具有無鍺纖芯的大有效面積光纖的製作方法

2023-07-07 07:29:46

專利名稱：具有無鍺纖芯的大有效面積光纖的製作方法
具有無鍺纖芯的大有效面積、光纖
背景技術：
發明領域本發明一般涉及光纖，尤其涉及具有純二氧化矽纖芯和低衰減的大有效面積光纖。
背景技術：
在提供長距離高功率傳輸的通訊系統中，通常需要光學放大器技術和波分復用技術。高功率和長距離的定義只在特定通訊系統的上下文中有意義，在特定通訊系統中指定了位率、誤碼率、復用方案和可能的光學放大器。存在本領域技術人員公知的其它因素影響高功率和長距離定義。然而，對於大多數用途，高功率是大於約IOmW的光功率。高功率系統通常會遭遇非線性光學效應，包括自相位調製、四波混頻、交叉相位調製、以及非線性散射過程，所有這些都能夠使高功率系統中的信號降級。在某些應用中，ImW或以下的單功率電平仍然對非線性效應敏感，因此在此類低功率系統中，非線性效應依然是重要的考慮事項。 此外，諸如衰減之類的其它光纖屬性是信號降級的主要貢獻因素。通常，具有大有效面積(Arff)的光波導光纖減小非線性光學效應，包括自相位調製、四波混頻、交叉相位調製、以及非線性散射過程，所有這些都能夠使高功率系統中的信號降級。另一方面，光波導光纖有效面積的增大通常會造成宏彎曲(macrobending)所致損耗的增加，宏彎曲所致損耗衰減了通過光纖的信號傳輸。宏彎曲損耗在長(例如，IOOkm 或更長)距離(或再生器、放大器、發送器和/或接收器之間的間距)上越來越顯著。不幸的是，常規光纖的有效面積越大，宏彎曲所致損耗也越大。此外，衰減可能是大有效面積光纖中信號降級的主要貢獻因素。概要本發明的一個實施例是光波導光纖，包括(i)無Ge纖芯，具有在1550nm波長處約90 μ m2至約160 μ m2的有效面積，α值 12彡α彡25，所述纖芯包括(a)中芯區域，從中心線徑向向外延伸至半徑0 μ m彡rQ彡2 μ m，並且具有相對於純二氧化矽以百分比測量的相對摺射率百分比分布AtlOO,其中-0.1%彡Δ0(γ)彡0.1， 其中中芯區域具有最大相對摺射率百分比Acimax;(b)第一環形芯區域，圍繞並直接鄰近中芯區域而且延伸至外半徑R1，其中 4. 8 μ m < Γι Δ 丄(r = 2· 5 μ m)；(a)摻氟的第二環形區域，圍繞並直接鄰近第一環形芯區域而且延伸至半徑 13 μ m < r2 < 30 μ m，並且具有相對於純二氧化矽測量的以百分比計的負相對摺射率百分比分布，
其中最小相對摺射率百分比Δ2ΜΙΝ為Δ 2ΜΙΝ < Δ ！ (r = 2. 5 μ m)並且—0.7%彡 Δ2ΜΙΝ ^ -0. 28% ；(ii)包層，圍繞芯並具有相對於純二氧化矽測量的以百分比計的相對摺射率百分比 Ac(r)，並且 Ac(r) = Δ2ΜΙΝ士0.3% ；其中光纖的相對摺射率分布被選擇成在1550nm波長提供小於0. 175dB/km的衰減。根據一些示例性實施例，中芯區域的至少一部分是由純二氧化矽製成的。將在以下詳細描述中闡述本發明的附加特徵和優點，這些特徵和優點一部分對於本領域的技術人員來說根據說明書就能理解，或者可通過實施包括以下詳細描述、權利要求書以及附圖
