一種微機械石英音叉陀螺敏感結構加工方法

2023-07-07 02:47:46 1

專利名稱：一種微機械石英音叉陀螺敏感結構加工方法
技術領域：
本發明涉及石英音叉陀螺加工領域，具體涉及一種微機械石英音叉陀螺敏感結 構加工方法。
背景技術：
石英音叉陀螺是一種微機械陀螺，具有體積小、成本低、可靠性高、抗環境幹 擾能力強等特點，其性能可達到中等精度，能夠滿足大量戰術武器的要求，在很多民用 領域也有廣泛的應用前景。石英音叉是石英陀螺的敏感元件，基本工作原理是基於石英晶體的壓電效應以 及哥氏力振動效應，在驅動力的作用下，驅動叉指沿驅動軸方向產生頻率穩定和幅值恆 定的持續振動，當陀螺殼體存在一個繞輸入軸的角速率輸入時，根據哥氏力原理，此時 在驅動叉指上會產生一個大小與輸入角速率成正比、方向與驅動軸和輸入軸兩兩正交且 符合右手定則的哥氏力，哥氏力通過音叉的框架結構耦合到檢測叉指，檢測叉指產生的 位移通過壓電效應產生出電荷信號，經外電路檢測並放大後用驅動信號解調，即可得到 輸入的角速率信號。為提高石英音叉陀螺的綜合性能，通常採用H形石英音叉結構，如圖1所示。 圖IA所示的為H形音叉三維石英結構、圖IB所示的為在H形音叉三維石英結構上布置 電極20及金平衡質量塊30後的結構圖，其中H形音叉三維石英結構包括驅動叉指11、 檢測叉指12，撓性支撐梁13、固定部位14，電極20包括驅動電極21和檢測電極22。 為提高驅動和檢測效率，驅動叉指11和檢測叉指12設計成變截面斜梁叉指的結構形式。 為隔離或抵消外界振動幹擾並提高靈敏度，音叉驅動叉指11、檢測叉指12與固定部位14 通過減薄的撓性支撐梁13連接，其厚度通常是音叉整體厚度的1/5 1/3。為了微調石 英音叉的機械耦合、工作頻率等參數，從而提高陀螺的綜合性能，在驅動叉指11和檢測 叉指12的端部表面都設置了金(Au)平衡質量塊30，通過雷射燒蝕的方式局部去除金材 料，可以微調音叉的質量及質心分布。為激勵音叉產生驅動振動，音叉的驅動電極設置 成如圖IC中所示的形式，其中左驅動上表面電極210a、左驅動下表面電極211a、右驅動 左側面電極212b、右驅動右側面電極213b需要通過左下支撐表面引線224c連接至音叉 固定部位14;同樣右驅動上表面電極210b、右驅動下表面電極211b、左驅動左側面電極 212a、左驅動右側面電極213a需要通過右下支撐表面引線224d連接至音叉固定部位14。 為檢測出哥氏力產生的敏感電荷，音叉的檢測電極22設置成圖ID中所示形式，其中左檢 測左上側面電極220a、左檢測右下側面電極223a、右檢測左下側面電極222b、右檢測右 上側面電極221b需要通過左上支撐表面引線224a連接至音叉固定部位14 ；同樣右檢測 左上側面電極220b、右檢測右下側面電極223b、左檢測左下側面電極222a、左檢測右上 側面電極221a需要通過右上支撐表面引線224b連接至音叉固定部位14。音叉的典型特徵尺寸為H形音叉三維石英結構的的整體厚度為200 450 μ m、撓性支撐13厚度為60 150 μ m，驅動叉指11及檢測叉指12的寬度為50 700 μ m，驅動電極21距驅動叉指11邊緣最小為10 μ m，右檢測左上側面電極220b與右 檢測左下側面電極222b之間的間距50 80 μ m，金平衡質量塊30的厚度5 15 μ m。