電解銅箔及其製造方法
2023-07-07 02:07:56
專利名稱：電解銅箔及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種電解銅箔，特別是涉及一種適於電子線路基板用材料的電解銅箔及其製造方法。
背景技術：
眾所周知，電解銅箔是通過應用了鍍覆技術的如下所述的方法製造的。S卩，將由硫酸與硫酸銅構成的水溶液作為電解液，將該電解液填滿作為陰極的圓筒形鈦制滾筒和作為陽極的不溶性陽極之間，在兩極間流通直流電流，由此，使銅在陰極表面上析出。此時，陰極滾筒以一定速度進行旋轉，析出的電解銅從滾筒表面剝離並被連續地捲起。此外，對於本領域技術人員而言，將剝下的銅箔的與滾筒相接的面稱為「光澤面」，將與此相反的面稱為「粗糙面」，將該電解銅箔稱為「未處理電解銅箔」。此外，通常，在將未處理電解銅箔應用於電子線路基板用途時，以提高與樹脂的粘著性、賦予耐藥品性和防鏽性等為目的，施行了各種表面處理，對於本領域技術人員而言， 將經過所述各種表面處理工序的電解銅箔稱為「處理電解銅箔」。近年來，伴隨著以移動通信儀器所代表的電子儀器的小型、高集成化進而高頻化， 在作為電解銅箔主要用途的電子線路基板中，已有各種各樣的問題產生。從作為絕緣材料基材的柔軟性的觀點出發，電子線路基板大致區分為無柔軟性的剛性布線基板與有柔軟性的柔性布線基板，另外，若包括將這兩種進行複合而成的剛柔性布線基板在內，則大體分類為三種。屬於前述柔性布線基板的工藝的TAB(卷帶式自動接合=Tape AutomatedBonding)工藝，是一種將IC晶片連接於施以銅布線的帶狀膜片上而進行自動連接的電子線路基板的製造方法，由於是將IC晶片直接安裝於由帶狀聚醯亞胺形成的如同照片膜片的「TAB帶」，所以能夠高速且大量地生產電子線路基板。TAB工藝的特徵在於，搭載IC晶片於被稱為「元件孔(Device Hole) 」的膜片上被打穿的部分，在該元件孔的周圍，通過蝕刻形成的微細的被稱為「飛線(flying lead)」的銅布線顯露出來，IC晶片與該飛線相連接。最近，該飛線部分的電路寬度微細化至20 μ m,因此，通過IC晶片搭載時的焊接工序以及電路形成時的蝕刻噴射壓會引起飛線部產生變形，這將會導致不良率上升。作為解決前述問題的方法，在後述的專利文獻1中公開了一種高抗拉強度銅箔是有效的，該高抗拉強度銅箔，其特徵在於，銅箔的粗糙面粗糙度Rz是2. 5μπι以下，在180°C 烘爐中加熱1小時後的抗拉強度是40kgf/mm2 (392MPa)以上，並且，相對於由X射線衍射檢測的電解銅箔粗糙面的銅結晶的(111)面、(200)面、Q20)面和(311)面的峰的X射線強度是無序取向(晶面的表記方法依照該專利公報的表記)。此外，在後述的專利文獻2中公開了一種電解銅箔，該電解銅箔的銅的析出粒子微細且其粒徑偏差前所未有的小，該電解銅箔具備低輪廓且有光澤的粗糙面，並且，常態拉伸強度的值是70 IOOkgf/mm2(686 980MPa)，具有非常大的機械強度，即使進行加熱(180°c X60分鐘)後，也能保持常態拉伸強度值的85%以上的拉伸強度值，因此，作為TAB 用電解銅箔是有效的。此外，在後述的專利文獻3中公開了一種低粗糙面電解銅箔，其作為TAB用電解銅箔是有效的，其中，電解銅箔的粗糙面粗糙度Rz是2. 5 μ m以下，從電沉積結束時刻開始20 分鐘以內所檢測的抗拉強度是820MPa以上，另外，從電沉積該銅箔結束時刻開始在100°C 下加熱處理10分鐘後檢測的抗拉強度，相對於未熱處理的該銅箔在25°C下檢測的抗拉強度的下降率是10%以下。如此，對於本領域技術人員而言，已知一種電解銅箔作為TAB用電解銅箔是有效的，該電解銅箔是低粗糙面並且具有優良的熱穩定性(即使在假定與聚醯亞胺膜片進行層疊時的熱歷程(thermal history)而進行加熱後，也能夠保持高抗拉強度)。