的本文所述的本發明認識到。應當理解的是，以上一般描述和以下詳細描述兩者給出本發明的實施例，並且它們旨在提供用於理解所要求保護的本發明的本質和特性的概觀或框架。引入附圖以提供對本發明進一步的理解，附圖結合在本說明書中並構成說明書的一部分。附圖示出本發明的各個實施例，並與本描述一起用於說明本發明的原理和操作。附圖簡述圖IA示出本發明一個實施例的截面圖。圖IB示意性示出圖IA中光纖的示例性折射率分布；圖2-16示出本發明的光纖的示例性實施例的折射率分布。詳細描述定義「折射率分布」是折射率或相對摺射率與波導光纖半徑之間的關係。「相對摺射率百分比」被定義成Δ <%= 100Χ (η(Γ)\2)/&ι(Γ)2，其中n(r)是距光纖中心線徑向距離r處的折射率，除非另行規定，並且ns是二氧化矽的折射率。如本文所使用的，相對摺射率由Δ表示，而且它的值以「<% 」為單位給出，除非另行規定。在一區域的折射率小於二氧化矽的折射率的情況下，相對摺射率百分比為負且被稱為具有下陷折射率，而且在相對摺射率負值最大的點處計算得出，除非另行規定。在其中一區域的折射率大於二氧化矽的折射率的情況下，相對摺射率百分比為正並且該區域可被稱為經提高或具有正折射率，並且在相對摺射率正值最大的點處計算得出，除非另行規定。此處的「上摻雜劑 (updopant)，，被認為是傾向於相對於純的未摻雜SiO2提高折射率的摻雜劑。此處的「下摻雜劑(downdopant)」被認為是傾向於相對於純的未摻雜SiO2降低折射率的摻雜劑。上摻雜劑在伴隨有不是上摻雜劑的一種或多種其它摻雜劑時，可存在於具有負相對摺射率的光纖區域中。類似地，不是上摻雜劑的一種或多種其它摻雜劑可存在於具有正相對摺射率的光纖區域中。下摻雜劑在伴隨有不是下摻雜劑的一種或多種其它摻雜劑時，可存在於具有正相對摺射率的光纖區域中。類似地，不是下摻雜劑的一種或多種其它摻雜劑可存在於具有負相對摺射率的光纖區域中。除非另外說明，下文中將「色散現象」稱為「色散」，波導光纖的色散是材料色散、波導色散以及模間色散之和。在單模波導光纖的情況下，模間色散為零。雙模狀態假定模間色散(two-moded regime assume intermodal dispersion)中的色散值是零。零色散波長 (A0)是色散具有零值的波長。色散斜率是色散相對于波長的變化率。
「有效面積」被定義為=Aeff = 2 π ( / f2 r dr)2/( f f4 r dr)，，其中積分上下限為0到⑴，而f是與波導中傳播的光相關聯的電場的橫向分量。如本文中所使用，「有效面積」或"Arff 」指的是1550nm波長下的光學有效面積，除非另外指出。術語「 α分布」是指相對摺射率分布，由以「％」為單位的Δ (r)項表示，其中r是半徑，α分布遵循方程Δ (r) = Δ (r0) (1_[ | r_r。| / (Γι-Γ。) ] α)，其中r。是Δ (r)最大的點， 巧是Δ(Γ)%為零的點，並且!·在巧彡1~彡&範圍內，其中Δ如上定義，巧是α分布的起點，&是α分布的終點，且α是實數冪。使用彼得曼II (Peterman II)方法測量模場直徑(MFD)，其中2w = MFD,且w2 = (2 / f2 r dr/ f [df/dr]2r dr)，積分上下限為 0 到⑴。可在規定的測試條件下用弓I入的衰減來測量波導光纖的抗彎性。一類彎曲測試是橫向負載微彎曲測試。在所謂的「橫向負載」測試中，將規定長度的波導光纖置於兩個平板之間。將#70絲網附連到平板之一。將已知長度的波導光纖夾在板之間，並且在用30牛頓的力擠壓平板的同時測量參考衰減。然後，向平板施加70牛頓的力，並且以dB/m測量衰減的增大。衰減增大是波導的橫向負載衰減。「弓丨腳陣列，，彎曲測試用於比較波導光纖對彎曲的相對耐力。為了實現該測試，對基本上不具有誘導彎曲損耗的波導光纖測量衰減損耗。