一種GaN基發光二極體外延片及其製作方法
2023-07-15 22:59:36 1
一種GaN基發光二極體外延片及其製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種GaN基發光二極體外延片及其製作方法，屬於半導體【技術領域】。外延片包括：襯底、緩衝層、未摻雜的GaN層、n型層、電流擴展層、應力釋放層、摻雜有Si的插入層、多量子阱層、電子阻擋層和p型層，插入層每一周期包括AlxGa1-xN層和AlyGa1-yN層，AlxGa1-xN層Si的摻雜濃度為C1，AlyGa1-yN層Si的摻雜濃度為C2，插入層各層中最靠近多量子阱層的AlyGa1-yN層Si的摻雜濃度最高，最靠近多量子阱層的AlyGa1-yN層Si的摻雜濃度不低於量子壘層Si的摻雜濃度，且不高於電流擴展層Si的摻雜濃度，同一周期中，C1<C2。本發明通過上述方案提高了外延片抗靜電能力。
【專利說明】一種GaN基發光二極體外延片及其製作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體【技術領域】，特別涉及一種GaN基發光二極體外延片及其製作方法。
【背景技術】
[0002]GaN (氮化鎵)是第三代寬禁帶半導體材料的典型代表，其優異的高熱導率、耐高溫、耐酸鹼、高硬度等特性，使其被廣泛地被用於藍、綠、紫外發光二極體。GaN基發光二極體的核心組件是晶片，晶片包括外延片和設於外延片上的電極。
[0003]GaN基發光二極體外延片一般包括襯底、以及在襯底上依次向上生長的緩衝層、未摻雜的GaN層、η型層、應力釋放層、多量子阱層、電子阻擋層和P型層，其中多量子阱層包括若干個量子壘層和若干個與量子壘層交替生長的量子阱層。由於η型層的電子遷移率比較高，容易引起電子溢流，為了降低電子溢流現象，現有技術中一般是在η型層和應力釋放層之間設置η型電流擴展層。
[0004]在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題:
[0005]現有技術中，通過增設η型電流擴展層以降低電子溢流現象，電子溢流現象雖然有所改善，但是η型電流擴展層對電子的擴散能力有限，使得由該外延片製成的發光器件的抗靜電能力差，工 作電壓高。
【發明內容】
[0006]為了解決現有技術的問題，本發明實施例提供了一種GaN基發光二極體外延片及其製作方法。所述技術方案如下:
[0007]—方面，提供了一種GaN基發光二極體外延片，所述外延片包括:襯底、以及在所述襯底上向上生長的緩衝層、未摻雜的GaN層、η型層、摻雜有Si的電流擴展層、應力釋放層、摻雜有Si的插入層、多量子阱層、電子阻擋層和P型層，所述多量子阱層包括若干個摻雜有Si的量子壘層和若干個與所述量子壘層交替生長的量子阱層，所述插入層的生長溫度不高於所述量子壘層的生長溫度，所述插入層為周期結構，每一周期包括AlxGahN層和AlyGa1J層，所述AlxGa1J層的Si的摻雜濃度為Cl，所述AlyGa1J層的Si的摻雜濃度為C2，所述插入層各層中最靠近所述多量子阱層的AlyGai_yN層中Si的摻雜濃度最高，所述最靠近所述多量子阱層的AlyG&1_yN層中Si的摻雜濃度不低於所述量子壘層中Si的摻雜濃度，且不高於所述電流擴展層中Si的摻雜濃度，其中，0<x< l，0<y < 1，0<C1，0〈C2，在同一周期中，C1〈C2。
[0008]優選地，所述插入層各周期結構中的AlxGahN層的Al的組分含量從下至上遞增。
[0009]優選地，在同一周期中，x=y=0,或者是O < y < X < I。
[0010]優選地，所述插入層各周期結構中的AlyGai_yN層的Si的摻雜濃度從下至上各層保持不變或者從下至上逐層遞增。
[0011]進一步地,在同一周期中,所述AlxGa1J^層的厚度不大於所述AlyGa^N層的厚度。[0012]優選地，所述插入層的各AlxGahN層的Al的組分含量不高於電子阻擋層中Al的
組分含量。
[0013]具體地，所述插入層的生長溫度700_950°C。
[0014]另一方面，提供了一種GaN基發光二極體外延片的製作方法，所述裝置包括:
[0015]提供一襯底；
[0016]在所述襯底上依次生長緩衝層、 未摻雜的GaN層、η型層、摻雜有Si的電流擴展層、應力釋放層；
[0017]採用不高於量子壘層的生長溫度在所述應力釋放層上生長摻雜有Si的插入層，所述插入層為周期結構，每一周期包括AlxGa1J層和AlyGa1J層，所述AlxGa1J層的Si的摻雜濃度為Cl，所述AlyGai_yN層的Si的摻雜濃度為C2，所述插入層各層中最靠近所述多量子阱層的AlyGa1J層中Si的摻雜濃度最高，所述最靠近所述多量子阱層的AlyG&1_yN層中Si的摻雜濃度不低於所述量子壘層中Si的摻雜濃度，且不高於所述電流擴展層中Si的摻雜濃度，其中，O ^ X < 1,0 ^ y < 1,0 ^ C1，0〈C2，在同一周期中，CKC2 ；
[0018]在所述插入層上生長所述多量子阱層，所述多量子阱層包括若干個摻雜有Si的所述量子壘層和若干個與所述量子壘層交替生長的量子阱層；
[0019]在所述多量子阱層上依次生長電子阻擋層和P型層。
[0020]優選地，生長每個周期的所述AlxGa1J層時，各周期結構中的AlxGa1J層的Al的組分含量從下至上遞增。
[0021]優選地,在生長每一個周期的AlxGa1J^層和AlyGa^yN層時，x=y=0,或者是O < y
<X < 10
[0022]本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0023]通過設置摻雜有Si的插入層，插入層的每一個周期包括AlxGa1J^層和AlyGa^yN層，同一周期中，AlxGa1J層的摻雜Si的濃度低於AlyGa1J層的摻雜Si的濃度，AlxGa1J層對電子的阻力大於AlyGa^yN層，電子在經過AlxGa^xN層時由於AlxGa^xN層的阻力而在AlxGahN層中擴散開來，降低了電子在某一點大量聚集的現象，從而提高了外延片的抗靜電能力，AlyGa1J層摻雜的Si比較多，電子在擴散後能夠輕易通過AlyGa1J層，降低了外延片的工作電壓；同時，使最靠近所述多量子阱層的所述AlyGai_yN層中Si的摻雜濃度最高，能夠使電子更加高效地進入多量子阱層，提高了外延片的內量子效率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1是本發明實施例一提供的一種GaN基發光二極體外延片的結構示意圖；
[0026]圖2是本發明實施例二提供的一種GaN基發光二極體外延片的製作方法流程圖。
【具體實施方式】
[0027]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。
[0028]實施例一
[0029]本發明實施例提供了一種GaN基發光二極體外延片，該外延片包括:襯底11、以及在襯底11上向上生長的緩衝層12、未摻雜的GaN層13、n型層14、摻雜有Si的電流擴展層15、應力釋放層16、摻雜有Si的插入層17、多量子阱層18、電子阻擋層19和p型層20。其中，多量子阱層18包括若干個摻雜有Si的量子壘層181和若干個與量子壘層181交替生長的量子阱層182，插入層17的生長溫度不高於量子壘層181的生長溫度，插入層17為周期結構，每一周期包括AlxGa^N層171和AlyGa1J層172，AlxGa1J層171的Si的摻雜濃度為Cl，AlyGai_yN層172的Si的摻雜濃度為C2，插入層17各層中最靠近多量子阱層18的AlyG&1_yN層172中Si的摻雜濃度最高，最靠近多量子阱層18的AlyG&1_yN層172中Si的摻雜濃度不低於量子壘層182中Si的摻雜濃度，且不高於電流擴展層15中Si的摻雜濃度，其中，O ^ X < 1,0 ^ y < 1,0 ^ C1，0〈C2，在同一周期中，C1〈C2。
[0030]需要說明的是，在本實施例中，向上的方向是指從襯底11到P型層20的方向，從下至上也是指從襯底11到P型層20的方向。
[0031]具體地，在本實施例中，襯底可以為藍寶石襯底，緩衝層12、未摻雜的GaN層13、η型層14、電流擴展層15、應力釋放層16、電子阻擋層19以及P型層20可以為單層結構，也可以為多層結構。