因此，可以說，在TAB工藝中，對於施以微細布線化的飛線部，提高電解銅箔的抗拉強度是有效的方案。此外，在後述的專利文獻4中公開了一種電解銅箔的製造方法，其中，在電解液中，在添加硫脲以及聚乙二醇等的有機物質的同時，保持該電解液中的氯離子濃度低於 lppm，由此獲得抗拉強度高、熱穩定性優良的電解銅箔。另外，作為TAB用電解銅箔，在高抗拉強度以外還涉及鍍錫性的優劣。S卩，通常，對於TAB用電解銅箔，鍍錫是作為用以保護焊錫附著性的表面處理而進行的，但是，當對銅進行鍍錫時，存在被稱作「結瘤(nodule)」或「晶須(whisker)」的鍍覆面異常、或在銅-錫界面上的銅原子向錫層劇烈擴散所引發的柯肯達爾孔洞(Kirkendall void)等特有的異常問題。這種鍍錫面異常，會成為引起微細布線電路間的短路、以及鍍覆面剝離等缺陷的事故原因。本來，對於本領域技術人員而言，作為鍍錫面異常問題的對策，就已採用Sn-Pb合金鍍代替只用錫的鍍覆克服了該問題。但是，目前的狀況是，近年來，從防止向環境排放鉛的觀點出發，對於使用含鉛的 Sn-Pb合金鍍被敬而遠之，而專門施行只用錫的無電解鍍覆，並且，對於因採用Sn-Pb合金鍍而平息化的晶須、柯肯達爾孔洞等異常問題再次引起了人們的關注。因此，對於TAB用電解銅箔有如下要求(1)有高抗拉強度；(2)另外，為了對應於相同於近來的電子線路用基板中所要求的精細線、精細圖案化，要求是薄箔，並且粗糙面是低粗糙面；C3)另外，從確保可靠性的觀點出發，要求難以發生鍍錫面異常。根據本發明人的見解已經明確所獲得的電解銅箔(是微細結晶組織並且該結晶組織有隨機的方位取向性)，具有高抗拉強度並且是低粗糙面，因此，滿足前述(1)、(2)的要求，但易於發生鍍錫剝離。該鍍錫剝離現象，即使是隨機方位取向性，在抗拉強度低時也不發生。雖然尚未明確該現象的詳細情況，但本發明人推測其與銅結晶粒的大小有關。本發明人針對後述的既有文獻1 4中所述的各種電解銅箔進行了研究，結果是全部結晶組織表現出隨機的方位取向性並且抗拉強度高，當在這些電解銅箔上直接施以鍍錫時，易於發生鍍錫層的剝離。在本領域技術人員當中，作為對策考慮施以內部擴散阻擋層的鍍鎳，以避免鍍錫剝離。但是，從製造電解銅箔的觀點出發，施以內部擴散阻擋層的鍍鎳的對策，會導致工序的增加，因此不予優選，並且，當形成前述飛線部時，作為鍍錫預處理，在表面處理電解銅箔的兩表面上會施以軟蝕刻(soft etching)，另外，在通過蝕刻形成的電路旁邊的部分中， 也會顯露出沒有鎳阻擋層的銅箔截面。因此，可以說，即使設置了鎳層，也不會有效地發揮作為鍍錫層的內部擴散阻擋層的功能。本發明人注意到了下述事實，在不是具有隨機的方位取向性的微細結晶粒子的電解銅箔，而是眾所周知的最普通的電解銅箔(粗糙面具有{110}面取向的結晶組織的電解銅箔)的情況下，儘管顯示出40kgf/mm2 (392MPa)以上的高抗拉強度，也沒有發生鍍錫剝離。由此，本發明人認為，雖然是更強地{110}取向的結晶組織並且實現了高抗拉強度和低粗糙面，但是非常適於作為TAB用電解銅箔。對於本領域技術人員而言，顯示出{110}面取向性的結晶組織的電解銅箔，是極其普通的電解銅箔，作為通常的認識，其粗糙面側的表面上形成為山谷形狀並且粗糙面側的粗糙度粗，例如，在後述的非專利文獻1中，當將氯離子與明膠一起添加到硫酸-硫酸銅水溶液中時，氯化物離子選擇性地吸附於(220)面並且促進該面的生長，另一方面，明膠選擇性地吸附於(111)面並且通過抑制析出物的側向生長(lateral growth)，得到銳角金字塔狀的形態，在後述的非專利文獻2中，在硫酸-硫酸銅水溶液中加入了明膠與Cl—的電解銅箔是{110}取向，所形成的Rz值大，表面粗糙度大。現有技術文獻專利文獻專利文獻1 日本特許3346774號專利文獻2 日本特開2008-10U67號
