用於變換信號振幅的振幅變換電路的製作方法
2023-08-05 03:35:51
專利名稱：用於變換信號振幅的振幅變換電路的製作方法
技術領域：
本發明涉及振幅變換電路及使用該電路的半導體裝置，具體地說，涉及能改變信號振幅的振幅變換電路及使用該電路的半導體裝置。
背景技術：
圖27是表示在傳統的便攜電話機中與圖像顯示相關部分的構成的方框圖。
在圖27中，該便攜電話機包括由MOST(MOS電晶體)型集成電路構成的控制用LSI71、由MOST型集成電路構成的電平轉換器72、由TFT(薄膜電晶體)型集成電路構成的液晶顯示裝置73。
控制用LSI71生成控制液晶顯示裝置73的信號。該控制信號的「H」電平為3V，「L」電平為0V。在實際中會產生多個控制信號，在此為簡化說明，設定控制信號為一個。電平轉換器72改變由控制用LSI71輸出的控制信號的邏輯電平，並生成內部控制信號。該內部控制信號的「H」電平為7.5V，其「L」電平為0V。液晶顯示裝置73根據電平轉換器72輸出的內部控制信號顯示圖像。
圖28是表示電平轉換器72的構成的電路圖。在圖28中，該電平轉換器72包含P溝道MOS電晶體74、75及N溝道MOS電晶體76、77。P溝道MOS電晶體74、75分別連接在電源電位VCC(7.5V)的結點N71與輸出結點N74、N75之間，它們的柵極分別連接在輸出結點N75、N74上。N溝道MOS電晶體76、77分別連接在輸出結點N74、N75與接地電位GND的結點之間，它們的柵極分別接收輸入信號VI、/VI。
當前，假設輸入信號VI、/VI被分別設定為「L」電平(0V)及「H」電平(3V)，輸出信號VO、/VO被分別設定為「H」電平(7.5V)及「L」電平(0V)。此時，MOS電晶體74、77為導通狀態，MOS電晶體75、76為未導通狀態。
在此情況下，若在輸入信號VI由「L」電平(0V)上升為「H」電平(3V)的同時，輸入信號/VI由「H」電平(3V)下降為「L」電平(0V)，則首先導通N溝道MOS電晶體76且降低輸出結點N74的電位。輸出結點N74的電位比由電源電位VCC減去P溝道MOS電晶體75的閾值電壓的絕對值後的電位低時，開始導通P溝道MOS電晶體75且升高輸出結點N75的電位。輸出結點N75的電位開始上升後，P溝道MOS電晶體74的源極柵極間的電壓變小，P溝道MOS電晶體74的導通電阻值升高，輸出結點N74的電位將降得更低。這樣，電路進行正反饋操作，輸出結點VO、/VO分別變為「L」電平(0V)及「H」電平(7.5V)後，結束電平變換操作。
另外，也有將P溝道MOS電晶體74、75的柵極都連接到一個輸出結點N74或N75的電平轉換器。這樣的電平轉換器公開在例如特開平11-145821號專利中。
如上所述，傳統的電平轉換器72的操作前提是隨著輸入信號VI由「L」電平(0V)上升為「H」電平(3V)使得N溝道MOS電晶體76導通。為導通N溝道MOS電晶體76，有必要使N溝道MOS電晶體76的閾值電位小於輸入信號VI的「H」電平(3V)。
在一般的半導體LSI中，容易將閾值電壓設定為小於3V，而包含在液晶顯示裝置中的低溫多晶矽TFT，閾值電壓的偏差較大，不易將TFT的閾值電壓設定為小於3V。因此，如圖27所示，由高耐壓MOS電晶體構成的電平轉換器72設置在控制用LSI71與液晶顯示裝置73之間，對信號的邏輯電平進行轉換。
但是，若設置了這種電平轉換器72，則電平轉換器72的成本會加在系統成本上，使得系統成本增加。
發明內容