隨後繞引腳陣列編織波導光纖，並且再次測量衰減。由彎曲引起的損耗是兩次測量的衰減之差。引腳陣列是在平面上以單行排列並保持固定垂直位置的一組十個圓柱引腳。引腳間距5mm(中心至中心)。引腳直徑為 0. 67mm。在測試期間，施加足夠的張力以使波導光纖順應引腳表面的一部分。對給定模式而言，理論光纖截止波長或「理論光纖截止」或「理論截止」是在其之上導光不能在該模式中傳播的波長。數學定義可以在1990年Jeimhomme在紐約出版的Marcel Dekker的「Single Mode Fiber Optics (單模光纖光學)」第39-44頁找到，其中理論光纖截止被規定為模式傳播常數變成與外包層中平面波傳播常數相等時所處的波長。此理論波長適合於無直徑變化的無限長的完美直光纖。有效光纖截止由於彎曲和/或機械壓力所引起的損耗而低於理論截止。在該上下文中，截止是指LPll和LP02模式的更高階。LPll和LP02在測量中通常不區分，但是兩者隨著光譜測量(當使用多模參考技術時)的步驟而明顯，即在比所測量的截止更長的波長下該模式中觀察不到功率。可通過標準的an光纖截止測試，即F0TP-80 (EIA-TIA-455-80)， 來測量實際的光纖截止以產生「光纖截止波長」，也稱為「an光纖截止」或「所測量的截止」。 執行F0TP-80標準測試以使用受控的彎曲量來去除較高階模式，或將該光纖的光譜響應對多模光纖的光譜響應進行歸一化。成纜的截止波長，或「成纜截止」甚至所比測得的光纖截止更低，這是由光纜環境中更高級別的彎曲和機械壓力造成的。可通過EIA-445光纖測試程序中描述的成纜截止測試來近似實際的成纜條件，該EIA-445光纖測試程序是EIA-TIA光纖標準——即電子工業協會-電信工業協會光纖標準——的一部分，更一般地已知為F0TP』S。成纜截止測量在通過所發送功率的單模光纖EIA-455-170光纜截止波長或「F0TP-170」中有描述。可以根據情況，通過使用在TIA/EIA-455-204 「多模光纖上的帶寬測量」或 「F0TP-204」中描述的TIA/EIA標準或者通過使用在TIA/EIA-455-220 「時域中多模光纖的不同模式延遲測量」或「F0TP-220」中描述的TIA/EIA標準，測量帶寬。
除非在本文中另作說明，針對LPOl模式報告光學特性(諸如色散、色散斜率等)。波導光纖通訊鏈路，或簡稱鏈路，是由光信號發射器、光信號接收器以及具有光學連接到發射器和接收器以在其間傳播光信號的相應末端的一段波導光纖或光纖構成。波導光纖的長度可以由首尾串聯排列接合或連接在一起的多個較短長度構成。鏈路可以包括其它光學組件，諸如光學放大器、光學衰減器、光學隔離器、光學開關、濾光器、或者復用或解復用器件。可以將一組互連的鏈路稱為通訊系統。本文所使用的光纖跨度包括在光學器件之間延伸的一段光纖、或串聯熔合的多個光纖，諸如在兩個光學放大器或在復用器和光學放大器之間。跨度還可以包括本文所公開的光纖的一個或多個部分，並且可以還包括其它光纖的一個或多個部分，例如被選擇成實現所需系統性能或參數，諸如跨度末端處的色散。本發明的實施例現在將具體參考本發明的現有實施例，其示例在附圖中示出。在可能時，在所有附圖中使用相同的附圖標記來指示相同或類似的部件。本發明光纖的一個實施例在圖IA中示出，並通常由附圖標記10指示。波導光纖10包括具有在1550nm處約90 μ m2或以上的有效面積(例如在 1550nm 處 90 μ m2 至 160 μ m2,或 100 μ m2 至 160 μ m2)和 12 < α < 25 的 α值的纖芯，以及圍繞纖芯的包層20。