陶瓷燒結體及壓電元件的製作方法

2023-08-05 05:59:41

專利名稱：：陶瓷燒結體及壓電元件的製作方法
技術領域：
：本發明涉及具有鈣鈦礦型結構的陶瓷燒結體及採用該陶瓷燒結體的壓電元件。
背景技術：
：以往，作為非鉛系壓電陶瓷的鈦酸鋇陶瓷可通過將氧化鈦(Ti02)與碳酸鋇(BaC03)粉碎混合，在1300140(TC下燒成4小時來得到，但是對於如此得到鈦酸鋇陶瓷，由於失去壓電性的居裡溫度比較低，此外，壓電常數d33也低於200pm/V，因此缺乏實用性。近年來，對於鈮酸鹽系(KNb03-NaNb03-LiNb03系)陶瓷，研究了具有比較高的壓電特性的組成和製備方法(非專利文獻1)，可得到居裡溫度大約為25(TC、壓電常數d33為400pm/V左右、性能接近實用的鈮酸鹽系陶瓷。此外，例如，還有通過在1050120(TC的範圍內對水熱合成的納米尺寸的原料鈦酸鋇(BaTi03)粉末進行燒結，使壓電常數d33接近400pm/V的例子(專利文獻l)。另外，還有通過進行兩段燒成得到提高了性能的鈦酸鋇陶瓷的實驗例(非專利文獻2)。但是，非專利文獻l中所示的技術，製造工序複雜，雖能進行實驗室製造，{旦不適合工業化製造。此外，用專利文獻l中公開的方法製造的鈦酸鋇陶瓷，雖然壓電常數d33顯示出比較高的值，但其原因是電容率高帶來的，而且機電耦合係數k不太高，實用範圍受到限制。專利文獻l:日本特開2007-277031號公報非專利文獻1:YSaito，H.Takao,T.Tani，T.Nonoyama,K.Takatori，T.Homma，T.Nagaya,andM.Nakamura,"Lead-freepiezoceramics"，Nature,432,Nov.4,84-87(2004)3非專禾!j文獻2:TomoakiKaraki，KangYan,ToshiyukiMiyamoto,andMasatoshiAdachi，"Lead-FreePiezoelectricCeramicswithLargeDielectricandPiezoelectricConstantsManufacturedfromBaTiO3Nano國Powder",JapaneseJournalofAppliedPhysics,Vol.46，No.4，2007,ppL97-L98
發明內容本發明鑑於上述實情而完成的，其目的在於提供一種可平衡性良好地提高電容率和機電耦合係數，且顯示出比較高的壓電常數的陶瓷燒結體、和採用該陶瓷燒結體的壓電元件。本發明的一方式是具有鈣鈦礦型結構的陶瓷燒結體，且實施了極化後的通過X射線衍射而得到的(002)/(200)比在l.O以上。可採用所得到的陶瓷燒結體作為適合用於各種驅動器(actuator)、各種壓電振動器、各種傳感器類壓電元件。根據本發明，能夠得到可平衡性良好地提高電容率和機電耦合係數、且顯示出比較高的壓電係數的陶瓷燒結體。圖l是表示本發明的實施方式中的陶瓷燒結體的燒結條件的例子的說明圖。圖2是表示得到對於本發明的實施方式中的陶瓷燒結體的X射線衍射圖像的方法例的說明圖。圖3是表示對於本發明的實施方式中的陶瓷燒結體的X射線衍射的結果例的說明圖。圖4是表示本發明的實施例中的陶瓷燒結體的壓電特性值相對於極化處理後的(002)/(200)強度比的變化例的說明圖。圖5是表示本發明的實施例中的陶瓷燒結體的壓電特性值相對於極化處理後的(002)半峰寬的變化例的說明圖。圖6是表示本發明的實施例中的陶瓷燒結體的壓電特性值相對於平均粒徑的變化例的說明圖。圖7是表示本發明的實施例中的陶瓷燒結體的壓電特性值相對於燒結體的相對密度的變化例的說明圖。圖8是表示本發明的另一實施例中的陶瓷燒結體的壓電特性值相對於極化處理後的(002)/(200)強度比的變化例的說明圖。圖9是表示本發明的另一實施例中的壓電常數d33與Kp"V^之間的關係的說明圖。