由此，本發明的主要目的在於提供一種即使在輸入信號的增幅電壓小於輸入電晶體的閾值電壓時，也能正常操作的振幅變換電路及使用該電路的半導體裝置。
與本發明相關的振幅變換電路中，為了將振幅為第一電壓的第一信號轉換成振幅為大於第一電壓的第二電壓，設置有第一導電類型的第一及第二電晶體；第二導電類型的第三及第四電晶體；驅動電路。第一及第二電晶體的第一電極共同接收第二電壓，它們的第二電極分別連接在輸出第二信號及其互補信號的第一及第二輸出結點上，它們的輸入電極分別連接在第二及第一輸出結點上。第三及第四電晶體的第一電極分別連接在第一及第二輸出結點上。驅動電路由第一信號及其互補信號驅動，響應第一信號的互補信號的前沿，在第三電晶體的輸入電極及第二電極間加上比第一電壓高的第三電壓，使第三電晶體導通；響應對應第一信號互補信號的後沿的第一信號的前沿，在第四電晶體的輸入電極及第二電極間加上第三電壓，使第四電晶體導通。這樣，響應第一信號的互補信號的前沿或者第一信號的前沿，在第三或第四電晶體的輸入電極及第二電極間加上比第一電壓高的第三電壓，並導通第三或第四電晶體，由此，在第一信號的振幅比第三或第四電晶體的閾值電壓低時也可以正常操作。
同時，與本發明相關的振幅變換電路中，為了使其振幅為第一電壓的第一信號轉換成其振幅為大於第一電壓的第二電壓的第二信號，設置有第一導電類型的第一及第二電晶體；第二導電類型的第三及第四電晶體；驅動電路。第一及第二電晶體的第一電極共同接收第二電壓，它們的第二電極分別連接在輸出第二信號及其互補信號的第一及第二輸出結點上，它們的輸入電極共同連接在第二輸出結點上。第三及第四電晶體的第一電極分別連接在第一及第二輸出結點上。驅動電路由第一信號及其互補信號驅動，響應第一信號的互補信號的前沿，在第三電晶體的輸入電極及第二電極間加上比第一電壓高的第三電壓，使第三電晶體導通；響應對應於第一信號互補信號的後沿的第一信號的前沿，在第四電晶體的輸入電極及第二電極間加上第三電壓，使第四電晶體導通。這樣，響應第一信號的互補信號的前沿或第一信號的前沿，在第三或第四電晶體的輸入電極及第二電極間加上比第一電壓高的第三電壓，並導通第三或第四電晶體，由此，在第一信號的振幅比第三或第四電晶體的閾值電壓低時也可以正常操作。
圖1是根據本發明的一個實施例的便攜電話機的圖像顯示相關的部分的構成的方框圖。
圖2表示圖1所示的電平轉換器的構成的電路圖。
圖3～26為分別表示本實施例的變更例的電路圖。
圖27是表示與傳統便攜電話機的圖像顯示相關的部分的構成的方框圖。
圖28是表示圖27所示的電平轉換器的構成的電路圖。
具體實施例方式
圖1是根據本發明的一個實施例的便攜電話機的圖像顯示相關的部分的構成的方框圖。
在圖1中，該便攜電話機包含由MOST型集成電路構成的LSI1、以及由TFT型集成電路構成的液晶顯示裝置2，液晶顯示裝置2包含電平轉換器3及液晶顯示部分4。
控制用LSI1輸出控制液晶顯示裝置2的信號。該控制信號的「H」電平為3V，「L」電平為0V。在實際中會產生多個控制信號，在此為簡化說明，設定控制信號為一個。電平轉換器3改變由控制用LSI1輸出的控制信號的邏輯電平，並生成內部控制信號。該內部控制信號的「H」電平為7.5V，其「L」電平為0V。液晶顯示部分4根據電平轉換器3輸出的內部控制信號顯示圖像。
