具有可控磁流變流體支柱的可控車輛懸架系統的製作方法

2023-07-11 16:33:51

專利名稱：具有可控磁流變流體支柱的可控車輛懸架系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於控制運動的懸架系統的領域。本發明涉及用於 控制運動並提供支撐的可控系統的領域。更具體地說，本發明涉及用 於控制車輛運動的可控車輛系統的領域，更具體地說，提供具有進行 有益運動控制的可控磁流變流體支柱的車輛駕駛室懸架裝置。
背景技術：
需要可控支柱來支撐載荷並提供運動控制和振動隔離。需要車 輛駕駛室支柱來隔離振動並控制駕駛室運動。需要一種準確並經濟地 控制振動並使振動最小化的可控磁流變流體支柱。需要一種製造運動 控制支柱和車輛懸架系統的經濟可行的方法。需要一種牢固的懸架系 統和支柱來隔離惱人的振動並控制車輛運動。需要經濟的懸架系統來 提供有益的受控運動和振動隔離。

發明內容
在一個實施例中，本發明包括一種用於控制第一主體和第二主 體之間的相對運動的可控懸架系統。所述可控懸架系統包括具有磁流 變流體阻尼器的支柱。所述磁流變流體阻尼器包括具有縱向延伸軸線 的縱向阻尼器筒狀殼體，所述縱向阻尼器筒狀殼體具有內壁，用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中容納磁流變流體。所述磁流變流體阻尼器 包括懸臂式阻尼器活塞。所述阻尼器活塞包括活塞頭，所述活塞頭可 以在所述縱向阻尼器筒狀殼體中沿著所述縱向阻尼器筒狀殼體的縱 向長度移動。所述活塞頭提供第一上可變容積磁流變流體室和第二下 可變容積磁流變流體室，所述活塞頭在所述第一上可變容積磁流變流 體室和所述第二下可變容積磁流變流體室之間提供流體流動間隙，所 述流體流動間隙具有活塞頭流體流動分界長度HL。所述阻尼器活塞 具有用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐所述活塞頭的縱向活塞 杆。用布置在所述縱向阻尼器筒狀殼體和所述縱向活塞杆之間的活塞 杆支承組件在所述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐所述阻尼器活塞，所述 活塞杆支承組件具有活塞杆支承密封分界長度BL，其中，所述活塞 頭和所述縱向阻尼器筒狀殼體的內壁之間的接觸被阻止。
在一個實施例中，本發明包括一種用於控制運動的可控阻尼器。 所述可控阻尼器包括縱向阻尼器筒狀殼體，所述縱向阻尼器筒狀殼體 具有縱向延伸軸線，並且具有內壁，用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體 中容納磁流變流體。所述可控阻尼器包括單端阻尼器活塞。所述阻尼 器活塞包括活塞頭，所述活塞頭可以在所述縱向阻尼器筒狀殼體中沿 著所述縱向阻尼器筒狀殼體的縱向長度移動，所述活塞頭提供第一上 可變容積磁流變流體室和第二下可變容積磁流變流體室，所述活塞頭 在所述第一上可變容積磁流變流體室和第二下可變容積磁流變流體 室之間提供流體流動間隙，所述流體流動間隙具有活塞頭流體流動分 界長度HL。所述阻尼器活塞具有用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中 支撐所述活塞頭的縱向活塞杆。用布置在所述縱向阻尼器筒狀殼體和 所述縱向活塞杆之間的上活塞杆支承組件在所述縱向阻尼器筒狀殼 體中支撐所述阻尼器活塞，所述上活塞杆支承組件具有活塞杆支承密 封分界長度BL，其中，所述活塞頭和所述縱向阻尼器筒狀殼體的內 壁之間的接觸被最小化並被阻止。
在一個實施例中，本發明包括一種用於控制第一主體和第二主 體之間的相對運動的可控懸架系統的製造方法。所述方法包括提供 縱向阻尼器筒狀殼體，所述縱向阻尼器筒狀殼體具有縱向延伸軸線，並且具有內壁，用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中容納磁流變流體， 所述縱向阻尼器筒狀殼體具有第一上端和遠端的第二下端。所述方法 包括提供活塞杆支承組件。所述活塞杆支承組件具有用於在所述縱 向阻尼器筒狀殼體中支撐阻尼器活塞的活塞杆支承密封分界長度 BL。所述方法包括提供所述阻尼器活塞，所述阻尼器活塞包括活 塞頭和用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐所述活塞頭的縱向活 塞杆。所述方法包括將所述活塞杆支撐組件布置在所述縱向阻尼器 筒狀殼體中並位於所述第一上端附近。所述方法包括將所述阻尼器 活塞的縱向活塞杆容納在所述活塞杆支承組件中，其中，所述活塞頭 可以沿著所述縱向阻尼器筒狀殼體的縱向長度在所述縱向阻尼器筒 狀殼體中移動。所述活塞頭提供第一上可變容積磁流變流體室和第二 下可變容積磁流變流體室，所述活塞頭在所述第一上可變容積磁流變 流體室和所述第二下可變容積磁流變流體室之間具有流體流動間隙， 所述流體流動間隙具有活塞頭流體流動分界長度HL，所述活塞頭的 OD與所述縱向阻尼器筒狀殼體的內壁ID之間的接觸被阻止。所述 方法包括提供磁流變阻尼器流體並且將所述磁流變阻尼器流體置於 所述縱向阻尼器筒狀殼體中。
在一個實施例中，本發明包括一種用於控制運動的可控阻尼器 的製造方法。所述方法包括提供縱向阻尼器筒狀殼體，所述縱向阻 尼器筒狀殼體具有縱向延伸軸線，並且具有內壁，用於在所述縱向阻 尼器筒狀殼體中容納流體。所述縱向阻尼器筒狀殼體具有第一端和遠 端的第二端。所述方法包括提供活塞杆支承組件，所述活塞杆支承 組件具有用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐阻尼器活塞的活塞 杆支承密封分界長度BL。所述方法包括提供所述阻尼器活塞，所 述阻尼器活塞包括活塞頭和用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐 所述活塞頭的縱向活塞杆。所述方法包括將所述活塞杆支撐組件布 置在所述縱向阻尼器筒狀殼體中並位於所述第一端附近。所述方法包 括將所述阻尼器活塞的縱向活塞杆容納在所述活塞杆支承組件中， 其中，所述活塞頭可以沿著所述縱向阻尼器筒狀殼體的縱向長度在所 述縱向阻尼器筒狀殼體中移動，所述活塞頭提供第一上可變容積流體室和第二下可變容積流體室，所述活塞頭在所述第一上可變容積流體
室和所述第二下可變容積流體室之間具有流體流動間隙，所述流體流 動間隙具有活塞頭流體流動分界長度HL， HL<BL，所述活塞頭和所 述縱向阻尼器筒狀殼體的內壁之間的接觸被阻止。
在一個實施例中，本發明包括一種用於控制運動的可控阻尼器 的製造方法。所述方法包括提供縱向阻尼器筒狀殼體，所述縱向阻 尼器筒狀殼體具有縱向延伸軸線，並且具有內壁，用於在所述縱向阻 尼器筒狀殼體中容納磁流變流體。所述縱向阻尼器筒狀殼體具有第一
上端和遠端的第二下端。所述方法包括提供活塞杆支承組件，所述
活塞杆支承組件具有用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐阻尼器
活塞的活塞杆支承密封分界長度BL。所述方法包括提供所述阻尼
器活塞，所述阻尼器活塞包括磁流變流體活塞頭和用於支撐所述磁流 變流體活塞頭的縱向活塞杆，所述磁流變流體活塞頭包括加壓注射聚
合物包覆成型磁流變流體電磁線圈。所述方法包括將所述活塞杆支 撐組件布置在所述縱向阻尼器筒狀殼體中並位於所述第一上端附近。 所述方法包括將所述阻尼器活塞的縱向活塞杆容納在所述活塞杆支 承組件中，其中，所述磁流變流體活塞頭可以沿著所述縱向阻尼器筒 狀殼體的縱向長度在所述縱向阻尼器筒狀殼體中移動，所述磁流變流 體活塞頭提供第一上可變容積磁流變流體室和第二下可變容積磁流 變流體室，並且所述磁流變流體活塞頭在所述第一上可變容積磁流變 流體室和所述第二下可變容積磁流變流體室之間提供流體流動間隙。