石英音叉通常採用基於微電子工藝的清洗、鍍膜、光刻、化學腐蝕等基本微細 加工方法加工。在常規的直梁石英音叉或U形音叉中，通常採用金屬掩膜或多層掩膜、 光刻、化學腐蝕方法加工出三維石英結構後，再採用遮擋鍍膜或鍍膜後光刻的方法加工 電極圖形，這種加工方法很難實現本發明中的H形音叉加工。例如在國防科學技術大 學申請的專利「基於剪應力檢測的石英微機械陀螺及其製作方法」(中國專利，專利號 CN101363731A)中，採用了金屬掩膜、化學腐蝕方法加工出石英結構後，再通過掩模蒸 鍍方式製備電極；在日本珠式會社大真空申請的專利「腐蝕方法和腐蝕成形品、壓電振 動器件及其製造方法」(中國專利，專利號CN1933326A)中，採用了多層掩膜、化學腐 蝕方法加工出石英三維結構，然後在石英結構各個面鍍金屬膜，再通過噴膠、光刻方式 製備電極圖形。相對於常規的直梁石英音叉或U形音叉，H形斜梁石英音叉的加工存在如下難點1.高精度三維石英結構加工由於石英晶體材料屬於各向異性材料，石英晶體各個方向的腐蝕速率不同，高 精度三維石英結構腐蝕加工的難點主要在於音叉絕對尺寸精度控制。通常要求音叉的頻率誤差控制在士 IOOHz以內，相應地要求音叉厚度誤差控制 在士0.5μιη以內、平面尺寸精度誤差需要控制在士Iym以內，音叉的平面尺寸誤差與 石英結構腐蝕的補償尺寸有關，而石英結構腐蝕補償需要根據石英晶體各個方向的腐蝕 速率決定。2.高精度三維複雜電極圖形加工根據電極20在音叉三維石英結構中的相對位置，電極20可分為表面電極、側面 電極及電極引線，位於驅動叉指11的上下表面的電極屬於表面電極，位於驅動叉指11及 檢測叉指12側壁表面的電極屬於側面電極，其餘部分屬於電極引線。高精度三維複雜電 極圖形加工的難點主要在於高精度表面電極加工、高精度側面電極加工。高精度表面電極加工的難點具體體現為驅動電極距音叉結構邊緣距離最小值 為ΙΟμιη、與音叉三維石英結構表面的相對位置誤差為要求控制在士Iym之內。高精度側面電極加工的難點具體體現為檢測叉指側面相鄰兩電極，例如，右 檢測左上側面電極220b與右檢測左下側面電極222b之間的間距控制在50 80 μ m之 間，因此右檢測左上側面電極220b和右檢測左下側面電極222b的尺寸精度要求較高，要 求加工誤差控制在士 5 μ m以內。在上述中國專利CN101363731A中，通過掩模蒸鍍方式製備電極掩模與音叉結 構的機械對準固定誤差很難控制在士Iym之內。在上述中國專利CN1933326A中，通過噴膠、光刻的方式加工電極，由於在具 有三維石英結構表面噴膠的均勻性不好，在石英結構表面很難獲得複雜電極圖形，且三 維結構的側面不能進行光刻，在同一側面上不能形成不同極性的側面電極。3.金平衡質量塊精密加工。質量塊的材料通常為金，在音叉的正反面具有6處金平衡質量塊30，厚度誤差要求控制在士 0.5μιη內、厚度均勻性士 5%、表面粗糙度不大於0.1 μ m，與音叉結構的 相對位置誤差要求控制在士 Iym之內，常規的鍍膜或絲網印方式不能滿足精度要求。

發明內容