圖2是表示電平轉換器3的構成的電路圖。在圖2中，該電平轉換器3包含P型TFT5、6，N型TFT7～14，電容器15、16，以及電阻元件17。P型TFT5、6分別連接在電源電位VCC(7.5V)的結點N1與輸出結點N5、N6之間，它們的柵極分別連接在輸出結點N6、N5上。輸出結點N5、N6中出現的信號分別為該電平轉換器3的輸出信號VO、/VO。N型TFT7連接在結點N5、N7之間，其柵極連接在結點N11上。N型TFT8連接在結點N6、N8之間，其柵極連接在結點N13上。結點N7、N8中分別接收輸入信號VI及其互補信號/VI。
電阻元件17及N型TFT9、10串聯在電源電位VCC的結點N1與接地電位GND的結點之間。N型TFT9的柵極連接在其漏極(結點N9)上，N型TFT10的柵極連接在其漏極上。N型TFT9、10分別構成二極體元件，電阻元件17及N型TFT9、10構成恆電位產生電路。將電阻元件17的電阻值設定得足夠大(諸如100MΩ)，將N型TFT9、10的導通電阻值設定得比電阻元件17的電阻值小得多，則結點N9的電位V9為V9＝2VTN。在此，VTN為N型TFT的閾值電位。
N型TFT11連接在電源電位VCC的結點N1與結點N11之間，其柵極接收結點N9的電位V9。N型TFT12連接在結點N11與N12之間，其柵極連接在結點N11上。N型TFT12構成二極體元件。電容器15連接在結點N11與N12之間。結點N12中接收信號/VI。
N型TFT13連接在電源電位VCC的結點N1與結點N13之間，其柵極接收結點N9的電位V9。N型TFT14連接在結點N13與N14之間，其柵極連接在結點N13上。N型TFT14構成二極體元件。電容器16連接在結點N13與N14之間。結點N14中接收輸入信號VI。
下面，對該電平轉換器3的操作進行說明。當前，將輸入信號VI、/VI分別設定為3V、0V，則N型TFT11通過源跟隨器的操作，結點N11的電位V11變為V11＝2VTN-VTN＝VTN。同時，由於二極體所連接的N型TFT12的閾值電位為VTN，從電源電位VCC的結點N1幾乎沒有電流流到結點N12。由於N型TFT7的柵極電位為V11＝VTN，其源電位為3V，因此，N型TFT7為非導通狀態。電容器15通過閾值電壓VTN充電。
另一方面，如下所述，由於結點N13的電位V13被升高到VTN之上，結點N8被設定為0V，因此，N型TFT8為導通狀態。其結果是，輸出結點N6變為輸入結點N8的電位(0V)，P型TFT5為導通狀態，輸出結點N5變為電源電壓VCC。由此，P型TFT6變為非導通狀態，電源電壓VCC的結點N1與輸入結點N8之間沒有電流通過。
接下來，若在輸入信號VI由3V下降到0V的同時，輸入信號/VI由0V上升到3V，則輸入信號/VI的電位變化經與電容耦合後通過電容器15被傳送到結點N11，結點N11的電位V11被增壓。將電容器15的電容值設定為比結點N11的寄生電容(圖中未顯示)的電容值大得多，則輸出結點N11的電位V11為V11≈VTN+ΔVI＝VTN+3V。而ΔVI是輸入信號VI、/VI的振幅，它等於3V。由於N型TFT7的源(結點N7)電位變為0V，因此，N型TFT7的柵極源極間電壓為VTN+3V，N型TFT7導通。其結果是，輸出結點N5的電位變為0V，P型TFT6導通。
另一方面，輸入信號VI由3V變為0V的電位變化經與電容耦合後通過電容器16被傳送到結點N13，結點N13的電位V13被降壓。若輸入信號VI、/VI的變化周期短，則降壓前的結點N13的電位V13為V13＝VTN+3V，因此，降壓時的結點N13的電位V13為V13＝VTN+3V-3V＝VTN。若輸入信號VI、/VI的變化周期長，則結點N13的電位V13為經與電容耦合升壓後的電位，因此，它會隨時間而降低。由此，結點N13的電位V13降低了當輸入信號VI、/VI的變化周期短時它比值VTN少的那一部分，這樣，N型TFT13導通，結點N13的電位V13升高為VTN。