所述方法包括提供磁流變阻尼器流體並且將所述磁流變阻尼器流體 置於所述縱向阻尼器筒狀殼體中，其中，施加到所述加壓注射聚合物 包覆成型磁流變流體電磁線圈上的電流對所述加壓注射聚合物包覆 成型磁流變流體電磁線圈附近的磁流變阻尼器流體的流量進行控制。 在一個實施例中，本發明包括一種用於控制運動的可控阻尼器 的製造方法。所述方法包括提供縱向阻尼器筒狀殼體，所述縱向阻 尼器筒狀殼體具有縱向延伸軸線，並且具有內壁，用於在所述縱向阻 尼器筒狀殼體中容納磁流變流體。所述縱向阻尼器筒狀殼體具有第一 上端和遠端的第二下端。所述方法包括提供活塞杆支承組件，所述活塞杆支承組件具有用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐阻尼器 活塞的活塞杆支承密封分界長度。所述方法包括提供所述阻尼器活 塞，所述阻尼器活塞包括磁流變流體活塞頭組件和用於支撐所述磁流 變流體活塞頭組件的縱向活塞杆，所述磁流變流體活塞頭組件包括第 一上磁極和第二下磁極並且在所述第一上磁極和所述第二下磁極之 間具有包覆成型磁流變流體電磁線圈。所述第一上磁極和所述第二下 磁極由磁性材料形成，並且所述包覆成型磁流變流體電磁線圈由與非 磁性聚合物進行包覆成型的電導體絕緣配線線圈形成，所述非磁性聚 合物包括成型聚合物線圈引導件。所述方法包括將所述活塞杆支撐 組件布置在所述縱向阻尼器筒狀殼體中並位於所述第一上端附近，並 且將所述阻尼器活塞的縱向活塞杆容納在所述活塞杆支承組件中。所 述磁流變流體活塞頭組件可以沿著所述縱向阻尼器筒狀殼體的縱向 長度在所述縱向阻尼器筒狀殼體中移動，所述磁流變流體活塞頭組件 提供第一上可變容積磁流變流體室和第二下可變容積磁流變流體室。 所述磁流變流體活塞頭組件在所述第一上可變容積磁流變流體室和 所述第二下可變容積磁流變流體室之間提供流體流動間隙。所述方法 包括提供磁流變阻尼器流體並且將所述磁流變阻尼器流體置於所述 縱向阻尼器筒狀殼體中，其中，施加到所述包覆成型磁流變流體電磁 線圈上的電流對所述包覆成型磁流變流體電磁線圈附近的磁流變阻 尼器流體的流量進行控制。
在一個實施例中，本發明包括一種用於控制運動的可控阻尼器。 所述可控阻尼器包括具有縱向延伸軸線的縱向阻尼器筒狀殼體，所述 縱向阻尼器筒狀殼體具有內壁，用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中容 納流體，所述縱向阻尼器筒狀殼體的內壁具有縱向阻尼器筒狀殼體內 壁ID。所述可控阻尼器包括阻尼器活塞，所述阻尼器活塞包括活塞 頭，所述活塞頭可以沿著所述縱向阻尼器筒狀殼體的縱向長度在所述 縱向阻尼器筒狀殼體中移動，所述活塞頭具有活塞頭OD，所述活塞 頭提供第一上可變容積流體室和第二下可變容積流體室。所述活塞頭 在所述活塞頭OD與所述縱向阻尼器筒狀殼體內壁ID之間、以及在 所述第一上可變容積流體室與所述第二下可變容積流體室之間具有流體流動間隙，並且所述流體流動間隙具有活塞頭流體流動分界長度
HL。所述阻尼器活塞具有用於支撐所述活塞頭的縱向活塞杆，在所 述縱向阻尼器筒狀殼體與所述縱向活塞杆之間設置有活塞杆支撐組 件。所述阻尼器包括用於阻止所述活塞頭OD和所述縱向阻尼器筒狀 殼體內壁ID之間的接觸的裝置。
應該理解到，本發明的上述概括描述和以下詳細描述僅是示例 性的，並且其意圖在於提供概況或總體框架以理解所要求保護的本發 明的本質和特徵。示出附圖以便於進一步理解本發明，這些附圖併入 本說明書並構成本說明書的一部分。附圖示出了本發明的各種實施 例，並且與說明書一起說明本發明的原理和實施方式。
具體實施例方式
在下面的詳細描述中將闡述本發明的其它特徵和優點，本領域 的技術人員根據下面的描述而容易獲知，或者通過根據本文所描述的 內容(包括下面的詳細描述、權利要求書以及附圖)實施本發明而認 識到這些特徵和優點中的 一 部分。
下面將詳細地描述本發明的優選實施例，在附圖中示出了優選 實施例的實例。
本發明的一個實施例包括用於控制第一主體和第二主體之間的 相對運動的可控懸架系統。例如圖l-圖3所示，可控懸架系統20控 制第一主體22和第二主體24之間的相對運動。在優選實施例中，可 控懸架系統20是車輛可控懸架系統20，最為優選的是如

圖1-圖3所 示的駕駛室可控懸架系統20，該懸架系統控制車輛駕駛室主體22和 車輛車架主體24之間的運動。在可選實施例中，懸架系統是非車輛 懸架系統，優選地為固定的懸架系統。可控懸架系統20包括至少一 個支柱30。可控懸架系統支柱30包括單端磁流變流體阻尼器32，優 選地為懸臂式單端磁流變流體阻尼器。磁流變流體阻尼器32包括具 有縱向延伸軸線36的縱向阻尼器筒狀殼體34，該縱向阻尼器筒狀殼 體34具有內壁38，用於在筒狀殼體34中容納磁流變流體40。優選 地，縱向阻尼器筒狀殼體34由磁性金屬材料製成，更為優選地，由與諸如不鏽鋼等非磁性金屬材料相比磁性較低的碳鋼製成。優選地， 磁流變流體40是在流體中含有鐵顆粒的磁流變阻尼流體，例如可從 LORD Corporation, Cary, N.C.購得的LORD MR流體，其中，當暴露 到磁場下時阻尼流體的流變性從自由流動的液體變為具有可控屈服 強度的抗流性半固體。磁流變流體阻尼器32包括懸臂式阻尼器活塞 42，該阻尼器活塞42包括可沿著筒狀殼體軸線36的縱向長度在阻尼 器筒狀殼體34中移動的活塞頭44。活塞頭44提供第一上可變容積 磁流變流體室46和第二下可變容積磁流變流體室48。阻尼器的活塞 頭44具有位於第一上可變容積磁流變流體室46和第二下可變容積磁 流變流體室48之間的流體流動間隙50，並且流體流動間隙50具有 活塞頭流體流動分界長度(interface length) HL，在活塞頭44與筒 狀殼體34的內壁表面38之間，流體流動間隙50具有位於活塞頭44 的OD與內壁38的ID之間的活塞間隙Pgap。阻尼器活塞42包括用 於在縱向阻尼器筒狀殼體34中支撐活塞頭44的懸臂式縱向活塞杆 52。用設置在縱向阻尼器筒狀殼體34和縱向活塞杆52之間的上活塞 杆支承組件54在縱向阻尼器筒狀殼體34中支撐阻尼器活塞42。活 塞杆支承組件54具有活塞杆支承密封分界長度BL， BL>HL，並且 阻止活塞頭44與阻尼器筒狀殼體內壁38之間接觸。優選地，支承組 件54在支承件56與活塞杆52的OD之間具有最小支承間隙Bgap。 如圖6G所示，優選地，[Pgap/(HL+衝程)]大於[Bgap/BL]。優選地， 活塞頭44是無磨損帶活塞頭(wear-band-free piston head)，在活塞 頭側面的OD和筒狀殼體內壁的ID之間保持流體流動間隙50，並且 在活塞頭44的OD和內壁38的ID之間在活塞上不具有磨損帶或密 封件。在例如圖6L-圖6N所示的實施例中，優選地使用軸向對準線 圈引導件95來保持流體流動間隙50並且阻止活塞頭44與殼體內壁 38之間接觸。優選地，軸向對準線圈引導件95與軸線36對準，並 且優選地圍繞EM線圈94的外周大致等間距地間隔開，優選地至少 3個線圏引導件95，更為優選地至少4個線圈引導件95，更為優選 地至少5個線圈引導件95，更為優選地至少6個線圈引導件95圍繞 EM線圈94的OD間隔開，優選地線圈引導件95佔據EM線圈的周長的小於15%的區域，更為優選地佔據EM線圈的周長的不大於10% 的區域。線圈引導件95優選地為非磁性材料，優選地為聚合物，線 圈引導件95優選地由加壓注射的聚合物110製成，該引導件95與被 加壓注射到包覆成型模具106中的相鄰線圈筒的包覆成型聚合物110 一體地並且同時地成型，非磁性聚合物引導件和包覆成型聚合物110 包圍並覆蓋在下方纏繞的EM線圈配線102。軸向對準線圈引導件95 軸向延伸至相鄰的磁極96。懸臂式阻尼器活塞42優選地使阻尼器的 關閉狀態(off state)阻力最小化並具有最小的寄生抗力和阻力。優 選地，在優選不使用包圍活塞周長的活塞磨損帶或活塞密封件的情況 下，通過保持預定流動流動間隙50和間隙寬度Pgap並基本上阻止活 塞頭44和殼體內壁38之間接觸，來使懸臂式阻尼器活塞42的關閉 狀態能量消耗最小。
優選地，因為活塞頭44與殼體內壁38沒有實質的支承接觸， 因此阻尼器活塞42具有恆定的支承長度，懸臂式阻尼器活塞42提供 單端阻尼器32而不是雙端阻尼器。優選地，活塞杆52終止於活塞頭 44，活塞頭44不與除了單個支承組件54以外的殼體34連接。優選 地，活塞杆52和活塞頭44不與遠離上活塞杆支承組件54和上殼體 端60的下殼體端58連接。優選地，活塞頭44的唯一機械連接是與 延伸至上活塞杆支承組件54的單個活塞杆52的連接，活塞杆52終 止於活塞頭44，並且活塞頭44不與殼體內壁38、或遠離帶有支承組 件54的上阻尼器端60的下阻尼器端58接觸。在實施例中，採用使 軸向對準線圈引導件95佔據的周長最小化的方式來阻止活塞頭44 的接觸。優選地活塞頭44不具有內部流體流動通道，大致所有流體 優選地通過流體流動間隙50在活塞頭44和殼體34之間流動，優選 地在引導件9 5的幫助下保持該流體流動間隙，該引導件9 5有助於保 證阻止活塞頭44 (尤其是磁極96)與殼體內壁38之間的實質接觸。 磁流變流體阻尼器32優選地包括上容積補償器62。磁流變流體阻尼 器的容積補償器62優選地位於活塞杆支承組件54附近。優選地，容 積補償器62與上活塞杆支承組件54鄰近。優選地，支承保持體支撐 結構殼體55與容積補償器殼體成一體以提供充填氣體的上支承順應
