二氯甲烷萃取分液，除去溶劑，得到粗產物過中性矽膠柱得到化合物Bn；所述原料Mn與原料Nn的摩爾比為1:1.2～2.4；原料Nn與碳酸鈉的摩爾比為1:2.0～2.5；原料Mn與四三苯基磷鈀的摩爾比為1:0.02～0.05；反應式3-2的製備方法為：稱取原料Mn、原料Ln、用甲苯溶解，再加入叔丁醇鈉、Pd2(dba)3、三叔丁基膦；在惰性氣氛下，將上述反應物的混合溶液於反應溫度95～110℃，反應10～24小時，冷卻並過濾反應溶液，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到目標產物；所述原料Mn與原料Ln摩爾比為1：1.5～3.0，Pd2(dba)3與原料Mn的摩爾比為0.006～0.02:1，三叔丁基膦與原料Mn的摩爾比為0.006～0.02:1，叔丁醇鈉與原料Mn的摩爾比為1.0～3.0:1；反應式4的製備方法為：稱取反應式3-1或3-2的產物化合物Bn，稱取原料On，用甲苯溶解，再加入叔丁醇鈉、醋酸鈀、三叔丁基膦；在惰性氣氛下，將上述反應物的混合溶液於反應溫度95～110℃，反應10～24小時，冷卻並過濾反應溶液，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到相應的溴化物；稱取上一步產物，雙(頻哪醇合)二硼溶於DMF中，在氮氣的保護下加入醋酸鉀以及Pd(dppf)Cl2，將上述反應液至於95～120℃下反應12～24小時，反應結束後，冷卻至室溫，除去溶劑，滴加稀鹽酸水溶液調節pH，有沉澱析出，過濾得到化合物Cn；所述化合物Bn與原料On的摩爾比為1:1.5～2.5，化合物Bn與叔丁醇鈉的摩爾比為1:2.5～5；化合物Bn與Pd2(dba)3摩爾比為1:0.02～0.05；化合物Bn與三叔丁基膦的摩爾比為1:0.02～0.05。本發明有益的技術效果在於：本發明化合物結構分子內包含電子給體(donor,D)與電子受體(acceptor,A)的組合可以增加軌道重疊、提高發光效率，同時連接芳香雜環基團以獲得HOMO、LUMO空間分離的電荷轉移態材料，實現小的S1態和T1態的能級差，從而在熱刺激條件下實現反向系間竄越，所述化合物以喹唑啉酮衍生物為母核，連接芳香基團，破壞分子的結晶性，避免了分子間的聚集作用，分子中多為剛性基團，具有好的成膜性和螢光量子效率，適合作為發光層主體材料使用；喹啉酮的內部的三價氮原子是飽和原子，它不僅具有很強的剛性，還有利於提高母核化合物三重態能級，電子給體和電子受體的組合可以提高電子和空穴的遷移率、降低啟動電壓，提高激子的複合效率，提高器件性能。本發明所述化合物可作為發光層主體材料應用於OLED發光器件製作，獲得了良好的器件表現，器件的電流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同時，對於器件壽命提升非常明顯。本發明所述化合物材料在OLED發光器件中具有良好的應用效果，具有良好的產業化前景。附圖說明圖1為使用本發明化合物的器件結構示意圖；其中，1為透明基板層，2為ITO陽極層，3為空穴注入層，4為空穴傳輸層，5為發光層，6為電子傳輸層，7為電子注入層，8為陰極反射電極層。具體實施方式中間體B1的合成：500mL的四口瓶在通入氮氣的氣氛下，加入原料0.02molM12,7-二溴-9,9二甲基吖啶，0.05mol苯硼酸，用甲苯與乙醇(2:1)的混合溶劑100mL，0.10mol碳酸鈉水溶液，除氧15分鐘後，加入1×10-4mol四三苯基磷鈀，120℃下反應12小時，反應結束後，冷卻並過濾反應溶液，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到中間體B1；純度97.55％，收率65.4％。HPLC-MS(m/z)：理論值361.18，實測值361.95。中間體B2的合成：500ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol原料M1，0.015mol二苯胺，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到目標產物，純度98.36％，收率70.4％。HPLC-MS(m/z)：理論值543.27，實測值543.88。中間體C1的合成500ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.02mol化合物二甲基吖啶，0.01mol1,3,5-三溴苯，用甲苯溶解，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到相應的溴化物；稱取0.01mol上一步產物，將0.005mol雙(頻哪醇合)二硼溶於DMF中，在氮氣的保護下加入0.02mol醋酸鉀以及1×10-4molPd(dppf)Cl2，將上述反應液至於95～120℃下反應12～24小時，反應結束後，冷卻至室溫，除去溶劑，滴加稀鹽酸水溶液調節pH，有沉澱析出，過濾得到化合物C1，純度96.87％，收率28％。HPLC-MS(m/z)：理論值536.26，實測值536.87。其他中間產物均有上述合成方法製備得到，所需原料如表1所示：表1實施例1化合物2的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-溴-6,6-二甲基吲哚並[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物B1，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到目標產物，純度97.36％，收率65.4％。HPLC-MS(m/z)：理論值621.28，實測值621.98。實施例2化合物19的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-溴-6,6-二甲基吲哚並[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物B2，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到目標產物，純度96.59％，收率69.8％。HPLC-MS(m/z)：理論值為803.36，實測值803.69。實施例3化合物20的合成500ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol2-溴-苯並[d]苯並[4,5]咪唑[2,1-b]惡唑，0.015mol化合物B3，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然後加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然後加入0.0001molPd(PPh3)4，加熱回流10-24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到目標產物，HPLC純度97.80％，收率69.50％。