如上，N型TFT8的柵極電位V13變為VTN，其源(結點N8)電位變為3V，因此，N型TFT8變為非導通狀態。其結果是，輸出結點N6的電位變為7.5V，P型TFT5變為非導通狀態。這樣，輸出結點N5、N6分別變為0V、7.5V，邏輯電平由3V轉換為7.5V。
在此實施例中，響應輸入信號VI的下降沿，在N型TFT7的閾值電壓VTN上加上輸入信號/VI的振幅電壓(3V)後的電壓VTN+3V加到N型TFT7的柵極源之間，因此，即使輸入信號/VI的振幅電壓(3V)比N型TFT7的閾值電壓VTN低時，電平轉換器3也能正常操作。因此，如圖1所示，電平轉換器3與液晶顯示部分4可以組成同一個液晶顯示裝置2(TFT型集成電路)。因此，與有必要將電平轉換器52與液晶顯示裝置53分別安裝的傳統型相比，只需較少的部件數量，且能降低系統成本。
同時，在操作過程中，雖然要通過過量的電壓電流，但除電阻元件17及N型TFT9、10之外，均不能通過直流電流。由於電阻元件17的電阻值被設定為較大值，只能通過微弱電流，因此，電平轉換器3的消耗功率變得極小。
另外，在本實施例中使用了TFT5～14，但也可以代替TFT使用MOS電晶體。此時，即使輸入信號VI、/VI的振幅比MOS電晶體的閾值電壓小，也可以操作。
同時，在本實施例中使用了絕緣柵極型場效應電晶體TFT，當然也可以使用其它形式的場效應電晶體。
下面，對本發明實施例的各種變更例進行說明。圖3的電平轉換器20中，使N型TFT12、14的源極接地。在此變更例中，由於使N型TFT12、14的電流不從輸入結點N12、N14中流過，而是通過接地電位GND的結點，因此只需要較小的輸入信號VI、/VI的驅動力。
圖4的電平轉換器21中，P型TFT5、6的源極上加上電壓電位VCC(7.5V)，在N型TFT11的漏極上加上與電源電位VCC不同的正電源電位VCC』，在電阻元件17一邊的電極(未連接在結點N9上的電極)上加上與電源電位VCC、VCC』不同的電源電位VCC」。在此變更例中，利用諸如在電源電位VCC的結點中產生的噪音可以防止結點N9、N11、N13的電位V9、V11、V13發生變化。
圖5的電平轉換器22中，電阻元件17由P型TFT23構成。即P型TFT23連接在電源電位VCC的結點N1與結點N9之間，其柵極連接在接地電位GND的結點上。由TFT構成的電阻元件在單位面積上的電阻值比由擴散層構成的電阻元件在單位面積上的電阻值大。因此，在此變更例中，可以減小電阻元件所佔的面積。另外，由利用其柵極接收電源電位VCC的N型TFT構成電阻元件17，也可以取得同樣的效果。
在圖6的電平轉換器24中，還加上N型TFT25、26。N型TFT25連接在結點N5與結點N7之間，其柵極連接在結點N6上。N型TFT26連接在結點N6與結點N8之間，其柵極連接在結點N5上。若輸入信號VI、/VI被分別設定為「H」電平及「L」電平，輸出信號VO、/VO被分別設定為「H」電平及「L」電平，則N型TFT25為非導通狀態的同時，N型TFT26為導通狀態；輸出結點N5、N6分別保持「H」電平及「L」電平。若輸入信號VI、/VI被分別設定為「L」電平及「H」電平，輸出信號VO、/VO被分別設定為「L」電平及「H」電平，則N型TFT25為導通狀態的同時，N型TFT26為非導通狀態；輸出結點N5、N6分別保持「L」電平及「H」電平。