[0032]在本實施例中，緩衝層12可以採用550°C的低溫生長，未摻雜的GaN層13、n型層14、電流擴展層15可以採用1000~1200°C的高溫生長，應力釋放層16可以採用850°C的低溫生長。
[0033]優選地，在插入層17各周期結構中的AlxGahN層171的Al的組分含量從下至上遞增。Al的含量越高，這一層的勢壘越高，對電子的阻擋作用越大，通過使AlxGahN層171的Al的組分含量從下至上遞增，對電子的阻力依次增強，降低了電子的速度，可以防止電子溢流，並且阻力的逐漸增強，電子的橫向擴展逐漸增加，進一步外延片的抗靜電能力。
[0034]優選地，在同一周期中，X=y=0,或者是O < y < X < I。x=y=0 時,AlxGa1^N 層 171和AlyG&1_yN層172的Al的組分含量都為O。由於Al的含量越高，該層的勢壘越大，則對電子的阻擋作用越強，當O < y < X < I，則在每一周期中，AlyGa^N層172的Al的組分含量小於AlxGa1J層171的Al的組分含量，AlxGa1J層171對電子的阻擋作用大於AlyGa1J層172對電子的阻擋作用。在Si的摻雜濃度變化和Al的組分含量變化的共同作用下，同一周期的AlxGahN層171和AlyG&1_yN層172對電子的阻擋能力相差較大，從而加大了電子的橫向擴展，降低了電子的密度，進一步提高了外延片的抗靜電能力。
[0035]優選地，在本實施例中，插入層17各周期結構中的AlyGa1J層172的Si的摻雜濃度從下至上各層保持不變或者從下至上逐層遞增。Si的濃度的遞增，在電子經過AlxGahN層171的擴展後，能夠輕易通過AlyG&1_yN層172，有效降低了工作電壓。
[0036]進一步地，在同一周期中，AlxGa1J層171的厚度不大於AlyGa^N層172的厚度。AlxGa^N層171層的阻力大於AlyGa1J層172層的阻力，AlyGa1J層172提供了一個比AlxGa1J層171大的輕易通過區域，進一步降低了工作電壓。
[0037]具體地，AlxGa1J層171的厚度可以為20~400nm，AlyGa1J層172的厚度可以為 20 ~400nm。[0038]優選地，插入層17的各AlxGa1J層171的Al的組分含量不高於電子阻擋層19中Al的組分含量。通過控制AlxGahN層171A1的組分含量，保證了進入多量子阱層18的電子的數量，如果Al的組分含量過高，可能使得電子停留在插入層17而不能進入多量子阱層18。
[0039]具體地，插入層17的生長溫度可以為700~950°C。
[0040]具體地，在本實施例中，插入層17的周期數為η，η≥I且η為整數。
[0041]下面通過與現有晶片對比，說明本發明實施例的外延片A的效果。
[0042]在具體的晶片工藝中，本發明實施例提供的外延片A可以包括:
[0043]藍寶石襯底、550°C生長的GaN緩衝層、1100°C生長的未摻雜的GaN層、1100°C生長的Si的摻雜濃度為5X IO18CnT3的η型GaN層、1100°C生長的Si的摻雜濃度為2X IO17CnT3的η型GaN電流擴展層、850°C生長的未摻雜的周期數為7的GaN/InGaN應力釋放層、插入層17、多量子阱層18、Mg的摻雜濃度為5 X IO17CnT3的P-Ala 16Gaa84N電子阻擋層、以及Mg的摻雜濃度為5X IO19CnT3的P型GaN層。其中，插入層17的周期數為1，生長溫度為850°C，插入層17由20nm厚的未摻雜Si的GaN和40nm厚的Si的摻雜濃度為I X IO17CnT3的GaN組成，多量子阱層18的周期數為9，每個周期由3nm的In。.18Ga0.82N量子阱和9個10.5nm的GaN量子魚組成。
[0044]本發明實施例提供的外延片B的結構與外延片A的結構基本相同，不同之處僅在於外延片B的插入層17包括10個3nm厚的Alatl3Gaa97N層和10個6nm厚的GaN層，10個Al。.CeGaa97N層的Si的慘雜濃度均為0，10個GaN層的Si的慘雜濃度從下至上遞增，且取下面的GaN層的Si的摻雜濃度為1父1017(^_3，最上面(即最靠近多量子阱層18)的GaN層的Si的摻雜濃度為1.5X 1017cm_3。