本發明的目的在於提供一種微機械石英音叉陀螺敏感結構加工方法，能實現高 精度三維石英結構加工音叉厚度誤差控制在士0.5 μ m以內、平面尺寸精度誤差可控制 在士 Iym以內；能實現高精度三維複雜電極圖形加工電極距音叉三維石英結構邊緣 距離可達到為ΙΟμιη、與音叉三維石英結構表面的相對位置誤差可控制在士Iym之內， 在同一側面上可形成不同極性的電極且加工誤差控制在士5μιη以內；能實現質量塊精 密加工質量塊厚度誤差可控制在士0.5 μ m內、厚度均勻性士5%、表面粗糙度不大於 0.1 μ m，與音叉三維石英結構的相對位置誤差可控制在士Iym之內。實現本發明目的的技術方案一種微機械石英音叉陀螺敏感結構加工方法，包括以下步驟第一步，將石英晶片進行化學腐蝕加工拋光，使石英晶片厚度範圍在士0.5 μ m 之間；第二步，在進行化學腐蝕後的石英晶片的正反面依次鍍鍍鉻(Cr)、金(Au)、鉻 (Cr)、金(Au)膜，形成 Cr/Au/Cr/Au 掩膜；第三步，根據音叉結構目標尺寸和石英晶體各個方向的腐蝕速率確定光刻掩膜 版的尺寸，採用光刻的方法形成音叉整體結構的Cr/Au/Cr/Au掩膜圖形、撓性支撐的 Cr/Au/Cr/Au掩膜圖形；第四步，採用光刻方法形成光刻膠掩膜保護音叉Cr/Au/Cr/Au掩膜圖形，然後 依次腐蝕撓性支撐的Au、Cr膜，形成撓性支撐的Cr/Au掩膜圖形；第五步，採用光刻膠作掩膜進行光刻，遮擋不需要鍍金的部位，然後進行電鍍 形成金平衡質量塊；第六步，在具有金平衡質量塊的石英晶片表面上塗均勻的光刻膠，採用光刻方 法形成音叉表面電極的光刻膠圖形；第七步，對經過上述步驟處理的石英晶片進行化學腐蝕，形成音叉結構及撓性 支撐石英結構；第八步，採用光刻膠作掩膜腐蝕音叉結構部位的Au膜和撓性支撐石英結構部位 的Au膜，形成表面電極的Au掩膜圖形及撓性支撐結構表面Cr膜；第九步，採用Au膜作掩膜腐蝕音叉結構部位的&膜和撓性支撐石英結構部位的 Cr膜，形成音叉表面電極Cr/Au掩膜圖形，獲得撓性支撐石英結構；第十步，對經過上述步驟處理的石英晶片進行化學腐蝕，形成撓性支撐結構；第十一步，採用光刻膠作掩膜腐蝕音叉結構部位的Au膜、Cr膜，去除光刻膠， 再腐蝕Au膜、Cr膜，獲得石英音叉Cr/Au表面電極；第十二步，採用遮擋板遮擋住石英音叉不需要鍍膜的部位，採用熱蒸發鍍膜方 式在音叉結構的側面、撓性支撐梁的表面依次鍍Cr膜、Au膜，形成側面電極及撓性支撐 的表面電極引線。如上所述的一種微機械石英音叉陀螺敏感結構加工方法，第五步中，在電鍍金平衡質量塊過程中，進行恆溫加熱、採用勻速橫向擺動、選用精度為0.1mA的脈衝電 源；根據電量控制金質量塊的厚度。如上所述的一種一種微機械石英音叉陀螺敏感結構加工方法，第六步中，石英 晶片表面上塗光刻膠時採用噴膠方式，光刻膠的厚度為2 μ m。如上所述的一種一種微機械石英音叉陀螺敏感結構加工方法，第十步中，採用 Cr/Au作掩膜，同時對音叉結構的側面及撓性支撐的石英結構的表面進行化學腐蝕，獲 得撓性支撐；腐蝕液配比為體積比HF (40%) NH4F(50%) =2:1，腐蝕溫度為80°C 的條件下，腐蝕40分鐘。本發明的效果在於1.實現了高精度三維石英結構加工(1)通過化學腐蝕拋光加工將音叉厚度尺寸精度控制在士0.5 μ m之內；(2)通過針對石英結構不同方向及位置的補償將平面尺寸精度控制在士Iym之 內。2.