α值的典型範圍是14至20，例如15彡α <17。 該光纖的示例性折射率分布(相對摺射率△相對於半徑)在圖IB中示意性示出。纖芯12是無Ge的，並且包括中芯區域14、圍繞並直接鄰近中芯區域14的第一環形芯區域16、以及圍繞並直接鄰近第一環形區域16的第二環形區域18。中芯區域14從中心線徑向向外延伸至半徑0 μ m < < 2 μ m，並具有相對於純二氧化矽以百分比測量的相對摺射率百分比分布AciOO,其中-0. 彡AJr)彡0. 1。在一些實施例中，-0. 1% 彡Δ0(γ)彡0%。例如，在一些實施例中，-0.075%彡Δ0(Γ)彡0%。中芯區域14還具有最大相對摺射率百分比，△ 。在本文所述的示例性實施例中，Acimax出現在光纖中心線(r =0)處。第一環形芯區域16延伸至外半徑巧，其中4. 8 μ m彡T1彡10 μ m，並且具有相對於純二氧化矽以百分比測量的相對摺射率百分比分布A1OO以及最小相對摺射率Δ1μιν、最大相對摺射率Δ 1ΜΑΧ (其中Δ QMAX彡Δ 1ΜΑΧ)，並且在半徑r = 2. 5 μ m處測量的相對摺射率Δ : 為(a) -0. 15 ^ A1O" = 2· 5μπι)彡 0，且(b) Δ。ΜΧ 彡 Δ 丨(r = 2. 5 μ m)。在一些實施例中， Δ 1MAX = Δ 丄(r = 2· 5 μ m)。第二環形芯區域18是摻氟的，並且它圍繞並直接鄰近第一環形區域16。通常，根據本文所述的實施例，第二環形芯區域18具有0.01%至1.6Wt% (重量百分比)的氟。第二環形芯區域18延伸至半徑13 μ m < r2 < 30 μ m，並具有相對於純二氧化矽以百分比測量的負相對摺射率百分比分布Δ2(Γ)，其中最小相對摺射率百分比 Δ 2ΜΙΝ 為(a) Δ 2ΜΙΝ < Δ ！ (r = 2. 5 μ m)和 / 或 Δ 2ΜΙΝ < Δ 1ΜΑΧ,以及(b) _0· 7 % (Δ2ΜΙΝ 彡 U8%。在一些實施例中，-0· 5%< Δ 2ΜΙΝ <-0· 275 %。例如，Aara 可以是-0· 29%,-0. 3%,-0. 35%,-0. 38%。例如，Δ2ΜΙΝ 可以是-0· 29%,-0. 3%,-0. 35%,-0. 38%,-0.4%, -0. 47%,-0. 5%或它們之間的任何數字。應該注意，半徑巧被定義成對應於A^r = ZJym)與Δ2ΜΙΝ2間的中點值。gp，ri 是使Δ (r) = [ Δ i (r = 2. 5 μ m) + Δ 2ΜΙΝ] /2的半徑。類似地，半徑r2被定義成對應於Δ 2ΜΙΝ與八3之間的中點，即巧是使Δ (r) = [Δ2ΜΙΝ+Δ3]/2的半徑。在一些實施例中，比例r2/ 巧在2至6之間。較佳地，比例2. 1 ( XjXl ( 5. 75，例如2. 15 ( ( 5. 7。較佳地， r2 ^ 30 μ m，例如14 μ m彡r2彡29 μ m。對於給定的Δ 2和Δ 3，如果比例Γ2/Γι較小(例如由於T1較大)，MFD變大，λ。變小，並且1550nm處的色散D變大。如果比例IyV1過大，MFD 可能變得過小，λ ^運動到較高波長，並且1550nm處的色散D可能變小。包層20圍繞纖芯12並具有相對於純二氧化矽以百分比測量的相對摺射率百分比 Ac(r)，並且 Ac(r) = Δ2ΜΙΝ士0. 3%。在一些示例性實施例中，纖芯12和包層20包括作為下摻雜劑的FL。