專利文獻3 日本特許4273309號專利文獻4 日本特開平7-188969號非專利文獻非專利文獻1 小浦延幸等，《表面技術》，Vol. 51，p. 938(2000)非專利文獻2 近藤和夫等，《工l·夕卜口二夕7実裝學會誌》，vol. 6，p. 64(2003)
發明內容
發明要解決的課題鑑於前述各種情況，本發明的技術課題是提供一種電解銅箔，其不發生鍍錫剝離並且具有顯示{110}面結晶取向性的結晶組織，其特徵在於，在粗糙面側上具有未實質上形成有山谷形狀的低粗糙面(具有光澤的平滑粗糙面)，並且抗拉強度高。為了解決上述課題，本發明人重複進行了大量試製、實驗，結果得出了令人刮目相視的發現，獲得了下述電解銅箔，從而完成了該課題。該電解銅箔當非離子性水溶性高分子、活性有機硫化合物的磺酸鹽、硫脲類化合物和氯離子共存於由硫酸-硫酸銅水溶液構成的電解液中時，粗糙面粗糙度是2. 0 μ m以下的低粗糙面，具有由X射線衍射所觀測的粗糙面側的衍射線圖相對強度求得的{110}面的取向指數(orientation index)是5.0以上的結晶組織，在180°C加熱1小時後的抗拉強度是500MPa以上的高抗拉強度。課題的解決方法前述技術課題，能夠通過如下所述的本發明予以解決。
S卩，本發明的電解銅箔，其特徵在於，粗糙面粗糙度Rz是2. 0 μ m以下，具有由通過 X射線衍射檢測的粗糙面側的220銅衍射線相對強度求得的取向指數為5. 0以上的結晶組織。此外，本發明的電解銅箔，其特徵在於，在180°C加熱1小時後的抗拉強度是 500MPa 以上。另外，本發明的電解銅箔的製造方法，其中，將硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液， 採用由鈦構成的不溶性陽極和與該陽極相對的鈦制陰極滾筒，在該兩極間流通直流電流， 並且，上述不溶性陽極通過鉬族元素或其氧化物包覆，其特徵在於，使非離子性水溶性高分子、活性有機硫化合物的磺酸鹽、硫脲類化合物和氯離子存在於前述電解液中，由此，獲得一種電解銅箔，其粗糙面粗糙度是2. 0 μ m以下，具有由通過X射線衍射檢測的粗糙面側的 220銅衍射線相對強度求得的取向指數是5. 0以上的結晶組織，其在180°C加熱1小時後的抗拉強度是500MPa以上。發明的效果基於本發明，通過使非離子性水溶性高分子、活性有機硫化合物的磺酸鹽、硫脲類化合物和氯離子共存於由硫酸-硫酸銅水溶液構成的電解液中，由此，能夠製造一種電解銅箔(未處理銅箔)，其粗糙面粗糙度是2. 0 μ m以下，具有由通過X射線衍射檢測的粗糙面側的220銅衍射線相對強度的取向指數是5. 0以上的結晶組織，在180°C下加熱1小時後的抗拉強度顯示為500MPa以上，不發生鍍錫剝離，該電解銅箔適於作為TAB用表面處理銅箔材料。因此，可以說本發明具有非常高的工業實用性。
圖1是針對實施例1所得到的電解銅箔從粗糙面以掃描角度為2 θ = 40 100° 進行掃描時的X射線衍射圖。圖2是針對比較例1所得到的電解銅箔從粗糙面以掃描角度為2 θ = 40 100° 進行掃描時的X射線衍射圖。