實現了高精度三維複雜電極圖形加工(1)通過採用Cr/Au/Cr/Au掩膜，在石英三維結構加工工藝流程中嵌入音叉表 面電極光刻加工，將表面電極的尺寸精度及位置精度控制在士Iym之內；(2)通過遮擋板熱蒸發鍍膜的方式將側面電極的尺寸精度控制在士3μιη以內；(3)通過調整三維敏感結構在金屬鍍膜系統的放置位置及角度在同一側面加工除 了不同極性的側面電極。3.實現了金平衡質量塊精密加工通過採用光刻膠做掩膜結合優化的金電鍍工藝，質量塊的厚度誤差控制在 士 0.5μιη內、厚度均勻性士 5%、表面粗糙度不大於0.1 μ m，與音叉結構的相對位置誤 差要求控制在士Iym之內。


圖IA為H形音叉三維石英結構結構示意圖；圖IB為H形音叉三維石英結構上布置電極及金平衡質量塊後的結構示意圖；圖IC為音叉的驅動電極示意圖；圖ID為音叉的檢測電極示意圖；圖2為音叉平面尺寸加工結構補償示意圖；圖3Α 3Κ為實施例中H形石英音叉敏感結構的工藝圖。圖中1.石英晶片；4.ΑΖ4620光刻膠；5.光刻膠；6.Ni金屬遮擋板；11.驅動 叉指；12.檢測叉指；13.撓性支撐；14.固定部位；15音叉結構；16.撓性支撐石英結 構；20.電極；21.驅動電極；22.檢測電極；23.音叉Cr/Au/Cr/Au掩膜圖形；24.撓性 支撐的Cr/Au/Cr/Au掩膜圖形；25.撓性支撐的Cr/Au掩膜圖形；26.表面電極的Au掩 膜圖形；27.撓性支撐結構表面Cr膜；30.金平衡質量塊；120.音叉結構目標尺寸；121. 光刻掩膜版的尺寸；210a.上表面電極；211a.左驅動下表面電極；212b.右驅動左側面電 極；213b.右驅動右側面電極；210b.右驅動上表面電極；211b.右驅動下表面電極；212a. 左驅動左側面電極；213a.左驅動右側面電極；220a.左檢測左上側面電極；223a.左檢測右下側面電極；222b.右檢測左下側面電極；221b.右檢測右上側面電極；220b.右檢測 左上側面電極；223b.右檢測右下側面電極；222a.左檢測左下側面電極；221a.左檢測右 上側面電極；224a.左上支撐表面引線；224b.右上支撐表面引線；224c.左下支撐表面引 線；224d.右下支撐表面引線。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本發明作進一步描述。H形石英音叉為三維石英結構，微加工中通常採用多層掩膜結合光刻及腐蝕工 藝加工三維結構。為了提高金平衡質量塊的加工精度，需要採用金電鍍方式加工金平衡 質量塊，為了提高表面電極的加工精度，在石英結構腐蝕前必須將表面電極圖形通過光 刻工藝轉移到音叉結構表面上，因此在工藝路線中需考慮三維石英結構加工、金平衡質 量塊電鍍加工、以及電極圖形加工的工藝兼容性，合理設計加工工藝步驟。一種微機械石英音叉陀螺敏感結構加工方法，包括如下步驟第一步，將石英晶片進行化學腐蝕加工拋光，使石英晶片厚度範圍在士0.5 μ m 之間選用氫氟酸腐蝕液作為化學腐蝕劑，通過調整氫氟酸腐蝕液的濃度，控制腐蝕溫 度，使其腐蝕速率到達O.lym/min，將厚度403 μ m的石英晶片放入氫氟酸腐蝕液，腐蝕 15分鐘，使石英晶片厚度達到400 μ m。第二步，在進行化學腐蝕後的石英晶片的正反面依次鍍膜，形成Cr/Au/Cr/Au 掩膜。