符號說明1:X射線衍射用試樣；2:X射線衍射用試樣託架具體實施例方式參照附圖對本發明的實施方式進行說明。本實施方式中的陶瓷燒結體可按以下方式得到。首先，準備了通過水熱合成而得到的粒徑為100nm的原料粉末、和5wt。/。的聚乙烯醇水溶液作為粘合劑，在該原料粉末中加入按原料粉末比計為lwt。/。的粘合劑，並將其加壓成型成所希望的形狀(例如直徑為12mm、厚為1.5mm的圓盤狀)。這裡，成型壓力規定為200MPa左右。然後，在60(TC下對該成型體進行加熱，然後放置2小時，進行脫粘合劑。按以下條件對脫粘合劑後的成型體進行燒成。也就是說，如圖1所示，按預定的升溫速度a'C/分升溫到第1燒結溫度Tl(A-B)，只保溫規定時間tKB-C)，按預定的降溫速度p'C/分使溫度降溫到第2燒結溫度T2(T2IaI，這裡I*I表示絕對值)。這裡，升溫速度a為530°C/分左右，降溫速度p為IPI>IaI，設為1050'C/分左右。作為一例子，規定為升溫速度a二l(TC/分、降溫速度(3=30°C/分。優選時間tl為0.52分鐘的短時間。例如，規定為11=1分鐘左右。優選將時間t2規定為l15小時，例如，規定為4小時左右。準備該陶瓷燒結體，對該陶瓷燒結體的兩面進行研具研磨(lap-polished)，加工成lmm厚。在加工後的陶瓷燒結體的兩面上塗布銀(Ag)漿料，並使其乾燥而裝上電極。然後，將陶瓷燒結體放入矽油中，例如在採用鈦酸鋇(BaTi03)時，夕卜加1.0kV/mm的直流電場30分鐘，實施極化處理。至少得到1個經以上的極化處理後的陶瓷燒結體，按以下進行篩選處理。也就是說，切去極化處理後的陶瓷燒結體的電極部分，作為X射線衍射用試樣，如圖2所例示，將該X射線衍射用試樣1固定在X射線衍射試樣託架2上。此時，使與極化方向垂直的面朝上地固定。接著，對該朝上的面照射X射線(例如Cu-Ka射線)，採用廣角測角儀，按每個衍射角來計數被試樣衍射的X射線的量。由此，如果相對於衍射角(2e值)標繪計數值，則可得到圖3所例示的衍射圖案。在該衍射圖案中，由於可在分別與各面對應的衍射角處觀測到(002)面上的衍射的計數峰值和(200)面上的衍射的計數峰值，因此可算出這些計數值的峰值的比、即(002)/(200)強度比。而且，如果這裡所測定的(002)/(200)強度比不在1.0以上，則把成為該X射線衍射用試樣的起始原料的陶瓷燒結體廢棄。由此，可得到(002)/(200)強度比在1.0以上的具有鈣鈦礦型結構的陶瓷燒結體。進而，得到(002)面上的計數值的峰值的半值，對該半值處的衍射圖案中的(002)面的峰值的寬度進行測定，作為(002)半峰寬(FullWidthatHalfMaximum(FWHM))，當所測定的(002)/(200)強度比不在1.0以上、或(002)半峰寬不在0.12以上時，可以把成為該X射線衍射用試樣的起始原料的陶瓷燒結體廢棄。由此，可得到(002)/(200)強度比在1.0以上、且(002)半峰寬在0.12以上的具有鈣鈦礦型結構的陶瓷燒結體。另外，也可以在試樣的兩面進行測定，採用各面的(002)/(200)強度比的平均值作為測定值。對於(002)半峰寬，也可以同樣地在試樣的兩面進行測定，將各面的平均值作為測定值。此外，在以上的說明中，用銀漿料形成電極，切去極化處理後的陶瓷的電極部分，進行利用X射線衍射的分析，但通過按以下方式進行極化處理，也可以不切去電極。具體地講，對於通過研具研磨加工成lmm厚的陶瓷燒結體，在通過用與其平面形狀相同的平面形狀(陶瓷燒結體為圓盤狀時，為相同的圓盤狀)的金屬板夾持兩側，從兩側通過彈簧按壓其上方等將其固定後，放入矽油中，例如在是鈦酸鋇(BaTi03)時，外加1.0kV/mm的直流電場30分鐘，實施極化處理。該金屬板最好是例如不鏽鋼。極化處理後，卸下該金屬板，作為X射線衍射用的試樣。如圖2所示，將該X射線衍射用試樣1固定在X射線衍射試樣託架2上。此時，使與極化方向垂直的面朝上地固定。