具體實施例方式下面，針對本發明的實施方式進行說明。首先，本發明中，添加於由硫酸-硫酸銅水溶液構成的電解液中的添加劑，是非離子性水溶性高分子、活性有機硫化合物的磺酸鹽、硫脲類化合物和氯離子。其中，非離子性有機化合物和硫脲類化合物的組合起到重要的作用，尤其是，硫脲類化合物在電解液中的存在是重要的，對於目的物的粗糙面粗糙度、抗拉強度自不必說，還對本發明人最重視的晶體取向性產生大的影響。本發明中的非離子性水溶性高分子化合物，能夠選擇聚甘油、乙炔二醇、羥乙基纖維素等。這些非離子性水溶性高分子，優選按5 40mg/L的範圍添加於電解液中，更優選按10 20mg/L的範圍。當濃度低於5mg/L時，即使加入活性有機硫化合物的磺酸鹽，也不會使粗糙面側低粗糙度化(光澤化)。即使添加超過40mg/L的量，也沒有表現出物理性質、 粗糙面側外觀的變化，保持於如此高濃度是不經濟的。此外，這些非離子性水溶性高分子化合物，只要是處於前述濃度範圍內，可單獨使用或者組合兩種以上使用。本發明中的活性有機硫化合物，可以舉出3-巰基-1-丙磺酸鈉(MPS)、雙(3-磺丙基)二硫化鈉(匕^ (3- ^ ^ '於、口 O ) i/幻V 7 4卜■、於卜丨J々A )等，優選按2. 0 40mg/L的範圍添加於電解液中，更優選按5 10mg/L的範圍。當該濃度低於2. Omg/L時， 不會形成充分的低粗糙度化(光澤化)，若超過120mg/L，則會使以最適濃度範圍進行低粗糙度化(光澤化)的粗糙面側失去光澤，粗糙度上升。本發明中的硫脲類化合物，可以舉出硫脲、亞乙基硫脲、N, N' - 二乙基硫脲、N， N' - 二丁基硫脲、三甲基硫脲等，將這些單獨或組合兩種以上添加於電解液中。這些化合物，優選按0. 5 7. Omg/L的範圍添加於電解液中，更優選按1. O 3. Omg/L的範圍。當添加量低於0.5mg/L時，雖然有低粗糙度化(光澤化)的提高，但是在180°C下1小時後檢測的抗拉強度，小於450MPa，並且，從粗糙面側觀測的銅110衍射線強度來求出的取向指數低於5. 0，並且，顯示出隨機的取向性。當超過7. Omg/L添加量時，取向指數再次低於5. 0，並且，顯示出隨機取向性，粗糙面的粗糙度上升、光澤減少。進而，若增加硫脲類化合物的添加量，則在銅箔粗糙面上產生粉狀析出，形成為鍍覆中所謂的「焦糊」狀態。本發明中的氯離子的存在是重要的，為了使全部前述各添加劑在前述各適宜濃度範圍中有效地發揮作用，需要存在氯離子。電解液中的氯離子濃度優選控制在20mg/L 70mg/L的範圍，更優選為40 60mg/L。當低於20mg/L時，晶體取向變得隨機，在180°C加熱1小時後的抗拉強度也不能保持於450MPa以上而軟化。當氯離子濃度超過70mg/L時， 顯示出粗糙面的粗糙度變粗的傾向，為了對此進行控制，需要提高活性有機硫化合物的磺酸鹽、硫脲類化合物的濃度，因此是不經濟的。對於氯離子源，可使用鹽酸。在本發明中，將前述非離子性水溶性高分子、活性有機硫化合物的磺酸鹽、硫脲類化合物和氯離子分別調整為前述各適宜範圍後添加於由硫酸-硫酸銅水溶液構成的電解液中，將該電解液供給於不溶性陽極(由鉬族氧化物包覆)和作為陰極的鈦制陰極滾筒之間，在電解液溫度是35 60°C、電解電流密度是20 80A/dm2的電解條件下，進行直流電解，由此，能夠獲得目標電解銅箔。本發明的電解銅箔，不僅有TAB用途，而且，只要施以眾所周知的粗糙化處理等的表面處理來形成處理電解銅箔，就能夠作為具有高抗拉強度的印刷布線板用材料而廣泛使用。實施例實施例1製備出由100g/L的硫酸(H2SO4)和^0g/L的五水硫酸銅(CuSO4 ·5Η20)形成的硫酸-硫酸銅水溶液(下稱該電解液為「基本電解液」)。作為添加劑，將聚甘油(商品名聚甘油；商品編號=PGL-X^ 4 -fc >化學工業株式會社製造)、3_巰基-1-丙磺酸鈉、N，N-二乙基硫脲(商品名寸 ，一 EUR;三新化學工業製造)和鹽酸添加於基本電解液中，並且相對於基本電解液，將濃度調整為聚甘油是 30mg/L、3-巰基-1-丙磺酸鈉是5mg/L、N, N- 二乙基硫脲是1. 5mg/L、氯離子是35mg/L (參照後述的表1)。