21構件。優選地，氣體順應容積補償器62與第一上可變容積磁流變流 體室46流體連通，容積補償器62位於上支承件56和活塞杆52附近， 在懸架系統20的使用中上流體室46和容積補償器62優選地相對於 重力方向定向在上方，以便允許氣泡移動到容積補償器62。優選地 磁流變流體阻尼器32構造提供這樣的乾式組裝工藝在將活塞42 組裝到縱向阻尼器筒狀殼體34中之後，將磁流變流體填充到阻尼器 中，然後優選地對氣體順應容積補償器62進行氣體壓力充填。
優選地，支柱30包括縱向空氣彈簧64，該縱向空氣彈簧64與 縱向阻尼器筒狀殼體的縱向延伸的軸線36對準。支柱30優選地包括 支柱空氣彈簧64和磁流變流體阻尼器32，該阻尼器與共同中心軸線 36對準並且與包圍磁流變流體阻尼器32的空氣彈簧64組裝在一起， 包括活塞杆52的磁流變流體阻尼器的上端基本上容納在空氣彈簧64 中。支柱30的上端優選地包括用於與最上方的第一主體22連接的上 支柱端頭構件66。上支柱端頭構件66優選地包括電能輸入部68和 壓縮空氣輸入部70。除了包括電能輸入部68之外，上支柱端頭構件 66優選地具有內部頭腔體殼，該內部頭腔體殼包括具有電子控制電 路板74的支柱控制系統72、和空氣彈簧套筒水平閥76，並且內部頭 腔體殼還優選地包括高速電連通連接部78，例如CAN-Bus，該高速 電連通連接部從外部接收支柱信號。優選地，上支柱端頭構件66包 括支柱傳感系統80，磁致伸縮縱向傳感器80的上傳感頭端部優選地 與活塞杆52和軸線36對準並且容納在活塞杆52中。優選地活塞杆 52由非磁性材料製成，優選地由諸如不鏽鋼等非磁性金屬製成，其 中，容納在內部的磁致伸縮縱向傳感器80用於檢測沿著阻尼器衝程 長度的活塞衝程位置。上支柱端頭構件殼體66優選地包括具有傳感 器輸入部、傳感器、電流源和氣動水平閥的支柱控制系統，該氣動水 平閥除了控制磁流變流體阻尼器32以外還控制空氣彈簧64的水平。
優選地，上活塞杆支承組件54包括支承保持體支撐結構(支承 保持體)55，該支撐結構55接納第一上支承件56和遠端的第二下支 承件56來提供活塞杆支承密封分界長度BL。優選地，支承保持體支 撐結構55接納位於下支承件56和上流體室46之間的支承密封件53。優選地，上活塞杆支承組件54包括這樣的支承保持體支撐結構55, 該支撐結構55接納至少第一支承件56並且包括用於容納容積補償器 氣體順應構件84的順應構件腔體82，優選地，氣體順應構件撓性流 體氣體隔離膜84可撓曲地固定到支撐結構55上從而允許填充氣體的 隔離膜腔體膨脹和收縮以補償磁流變流體容積的變化，優選地氣體順 應構件撓性彈性體流體氣體隔離膜84可以在支撐結構55和殼體34 之間沿徑向膨脹。優選地，上活塞杆支承組件54包括這樣的支承保 持體支撐結構55，該支撐結構55接納至少第一支承件56並包括傳 感器目標磁體保持體86，該保持體86接納非磁性活塞杆52中的磁 致伸縮縱向傳感器80的目標磁體88。優選地，在懸架系統(其容積 補償器接近活塞杆支承件)運轉時，上容積補償器62沿著重力方向 豎直地定向。
優選地容積補償器62與上活塞杆支承組件54鄰近，優選地支 承保持體支撐結構55與容積補償器殼腔體82成一體以提供充填氣體 的阻尼器活塞杆上支承順應構件。充填氣體的活塞杆支承順應構件的 支撐結構55優選地包括氣體順應充填通道90，以優選地在將活塞組 裝到殼體中並且用磁流變流體填充支承組件和阻尼器之後，用加壓氣 體填充腔體82。容積補償器62優選地通過位於殼體34和活塞杆52 之間的多個流體容積補償通道92與相鄰的阻尼器流體室46流體連 通，上述通道92允許流體流入和流出容積補償器，優選地，流體容 積補償通道92提供的流量大於活塞頭流體流動間隙50的流量，即通 道92優選地提供與活塞頭流量相比相對較高的流入和流出流量，並 且流入容積補償器的阻力相對較低從而不與工作磁流變流體的其它 部分動態地隔離。
活塞頭44包括電磁線圈94以及上磁極和下磁極96以控制磁流 變流體40在上室46和下室48之間的流量，優選地，電磁線圈94 為由電絕緣密封材料加壓注射聚合物包覆成型的磁流變流體電磁線 圈94。在圖7中示出優選的組合構成的加壓注射聚合物包覆成型的 磁流變流體電磁線圈94。優選地，EM線圈絕緣配線102纏繞在非磁 性塑料線圈筒104上，在加壓注射包覆成型模具106中在所施加的壓力107下用加壓注射非磁性聚合物110使線圈筒104上的線圈配線 102經壓力包覆成型。加壓注射包覆成型的EM線圈94優選地包括 用於與電流供應配線電路100連接的第一配線插頭和第二配線插頭 108。組合構成的經加壓注射包覆成型的EM線圈94優選地置於上金 屬磁極和下金屬磁極96之間以提供EM線圈電流可控的活塞頭44， 組合構成的加壓注射包覆成型的EM線圈94經包覆成型，EM線圈 和磁極96的大小設定為與殼體內壁38形成預定的流體流動間隙50， 經加壓注射包覆成型的EM線圈的磁場控制活塞頭EM線圈附近的磁 流變流體流量，在優選的實施例中如圖7L-圖7N所示成型軸向對準 線圈引導件95。圖6N示出兩個包覆成型的EM線圈，成型的引導件 95布置成頂部對頂部，並且示出引導件95如何延伸到線圈的上側和 下側以外，從而使得引導件在組裝到活塞頭中時與相鄰的磁極重疊， 引導件以阻尼器32的縱向延伸軸線36為中心在活塞中圍繞EM線圈 的外周等間距地間隔開。
可控懸架系統20優選地包括位於第一主體22和第二主體24之 間的第一支柱30和至少第二懸臂式磁流變流體阻尼器支柱30，這兩 個支柱30優選地具有外包圍式空氣彈簧套筒64。優選地，可控懸架 系統20包括位於第一主體22和第二主體24之間的第三懸臂式磁流 變流體阻尼器支柱30。優選地，多於一個的支柱30中的至少兩個利 用它們各自包含的傳感器和控制系統(位於上支柱端頭構件66中) 而獨立操作，優選地在該至少兩個支柱之間不交換來自懸架系統主控 制器的主控制信號。支柱30優選地是容納其自身控制系統的獨立自 控支柱，優選地僅電能和壓縮氣體由主懸架系統源提供，例如從車輛 電池電能系統和壓縮空氣系統提供。在多於一個的支柱30操作的優 選實施例中，優選地在例如有4個支柱操作的優選實施例中，第一主 控制支柱30"利用在至少兩個支柱30''和30'之間交換的主控制信號 來控制第二受控從屬支柱30'，例如主控制支柱30"除了控制其本身 以外還向其它從屬支柱30"發送控制信號。在優選實施例中，可控懸 架系統20是具有兩個駕駛室後支柱30的駕駛室懸架系統，並且車輛 駕駛室的前部未安裝有這種可控懸臂式磁流變流體阻尼器支柱30，例如採用硬式安裝，或者採用非受控彈性體安裝件進行安裝。在具有
兩個駕駛室後支柱30的駕駛室可控懸架系統20的優選實施例中，車 輛駕駛室的前部未安裝有這種可控懸臂式磁流變流體阻尼器支柱 30:該支柱30是自控且自動型的，每個支柱30具有其自身的電路板 控制系統，支柱的控制系統通過電連通連接部78的連接而彼此共享 並交換例如經處理的加速度計信息等傳感器數據，從而控制駕駛室主 體的晃動。在優選實施例中，可控磁流變流體阻尼器支柱30是自控 且自動型的，每個支柱30自身的電路板控制系統72容納在其上支柱 端頭構件66中，支柱的控制系統通過電連通連接部78來共享傳感器 數據，從而控制駕駛室相對於車架的運動，例如控制晃動，或者用4 點支柱懸架來控制晃動以及駕駛室與4個自控傳感器數據共享的支 柱30之間的間距。在優選實施例中，3點駕駛室懸架系統設置至少3 個支柱30來控制晃動和間距，優選地設置3個獨立的自控支柱30、 30和30'以及一個從屬支柱30"。