圖3A所示，在進行化學腐蝕後的石英晶片的正反面依次鍍Cr、Au、Cr、Au膜， 形成Cr/Au/Cr/Au掩膜，其中Cr膜的厚度為20 30nm，Au膜的厚度為200 300nm。 其作用一是作為石英晶片腐蝕的掩膜，二是作為音叉的表面電極。第三步，根據音叉結構目標尺寸和石英晶體各個方向的腐蝕速率確定光刻掩膜 版的尺寸，採用光刻的方法形成音叉整體結構的Cr/Au/Cr/Au掩膜圖形、撓性支撐的 Cr/Au/Cr/Au掩膜圖形。如圖2所示，針對檢測叉指12的端部尺寸形狀，進行結構補 償，首先根據音叉結構目標尺寸120，以及石英晶體各個方向的腐蝕速率確定光刻掩膜版 的尺寸121;如圖3B所示，首先在石英晶片1正反Cr/Au/Cr/Au膜的表面塗上一層均勻 的光刻膠，然後曝光、顯影依次腐蝕Au、Cr、Au、Cr獲得音叉Cr/Au/Cr/Au掩膜圖形 23、撓性支撐的Cr/Au/Cr/Au掩膜圖形24。第四步，採用光刻的方法形成撓性支撐的Cr/Au掩膜圖形。如圖3C所示，採 用光刻方法形成光刻膠掩膜保護音叉Cr/Au/Cr/Au掩膜圖形21，然後依次腐蝕撓性支撐 的Au、Cr膜，形成撓性支撐的Cr/Au掩膜圖形25。第五步，採用光刻、電鍍方法形成金平衡質量塊。如圖3D所示，採用美國 AZ4620光刻膠4作掩膜進行光刻，遮擋不需要鍍金的部位，然後進行電鍍。本實施例 中，金平衡質量塊30的厚度為15 μ m，採用光刻膠厚度為18 μ m，確保平衡金質量塊30 的厚度均勻性在士 5%範圍內。電鍍過程中，通過嚴格控制電鍍液的濃度和PH值、在電 鍍過程中進行恆溫加熱、採用勻速橫向擺動、選用精度為0.1mA的脈衝電源提高厚度均 勻性及表面粗糙度；通過對電源電流進行連續測量，並計算電流對時間的積分來計算電 量，根據電量來精確控制金質量塊的厚度。第六步，採用光刻方法形成音叉表面電極的光刻膠圖形。如圖3E所示，在具有金平衡質量塊30的石英晶片表面上塗均勻的光刻膠，為確保光刻膠的均勻性採用噴膠方 式，光刻膠厚度為2 μ m。第七步，對經過上述步驟處理的石英晶片進行化學腐蝕，形成音叉結構及撓性 支撐石英結構。圖3F所示，採用Cr/Au/Cr/Au作掩膜，在體積比HF NH4F = 2 3 的石英腐蝕液配中，其中，氫氟酸溶液的濃度為40%，氟化銨溶液濃度為50%，腐蝕溫 度為80°C的條件下，腐蝕25小時，獲得音叉結構15及撓性支撐石英結構16。第八步，採用光刻膠作掩膜腐蝕音叉結構部位的Au膜和撓性支撐石英結構部位 的Au膜。如圖3G所示，採用光刻膠5作掩膜腐蝕音叉結構15部位的Au膜，同時去除 撓性支撐石英結構部位的Au膜，然後採用光刻膠去膜劑去除表面電極的光刻膠5，形成 表面電極的Au掩膜圖形26及撓性支撐結構表面Cr膜27。第九步，採用Au膜作掩膜腐蝕音叉結構部位的&膜和撓性支撐石英結構部位的 Cr膜，形成音叉表面電極Cr/Au掩膜圖形，獲得撓性支撐石英結構。如圖3H所示，採 用Au膜作掩膜腐蝕音叉結構部位的Cr形成石英表面電極Cr/Au掩膜圖形28，同時去除 了撓性支撐結構表面Cr膜27，露出了石英表面，獲得撓性支撐石英結構。第十步，對經過上述步驟處理的石英晶片進行化學腐蝕，形成撓性支撐結構。 