在這些實施例中，FL在第一和第二環形芯區域16和18中的量大於中芯區域14中氟的量。在一些示例性實施例中，纖芯12還包括至少一種鹼金屬氧化物摻雜劑，例如K、Na、Li、Cs和Rb。在一些示例性實施例中，纖芯12包含重量20ppm至IOOOppm的量的K20。光纖10還可以包括氯。較佳地，氯的量在纖芯12中大於500ppm重量，並且在包層20中大於IOOOOppm重量。 應該注意，除非另行指出，「ppm」是指重量百萬分率或ppm重量，並且以wt %的測量可以通過乘以因子10000轉換成ppm。光纖10的相對摺射率分布被選擇成提供在1550nm波長λ處不大於0. 175dB/km 的衰減，例如在1550nm波長λ處0. 145dB/km到0. 175dB/km的衰減。衰減值在1550nm波長 λ 處可以是例如 0. 15dB/km、0. 155dB/km、0. 16dB/km、0. 165dB/km、0. 165dB/km 或 0. 17dB/ km ο示例本發明通過以下示例將更清楚。表1-2列出了一組說明性光纖實施例的示例1-15的特性。圖2-16示出分別對應於示例1-15的折射率分布。在示例1-15的光纖實施例中，Δ。= 0 ；-0. 065%^ A1^ =2. 5 μ m) ^ 0 %, -0. 065 % ^ Δ lmax 彡 0. %, -0. 5 % ^ Δ2ΜΙΝ 彡-0. 275 %, -0. 4 % 彡Δ 3彡-0· 2 %，以及r2/ri為2· 17彡Γ2/Γι彡5· 7並且r2 < 30。然而，應該理解，在其他實施例中，Δο可以或多或少地大於或小於0% (相對於二氧化矽)，取決於上摻雜劑或下摻雜劑是否出現在中芯區域14中。雖然光纖10的一些實施例具有在12-25之間的α值，但是示例1-9的光纖實施例具有在13-15範圍內的α值。示例10_15的光纖實施例具有約 20的α值。這些示例性光纖的建模分布參數在表IA中匯總。r3的值對應於包層的外直徑，並且在這些示例中，1~3是62. 5μπι。在一些示例性光纖中，Δ2(% ) = Δ3(% )0因此，因為在這些實施例中，環形芯區域16和18之間沒有明顯的折射率變化，r2值被提供成在指定範圍內。表-權利要求
1.一種光波導光纖，包括(i)無Ge纖芯，具有在1550nm波長處90 μ m2至160 μ m2的有效面積，以及 12彡α彡200的α值，所述纖芯包括(a)中芯區域，從中心線徑向向外延伸至半徑A，並且具有相對於純二氧化矽以百分比測量的相對摺射率百分比分布AtlOO,其中-0.1%彡Δ0(Γ)彡0.1，其中所述中芯區域具有最大相對摺射率百分比Δομμ;(b)第一環形芯區域，圍繞並直接鄰近所述中芯區域且延伸至外半徑T1，其中 4. 8 μ m < Γι < 10 μ m，並且具有相對於純二氧化矽以百分比測量的相對摺射率百分比分布 Δ ！ (r)以及最小相對摺射率Δ 2ΜΙΝ，而且在半徑r = 2. 5 μ m處測量的相對摺射率為-0. 15 彡 Δ ！ (r = 2. 5 μ m)彡 0 並且 Δ 0MAX 彡 Δ 丄(r = 2. 5 μ m)；(c)摻氟的第二環形區域，圍繞並直接鄰近所述第一環形芯區域且延伸至半徑 13 μ m < r2 < 30 μ m，並且具有相對於純二氧化矽以百分比測量的負相對摺射率百分比分布 Δ 2(r),其中最小相對摺射率百分比八_為Δ2ΜΙΝ < Δ ！ (r = 2. 5 μ m)並且 _0· 7%^ Δ2ΜΙΝ 彡-0. 28% ；( )包層，圍繞纖芯並具有相對於純二氧化矽以百分比測量的相對摺射率百分比 Δ3(ι·)，並且 Δ3(γ)彡 Δ·Ν和 / 或 Δ3(Γ) = Δ2ΜΙΝ士0. 3% ；其中光纖的相對摺射率分布被選擇成在1550nm波長處提供不大於0. 175dB/km的衰減。