[0045]現有技術提供的外延片C的結構與外延片A的結構基本相同，不同之處在於，外延片C不包括插入層17。
[0046]在外延片C、外延片A和外延片B，採用相同的條件進行清洗、沉積、光刻等半導體加工工藝，製成單顆晶片尺寸為7X7mil的發光二極體晶片時，經發光二極體晶片測試(測試電流為10mA，工作電壓為2.85V)，在相同晶片製成條件下，現有的外延片C製成的晶片工作電壓為3V,外延片A製成的晶片的工作電壓相對於外延片C製成的晶片的工作電壓下降
0.15V，發光效率提高5%，抗靜電能力由6KV六成到6KV八成；外延片B製成的晶片的工作電壓相對於外延片C製成的晶片的工作電壓下降0.18V，發光效率提高8%，抗靜電能力由6KV六成到6KV九成以上。
[0047]其中，6KV六成是指在6000伏特的電壓下，晶片抗靜電能力即不被擊穿的百分比為60%，6KV八成是指在6000伏特的電壓下，晶片抗靜電能力即不被擊穿的百分比為80%，6KV九成是指在6000伏特的電壓下，晶片抗靜電能力即不被擊穿的百分比為90%。
[0048] 本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是:通過設置摻雜有Si的插入層，插入層的每一個周期包括AlxGa^N層和AlyGa^N層，同一周期中，AlxGa^N層的摻雜Si的濃度低於AlyGa^yN層的摻雜Si的濃度,AlxGa1^N層對電子的阻力大於AlyGapyN層，電子在經過AlxGa1^N層時由於AlxGa1J^層的阻力而在AlxGa1J^層中擴散開來，降低了電子在某一點大量聚集的現象，從而提高了外延片的抗靜電能力，AlyGai_yN層摻雜的Si比較多，電子在擴散後能夠輕易通過AlyG&1_yN層，降低了外延片的工作電壓；[0049]同時，使最靠近所述多量子阱層的所述AlyGa1J層中Si的摻雜濃度最高，能夠使電子更加高效地進入多量子阱層，提高了外延片的內量子效率；
[0050]通過使AlxGahN層的Al的組分含量從下至上遞增，對電子的阻力依次增強，降低了電子的速度，可以防止電子溢流，並且阻力的逐漸增強，電子的橫向擴展逐漸增加，進一步外延片的抗靜電能力；
[0051]通過使每一周期中，AlyGa1J層的Al的組分含量小於AlxGaJ層的Al的組分含量，加大了電子的橫向擴展，降低了電子的密度，進一步提高了外延片的抗靜電能力；
[0052]通過使AlyGa1-JfN層大於AlxGa1-JiN層的厚度，AlxGa1-JiN層171層的阻力大於AlyGa1-JfN層172層的阻力，AlyGai_yN層172提供了一個比AlxGapxN層171大的輕易通過區域，進一步降低了工作電壓。
[0053]實施例二
[0054]本發明實施例提供了一種發光二極體外延片的製作方法，可以用來製作實施例一種提供的外延片，參見圖2，該方法包括:
[0055]步驟201:提供一襯底。
[0056]具體地，襯底可以為藍寶石襯底。
[0057]步驟202:在襯底上依次生長緩衝層、未摻雜的GaN層、η型層、摻雜有Si的電流擴展層、應力釋放層。
[0058]在本實施例中，可以採用550°C的低溫生長緩衝層，可以採用1000~1200°C的高溫分別生長未摻雜的GaN層、η型層、電流擴展層，可以採用850°C的低溫生長應力釋放層。其中，緩衝層、未摻雜的GaN層、η型層、電流擴展層、應力釋放層可以為單層也可以為多層。
[0059]步驟203:採用不高於量子壘層的生長溫度在應力釋放層上生長摻雜有Si的插入層。
[0060]插入層為周期結構，每一周期包括AlxGa^N層和AlyGa^N層，AlxGa1J層的Si的摻雜濃度為Cl，AlyG&1_yN層的Si的摻雜濃度為C2，插入層各層中最靠近多量子阱層的AlyGa1J層中Si的摻雜濃度最高，最靠近多量子阱層的AlyGa1J層中Si的摻雜濃度不低於量子壘層中Si的摻雜濃度，且不高於電流擴展層中Si的摻雜濃度，其中，O < X < 1,0 ^ y