接著，對該朝上的面照射X射線(例如Cu-Koc射線)，採用廣角測角儀，按每個衍射角來計數被試樣衍射的X射線的量。通常，壓電特性受燒結前的原料的狀態所左右，因此有粒度分布或吸溼量、雜質量等許多需要管理的項目。在上述方法中的前一方法中，可根據質量管理方法來判斷良否，但根據後一方法，由於能夠從通過X射線衍射而得到的測定結果來簡便地預測壓電特性，因此具有能迅速判斷出不具優良特性的原料批次而排除批次(lot—out)(停止發貨等)等優點。如此得到的鈣鈦礦型結構的強電介質一般具有正方晶系。因而，如果通過X射線衍射來研究具有鈣鈦礦型結構的陶瓷燒結體，則顯示出源自正方晶特有的(002)和(200)的衍射。(002)的衍射位置表示c軸長，(200)的衍射位置表示a軸長。關於(002)/(200)強度比，一般地，如果是極化前的多晶體(無規取向)，則顯示出(002)/(200)=大約0.5附近的值。在正方晶的情況下，由於自發極化的方向為c軸方向，因此當c軸無規取向時，該狀態下不顯示壓電性。為了得到壓電性，需要增加極化後(002)的衍射強度，使c軸與極化方向一致。也就是說，在該極化處理後的狀態下，可以預測強度比(002)/(200)會左右朝極化方向的自發極化的程度。所以，從實驗結果得知，如圖8所示壓電常數d33與極化後的(002)/(200)之間密切相關。由此發現，如果適當地管理極化後的(002)/(200)的值，就能得到具有良好的壓電特性的燒結體。另外，所謂(002)半峰寬變寬，指的是在c軸長上產生分布。即認為正方晶的晶格變形。認為構成晶格的離子偏離原先的能量上最穩定的位置，變得更容易因來自外部的電場或力而移動。此外，通過控制上述脫粘合劑的條件、及燒成的條件，也可以使得用陶瓷燒結體的實際密度除以理論密度而得出的相對密度為97100%，且晶粒的平均粒徑為110um。另外，關於相對密度，用百分率(％)表示實際密度值與通過燒結可達到的最高密度值(理論值)的比例。例如如果是採用鈦酸鋇(BaTi03)的陶瓷燒結體，理論值大約為6.0。另外，可以按以下方法求出理論密度。鈦酸鋇在室溫下為正方晶鈣鈦礦型結構，在將單元晶格的體積Vo設定為晶格常數a、c時，V。=a2c。關於該單元晶格中含有的各原子，Ba和Ti各為l個原子、0為3個原子。各原子的重量為用其原子量除以阿伏加德羅常數而得出的值，用單元晶格中含有的原子的總重量除以單元晶格的體積Vc而得出的值可作為理論密度來求出。實施例接著，對本發明的一個實施例進行說明。這裡，具體地講，相對於通過水熱合成得到的粒徑為100nm的鈦酸鋇粉末，準備5wt。/。的聚乙烯醇水溶液作為粘合劑，在該原料粉末中加入按原料粉末比計為lwt。/。的粘合劑，加壓成型成直徑為12mm、厚為1.5mm的圓盤狀。成型壓力為200MPa。在60(TC下對該成型體進行加熱，放置2小時，進行脫粘合劑。接著，作為燒成條件，設第1燒結溫度T1二139(TC、第2燒結溫度T2=1190°C，以10。C/分的速度升溫到第1燒結溫度T1，保溫1分鐘，然後以30°C/分的速度使溫度降低到第2燒結溫度T2(T2<T1)，然後保溫4小時。由此得到的陶瓷燒結體的相對密度為98%、粒徑為5um。此外，將按此條件燒結的陶瓷燒結體加工成lmm厚，在圓盤的兩面塗布Ag漿料，並使其乾燥而裝上銀電極。然後，將該陶瓷燒結體放入矽油中，外加1.0kV/mm的直流電場30分鐘，實施極化處理，然後切去電極，得到實施例的陶瓷燒結體(以下，表示為實施例l-l)。進而，取出該實施例1-1中的一部分作為試樣，並固定在X射線衍射試樣託架上。然後採用Cu-Ka射線，用廣角測角儀調查了試樣的X射線衍射的狀況。掃描方法採用連續掃描，掃描速度為0.04度/秒，取樣間隔為0.004度。掃描範圍按20值設定為15100度。從測定得到的衍射圖案取出(002)和(200)的峰值，對(002)/(200)強度比和(002)半峰寬進行了測定。