輸入信號VI、/VI的變化周期非常大時，結點N11、N13的電位V11、V13均變為N型TFT的閾值電壓VTN，輸出結點N5與N6的電位關係有可能發生逆轉。N型TFT25、26是為防止出現這種輸出結點N5與N6間的電位逆轉而設的，將輸出結點N5、N6的電位固定，使之與結點N11、N13的電位V11、V13無關圖7的電平轉換器27使得圖6電平轉換器24的N型TFT25、26的源極連接在接地電位GND的結點上。在此變更例中，由於使得N型TFT25、26的電流不通過輸入結點N7、N8，而通過接地電位GND的結點，因此，只需要較小的輸入信號VI、/VI的驅動力。
圖8的電平轉換器30與圖2電平轉換器3的N型TFT7、8的源極共同連接在接地電位GND的結點上。在此變更例中，由於使得N型TFT7、8的電流不通過輸入結點N7、N8，而通過接地電位GND的結點，因此，只需要較小的輸入信號VI、/VI的驅動力。
圖9的電平轉換器31和圖7的電平轉換器27的N型TFT7、8、25、26的源極共同連接在接地電位GND的結點上。在該變更例中，N型TFT7、8、25、26的輸出電流不通過輸入結點N7、N8，而通過接地電位GND的結點，因此，只需要較小的輸入信號VI、/VI的驅動力。
圖10的電平轉換器32與圖2電平轉換器3的P型TFT5、6的柵極共同連接在結點N5上。P型TFT5、6構成電流鏡像電路。P型TFT5和6中流過相同值的電流。在輸入信號VI、/VI分別為「L」電平及「H」電平，N型TFT7、8分別為導通狀態及未導通狀態的情況下，與TFT5、7中流過的電流相同值的電流也流過P型TFT6，並差分放大。輸出結點N5、N6分別為「L」電平及「H」電平。在此變更例中，也可以收到和圖2的電平轉換器3相同的振幅變換效果。
圖11的電平轉換器33與圖6電平轉換器24的P型TFT5、6的柵極共同連接在結點N5上。在此變更例中，也可以收到和圖6的電平轉換器24相同的效果。
圖12的電平轉換器34與圖10電平轉換器32的N型TFT7、8的柵極共同接地。在此變更例中，由於使得N型TFT7、8的電流不通過輸入結點N7、N8，而通過接地電位GND的結點，因此，只需要較小的輸入信號VI、/VI的驅動力。
圖13的電平轉換器35與圖11電平轉換器33的N型TFT7、8、25、26的柵極共同接地。在此變更例中，由於使得N型TFT7、8、25、26的電流不通過輸入結點N7、N8，而通過接地電位GND的結點，因此，只需要較小的輸入信號VI、/VI的驅動力。
在圖14的變更例中，包含電阻元件17及N型TFT9、10的恆電位發生電路36與多個電平轉換器38、39...連接在一起。恆電位發生電路36的輸出結點N9與接地電位GND的結點之間連接有電位穩定用電容器37。為了使電阻元件17的電阻值變大，有必要擴大電阻元件17的面積，而在此變更例中，恆電位發生電路36與多個電平轉換器38、39...連接在一起，因此，作為整個電路只需要佔用很小的面積。
圖15的電平轉換器40是在圖2的電平轉換器3上追加P型TFT41、42。P型TFT41連接於P型TFT5的漏極和輸出結點N5之間，其柵極與結點N11連接。P型TFT42連接於P型TFT6的漏極和輸出結點N6之間，其柵極與結點N13連接。若輸入信號/VI從0V上升到3V，則結點N11的電位V11變成VTN+3V，P型TFT41變成非導通而N型TFT7導通，輸出結點N5的電位變成0V。此時，由於P型TFT41變成非導通，從電源電位VCC的結點N1沒有電流流向結點N5，輸出結點N5的電位很容易下降到0V。若輸入信號/VI從3V下降到0V，則結點N11的電位V11變成VTN，N型TFT7變成非導通而P型TFT41導通，輸出結點N5的電位變成7.5V。