<1,0 ( C1，0〈C2，在同一周期中，C1〈C2。
[0061]具體地，插入層的生長溫度可以為700~950°C。
[0062]具體地，在本實施例中，插入層17的周期數為η，η≥1，η為整數。
[0063]優選地，生長每個周期的AlxGa1J層時，各周期結構中的AlxGa1J層的Al的組分含量從下至上遞增。Al的含量越高，這一層的勢壘越高，對電子的阻擋作用越大，通過使AlxGahN層的Al的組分含量從下至上遞增，對電子的阻力依次增強，降低了電子的速度，可以防止電子溢流，並且阻力的逐漸增強，電子的橫向擴展逐漸增加，進一步外延片的抗靜電能力。
[0064]進一步地,在生長每一個周期的AlxGa1^N層和AlyGa^yN層時，x=y=0,或者是O < y
<X < I。x=y=0時，則AlxGa1J層和AlyGa1J層的Al的組分含量都為O。由於Al的含量越高，該層的勢壘越大，則對電子的阻擋作用越強，當O < y < X < 1，則在每一周期中，AlyGa1J層的Al的組分含量小於AlxGa1J層的Al的組分含量，則在同一周期中，AlxGapxN層對電子的阻擋作用大於AlyGai_yN層對電子的阻擋作用。在Si的摻雜濃度變化和Al的組分含量變化的共同作用下，同一周期的AlxGahN層和AlyG&1_yN層對電子的阻擋能力相差較大，從而加大了電子的橫向擴展，降低了電子的密度，進一步提高了外延片的抗靜電能力，降低了外延片的工作電壓。
[0065]優選地，優選地，在本實施例中，插入層各周期結構中的AlyGa1J層的Si的摻雜濃度從下至上各層保持不變或者從下至上逐層遞增。Si的濃度的遞增，在電子經過AlxGahN層的擴展後，能夠輕易通過AlyGa1J層，有效降低了工作電壓。
[0066]進一步地，在同一周期中，AlxGahN層的厚度不大於AlyGa1J層的厚度。AlxGapxN層171層的阻力大於AlyGa1J層172層的阻力，AlyGa1J層172提供了一個比AlxGa^N層171大的輕易通過區域，進一步降低了工作電壓。
[0067]具體地，AlxGa^N層的厚度可以為20~400nm，AlyGa^N層的厚度可以為20~400nmo
[0068]優選地，插入層的各AlxGahN層的Al的組分含量不高於電子阻擋層中Al的組分含量。通過控制AlxGa1J層Al的組分含量，保證了進入多量子阱層18的電子的數量，如果Al的組分含量過高，可能使得電子停留在插入層而不能進入多量子阱層。
[0069]步驟204:在插入層上生長多量子阱層。
[0070]具體地，多量子阱層包括若干個摻雜有Si的量子壘層和若干個與量子壘層交替生長的量子阱層。
[0071]步驟205:在多量子阱層上依次生長電子阻擋層和P型層。
[0072]具體地，電子阻擋層和P型層可以為單層也可以為多層。
[0073]本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是:通過生長摻雜有Si的插入層，插入層的每一個周期包括AlxGa^N層和AlyGa^N層，同一周期中，AlxGa^N層的摻雜Si的濃度低於AlyGa^yN層的摻雜Si的濃度,AlxGa1^N層對電子的阻力大於AlyGapyN層，電子在經過AlxGa1^N層時由於AlxGa1J^層的阻力而在AlxGa1J^層中擴散開來，降低了電子在某一點大量聚集的現象，從而提高了外延片的抗靜電能力，AlyGai_yN層摻雜的Si比較多，電子在擴散後能夠輕易通過AlyG&1_yN層，降低了外延片的工作電壓；
[0074]同時，使最靠近所述多量子阱層的所述AlyGa1J層中Si的摻雜濃度最高，能夠使電子更加高效地進入多量子阱層，提高了外延片的內量子效率；
[0075]通過使AlxGahN層的Al的組分含量從下至上遞增，對電子的阻力依次增強，降低了電子的速度，可以防止電子溢流，並且阻力的逐漸增強，電子的橫向擴展逐漸增加，進一步外延片的抗靜電能力；
[0076]通過使每一周期中，AlyGa1J層的Al的組分含量小於AlxGaJ層的Al的組分含量，加大了電子的橫向擴展，降低了電子的密度，進一步提高了外延片的抗靜電能力；