HPLC-MS(m/z)：理論值為801.35，實測值為801.67。實施例4化合物36的合成500ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol2-溴-苯並[d]苯並[4,5]咪唑[2,1-b]惡唑，0.015mol化合物B4，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然後加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然後加入0.0001molPd(PPh3)4，加熱回流10-24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到目標產物，HPLC純度97.20％，收率67.50％。HPLC-MS：材料值為799.33，實測值799.65。實施例5化合物41的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol8-溴-6,6-二甲基吲哚並[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物B5，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到目標產物，純度98.75％，收率56.29％。HPLC-MS(m/z)：理論值為983.38，實測值983.64。實施例6化合物44的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol0.01mol8-溴-6,6-二甲基吲哚並[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物B6，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到目標產物，純度99.25％，收率58.12％。HPLC-MS(m/z)：理論值為918.39，實測值918.32。實施例7化合物58的合成500ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol2-溴-苯並[d]苯並[4,5]咪唑[2,1-b]惡唑，0.015mol化合物B7，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然後加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然後加入0.0001molPd(PPh3)4，加熱回流10-24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到目標產物，HPLC純度97.20％，收率67.50％。HPLC-MS(m/z)：理論值為595.23，實測值595.65。實施例8化合物104的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-溴-6,6-二甲基吲哚並[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物C1，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到目標產物，純度97.60％，收率46.00％。HPLC-MS(m/z)：理論值為752.35,實測值為752.99。實施例9化合物112的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-溴-6,6-二甲基吲哚並[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.015mol化合物C2，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到目標產物，純度99.25％，收率49.00％。HPLC-MS(m/z)：；理論值為959.46，實測值959.87。實施例10化合物124的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol8-溴-6,6-二甲基吲哚並[2,1-b]喹唑啉12(6H)-酮，0.020mol化合物C3，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過矽膠柱，得到目標產物，純度95.62％，收率32.15％。HPLC-MS(m/z)：理論值為669.28，實測值669.78。本發明化合物可以作為發光層材料使用，對本發明化合物19、化合物58和現有材料CBP分別進行熱蒸鍍狀態、T1能級的測定，檢測結果如表2所示。表2化合物熱蒸鍍狀態T1(eV)功用化合物19熔融型2.85主體材料化合物58熔融型2.90主體材料化合物CBP升華型2.70主體材料註：熱蒸鍍狀態由韓國ANS-INC(100*100)蒸鍍設備進行測定，真空度＜5×10-7Torr，第一升溫區(0-200℃)，升溫速率10℃/min；第二升溫區(200-400℃)，升溫速率5℃/min，以的蒸鍍速率蒸鍍10min後自然降至室溫。T1是先測試化合物的磷光發射光譜，並由磷光發射峰計算得到(測試設備：利用EdinburghInstruments的FLS980螢光光譜儀，OxfordInstruments的OptistatDN-V2低溫組件)。由上表數據可知，本發明化合物具有較高的熱蒸鍍速率穩定性，較升華型材料，其材料內部傳熱較好，避免了因傳熱不均局部過熱引起的材料變質，有利於實現長時間蒸鍍。此外，本發明化合物具有較高的T1能級，避免能量由摻雜材料回傳到主體材料，適合作為發光層材料；同時，本發明化合物含有電子給體(donor,D)與電子受體(acceptor,A)，使得應用本發明化合物的OLED器件電子和空穴達到平衡狀態，保證了電子和空穴的複合率，使得器件效率和壽命得到提升。通過量子化學從頭計算軟體ORCA對本發明化合物的HOMO、LUMO能級進行計算並進行可視化，計算方法採用B3LYP雜化泛函，基組6-31g(d)。化合物19、化合物58、化合物112以及化合物BD-1的可視化HOMO、LUMO分布圖如表3所示；從HOMO、LUMO在分子中的空間分布可以看出，相比較化合物CBP本發明化合物的HOMO和LUMO能級處於空間分離狀態，且HOMO、LUMO重疊度小。即本發明化合物同時具有電子給體(donor,D)與電子受體(acceptor,A)兩個部分，這使得發明化合物的OLED器件電子和空穴更易達到平衡狀態，保證了電子和空穴的複合率，使得器件效率和壽命得到提升。