另外，若輸入信號VI從0V上升到3V，則結點N13的電位V13變成VTN+3V，P型TFT42變成非導通而N型TFT8導通，輸出結點N6的電位變成0V。此時，由於P型TFT42變成非導通，從電源電位VCC的結點N1沒有電流流向結點N6，輸出結點N6的電位很容易下降到0V。若輸入信號VI從3V下降到0V，則結點N13的電位V13變成VTN，N型TFT8變成非導通而P型TFT42導通，輸出結點N6的電位變成7.5V。該變更例中，由於輸出結點N5、N6的電位容易下降到0V，因而可以使輸入信號VI、/VI的振幅減小該部分的量，輸入信號VI、/VI的振幅的餘裕變大。
圖16～26的電平轉換器45～55分別在圖3～圖13的電平轉換器20～22、24、27、30～35上追加P型TFT41、42。這些變更例也可獲得與圖15的電平轉換器40相同的效果。
本次公開的實施例只是對所用要點的例示，而不是進行限制。本發明的範圍不是所述的說明，而是根據權利要求的範圍所示，包含與權利要求範圍等同及在範圍內的所有變更方式。
權利要求
1.一種振幅變換電路，它是將其振幅為第一電壓的第一信號轉換為振幅比所述第一電壓高的第二電壓的第二信號的振幅變換電路，它包含第一導電形式的第一及第二電晶體，它們的源極共同接受所述第二電壓，它們的漏極分別連接在為輸出所述第二信號及其互補信號而設的第一及第二輸出結點上，它們的柵極分別連接在所述第二及第一輸出結點上；以及第二導電形式的第三及第四電晶體，它們的漏極分別連接在所述第一及第二輸出結點上；以及驅動電路，所述驅動電路包括第一電容器，其一邊的電極連接在所述第三電晶體的柵極上，另一邊的電極接受所述第一信號的互補信號；第二電容器，其一邊的電極連接在所述第四電晶體的柵極上，另一邊的電極接受所述第一信號；和，充放電電路，分別對所述第一及第二電容器充電或放電，使得所述第一及第二電容器的各個端子間的電壓等於所述第三及第四電晶體的閾值電壓，該驅動電路由所述第一信號及其互補信號驅動，響應所述第一信號的互補信號的前沿，使比所述第一電壓高的第三電壓加在所述第三電晶體的柵極及源極之間，導通所述第三電晶體；響應對應所述第一信號的互補信號的後沿的所述第一信號的前沿，將所述第三電壓加在所述第四電晶體的柵極及源極之間，導通所述第四電晶體。
2.如權利要求1所述的振幅變換電路，其特徵在於所述第三及第四電晶體的源極共同接受基準電壓。
3.如權利要求1所述的振幅變換電路，其特徵在於所述充放電電路包含電壓產生電路，產生大約是所述第三及第四電晶體的閾值電壓的兩倍的電壓；第一及第二電平轉換電路，它們設置成分別對應於所述第三及第四電晶體，分別生成比上述電壓產生電路的輸出電壓低所述第三及第四電晶體的閾值電壓的電壓，並加在對應的電晶體的柵極上；以及分別與所述第一及第二電容器並聯的第一及第二二極體元件。
4.如權利要求3所述的振幅變換電路，其特徵在於所述第一及第二二極體元件包含分別與所述第一及第二電容器並聯、其柵極分別連接在所述第三及第四電晶體的柵極上的第二導電形式的第五及第六電晶體。
5.如權利要求1所述的振幅變換電路，其特徵在於所述充放電電路包含電壓產生電路，產生大約是所述第三及第四電晶體的閾值電壓的兩倍的電壓；第一及第二電平轉換電路，它們設置成分別對應於所述第三及第四電晶體，分別生成比上述電壓產生電路的輸出電壓低所述第三及第四電晶體的閾值電壓的電壓，並加在對應的電晶體的柵極上；以及分別連接在所述第三及第四電晶體的柵極和基準電壓的結點之間的第一及第二二極體元件。