[0077]通過使AlyGa1J層大於AlxGa1J層的厚度，AlxGa1J層171層的阻力大於AlyGa1J層172層的阻力，AlyGai_yN層172提供了一個比AlxGapxN層171大的輕易通過區域，進一步降低了工作電壓。
[0078]上述本發明實施例序號僅僅為了描述，不代表實施例的優劣。
[0079]以上所述僅為本發明的較佳實施例，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種GaN基發光二極體外延片，所述外延片包括:襯底、以及在所述襯底上向上生長的緩衝層、未摻雜的GaN層、η型層、摻雜有Si的電流擴展層、應力釋放層、多量子阱層、電子阻擋層和P型層，所述多量子阱層包括若干個摻雜有Si的量子壘層和若干個與所述量子壘層交替生長的量子阱層，其特徵在於，所述外延片還包括設於所述應力釋放層與所述多量子阱層之間的摻雜有Si的插入層，所述插入層的生長溫度不高於所述量子壘層的生長溫度，所述插入層為周期結構，每一周期包括AlxGa1J層和AlyGa1J層，所述AlxGa1J層的Si的摻雜濃度為Cl，所述AlyGai_yN層的Si的摻雜濃度為C2，所述插入層各層中最靠近所述多量子阱層的AlyGai_yN層中Si的摻雜濃度最高，所述最靠近所述多量子阱層的AlyGai_yN層中Si的摻雜濃度不低於所述量子壘層中Si的摻雜濃度，且不高於所述電流擴展層中Si的摻雜濃度，其中，O ≤ X < 1,0 ≤y < 1,0 ≤C1，0〈C2，在同一周期中，C1〈C2。
2.根據權利要求1所述的外延片，其特徵在於，所述插入層各周期結構中的AlxGahN層的Al的組分含量從下至上遞增。
3.根據權利要求2所述的外延片,其特徵在於,在同一周期中,x=y=0,或者是O< y < X< 1。
4.根據權利要求3所述的外延片，其特徵在於，所述插入層各周期結構中的AlyGai_yN層的Si的摻雜濃度從下至上各層保持不變或者從下至上逐層遞增。
5.根據權利要求4所述的外延片，其特徵在於，在同一周期中，所述AlxGahN層的厚度不大於所述AlyGa^yN層的厚度。
6.根據權利要求1至5任一項所述的外延片，其特徵在於，所述插入層的各AlxGahN層的Al的組分含量不高於電子阻擋層中Al的組分含量。
7.根據權利要求1至5任一項所述的外延片，其特徵在於，所述插入層的生長溫度為700-950℃
8.—種GaN基發光二極體外延片的製作方法,所述方法包括: 提供一襯底； 在所述襯底上依次生長緩衝層、未摻雜的GaN層、η型層、摻雜有Si的電流擴展層、應力釋放層； 其特徵在於， 採用不高於量子壘層的生長溫度在所述應力釋放層上生長摻雜有Si的插入層，所述插入層為周期結構，每一周期包括AlxGa1-JiN層和AlyGa1-JfN層，所述AlxGapxN層的Si的慘雜濃度為Cl，所述AlyG&1_yN層的Si的摻雜濃度為C2，所述插入層各層中最靠近所述多量子阱層的AlyG&1_yN層中Si的摻雜濃度最高，所述最靠近所述多量子阱層的AlyGai_yN層中Si的摻雜濃度不低於所述量子壘層中Si的摻雜濃度，且不高於所述電流擴展層中Si的摻雜濃度，其中，O ≤ X < 1,0 ≤ y < 1,0 ≤C1，0〈C2，在同一周期中，CKC2 ； 在所述插入層上生長所述多量子阱層，所述多量子阱層包括若干個摻雜有Si的所述量子壘層和若干個與所述量子壘層交替生長的量子阱層； 在所述多量子阱層上依次生長電子阻擋層和P型層。
9.根據權利要求8所述的方法，其特徵在於，生長每個周期的所述AlxGa1J層時，各周期結構中的AlxGahN層的Al的組分含量從下至上遞增。
10.根據權利要求9所述的方法，其特徵在於，在生長每一個周期的AlxGahN層和alyga1-yN層時，x=y=0 ,或者是0＜y＜x＜1。
【文檔編號】H01L33/06GK103943746SQ201410111404
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年3月24日 優先權日:2014年3月24日
【發明者】呂蒙普, 魏世禎, 謝文明 申請人:華燦光電(蘇州）有限公司