在一個實施例中，本發明包括用於控制運動的可控阻尼器。提 供可控阻尼器32來控制第一主體22和第二主體24之間的相對運動， 優選地用阻尼器32控制車輛中的運動，最為優選地是控制位於車輛 車架和車輛駕駛室之間的懸架系統20中的運動。在可選實施例中， 提供可控阻尼器32來控制非車輛固定懸架系統中的運動。可控阻尼 器32包括具有縱向延伸軸線36的縱向阻尼器筒狀殼體34。縱向阻 尼器筒狀殼體34具有內壁38，用於在筒狀殼體中容納磁流變流體40， 阻尼器筒狀殼體具有上阻尼器端60和下阻尼器端58。可控阻尼器32 包括懸臂式單端阻尼器活塞42。阻尼器活塞42包括可在阻尼器筒狀 殼體34中沿著筒狀殼體的縱向衝程長度移動的活塞頭44，該活塞頭 44提供第一上可變容積磁流變流體室46和第二下可變容積磁流變流 體室48。阻尼器活塞頭44具有位於第一上可變容積磁流變流體室46 和第二下可變容積磁流變流體室48之間的流體流動間隙50，流體流 動間隙50具有活塞頭流體流動分界長度HL，優選地，流體流動間 隙50具有位於活塞頭的OD和筒狀殼體34的內表面ID之間的寬度 Pgap。阻尼器活塞42具有用於在縱向阻尼器筒狀殼體34中支撐活塞頭44的縱向活塞杆52。優選地，懸臂式活塞杆52是使用支承組件 在縱向阻尼器筒狀殼體中支撐活塞頭的唯一機械支撐。使用設置在縱 向阻尼器筒狀殼體34和縱向活塞杆52之間的上活塞杆支承組件54 在縱向阻尼器筒狀殼體34中支撐阻尼器活塞42。活塞杆支承組件54 具有活塞杆支承密封分界長度BL，阻止活塞頭44與縱向阻尼器筒狀 殼體的內壁38之間的接觸。優選地活塞頭44是無磨損帶活塞頭，下 活塞頭的OD側與筒狀殼體內壁之間保持磁流變流體流動間隙寬度 Pgap，在活塞頭上或在活塞頭的OD側與內壁之間不具有磨損帶或密 封件。阻尼器32優選地使關閉狀態阻力最小化並具有最小寄生抗力 和阻力。通過保持預定磁流變流體流動間隙、筒形殼長度HL和厚度 Pgap，同時阻止活塞頭與殼體內壁之間接觸，從而在不向活塞頭的 EM線圈94施加控制電流時使磁流變流體阻尼器32的關閉狀態能量 消耗最小化。優選地，由於活塞頭44不與殼體內壁38進行支承接觸， 因此活塞42具有恆定支承長度BL。阻尼器32優選地是單端阻尼器 而不是雙端阻尼器，優選地活塞杆52終止於活塞頭44，而活塞頭不 與殼體以及遠離活塞杆支承組件54的下殼體端58連接，優選地活塞 頭44的唯一機械連接是與延伸到上活塞杆支承組件的單個活塞杆的 連接，該活塞杆終止於活塞頭。優選地，活塞頭44在活塞頭的OD 內側不具有內部流體流動通道，優選地磁流變流體40的大致所有流 體都是通過磁流變流體流動間隙50在活塞頭和殼體之間流動。優選 地，可控阻尼器32的懸臂式活塞的長度BL大於活塞頭筒形殼間隙 長度HL。
優選地，可控磁流變流體阻尼器32包括上阻尼器容積補償器 62。容積補償器62位於上活塞杆支承組件54附近。氣體順應容積補 償器62優選地與上活塞杆支承組件54鄰近，優選地，支承保持體支 撐結構55和容積補償器殼腔體82—體化為充填氣體的上支承順應構 件。優選地，氣體順應容積補償器62與第一上可變容積磁流變流體 室46流體連通，容積補償器62位於上支承件56和活塞杆52附近， 優選地在使用中上流體室46和容積補償器62相對於重力方向定向在 下流體室48的上方，以便允許氣泡向上移動到容積補償器62中。優選地磁流變流體阻尼器32提供這樣的乾式組裝工藝在將活塞42 組裝到殼體34中之後，優選地通過下殼體端開口 59將磁流變流體填 充到阻尼器中，然後通過上端通道90對氣體順應容積補償器62進行 氣體壓力充填。優選地，活塞杆支承組件的支承保持體支撐結構55 包括流體流動通道92從而允許流體流入和流出容積補償器，流體容 積補償通道92提供的流量優選地大於磁流變活塞頭間隙50的流量， 即通道92優選地提供與活塞頭流量相比相對較高的流入和流出容積 補償器的流量，並且流入容積補償器的阻力相對較低。
可控磁流變流體阻尼器32優選地包括具有電能輸入部68的上 支柱端頭構件66。上支柱端頭構件容納具有電子控制電路板74的阻 尼器控制系統72。在一個優選實施例中，電能輸入部包括多配線陣 列連接器78，例如CANbus電連接器78，優選地提供多配線電連接 器以便除了接收產生磁流變流體可控磁場的電能輸入以外還從外部 接收支柱阻尼器控制信號。上支柱端頭構件優選地容納阻尼器控制傳 感系統，優選地包括磁致伸縮縱向傳感器80的上頭端部，該傳感器 80與軸線36對準並且容納在活塞杆52中。優選地上支柱端頭構件 殼體包括控制系統以便採用水平閥76來控制空氣彈簧的水平，水平 閥76用於對支柱30的氣動水平度進行控制。具有上支柱端頭構件 66的支柱和阻尼器優選地是智能型獨立阻尼器系統，上支柱端頭構 件包括這樣的電子控制電路板74:該電路板例如從磁致伸縮傳感器 80和加速度計120接收傳感器輸入信號，並通過電流供應配線電路 100來控制供應到活塞頭EM線圈94的電流從而控制阻尼器32，控 制電路優選地包括加速度計傳感器120，優選地使第一加速度計軸線 122與阻尼器軸線36對準並優選地檢測至少一個加速度計軸線的加 速度。優選地加速度計傳感器120是至少二軸線加速度計，並且最優 選地為3軸線加速度計，第一加速度計軸線122與阻尼器軸線36對 準，第二加速度計軸線和第三加速度計軸線與阻尼器軸線36垂直。
可控磁流變流體阻尼器的上活塞杆支承組件54優選地包括支承 保持體支撐結構55，該支承保持體支撐結構接納第一上支承件56、 遠端的第二下支承件56和活塞杆支承密封件53以提供活塞杆支承密封分界長度BL。可控磁流變流體阻尼器的上活塞杆支承組件54優選 地包括這樣的支撐結構55，該支撐結構55接納至少第一支承件56 以及用於接納容積補償器氣體順應構件84的順應構件腔體82。可控 磁流變流體阻尼器的上活塞杆支承組件54優選地包括這樣的支撐結 構55，該支撐結構接納至少第一支承件56以及接納目標磁體88的 傳感器目標磁體保持體86，目標磁體用於在非磁性活塞杆52中的鄰 近磁致伸縮傳感器80中產生傳感器信號，以提供沿著傳感器80長度 的目標磁體位置的測量值，從而提供在阻尼器殼體中的活塞頭衝程位 置的測量值，作為輸入阻尼器電子控制系統中的輸入信號。
可控磁流變流體阻尼器活塞頭42優選地包括由絕緣密封材料加 壓注射聚合物經包覆成型的電磁線圈94，活塞頭、包覆成型的電磁 線圈和磁極的OD的大小設定為與殼體內壁的ID具有預定間隙 Pgap，維持間隙50以阻止與內壁38接觸，並且提供該流體流動間隙 5 0 ，使電磁線圈9 4產生磁場來控制經由流體流動間隙5 0流過的磁流 變流體的流量。對可控活塞頭電磁線圈94、上磁極和下磁極96施加 可變電流以產生控制磁場來控制磁流變流體40在上室46和下室48 之間的流量，電磁線圈94為由電絕緣加壓注射聚合物經包覆成型的 磁流變流體電磁線圈94。在圖7A-圖71中示出優選的組合構成的加 壓注射聚合物包覆成型的磁流變流體電磁線圈94。優選的是，EM線 圈絕緣配線102纏繞在非磁性塑料線圈筒104上，在加壓注射包覆成 型模具106中在所施加的壓力107下利用加壓注射聚合物IIO使纏繞 在線圈筒104上的EM線圈絕緣配線102經加壓包覆成型。優選的是， 經加壓注射包覆成型的EM線圈94包括用於與電流供應配線電路 IOO連接的第一配線插頭和第二配線插頭108，電流供應配線電路供 應由控制系統輸出的控制電流。優選的是，組合構成的加壓注射包覆 成型的EM線圈94置於上金屬磁極和下金屬磁極96之間以提供EM 線圈電流可控的活塞頭44，組合構成的加壓注射包覆成型的EM線 圈94和磁極96的大小設定為與殼體內壁38之間形成預定間隙50， 加壓注射包覆成型的EM線圈的磁場控制活塞頭EM線圈附近的磁流 變流體流動。在一個實施例中，本發明包括用於對第一主體和第二主體之間
的相對運動進行控制的可控懸架系統的製造方法。優選的是，本發明
提供用於對第一車輛主體和第二車輛主體之間的相對運動進行控制 的可控車輛懸架系統的製造方法，最為優選地提供用於對第一主體駕