表3以下通過實施例11-18和比較例1-3詳細說明本發明合成的化合物在器件中作為發光層主體材料的應用效果。實施例12-18與實施例11相比，所述器件的製作工藝完全相同，並且所採用了相同的基板材料和電極材料，電極材料的膜厚也保持一致，所不同的是器件中發光層材料發生了改變。實施例11透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物2和GD-19按照100：5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。相關材料的分子結構式如下所示：具體製備過程如下：透明基板層1採用透明材料。對ITO陽極層2(膜厚為150nm)進行洗滌，即依次進行鹼洗滌、純水洗滌、乾燥後再進行紫外線-臭氧洗滌以清除透明ITO表面的有機殘留物。在進行了上述洗滌之後的ITO陽極層2上，利用真空蒸鍍裝置，蒸鍍膜厚為10nm的三氧化鉬MoO3作為空穴注入層3使用。緊接著蒸鍍80nm厚度的TAPC作為空穴傳輸層4。上述空穴傳輸材料蒸鍍結束後，製作OLED發光器件的發光層5，其結構包括OLED發光層5所使用材料化合物22作為主體材料，GD-19作為摻雜材料，摻雜材料摻雜比例為5％重量比，發光層膜厚為30nm。在上述發光層5之後，繼續真空蒸鍍電子傳輸層材料為TPBI。該材料的真空蒸鍍膜厚為40nm，此層為電子傳輸層6。在電子傳輸層6上，通過真空蒸鍍裝置，製作膜厚為1nm的氟化鋰(LiF)層，此層為電子注入層7。在電子注入層7上，通過真空蒸鍍裝置，製作膜厚為80nm的鋁(Al)層，此層為陰極反射電極層8使用。如上所述地完成OLED發光器件後，用公知的驅動電路將陽極和陰極連接起來，測量器件的發光效率，發光光譜以及器件的電流-電壓特性。實施例12透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物19和GD-19按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。實施例13透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物20和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。實施例14透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物36和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。實施例15透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物41和GD-PACTZ按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。實施例16透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物44和GD-PACTZ按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。實施例17透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物58、GH-204和Ir(PPy)3按照70:30:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。實施例18透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物104、GH-204和GD-PACTZ按照70:30:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。比較例1透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(CBP和GD-19按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。比較例2透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(CBP和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極反射電極層8(Al)。比較例3透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(CBP和GD-PACTZ按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。所製作的OLED發光器件的測試結果見表4。表3表4說明:比較例1的電流效率為6.5cd/A(@10mA/cm2)；啟動電壓為4.3V(@1cd/m2)，5000nit亮度下LT95壽命衰減為3.8Hr。比較例2的電流效率為24.6cd/A(@10mA/cm2)；5000nit亮度下LT95壽命衰減為4.3Hr。比較例3的電流效率為25.1cd/A(@10mA/cm2)；啟動電壓為3.5V(@1cd/m2)，5000nit亮度下LT95壽命衰減為7.8Hr。壽命測試系統為本發明所有權人與上海大學共同研究的OLED器件壽命測試儀。實施例16啟動電壓為3.8(@1cd/m2)，實施例18啟動電壓為2.9V(@1cd/m2)。表3的結果可以看出，本發明所述化合物作為發光層主體材料可應用於OLED發光器件製作；並且與比較例1相比，無論是效率、電壓還是壽命均比已知OLED材料獲得較大改觀，特別是器件的驅動壽命獲得較大的提升。為進一步體現本發明化合物在產業化應用的優勢，本發明比較了不同摻雜材料比例下器件的性能變化情況，定義摻雜濃度依賴係數進行表示；它表示驅動電流為10mA/cm2下不同摻雜濃度的器件，其效率最大值μmax、最小值和平均值之間的均勻程度，值越大，說明摻雜比例對器件的效率影響越大，在產業化應用時要嚴格控制材料的蒸鍍速率，工業應用窗口較小；反之，說明器件性能對摻雜比例的要求不好，容易實現工業化生產，降低生產成本，具有良好的產業化應用前景。參考實施例11-18的製備方法，並且採用了相同的基板材料和電極材料，電極材料的膜厚也保持一致，所不同的是對摻雜比例做了變換；各器件的結構及測試結果如表5所示：表5從以上數據應用來看，本發明化合物作為發光層材料在OLED發光器件中具有良好的應用效果，具有良好的產業化前景。雖然已通過實施例和優選實施方式公開了本發明，但應理解，本發明不限於所公開的實施方式。相反，本領域技術人員應明白，其意在涵蓋各種變型和類似的安排。因此，所附權利要求的範圍應與最寬的解釋相一致以涵蓋所有這樣的變型和類似的安排。當前第1頁1&nbsp2&nbsp3&nbsp