2.如權利要求1所述的光波導光纖，其特徵在於，所述中芯區域的至少一部分由純二氧化矽製成。
3.如權利要求1所述的光波導光纖，其特徵在於，-0.5%<Δ2ΜΙΝ < -0. 25%。
4.如權利要求1所述的光波導光纖，其特徵在於，-0.AJr = 2. 5) < 0%。
5.如權利要求1所述的光波導光纖，其特徵在於，Δ。=。；^ 1^彡A1^= 2. 5 μ m)彡 0%,-0. 5%^ Δ2ΜΙΝ 彡-0. 21%, γJy1 為 2. 17 彡 IyV1 彡 5. 7，且1~2 彡 2. 6。
6.如權利要求1所述的光波導光纖，其特徵在於，所述光纖由1550nm波長處的色散D 表徵，並且18彡D彡25ps/nm/km。
7.如權利要求1所述的光波導光纖，其特徵在於，所述光纖由1550nm波長處的色散D 表徵,並且19彡D彡23ps/nm/km。
8.如權利要求1所述的光波導光纖，其特徵在於，所述光纖由零色散波長Xci表徵，並且 1245nm 彡入 0 彡 1290nm。
9.如權利要求1所述的光波導光纖，其特徵在於，對於20nm直徑心軸上20匝，所述光纖在1550nm處具有小於10dB/m的宏彎曲損耗。
10.如權利要求1所述的光波導光纖，其特徵在於，所述氟摻雜第二環形區域具有 0. 01% 胃1%至 1. 6wt%的氟。
11.如權利要求1所述的光波導光纖，其特徵在於(i)所述無Ge纖芯具有在IOOym2 與160 μ m2之間的有效面積；並且(ii)氟摻雜第二環形區域具有0. (^^襯^至^襯^的風ο
12.如權利要求1所述的光波導光纖，其特徵在於，所述光纖在所述纖芯中具有大於500ppm的氯，並且在所述包層中具有大於IOOOOppm的氯。
13.如以上權利要求中任一項所述的光波導光纖，其特徵在於(i)所述纖芯在1550nm波長處具有在100 μ m2與160 μ m2之間的有效面積，Δ。= 0， α 值為 12 彡 α 彡 25，並且Oym 彡 r。彡 2 μ m ;_0· 07%^ Δ 丄(r = 2. 5 μ m)彡 0%,-0. 5% (Δ 2MIN ( -0· 27 %，Γ2/Γι 為 2· 17 彡 Γ2/Γι 彡 5· 7，並且 r2 ^ 2. 6 ；( )所述包層圍繞所述纖芯並具有相對於純二氧化矽以百分比測量的相對摺射率百分比 Δ3(Γ)，並且 Δ3(γ) = Δ2ΜΙΝ士0.3% ；其中所述光纖的相對摺射率分布被選擇成在1550nm處提供在0. 15dB/km與0. 175dB/ km之間的衰減，其中所述光波導光纖具有在1550nm處18ps/nm/km彡D彡25ps/nm/km的色散D，1245nm 『 \1290nm，以及對20mm直徑心軸上20匝在1550nm處小於10dB/m的宏彎曲損耗。
14.如權利要求1或13所述的光波導光纖，其特徵在於，(i)所述摻氟的第二環形區域具有0.01%至1.6Wt%的氟，且(ii)所述光纖在所述纖芯中具有大於500ppm的氯以及 (iii)在所述包層中大於IOOOOppm的氯。
15.如權利要求1、13或14所述的光波導光纖，其特徵在於，所述光纖具有Aeff> IlOym2的有效面積。