駛室22和第二主體車架24之間的相對運動進行控制的車輛駕駛室懸 架系統的製造方法。該方法包括提供具有縱向延伸軸線的縱向阻尼器 筒狀殼體，該縱向阻尼器筒狀殼體34具有內壁38，用於在筒狀殼體 中容納磁流變流體。所提供的縱向阻尼器筒狀殼體34具有第一上殼 體端60和遠端的第二下殼體端58並且該殼體以軸線36為中心。該 方法包括提供具有活塞杆支承密封分界長度BL的活塞杆支承組件 54以在縱向阻尼器筒狀殼體34中支撐阻尼器活塞42。該方法包括 提供包括活塞頭44和縱向活塞杆52的懸臂式阻尼器活塞42。懸臂 式縱向活塞杆52在縱向阻尼器筒狀殼體中支撐活塞頭44，上活塞杆 支承組件54布置在縱向阻尼器筒狀殼體34和縱向活塞杆52之間。 該方法包括將活塞杆支承組件54設置在縱向阻尼器筒狀殼體34中並 位於第一上端60附近。該方法包括將阻尼器活塞縱向活塞杆52容納 在上活塞杆支承組件54中，其中，活塞頭44可以沿著筒狀殼體的縱 向長度在阻尼器筒狀殼體中移動，阻尼器活塞頭44提供第一上可變 容積磁流變流體室46和第二下可變容積磁流變流體室48，阻尼器活 塞頭44具有位於第一上可變容積磁流變流體室46和第二下可變容積 磁流變流體室48之間的流體流動間隙50，該流體流動間隙具有活塞 頭流體流動分界長度HL，並且阻止活塞頭與阻尼器筒狀殼體的內壁 之間接觸。該方法包括提供磁流變阻尼器流體40並且將磁流變阻 尼器流體40置於阻尼器筒狀殼體34中。阻尼器用於控制第一主體 22和第二主體24之間的相對運動。優選的是，該方法包括提供縱向 空氣支柱空氣彈簧64，並且將縱向支柱空氣彈簧與縱向阻尼器筒狀 殼體的縱向延伸軸線36對準，將支柱空氣彈簧和磁流變阻尼器對準 並且組裝在一起，並且空氣彈簧圍繞磁流變阻尼器，優選地上端60 和活塞杆52大致容納在空氣彈簧64中，優選地支柱的上端包括用於 安裝到最上方的第一主體或第二主體上的上支柱端頭構件66。優選的是，上支柱端頭構件66包括電能輸入部和壓縮空氣輸入部，並且 包括具有電子控制電路板74的支柱控制系統72、和空氣彈簧套筒水 平閥76。在優選實施例中，上支柱端頭構件66包括除接收輸入到支 柱中的電能以外還從外部接收支柱控制信號的CAN-Bus電連接器。 在優選實施例中，上支柱端頭構件66包括阻尼器傳感系統，磁致伸 縮縱向傳感器80的端部與活塞杆對準並容納在活塞杆中。優選地， 活塞杆支承組件54設置有大於HL的活塞杆支承密封分界長度BL。 優選地將上容積補償器62設置在活塞杆支承組件54附近。優選地上 活塞杆支承組件包括支承保持體支撐結構，該結構接納第一上支承件 和遠端的第二下支承件以提供活塞杆支承密封分界長度BL。優選地， 上活塞杆支承組件包括支承保持體支撐結構，該支撐結構接納至少第 一上支承件並且包括用於容納容積補償器氣體順應構件的順應構件 腔體。優選地，上活塞杆支承組件包括接納至少第一上支承件的支承 保持體支撐結構並且包括傳感器目標磁體保持體，該保持體接納非磁 性活塞杆中的磁致伸縮傳感器的目標磁體。優選地，磁流變流體阻尼 器包括上容積補償器，該容積補償器位於活塞杆支承組件附近。優選 地，至少第一懸臂式磁流變流體阻尼器和至少第二懸臂式磁流變流體 阻尼器設置在第一主體和第二主體之間。優選地，至少第三懸臂式磁 流變流體阻尼器設置在第一主體和第二主體之間。
本發明優選地包括用於控制運動的可控阻尼器的製造方法。本 發明優選地包括提供具有縱向延伸軸線的縱向阻尼器筒狀殼體，縱向 阻尼器筒狀殼體具有內壁，用於在筒狀殼體中容納磁流變流體，縱向 阻尼器筒狀殼體具有第一上端和遠端的第二下端。該方法包括提供活 塞杆支承組件，該活塞杆支承組件具有用於在縱向阻尼器筒狀殼體中 支撐阻尼器活塞的活塞杆支承密封分界長度BL。該方法包括提供 懸臂式阻尼器活塞，該阻尼器活塞包括活塞頭和用於在縱向阻尼器筒 狀殼體中支撐活塞頭的縱向活塞杆。該方法包括將活塞杆支撐組件布 置在縱向阻尼器筒狀殼體中並位於第一上端附近。該方法包括將阻尼 器活塞縱向活塞杆容納在活塞杆支承組件中，其中，活塞頭可以沿著 筒狀殼體的縱向長度在阻尼器筒狀殼體中移動，阻尼器活塞頭提供第
30一上可變容積磁流變流體室和第二下可變容積磁流變流體室，阻尼器 活塞頭具有位於第一上可變容積磁流變流體室和第二下可變容積磁 流變流體室之間的流體流動間隙，該流體流動間隙具有活塞頭流體流
動分界長度HL (HL<BL)，並且阻止活塞頭與阻尼器筒狀殼體之間 接觸。該方法優選地包括提供上容積補償器，並將該上容積補償器設 置在活塞杆支承組件附近。該方法優選地包括提供具有電能輸入部的 上支柱端頭構件，並且將上支柱端頭構件布置在阻尼器筒狀殼體的第 一端附近。該方法優選地包括提供具有支承保持體支撐結構的上活塞 杆支承組件，該支承保持體支撐結構接納第一上支承件和遠端的第二 下支承件以提供活塞杆支承密封分界長度BL。該方法優選地包括提 供具有如下支承保持體支撐結構的上活塞杆支承組件，該支承保持體 支撐結構接納至少第一上支承件並且包括用於接納容積補償器氣體 順應構件的順應構件腔體。該方法優選地包括提供具有如下支承保持 體支撐結構的上活塞杆支承組件，該支承保持體支撐結構接納至少第 一上支承件並且包括接納目標磁體的傳感器目標磁體保持體。該方法 優選地包括提供具有加壓注射聚合物包覆成型的電磁線圈的活塞頭。 在一個實施例中，本發明包括用於控制運動的可控阻尼器的制 造方法。該方法包括提供具有縱向延伸軸線36的縱向阻尼器筒狀殼 體34。所提供的縱向阻尼器筒狀殼體34具有內壁38，用於在筒狀殼 體中容納磁流變流體40。縱向阻尼器筒狀殼體34具有第一上殼體端 60和遠端的第二下殼體端58。該方法包括提供活塞杆支承組件54， 該活塞杆支承組件具有用於在縱向阻尼器筒狀殼體34中支撐阻尼器 活塞42的活塞杆支承密封分界長度BL。該方法包括提供阻尼器活 塞42，該阻尼器活塞包括磁流變流體活塞頭44和用於在縱向阻尼器 筒狀殼體34中支撐活塞頭44的縱向活塞杆52。磁流變流體活塞頭 44包括絕緣加壓注射聚合物包覆成型的磁流變流體電磁線圈94。可 控磁流變流體阻尼器活塞的絕緣加壓注射聚合物包覆成型的電磁線 圈94和磁極96優選地具有OD，該OD的大小設定為與殼體內壁ID 之間提供預定間隙50Pgap，保持間隙50以阻止與內壁38接觸，並 且提供流體流動間隙50，電磁線圈94產生用於對流過該間隙的磁流
31變流體進行控制的磁場。可控活塞頭電磁線圈94、上磁極和下磁極 96被施加可變電流，以產生用於控制磁流變流體40在上室46和下 室48之間的流動的磁場，電磁線圈94為由組合構成的電絕緣加壓注 射聚合物包覆成型的磁流變流體電磁線圈94。在圖7A-圖71中示出 優選的組合構成的電絕緣加壓注射聚合物包覆成型的磁流變流體電 磁線圈94。優選的是，EM線圈絕緣配線102纏繞在非磁性塑料聚合 物線圈筒104上，在施加的壓力107下在加壓注射包覆成型模具106 中用加壓注射聚合物IIO使線圈筒104上的線圈配線102經加壓包覆 成型。優選的是，非磁性塑料聚合物線圈筒104和加壓注射聚合物 110由大致相同的基礎聚合物構成，在優選實施例中，線圈筒104和 加壓注射包覆成型聚合物110包括尼龍。在優選實施例中，線圈筒 104包括玻璃填充尼龍，並且加壓注射包覆成型聚合物IIO包括尼龍， 優選地包括非玻璃填充尼龍。在優選實施例中，線圈筒104和包覆成 型聚合物110由共同的聚合物構成，優選的是共同的聚合物包括尼 龍。優選的是，加壓注射包覆成型EM線圈94包括用於與電流供應 配線電路IOO連接的第一配線插頭和第二配線插頭108，電流供應配 線電路100供應由阻尼器控制系統輸出的控制電流。優選的是組合構 成的加壓注射包覆成型EM線圈94置於上金屬磁極和下金屬磁極96 之間以提供EM線圈電流可控的活塞頭44。組合構成的加壓注射包 覆成型EM線圈94以及磁極96提供用於控制活塞頭EM線圈附近的 磁流變流體流量的磁場。該方法包括將活塞杆支承組件54布置在縱 向阻尼器筒狀殼體34中並位於第一上端60附近。該方法包括將阻尼 器活塞縱向活塞杆52容納在活塞杆支承組件54中，其中，磁流變流 體阻尼器活塞頭44可以沿著阻尼器筒狀殼體的縱向衝程長度和軸線 36在筒狀殼體中移動，阻尼器活塞頭44提供第一上可變容積磁流變 流體室46、第二下可變容積磁流變流體室48以及位於第一上可變容 積磁流變流體室和第二下可變容積磁流變流體室之間的流體流動間 隙。該方法包括提供磁流變阻尼器流體40並且將磁流變阻尼器流體 40置於阻尼器筒狀殼體34中，其中施加到加壓注射聚合物包覆成型 的磁流變流體電磁線圈94上的電流控制位於加壓注射聚合物包覆成型的磁流變流體電磁線圏94附近的磁流變阻尼器流體40的流量。該 方法包括採用正壓將聚合物IIO注射成型到包覆成型模具106中，包 覆成型模具106容納有配線包裹的電磁線圈非磁性塑料線圈筒104， 以提供塑料加壓注射聚合物包覆成型的磁流變流體電磁線圈94，從 而將磁流變流體電磁線圈94組裝到活塞頭44中。優選的是EM線圈 絕緣配線102纏繞在非磁性塑料線圈筒104上，在壓力下在預定尺寸 的腔體包覆成型模具106中用加壓注射聚合物IIO使線圈配線和線圈 筒進行加壓包覆成型。