8另外，測定了試樣的兩面，將其平均值作為測定{直。然後，挑選極化處理後的(002)/(200)強度比為1.82、(002)半峰寬為0.134°的試樣。其後，對於成為挑選的試樣的起始原料的陶瓷燒結體，利用LCR測量器測定電容率s33(極化後的朝極化方向的電容率)，採用阻抗分析裝置，用共振反共振法對圓盤狀的陶瓷燒結體的徑向振動的機電耦合係數Kp進行測定，則可得到s33二3650、Kp=0.470的特性值。在實施例l-2中，設第1燒結溫度T1二1350。C、第2燒結溫度T2二1190。C，進行了同樣的測定。另外，關於壓電常數d33，認為大致如數式1，與Kp"V^成正比(例如，關於實施例1-1，從上述值得出的Kp'V^"的值為28.4)，但也能夠用d33測量器測定。[數式1]《，xVs"此外，為了比較，按以下方法製成陶瓷燒結體。也就是說，相對於通過水熱合成得到的粒徑為100nm的鈦酸鋇粉末，準備5wt。/。的聚乙烯醇水溶液作為粘合劑，在該原料粉末中加入按原料粉末比計為lwt。/。的粘合劑，加壓成型成直徑為12mm、厚為1.5mm的圓盤狀。成型壓力規定為200MPa。在600。C下對該成型體進行加熱，然後放置2小時，進行脫粘合劑。接著，作為燒成條件，以3匸/分的速度升溫到燒結溫度T，保溫4小時，將按此條件燒結的陶瓷燒結體加工成lmm厚，在圓盤的兩面上塗布Ag槳料，並使其乾燥而裝上銀電極。然後，將該陶瓷燒結體放入矽油中，外加l.OkV/mm的直流電場30分鐘，實施極化處理。在T=13W°C、T=1300°C、T-1200。C的各溫度下分別進行以上的操作，分別對相對密度、粒徑、極化處理後的通過X射線衍射而得到的(002)/(200)強度比、(002)半峰寬、電容率s33、機電耦合係數Kp進行了測定(分別作為比較例l-l、比較例l-2、比較例l-3)。接著，作為燒成條件，設第1燒結溫度T1二1450。C、1420°C、1300°C、第2燒結溫度T2=1190°C，以10°C/分的速度升溫到第1燒結溫度Tl，保溫1分鐘，以30°C/分的速度使溫度降低到第2燒結溫度T2(T2<T1)，保溫4小時(分別作為比較例1-4、比較例l-5、比較例l-6)。其結果見表l。'表ltableseeoriginaldocumentpage10此外，下面將該結果繪成曲線圖加以表示。首先，示出了極化後的電容率s33相對於極化處理後的(002)/(200)強度比的值。另夕卜，根據以上所述的理由，如果極化處理後的(002)/(200)強度比影響壓電特性，則可以認為不管燒成條件如何，只要是相同的(002)/(200)強度比，就能顯示大致相同的特性。因而，如果將上述的實施例l-l、l-2和比較例l-ll-6標繪成電容率s33相對於極化處理後的(002)/(200)強度比的曲線圖、及機電耦合係數K相對於極化處理後的(002)/(200)強度比的曲線圖，則如圖4(a)、(b)所示。這裡，為了得到壓電材料的實用水平的特性，Kp，V^7需要大致在24以上(例如電容率s33為3500以上、機電耦合係數Kp為0.4以上)。在此種情況下，通過圖4所示的曲線圖，從s33得出，極化處理後的(002)/(200)強度比至少需要在1.3以上。此外，從Kp得出，極化處理後的(002)/(200)強度比至少需要在1.0以上。而且，為了滿足電容率s33在3500以上、機電耦合係數Kp在0.4以上這兩個方面，極化處理後的(002)/(200)強度比需要至少在1.3以上。此外，同樣地，如果標繪出電容率s33相對於(002)半峰寬的曲線圖、及機電耦合係數Kp相對於(002)半峰寬的曲線圖，則如圖5(a)、(b)所示。這裡，為了得到壓電材料的實用水平的特性，Kp'V^也需要大致在24以上(例如電容率s33為3500以上、機電耦合係數Kp為0.4以上)。在此種情況下，通過圖5所示的曲線圖，從s33得出，極化處理後的(002)半峰寬至少需要在0.12以上。