6.如權利要求5所述的振幅變換電路，其特徵在於所述第一及第二二極體元件包含分別連接在所述第三及第四電晶體的柵極與所述基準電壓的結點之間、其柵極分別連接在所述第三及第四電晶體的柵極上的第二導電形式的第五及第六電晶體。
7.如權利要求3所述的振幅變換電路，其特徵在於所述電壓產生電路包含電阻元件，它連接在第四電壓的結點和輸出大約等於所述第三及第四電晶體的閾值電壓兩倍的電壓的第三輸出結點之間；以及串聯在所述第三輸出結點與基準電壓的結點之間的第三及第四二極體元件。
8.如權利要求7所述的振幅變換電路，其特徵在於所述電阻元件包含設置在所述第四電壓的結點與所述第三輸出結點之間的，其柵極接受預定的恆電壓的第七電晶體。
9.如權利要求7所述的振幅變換電路，其特徵在於所述第三二極體元件包含其柵極及漏極連接在所述第三輸出結點上的第二導電形式的第八電晶體；所述第四二極體元件包含其柵極及漏極連接在所述第八電晶體的源極上、其源極連接在所述基準電壓的結點上第二導電形式的第九電晶體。
10.如權利要求7所述的振幅變換電路，其特徵在於所述第四電壓與所述第二電壓相同。
11.如權利要求3所述的振幅變換電路，其特徵在於所述第一電平轉換電路包含連接在第五電壓的結點和所述第三電晶體的柵極之間，其柵極接受所述電壓產生電路的輸出電壓的第二導電形式的第十電晶體；所述第二電平轉換電路包含連接在所述第五電壓的結點和所述第四電晶體的柵極之間，其柵極接受所述電壓產生電路的輸出電壓的第二導電形式的第十一電晶體。
12.如權利要求11所述的振幅變換電路，其特徵在於所述第五電壓與所述第二電壓相同。
13.如權利要求1所述的振幅變換電路，其特徵在於所述第三及第四電晶體的源極分別接受所述第一信號及其互補信號。
14.一種振幅變換電路，它是將其振幅為第一電壓的第一信號轉換為振幅比所述第一電壓高的第二電壓的第二信號的振幅變換電路，它包含第一導電形式的第一及第二電晶體，它們的源極共同接受所述第二電壓，它們的漏極分別連接在為輸出所述第二信號及其互補信號而設的第一及第二輸出結點上，它們的柵極共同連接在所述第二輸出結點上；以及第二導電形式的第三及第四電晶體，它們的漏極分別連接在所述第一及第二輸出結點上；以及驅動電路，它利用所述第一信號及其互補信號驅動，響應所述第一信號的互補信號的前沿，使比所述第一電壓高的第三電壓加在所述第三電晶體的柵極及源極之間，導通所述第三電晶體；響應對應所述第一信號的互補信號後沿的所述第一信號的前沿，將所述第三電壓加在所述第四電晶體的柵極及源極之間，導通所述第四電晶體。
全文摘要
該電平轉換器(3)包含鎖存第一及第二輸出結點(N5、N6)的電平的第一及第二P型TFT(5、6)；設定第一及第二輸出結點(N5、N6)的電平的第一及第二N型TFT(7、8)；以及包含有響應輸入信號(VI)的上升沿及下降沿、將比第一及第二N型TFT(7、8)的閾值電壓(VTN)高的電壓分別加在第一及第二N型TFT(7、8)的柵極源極之間的第三～第八N型TFT(9～14)、第一及第二電容器(15、16)及電阻元件(17)的驅動電路。因此，在輸入信號(VI)的振幅電壓(3V)比第一及第二N型TFT(7、8)的閾值電壓(VTN)低的情況下，也可以正常工作。
文檔編號G09G3/36GK1848686SQ200610077658
公開日2006年10月18日 申請日期2003年3月11日 優先權日2002年3月11日
發明者飛田洋一 申請人:三菱電機株式會社