優選地，包覆成型的EM線圈94包括用於與 電流供應電路100連接的第一配線插頭和第二配線插頭108。優選地 使組合構成的EM線圈94的大小和形狀適合置於上金屬磁極和下金 屬磁極96之間。優選地將配線102纏繞在非磁性塑料線圈筒104上， 然後布置在線圈包覆成型模具106中，並且圍繞線圈筒和配線使絕緣 加壓注射聚合物尼龍聚合物110進行包覆成型。優選地，使活塞頭 44以及包覆成型的EM線圈94和磁極96的大小適合與殼體內壁38 之間提供預定間隙50， EM線圈磁場控制位於活塞頭EM線圈94附 近的流體40的流量。優選地，阻尼器32中的阻尼器包覆成型EM線 圈94對第一主體22和第二主體24之間的相對運動提供控制，優選 地阻尼器32提供可控支柱30。優選地阻尼器的包覆成型EM線圈94 用於製造單端阻尼器32,而不是雙端阻尼器，活塞杆52優選地終止 於包括線圈94的活塞頭44。優選地，活塞頭44不具有內部流體流 動通道，優選地大致所有流體在活塞頭和殼體之間通過位於EM線圈 OD附近的磁流變流體流動間隙流動，優選的是，活塞42具有恆定 的支承長度，而活塞頭44與殼體內壁38不具有支承接觸。在可選的 優選實施例中，活塞頭44具有磨損帶並與殼體內壁38接觸。優選的 是，該方法包括提供上容積補償器62並將容積補償器62布置在活塞 杆支承組件54的附近。優選地容積補償器62與上活塞杆支承件54 鄰近，優選地支承保持體支撐結構55和容積補償器殼體一體地成為 充填氣體的上支承順應構件。優選的是，氣體順應容積補償器62與 第一上可變容積磁流變流體室46流體連通，容積補償器位於上支承 件56和活塞杆52附近，優選的是，在使用中，上流體室46和容積補償器62相對於重力定向在阻尼器32的上端。優選的是，阻尼器各 部件允許將阻尼器活塞通過乾式組裝法組裝到殼體中，在將活塞組裝 到殼體中之後將磁流變流體40置於阻尼器中，然後將氣體壓力充入 氣體順應容積補償器62中。優選的是，活塞杆支承組件的支承保持 體支撐結構55包括流體流動通道92以允許流體40流入和流出容積 補償器62，優選的是該通道提供的流量大於磁流變活塞頭間隙50的 流量。優選的是該方法包括提供具有電能輸入部68的上支柱端頭構 件66並且將支柱端頭構件66布置在阻尼器筒狀殼體的第一端60附 近，端頭構件通過電路100將控制電流提供到EM線圈94中。優選 的是，支柱端頭構件66包括具有電子控制電路板74的控制系統72， 並且還優選地包括CAN-Bus電連接部78，用於除了接收電能輸入以 外還從外部接收支柱信號。優選的是，端頭構件66包括阻尼器傳感 系統，磁致伸縮縱向傳感器80的端部與活塞杆52對準並且容納在活 塞杆52中。優選的是，上支柱端頭構件殼體66包括磁流變阻尼器 32的控制系統以便利用空氣彈簧64控制支柱的氣動水平。優選的是， 阻尼器是智能型獨立阻尼器系統，端頭構件66包括電子控制系統， 該系統接收傳感器輸入信號並控制施加到活塞頭的EM線圈上的電 流以控制阻尼器，優選的是電子控制系統包括(優選地)具有取向與 軸線36對準的2軸線加速度傳感器120。優選的是上支柱端頭構件 殼體腔66容納電子控制傳感系統電路板74，優選的是電路板平面與 阻尼器縱向軸線36對準從而使得電路板74的下端和上端大致豎直地 定向，上述電路板具有第一加速度計120和與第一加速度計垂直的第 二加速度計120，優選的是，第一加速度計傳感軸線122與阻尼器縱 向軸線36對準並且第二加速度計傳感軸線122與上述軸線36垂直。 優選的是，所提供的上活塞杆支承組件54包括支承保持體支撐結構 55，該支撐結構55接納第一上支承件56和遠端的第二下支承件56 以提供活塞杆支承密封分界長度BL。優選的是，上活塞杆支承組件 54包括這樣的支承保持體支撐結構55，該支撐結構接納至少第一支 承件56並且包括用於容積補償器氣體順應構件84的順應構件腔體 82。優選的是，上活塞杆支承組件54包括這樣的支承保持體支撐結構55，該支撐結構接納至少第一上支承件56並包括傳感器目標磁體 保持體86，該保持體86接納非磁性活塞杆52中的磁致伸縮傳感器 80的目標磁體88。優選的是，對阻尼器進行乾式組裝，然後填充磁 流變流體40，接著(優選地)通過第二下端58 (優選地)用下端阻 塞構件將阻尼器閉合併密封，下端阻塞構件將阻尼器閉合併密封並且 提供用於安裝到下移動主體22、 24上的下端安裝構件。優選的是， 活塞杆52是中空的並且具有內部縱向室，該室容納縱向磁致伸縮傳 感器80，優選的是活塞杆不具有磁性因此目標永磁體88產生磁場， 由優選地位於上支柱端頭構件66中的傳感器頭沿著傳感器80的長度 檢測以及探測該磁場。優選的是，活塞杆的內部縱向室包括電流供應 連接電路IOO，優選的是絕緣配線提供這樣的連接即，從上支柱端 頭構件中的電流源向下穿過支柱連接至包覆成型EM線圈插頭108。 優選地用位於活塞杆下端與活塞頭之間並且(優選地)與活塞杆和活 塞頭的連接處成一體的密封構件98，使活塞杆內部縱向室的下端優 選地閉合。優選的是，包覆成型的EM線圈94包括內部包覆成型芯 接納室112，該接納室經包覆成型以接納鐵磁芯構件114，容納在內 部包覆成型芯接納室中的磁性金屬芯構件114包括延伸到接納室112 之外的延伸磁極構件116，並且優選地具有與包覆成型線圈的OD和 活塞頭的OD大致匹配的OD，延伸磁極構件116提供活塞頭44的 上磁極構件96。活塞頭和包覆成型線圈的OD的大小定為在該OD 與阻尼器筒狀殼體內壁的ID之間提供活塞間隙Pgap。優選的是，包 覆成型線圈包括線圈引導件95，優選地該引導件沿著軸線36在縱向 上延伸從而延伸到磁極構件96上，該引導件95從該OD朝向阻尼器 筒狀殼體內壁的ID沿著徑向向外延伸到活塞間隙Pgap中。
優選的是，所接納的芯構件114包括在芯構件的內部位於中心 的內芯中心室118以及延伸磁極構件的OD，內芯中心室118接納活 塞杆下端和(優選的)包覆成型線圈的配線插頭連接器108，密封構 件98優選地位於支柱下端和包覆成型線圈94之間，優選的是，內芯 中心室和活塞杆下端具有配合的連接裝置，(優選地)例如用於連接 活塞杆52與活塞頭44的配合螺紋。優選的是，包覆成型EM線圈
3594包括具有EM線圈配線插頭108的縱向中心軸線輪轂構件124、以 及為線圈連接配線導線提供保持結構的徑向延伸配線線圈連接臂結 構輻條126，該線圈連接配線導線從縱向延伸配線插頭108沿著徑向 向外引導到纏繞在線圈筒上的線圈，所接納的芯構件114包括下端臂 接納徑向延伸溝槽115用於接納包括包覆成型封裝徑向延伸配線導 線的徑延伸配線線圈連接臂結構126。優選的是，包覆成型線圈包括 以軸線36為中心並且沿著軸線36在縱向上延伸的線圈引導件95， 從而使得線圈引導件部分地延伸到與包覆成型線圈鄰近的磁極構件 96的相鄰部分上，引導件95從該OD沿著徑向朝向阻尼器筒狀殼體 內壁的ID向外延伸到活塞間隙Pgap，引導件從該OD開始的徑向高 度的大小定為活塞間隙尺寸Pgap。
應該理解到，本領域的技術人員可以在不脫離本發明的精神和 範圍的條件下對本發明進行各種修改和變型。因此，其意圖在於，如 果所做的修改和變型落入所附權利要求書和其等同物的範圍內，則本 發明包括這些修改和變型。其意圖在於，可以採用相同或不同的結構 或步驟來實現權利要求書中的不同術語或詞語的範圍。
權利要求
1. 一種用於控制第一主體和第二主體之間的相對運動的可控懸架系統，所述可控懸架系統包括支柱，所述支柱包括磁流變流體阻尼器，所述磁流變流體阻尼器包括縱向阻尼器筒狀殼體，其具有縱向延伸軸線並且具有內壁，用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中容納磁流變流體；以及阻尼器活塞，其包括活塞頭，所述活塞頭可以沿著所述縱向阻尼器筒狀殼體的縱向長度在所述縱向阻尼器筒狀殼體中移動，所述活塞頭提供第一上可變容積磁流變流體室和第二下可變容積磁流變流體室，所述活塞頭在所述第一上可變容積磁流變流體室與所述第二下可變容積磁流變流體室之間具有流體流動間隙，並且所述流體流動間隙具有活塞頭流體流動分界長度HL；所述阻尼器活塞具有用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐所述活塞頭的縱向活塞杆；用布置在所述縱向阻尼器筒狀殼體和所述縱向活塞杆之間的活塞杆支承組件在所述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐所述阻尼器活塞，所述活塞杆支承組件具有活塞杆支承密封分界長度BL，其中，所述活塞頭與所述縱向阻尼器筒狀殼體的內壁之間的接觸被阻止。