將含有前述各添加劑的電解液，供給於由鈦構成的不溶性陽極(鉬族氧化物包覆)和作為陰極的鈦制陰極滾筒之間，以電解電流密度是40A/dm2、電解液溫度是40°C的電解條件進行電解，獲得厚度是18 μ m的未處理電解銅箔。針對所得到的電解銅箔(未處理銅箔)，進行以下各評價試驗。(1)機械特性評價基於IPC-TM-650，採用^ > r ^ ^社製造的IM20型拉伸試驗機，進行抗拉強度 (MPa)和延伸率(％ )的評價。此外，為了評價抗拉強度的熱穩定性，採用空氣烘爐在180°C 加熱熱處理1小時，然後進行用於評價銅箔的拉伸試驗檢測。(2)表面的粗糙度評價試驗對於粗糙面的表面粗糙度，採用小坂研究所製造的寸一 7 二一夕'一 SE-1700 α，檢測了 JIS Β0601-1994所規定的十點平均粗糙度(Rz)。(3)鍍錫性評價試驗按照通常的方法，對所得到的未處理電解銅箔進行無電解鍍錫，通過下述試驗方法評價鍍覆層的剝離。首先，將評價銅箔切成20mmX50mm作為試驗片，對其進行180°C加熱熱處理1小時。接下來，製作出硫酸調整為100mL/L、雙氧水調整為25mL/L的軟蝕刻水溶液，在保持於 250C的該水溶液中，浸漬試驗片1分鐘。在浸漬1分鐘後，直接從水溶液拉出，採用離子交換水進行水洗。接下來，在硫酸是55mL/L、25°C的水溶液中浸漬1分鐘，從該水溶液拉出再次採用離子交換水進行水洗。接下來，將該試驗片浸漬於液溫保持在65°C的π — A 7 > F^ 一 7製造的TINPOSIT LT-34(商品名)無電解鍍錫液中3分鐘，經過規定的鍍覆時間之後， 將試驗片從無電解鍍錫液中拉出，採用離子交換水進行水洗後予以風乾。將通過如此操作製作出的鍍錫試驗片，在設定為150°C的空氣烘爐中熱處理240分鐘，然後取出到室溫中。接下來，通過玻璃紙粘著帶檢驗，進行鍍錫層的粘附性評價。玻璃紙粘著帶檢驗，是採用JIS Z 1522所規定的寬度為12mm的玻璃紙粘著帶 (No. 252，力* X製造)，以使跨越20mm的長度而不使空氣進入的方式將該玻璃紙粘著帶粘貼於鍍錫試驗片的鍍錫面上，並且，一端不進行粘貼而懸於鍍覆面上。玻璃紙粘著帶在進行粘貼後，放置1 2分鐘。此外，採用雙面粘著帶，將鍍錫試驗片的相對面(未粘貼有玻璃紙粘著帶的面)固定於厚度是3mm的鋁板上。接下來，將懸浮於鍍覆面上的玻璃紙粘著帶的一端，以保持相對於鍍覆面90°的角度，在1秒以內進行剝離。此時，根據玻璃紙粘著帶側上有無剝離鍍錫層，來評價鍍錫性。(4)結晶面取向性評價試驗基於威爾森(Willson)方法求出結晶取向性。威爾森方法是指下述方法以不具有特異取向的銅粉末的衍射線相對強度作為基準，並且，相對於此，基於作為評價對象的電解銅箔的各結晶面發出的衍射線相對強度，以指數表示特異取向面。在此，成為基準的作為無取向銅的X射線衍射線相對強度，採用ASTM卡片4-0836 上記載的數值。另一方面，電解銅箔的評價，是檢測從粗糙面側發出的X射線衍射線強度。採用'J 另々公司製造的RINT2000進行衍射線檢測。檢測條件採用銅靶的X射線管球，管電壓是 40kV，管電流是30mA，掃描角度2 θ是40° 100°，掃描速度是4° /min。
根據威爾森方法，使用按掃描角度2 θ的掃描範圍所觀測的5條銅衍射線(即， 111、200、220、311和222的各衍射線)的相對強度以及前述ASTM卡片4-0836上記載的無取向銅的相對強度，求出取向指數。具體的計算方法，以銅111衍射線為例，如下所述。將電解銅箔的粗糙面側的111衍射線的相對強度I111除以111、200、220、 311和222衍射線的相對強度的合計相對強度所得到的值作為IFm。S卩，IF111 = I111/ (1111 + I200+I220+1311^^222) 0接著，同樣地，從作為無取向銅的ASTM卡片4-0836的相對強度求得IFRm。