此外，從Kp得出，極化處理後的(002)半峰寬至少需要在O.IO以上。而且，為了滿足電容率s33在3500以上、機電耦合係數Kp在0.4以上這兩個方面，極化處理後的(002)半峰寬需要至少在0.12以上。另外，圖6(a)、(b)示出了電容率s33及機電耦合係數Kp相對於平均粒徑的變化。如圖6所示，在平均粒徑低於lpii的範圍中，儘管電容率s33高，但因機電耦合係數Kp下降，結果壓電常數d33沒有達到實用範圍。此外，如果平均粒徑大於10pm，則雖然機電耦合係數Kp沒有變化，但因電容率s33下降，結果壓電常數d33仍未達到實用範圍。另外，根據圖6所示，在按實施例l-l、1-2那樣設定燒結條件時，與在單一的燒結溫度T下燒成4小時相比顯示出高的性能，但這如表1所示，是基於下述原因在實施例1-1、1-2中，儘管粒徑比較小，但燒成得以進行，相對密度變得較高。因此在圖7(a)、(b)中示出了電容率s33及機電耦合係數Kp相對於陶瓷燒結體的相對密度的變化。如圖7所示，陶瓷燒結體的相對密度越高，機電耦合係數Kp越大，電容率s33在密度比較高的範圍內急劇下降。因而通過提髙陶瓷燒結體的相對密度(相對密度在97%以上)，來增大機電耦合係數Kp，且將平均粒子徑規定在1^un10^im的範圍。由此能夠提高壓電常數d33。另外，如以上說明的，如果極化處理後的(002)/(200)強度比及/或(002)半峰寬影響到壓電特性，也就是說，可以推測因來自外部的電場或力使得構成晶體的離子更容易移動的狀態使電容率s33、彈性常數S、機電耦合係數Kp提高，從而使壓電常數d33提高，因此可以認為，不管燒成條件如何，只要是相同的(002)/(200)強度比及/或(002)半峰寬，就能顯示大致相同的特性。因此，本實施例的陶瓷燒結體，只要能夠實現該燒結體的密度、晶粒的平均粒徑、極化後的通過X射線衍射而得到的(002)/(200)強度比及/或(002)半峰寬，就不一定限定於用以上說明的製造方法而得到的陶瓷燒結體。例如，也可以考慮利用在大放電電流和單軸加壓下進行燒結的放電過在目前，認為最好採用具有如下的燒成模式的燒成方法，即以比較快的速度(升溫速度a為53(TC/分左右)升溫到規定溫度，用極短時間(30秒2分左右)進行燒成，其後立即比上述升溫速度a更快地降溫到規定溫度(降溫速度P為I(3I〉IaI，為1050°C/分左右)，其後在該溫度下燒成一定時間(115小時左右)，然後緩冷。[實施例n]下面，對另一實施例進行說明。相對於通過水熱合成得到的粒徑為100nm的鈦酸鋇粉末，準備5wt。/。的聚乙烯醇水溶液作為粘合劑，在該原料粉末中加入按原料粉末比計為lwt。/。的粘合劑，加壓成型成直徑為12mm、厚為1.5mm的圓盤狀。成型壓力為200MPa。在60(TC下對該成型體進行加熱，然後放置2小時，進行脫粘合劑。接著，作為燒成條件，設第1燒結溫度T1二135(TC，以10。C/分的速度升溫到第1燒結溫度T1，保溫1分鐘，然後以30'C/分的速度降溫到室溫(25°C)，並保溫4小時。將按此條件燒結的陶瓷燒結體加工成lmm厚，用與該圓盤同徑的不鏽鋼電極夾持陶瓷燒結體的圓盤的表裡兩面，在從兩側通過彈簧擠壓其上方等將其固定後，將其放入矽油中，外加1.0kV/mm的直流電場30分鐘，實施極化處理。得到了本實施例的陶瓷燒結體(以下，作為實施例2-l表示。)。此外，得到了設T1二137(TC、139(TC並實施了相同的處理的例子(實施例2-2、2-3)、以及設T1二1310、1330。C的例子(比較例2-l、2-2)。極化處理後，卸下金屬板，作為X射線衍身牙用試樣1，如圖2所示，將該X射線衍射用試樣1固定在X射線衍射試樣託架2上。此時，使與極化方向垂直的面朝上地固定。然後，對該朝上的面照射X射線(Cu-Ka射線)，採用廣角測角儀，按每一衍射角來計數被試樣衍射的X射線的量。掃描方法採用連續掃描，掃描速度為0.04度/秒，取樣間隔為0.004度。