16.如權利要求1、13或16所述的光波導光纖，其特徵在於，所述光纖具有AefT> 100 μ m2的有效面積，並且所述光纖的相對摺射率分布被構造成在1550nm波長處提供不大於0. 16dB/km的衰減。
17.如權利要求16所述的光波導光纖，其特徵在於，所述光纖的相對摺射率分布被構造成在1550nm波長處提供不大於0. 155dB/km的衰減。
18.如權利要求1、13、16或17所述的光波導光纖，其特徵在於，所述光纖具有小於 1520nm的光纜截止波長。
19.如權利要求18所述的光波導光纖，其特徵在於，所述光纜截止波長不大於1450nm。
20.如權利要求1、13、16或17所述的光波導光纖，其特徵在於，所述光纖具有Aeff> 120 μ m2的有效面積，並且所述光纖的相對摺射率分布被構造成提供不高於21pS/nm/km的色散。
21.如權利要求1、13、16或17所述的光波導光纖，其特徵在於，所述纖芯的至少一部分包括鹼金屬。
22.如權利要求21所述的光波導光纖，其特徵在於，所述鹼金屬包括Na、K或Rb。
23.如權利要求22所述的光波導光纖，其特徵在於，所述鹼金屬包括在20ppm至 IOOOppm重量範圍內的K。
24.如權利要求四所述的光波導光纖，其特徵在於，所述鹼金屬包括在20ppm至 IOOOppm重量範圍內的K。
25.如權利要求1、13、16、17、21、22或23所述的光波導光纖，其特徵在於，所述光纖還包括(i)具有小於1. OMpa的楊氏模量的主塗層；( )具有大於1200Mpa的楊氏模量的副塗層；以及其中所述光纖具有大於115 μ m2的有效面積。
26.如權利要求1、13、16、17或25所述的光波導光纖，其特徵在於，所述光纖具有在 1550nm波長處不大於21ps/nm/km的色散D。
27.如權利要求沈所述的光波導光纖，其特徵在於，所述光纖具有在1550nm波長處不大於20ps/nm/km的色散D。
全文摘要
一種光波導光纖，包括(i)無Ge纖芯，具有在1550nm波長處90μm2至160μm2的有效面積，以及12≤α≤25的α值，所述纖芯包括(a)中芯區域，從中心線徑向向外延伸至半徑0μm≤r0≤2μm，並且具有相對於純二氧化矽以百分比測量的相對摺射率百分比分布Δ0(r)，其中-0.1％≤Δ0(r)≤0.1，其中中芯區域具有最大相對摺射率百分比Δ0MAX；(b)第一環形芯區域，圍繞並直接鄰近所述中芯區域且延伸至外半徑r1，其中4.8μm≤r1≤10μm，並且具有相對於純二氧化矽以百分比測量的相對摺射率百分比分布Δ1(r)以及最小相對摺射率Δ2MIN，而且在半徑r＝2.5μm處測量的相對摺射率為-0.15≤Δ1(r＝2.5μm)≤0並且Δ0MAX≥Δ1(r＝2.5μm)；(c)摻氟的第二環行區域，圍繞並直接鄰近第一環形芯區域而且延伸至半徑13μm≤r2≤30μm，並且具有相對於純二氧化矽測量以百分比計的負相對摺射率百分比分布，其中最小相對摺射率百分比Δ2MIN為Δ2MIN＜Δ1(r＝2.5μm)並且-0.7％≤Δ2MIN≤-0.28％；(ii)包層，圍繞纖芯並具有相對於純二氧化矽以百分比測量的相對摺射率百分比Δc(r)，並且Δc(r)＝Δ2MIN±0.3％；其中光纖的相對摺射率分布被選擇成在1550nm波長處提供不大於0.175dB/km的衰減。
文檔編號G02B6/028GK102301262SQ201080006412
公開日2011年12月28日 申請日期2010年1月29日 優先權日2009年1月30日
發明者S·K·米斯拉 申請人:康寧股份有限公司