2.根據權利要求1所述的可控懸架系統，其中， BL>HL。
3.根據權利要求1所述的可控懸架系統，其中， 所述磁流變流體阻尼器包括容積補償器，所述容積補償器位於 所述活塞杆支承組件附近。
4.根據權利要求1所述的可控懸架系統，其中， 所述支柱包括縱向空氣彈簧，所述縱向空氣彈簧與所述縱向阻 尼器筒狀殼體的縱向延伸軸線對準。
5. 根據權利要求1所述的可控懸架系統，其中， 所述活塞杆支承組件包括支承保持體，所述支承保持體容納第一上支承件和遠端的第二下支承件以提供所述活塞杆支承密封分界長度BL。
6. 根據權利要求1所述的可控懸架系統，其中， 所述活塞杆支承組件包括支承保持體，所述支承保持體容納至少第一支承件並包括用於容納容積補償器氣體順應構件的順應構件 腔體。
7. 根據權利要求1所述的可控懸架系統，其中， 所述活塞杆支承組件包括支承保持體，所述支承保持體容納至少第一支承件並包括容納目標磁體的傳感器目標磁體保持體。
8. 根據權利要求1所述的可控懸架系統，其中， 所述磁流變流體阻尼器包括容積補償器，所述容積補償器與所述活塞杆支承組件鄰近。
9. 根據權利要求1所述的用於控制第一主體與第二主體之間的 相對運動的可控懸架系統，所述可控懸架系統包括第一支柱，所述第 一支柱包括磁流變流體阻尼器，所述可控懸架系統在所述第一主體和 所述第二主體之間包括至少第二磁流變流體阻尼器支柱。
10. 根據權利要求9所述的可控懸架系統，包括 位於所述第一主體和所述第二主體之間的至少第三磁流變流體阻尼器支柱。
11. 根據權利要求1所述的可控懸架系統，其中， 所述活塞頭包括聚合物包覆成型電磁線圈。
12. 根據權利要求11所述的可控懸架系統，其中， 所述聚合物包覆成型電磁線圈包括多個線圈引導件。
13. —種用於控制相對運動的可控阻尼器，包括 縱向阻尼器筒狀殼體，其具有縱向延伸軸線並且具有內壁，用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中容納流體；以及阻尼器活塞，其包括活塞頭，所述活塞頭可以沿著所述縱向阻 尼器筒狀殼體的縱向長度在所述縱向阻尼器筒狀殼體中移動，所述活 塞頭提供第一上可變容積流體室和第二下可變容積流體室，所述活塞 頭在所述第一上可變容積流體室與所述第二下可變容積流體室之間 具有流體流動間隙，並且所述流體流動間隙具有活塞頭流體流動分界 長度HL;所述阻尼器活塞具有用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐所 述活塞頭的縱向活塞杆；用布置在所述縱向阻尼器筒狀殼體和所述縱向活塞杆之間的活 塞杆支承組件在所述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐所述阻尼器活塞，所 述活塞杆支承組件具有活塞杆支承密封分界長度BL，其中，所述活 塞頭與所述縱向阻尼器筒狀殼體的內壁之間的接觸被阻止。
14. 根據權利要求13所述的可控阻尼器，其中， BI>HL。
15. 根據權利要求13所述的可控阻尼器，其中， 所述可控阻尼器包括容積補償器，所述容積補償器位於所述活塞杆支承組件附近。
16. 根據權利要求13所述的可控阻尼器，其中， 所述可控阻尼器包括具有電能輸入部的上支柱端頭構件。
17. 根據權利要求13所述的可控阻尼器，其中，所述活塞杆支承組件包括支承保持體，所述支承保持體容納第 一上支承件和遠端的第二下支承件以提供所述活塞杆支承密封分界長度BL。
18. 根據權利要求13所述的可控阻尼器，其中， 所述活塞杆支承組件包括支承保持體，所述支承保持體容納至少第一支承件以及用於容納容積補償器氣體順應構件的順應構件腔 體。
19. 根據權利要求13所述的可控阻尼器，其中，所述活塞杆支承組件包括支承保持體，所述支承保持體容納至 少第一支承件以及用於容納目標磁體的傳感器目標磁體保持體。
20. 根據權利要求16所述的可控阻尼器，其中， 所述縱向活塞杆的活塞杆支承組件包括支承保持體，所述支承保持體容納至少第一支承件以及用於容納目標磁體的傳感器目標磁 體保持體。
21. 根據權利要求13所述的可控阻尼器，其中，所述活塞頭包括加壓注射聚合物包覆成型電磁線圈。
22. 根據權利要求21所述的可控阻尼器，其中， 所述加壓注射聚合物包覆成型電磁線圈包括多個線圈引導件，所述線圈引導件與所述縱向延伸軸線對準。
23. —種用於控制第一主體和第二主體之間的相對運動的可控 懸架系統的製造方法，所述方法包括提供具有縱向延伸軸線的縱向阻尼器筒狀殼體，所述縱向阻尼 器筒狀殼體具有內壁，用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中容納磁流變流體，所述縱向阻尼器筒狀殼體的內壁具有縱向阻尼器筒狀殼體內壁 ID,所述縱向阻尼器筒狀殼體具有第一上端和遠端的第二下端；提供活塞杆支承組件，所述活塞杆支承組件具有用於在所述縱 向阻尼器筒狀殼體中支撐阻尼器活塞的活塞杆支承密封分界長度 BL;提供所述阻尼器活塞，所述阻尼器活塞包括活塞頭和用於在所 述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐所述活塞頭的縱向活塞杆，所述活塞頭 具有活塞頭OD;將所述活塞杆支撐組件布置在所述縱向阻尼器筒狀殼體中並位於所述第一上端附近；將所述阻尼器活塞的縱向活塞杆容納在所述活塞杆支承組件 中，其中，所述活塞頭可以沿著所述縱向阻尼器筒狀殼體的縱向長度 在所述縱向阻尼器筒狀殼體中移動，所述活塞頭提供第一上可變容積 磁流變流體室和第二下可變容積磁流變流體室，所述活塞頭在所述第 一上可變容積磁流變流體室和所述第二下可變容積磁流變流體室之 間、以及在所述活塞頭OD和所述縱向阻尼器筒狀殼體內壁ID之間 具有流體流動間隙，所述流體流動間隙具有活塞頭流體流動分界長度 HL，所述活塞頭OD與所述縱向阻尼器筒狀殼體內壁ID之間的接觸 被阻止；以及提供磁流變阻尼器流體並且將所述磁流變阻尼器流體置於所述 縱向阻尼器筒狀殼體中。
24. 根據權利要求23所述的方法，所述方法包括 提供縱向空氣彈簧，並且將所述縱向空氣彈簧與所述縱向阻尼器筒狀殼體的縱向延伸軸線對準。
25. 根據權利要求23所述的方法，其中，提供具有所述活塞杆支承密封分界長度BL的活塞杆支承組件 的步驟包括提供長度BL〉HL。
26. 根據權利要求23所述的方法，所述方法包括提供容積補償器，並且將所述容積補償器布置在所述活塞杆支 承組件附近。
27. 根據權利要求23所述的方法，其中，提供所述活塞杆支承組件的步驟包括提供支承保持體，所述支承保持體容納第一上支承件和遠端的第二下支承件以提供所述活塞杆支承密封分界長度BL。
28. 根據權利要求23所述的方法，其中，提供所述活塞杆支承組件的歩驟包括提供支承保持體，所述 支承保持體容納至少第一支承件並包括用於容納容積補償器氣體順 應構件的順應構件腔體。
29. 根據權利要求23所述的方法，其中，提供所述活塞杆支承組件的步驟包括提供支承保持體，所述支承保持體容納至少第一支承件和用於容納目標磁體的傳感器目標 磁體保持體。
30. 根據權利要求23所述的方法，其中，所述磁流變流體阻尼器包括容積補償器，所述容積補償器與所 述活塞杆支承組件鄰近。
31. 根據權利要求23所述的方法，包括在所述第一主體和所述第二主體之間提供第一磁流變流體阻尼 器以及至少第二磁流變流體阻尼器。
32. 根據權利要求31所述的方法，包括在所述第一主體和所述第二主體之間提供至少第三磁流變流體 阻尼器。
33. 根據權利要求23所述的方法，所述方法包括 提供包覆成型活塞頭EM線圈。
34. 根據權利要求33所述的方法，所述方法包括 為所述活塞頭提供多個縱向延伸的引導件。