掃描範圍狻2e值設為15100度。從通過測定得到的衍射圖案中取出(002)和(200)的峰值，測定了(002)/(200)強度比。另外，測定了試樣的兩面，將其平均值作為測定值。然後，挑選極化處理後的(002)/(200)強度比在l.O以上的試樣作為實施例。其後，對成為所挑選的試樣的起始原料的陶瓷燒結體，利用LCR測量器測定了電容率s33(極化後的朝極化方向的電容率)，採用阻抗分析裝置，用共振反共振法對圓盤狀的陶瓷燒結體的徑向振動的機電耦合係數Kp進行測定。並且採用d33測量器(中國科學院聲學研究所制，ModelZJ-6B)直接測定了d33的值。此外，還分別測定了相對密度及粒徑。其結果見表2。表2tableseeoriginaldocumentpage130.2916.0243表2中，在比較例2-l、2-2中，d33的值低於350pm/V，而在實施例2-l、2-2、2-3中，d33的值在350pm/V以上。進而，作為燒成條件，設第1燒結溫度T1二1330'C、第2燒結溫度T2二1150°C，按1(TC/分的速度升溫到第1燒結溫度T1，然後保溫l分鐘，以3(TC/分的速度使溫度下降到第2燒結溫度T2(T2IaI)，然後在該第2燒結溫度(T2)下保溫一定時間(t2二l15小時左右)，然後緩冷。而且，基於上述實施例I、II等的結果，作為該燒成方法優選的條件，最好從下述條件中選擇第1燒結溫度T1為13301390。C或13501390°C、第2燒結溫度T2為常溫(25°C)U9(TC、升溫速度a為530°C/分、降溫速度卩為IM〉IaI，為1050°C/分、短時間燒成tl為0.52分、規定保溫時間t2為115小時。但是，如果根據實施例II的結果，則即使在短時間(tl)燒成後，使其急速降到室溫(25°C)並保溫的燒成模式中也可以得到良好的特性。由此考慮，可以說在第2燒結溫度(T2)下保溫一定時間的過程不是必要的，但不如說重要的是具有在急速升溫到第1燒結溫度並進行了短時間燒成後急速降溫的過程。這樣，有關本發明的一個側面的陶瓷燒結體是具有鈣鈦礦型結構的陶瓷燒結體，其實施了極化後的通過X射線衍射而得到的(002)/(200)比在1.0以上。此外，對於該陶瓷燒結體，實施了極化後的通過X射線衍射而得到的(002)的半峰寬也可以規定在0.12以上。此外，也可以將用燒結體的實際密度除以理論密度而得出的相對密度規定為97100%，並且將晶粒的平均粒徑規定為l10pm。這裡，作為具有鈣鈦礦型結構的非鉛系陶瓷，可列舉出鈦酸鋇(BaTi03)、鈮酸鹽系(KNbOrNaNb03-LiNb03系)、鈦酸鉍鈉系(Bi05NaO5Ti03)。其中優選為鈦酸鋇(BaTiO"。此外，作為該陶瓷燒結體的製造方法，最好具有如下燒成過程急速升溫到第1燒結溫度13301390°C，只燒成2分鐘以下的短時間，然後急速降溫。權利要求1、一種陶瓷燒結體，其是具有鈣鈦礦型結構的陶瓷燒結體，實施了極化後的通過X射線衍射而得到的(002)/(200)的比在1.0以上。2、根據權利要求l所述的陶瓷燒結體，其特徵在於，其實施了極化後的通過X射線衍射而得到的(002)的半峰寬在0.12以上。3、根據權利要求1或2所述的陶瓷燒結體，其中，用燒結體的實際密度除以理論密度而得出的相對密度為97100%，且晶粒的平均粒徑為1lO(im。4、一種壓電元件，其採用了權利要求13中任何一項所述的陶瓷燒結體。全文摘要本發明提供一種平衡性良好地提高了電容率和機電耦合係數、且顯示出比較高的壓電係數的陶瓷燒結體，以及採用了該陶瓷燒結體的壓電元件。該陶瓷燒結體具有鈣鈦礦型結構，其實施了極化後的通過X射線衍射而得到的(002)/(200)比在1.0以上。文檔編號H01L41/18GK101621112SQ200910142529公開日2010年1月6日申請日期2009年6月29日優先權日2008年6月30日發明者中島源衛申請人:日立金屬株式會社