艮口， IFR111 = IRm/ai^+IR^+II^+IRm+IRm)。並且，111衍射線的取向指數是取向指數m =IFm/IFRmo針對其它衍射線，也進行同樣的操作，由此，在按2 θ =40° 100°的掃描角度引起X射線衍射現象的5個結晶面中，針對作為基板面的電沉積滾筒面，能夠採用取向指數指標進行表記處於最強取向的結晶面。根據前述計算方法還可明確若對於所有的結晶面是無取向的，則由各衍射線求出的取向指數成為1，並且，若特定的結晶面的取向強，則由通過該結晶面衍射產生的衍射線所求得的取向指數顯示為大於1的值。前述(1) (4)的各評價試驗結果，示於後述的表2和表3中。實施例2 5、比較例1 4除了分別將添加劑的種類和相對於基本電解液的濃度以及電解電流密度、以及電解液溫度改變為如後述的表1所示的數據以外，以與實施例1相同的條件獲得厚度為ISym 的電解銅箔。並且，針對所得到的未處理電解銅箔，與實施例1相同地進行各評價試驗。結果示於後述的表2和表3中。圖1表示由實施例1所得到的未處理電解銅箔的粗糙面側的X射線衍射圖，圖2 表示由比較例1所得到的未處理電解銅箔的粗糙面側的X射線衍射圖。由圖1可觀測出220衍射線強度是強的，由此可知，獲得了具有{110}面取向強的結晶組織的銅箔。與此相對，由圖2可觀測出111、200衍射線比220衍射線強，由此可知， 不存在取向強的結晶面。表 1
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權利要求
1.一種電解銅箔，其特徵在於，粗糙面粗糙度Rz是2. 0 μ m以下，並且具有由通過X射線衍射檢測的粗糙面側的220銅衍射線相對強度求得的取向指數是5. 0以上的結晶組織。
2.如權利要求1所述的電解銅箔，其特徵在於，在180°C加熱1小時後的抗拉強度是 500MPa 以上。
3.一種電解銅箔的製造方法，其中，將硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液，採用由鈦構成的不溶性陽極和與該陽極相對的鈦制陰極滾筒，在該兩極間流通直流電流，並且，上述不溶性陽極通過鉬族元素或其氧化物包覆，其特徵在於，使非離子性水溶性高分子、活性有機硫化合物的磺酸鹽、硫脲類化合物和氯離子存在於前述電解液中，由此，獲得下述電解銅箔 粗糙面粗糙度是2. 0 μ m以下，具有由通過X射線衍射檢測的粗糙面側的220銅衍射線相對強度求得的取向指數是5. 0以上的結晶組織，在180°C加熱1小時後的抗拉強度是500MPa 以上。
全文摘要
一種適宜作為TAB工藝使用的電解銅箔材料的電解銅箔，具有在粗糙面側上未實質上形成有山谷形狀的低粗糙面，並且具備高抗拉強度，不產生鍍錫剝離。本發明的電解銅箔的製造方法，是將硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液，採用由鈦構成的不溶性陽極和與該陽極相對的鈦制陰極滾筒，在兩極間流通直流電流，不溶性陽極被鉑族元素或其氧化物包覆，其中，使非離子性水溶性高分子、活性有機硫化合物的磺酸鹽、硫脲類化合物和氯離子存在於前述電解液中，獲得下述電解銅箔粗糙面粗糙度2.0μm以下，具有由通過X射線衍射檢測的粗糙面側的220銅衍射線相對強度求得的取向指數5.0以上的結晶組織，在180℃加熱1小時後的抗拉強度是500MPa以上。
文檔編號C25D1/04GK102168289SQ20111004408
公開日2011年8月31日 申請日期2011年2月21日 優先權日2010年2月25日
發明者佐野恭司, 岡本健, 真鍋久德, 赤嶺尚志 申請人:福田金屬箔粉工業株式會社