35. —種用於控制運動的可控阻尼器的製造方法，所述方法包括提供具有縱向延伸軸線的縱向阻尼器筒狀殼體，所述縱向阻尼 器筒狀殼體具有內壁，用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中容納流體，所述縱向阻尼器筒狀殼體具有第一端和遠端的第二端；提供活塞杆支承組件，所述活塞杆支承組件具有用於在所述縱 向阻尼器筒狀殼體中支撐阻尼器活塞的活塞杆支承密封分界長度 BL;提供所述阻尼器活塞，所述阻尼器活塞包括活塞頭和用於在所 述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐所述活塞頭的縱向活塞杆；將所述活塞杆支撐組件布置在所述縱向阻尼器筒狀殼體中並位 於所述第一端附近；以及將所述阻尼器活塞的縱向活塞杆容納在所述活塞杆支承組件 中，其中，所述活塞頭可以沿著所述縱向阻尼器筒狀殼體的縱向長度 在所述縱向阻尼器筒狀殼體中移動，所述活塞頭提供第一上可變容積 流體室和第二下可變容積流體室，所述活塞頭在所述第一上可變容積 流體室和所述第二下可變容積流體室之間具有流體流動間隙，所述流體流動間隙具有活塞頭流體流動分界長度HL，並且HL<BL。
36. 根據權利要求35所述的方法，所述方法包括 提供容積補償器，並且將所述容積補償器布置在所述活塞杆支承組件附近。
37. 根據權利要求35所述的方法，所述方法包括 提供具有電能輸入部的上支柱端頭構件，並且將所述上支柱端頭構件布置在所述縱向阻尼器筒狀殼體的第一端附近。
38. 根據權利要求35所述的方法，其中，提供所述活塞杆支承組件的步驟包括提供支承保持體，所述支承保持體容納第一上支承件和遠端的第二下支承件以提供所述活塞杆支承密封分界長度BL。
39. 根據權利要求35所述的方法，其中，提供所述活塞杆支承組件的步驟包括提供支承保持體，所述支承保持體容納至少第一支承件並包括用於容納容積補償器氣體順 應構件的順應構件腔體。
40. 根據權利要求35所述的方法，其中，提供所述活塞杆支承組件的步驟包括提供支承保持體，所述支承保持體容納至少第一支承件並包括用於容納目標磁體的傳感器 目標磁體保持體。
41. 根據權利要求35所述的方法，其中，提供包括所述活塞頭的阻尼器活塞的步驟包括提供加壓注射聚合物包覆成型電磁線圈。
42. —種用於控制運動的可控阻尼器的製造方法，所述方法包括提供具有縱向延伸軸線的縱向阻尼器筒狀殼體，所述縱向阻尼 器筒狀殼體具有內壁，用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中容納磁流變流體，所述縱向阻尼器筒狀殼體具有第一上端和遠端的第二下端；提供活塞杆支承組件，所述活塞杆支承組件具有用於在所述縱 向阻尼器筒狀殼體中支撐阻尼器活塞的活塞杆支承密封分界長度BL;提供所述阻尼器活塞，所述阻尼器活塞包括磁流變流體活塞頭 和用於支撐所述磁流變流體活塞頭的縱向活塞杆，所述磁流變流體活 塞頭包括加壓包覆成型磁流變流體電磁線圈；將所述活塞杆支撐組件布置在所述縱向阻尼器筒狀殼體中並位 於所述第一上端附近；將所述阻尼器活塞的縱向活塞杆容納在所述活塞杆支承組件 中，其中，所述磁流變流體活塞頭可以沿著所述縱向阻尼器筒狀殼體的縱向長度在所述縱向阻尼器筒狀殼體中移動，所述磁流變流體活塞 頭提供第一上可變容積磁流變流體室和第二下可變容積磁流變流體 室，所述磁流變流體活塞頭在所述第一上可變容積磁流變流體室和所 述第二下可變容積磁流變流體室之間提供流體流動間隙；以及提供磁流變阻尼器流體並且將所述磁流變阻尼器流體置於所述 縱向阻尼器筒狀殼體中，其中，施加到所述加壓包覆成型磁流變流體 電磁線圈上的電流控制所述加壓包覆成型磁流變流體電磁線圈附近 的所述磁流變阻尼器流體的流量。
43. 根據權利要求42所述的方法，所述方法包括 提供容積補償器，並且將所述容積補償器布置在所述活塞杆支承組件附近。
44. 根據權利要求42所述的方法，所述方法包括 提供具有電能輸入部的上支柱端頭構件，並且將所述上支柱端頭構件布置在所述縱向阻尼器筒狀殼體的第一上端附近。
45. 根據權利要求42所述的方法，其中，提供所述活塞杆支承組件的步驟包括提供支承保持體，所述 支承保持體容納第一上支承件和遠端的第二下支承件以提供所述活 塞杆支承密封分界長度BL。
46. 根據權利要求42所述的方法，其中，提供所述活塞杆支承組件的步驟包括提供支承保持體，所述支承保持體容納至少第一支承件並包括用於容納容積補償器氣體順 應構件的順應構件腔體。47. 根據權利要求42所述的方法，其中，提供所述活塞杆支承組件的步驟包括提供支承保持體，所述支承保持體容納至少第一支承件並包括用於容納目標磁體的傳感器 目標磁體保持體。
47. 根據權利要求42所述的方法，所述方法包括 所述加壓包覆成型磁流變流體電磁線圈包括多個引導件。
48. —種用於控制運動的可控阻尼器的製造方法，所述方法包括提供具有縱向延伸軸線的縱向阻尼器筒狀殼體，所述縱向阻尼 器筒狀殼體具有內壁，用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中容納磁流變流體，所述縱向阻尼器筒狀殼體具有第一上端和遠端的第二下端；提供活塞杆支承組件，所述活塞杆支承組件具有用於在所述縱 向阻尼器筒狀殼體中支撐阻尼器活塞的活塞杆支承密封分界長度；提供所述阻尼器活塞，所述阻尼器活塞包括磁流變流體活塞頭 組件和用於支撐所述磁流變流體活塞頭組件的縱向活塞杆，所述磁流 變流體活塞頭組件包括第一上磁極和第二下磁極，並且在所述第一上 磁極和所述第二下磁極之間具有包覆成型磁流變流體電磁線圈，所述 第一上磁極由磁性材料製成，所述第二下磁極由磁性材料製成，並且 所述包覆成型磁流變流體電磁線圈由與非磁性聚合物進行包覆成型 的電導體絕緣配線線圈形成，所述非磁性聚合物包括成型聚合物線圈 引導件；將所述活塞杆支撐組件布置在所述縱向阻尼器筒狀殼體中並位 於所述第一上端附近；將所述阻尼器活塞的縱向活塞杆容納在所述活塞杆支承組件 中，其中，所述磁流變流體活塞頭組件可以沿著所述縱向阻尼器筒狀 殼體的縱向長度在所述縱向阻尼器筒狀殼體中移動，所述磁流變流體 活塞頭組件提供第一上可變容積磁流變流體室和第二下可變容積磁 流變流體室，所述磁流變流體活塞頭組件在所述第一上可變容積磁流 變流體室和所述第二下可變容積磁流變流體室之間提供流體流動間 隙；以及提供磁流變阻尼器流體並且將所述磁流變阻尼器流體置於所述 縱向阻尼器筒狀殼體中，其中，施加到所述包覆成型磁流變流體電磁 線圈上的電流控制所述包覆成型磁流變流體電磁線圈附近的所述磁 流變阻尼器流體的流量。
49. 根據權利要求48所述的方法，其中， 所述電導體絕緣配線線圈纏繞在非磁性塑料線圈筒上。
50. 根據權利要求48所述的方法，其中， 所述成型聚合物線圈引導件是縱向延伸的線圈引導件。
51. 根據權利要求50所述的方法，其中，所述縱向延伸的線圈引導件與所述縱向延伸軸線對準並以所述 縱向延伸軸線為中心。
52. 根據權利要求51所述的方法，其中，所述縱向延伸的線圈引導件延伸至所述第一上磁極和所述第二 下磁極。
53. —種用於控制運動的可控阻尼器，包括 縱向阻尼器筒狀殼體，其具有縱向延伸軸線並且具有內壁，用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中容納流體，所述縱向阻尼器筒狀殼體 的內壁具有縱向阻尼器筒狀殼體內壁ID;以及阻尼器活塞，所述阻尼器活塞包括活塞頭，所述活塞頭可以沿 著所述縱向阻尼器筒狀殼體的縱向長度在所述縱向阻尼器筒狀殼體 中移動，所述活塞頭具有活塞頭OD，所述活塞頭提供第一上可變容 積流體室和第二下可變容積流體室，所述活塞頭在所述活塞頭OD與 所述縱向阻尼器筒狀殼體內壁ID之間、以及在所述第一上可變容積 流體室與所述第二下可變容積流體室之間具有流體流動間隙，並且所述流體流動間隙具有活塞頭流體流動分界長度HL;所述阻尼器活塞具有用於在所述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐所 述活塞頭的縱向活塞杆；用設置在所述縱向阻尼器筒狀殼體和所述縱向活塞杆之間的活 塞杆支承組件在所述縱向阻尼器筒狀殼體中支撐所述活塞；所述阻尼器包括用於阻止所述活塞頭OD和所述縱向阻尼器筒 狀殼體內壁ID之間接觸的裝置。
全文摘要
本發明公開一種用於控制第一主體和第二主體之間的相對運動的可控懸架系統，所述可控懸架系統包括支柱，所述支柱包括磁流變流體阻尼器，其中活塞頭(44)與阻尼器筒狀殼體內壁(38)之間的接觸被阻止。
文檔編號F16F9/36GK101460760SQ200780020609
公開日2009年6月17日 申請日期2007年5月1日 優先權日2006年5月1日
發明者J·大衛·卡爾森, 威廉·J·麥克馬洪, 安德魯·K·金茨, 羅伯特·馬喬拉姆, 肯尼思·A·聖克萊爾, 馬克·R·喬利 申請人:洛德公司