如圖31所示，採用Cr/Au作掩膜，同時對音叉結構15的側面及撓性支撐13的石英結構16 的表面進行化學腐蝕，獲得撓性支撐13。腐蝕液配比為體積比HF NH4F = 2 1，其 中，氫氟酸溶液的濃度為40%，氟化銨溶液濃度為50%。，腐蝕溫度為80°C的條件下， 腐蝕40分鐘。第十一步，採用光刻膠作掩膜腐蝕音叉結構部位的Au膜、Cr膜，去除光刻膠， 再腐蝕Au膜、Cr膜，獲得石英音叉Cr/Au表面電極。如圖3J所示，採用光刻膠5作掩 膜腐蝕音叉結構部位的Au膜、Cr膜，去除光刻膠5後，再腐蝕Au膜、Cr膜，獲得石英 音叉Cr/Au表面電極29。第十二步，採用遮擋板遮擋住石英音叉不需要鍍膜的部位，採用熱蒸發鍍膜方 式在音叉結構的側面、撓性支撐梁的表面依次鍍Cr、Au膜，形成側面電極及撓性支撐的 表面電極引線。如圖3K所示，用金屬遮擋板6遮擋住石英音叉不需要鍍膜的部位，然後 採用熱蒸發鍍膜方式在音叉結構15的側面、撓性支撐梁13的表面依次鍍Cr、Au膜，形 成側面電極及撓性支撐的表面電極引線。顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的 精神和範圍。倘若這些修改和變型屬於本發明權利要求及其等同技術的範圍之內，則本 發明也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求
1.一種微機械石英音叉陀螺敏感結構加工方法，其特徵在於包括以下步驟第一步，將石英晶片進行化學腐蝕加工拋光，使石英晶片厚度範圍在士 0.5μιη之間；第二步，在進行化學腐蝕後的石英晶片的正反面依次鍍鍍鉻(Cr)、金(Au)、鉻 (Cr)、金(Au)膜，形成 Cr/Au/Cr/Au 掩膜；第三步，根據音叉結構目標尺寸和石英晶體各個方向的腐蝕速率確定光刻掩膜版的 尺寸，採用光刻的方法形成音叉整體結構的Cr/Au/Cr/Au掩膜圖形、撓性支撐的Cr/Au/ Cr/Au掩膜圖形；第四步，採用光刻方法形成光刻膠掩膜保護音叉Cr/Au/Cr/Au掩膜圖形，然後依次 腐蝕撓性支撐的Au、Cr膜，形成撓性支撐的Cr/Au掩膜圖形；第五步，採用光刻膠作掩膜進行光刻，遮擋不需要鍍金的部位，然後進行電鍍形成 金平衡質量塊；第六步，在具有金平衡質量塊的石英晶片表面上塗均勻的光刻膠，採用光刻方法形 成音叉表面電極的光刻膠圖形；第七步，對經過上述步驟處理的石英晶片進行化學腐蝕，形成音叉結構及撓性支撐 石英結構；第八步，採用光刻膠作掩膜腐蝕音叉結構部位的Au膜和撓性支撐石英結構部位的 Au膜，形成表面電極的Au掩膜圖形及撓性支撐結構表面&膜；第九步，採用Au膜作掩膜腐蝕音叉結構部位的Cr膜和撓性支撐石英結構部位的Cr 膜，形成音叉表面電極Cr/Au掩膜圖形，獲得撓性支撐石英結構；第十步，對經過上述步驟處理的石英晶片進行化學腐蝕，形成撓性支撐結構； 第十一步，採用光刻膠作掩膜腐蝕音叉結構部位的Au膜、Cr膜，去除光刻膠，再腐 蝕Au膜、Cr膜，獲得石英音叉Cr/Au表面電極；第十二步，採用遮擋板遮擋住石英音叉不需要鍍膜的部位，採用熱蒸發鍍膜方式在 音叉結構的側面、撓性支撐梁的表面依次鍍Cr膜、Au膜，形成側面電極及撓性支撐的表 面電極引線。
2.按照權利要求1所述的一種微機械石英音叉陀螺敏感結構加工方法，其特徵在於 第五步中，在電鍍金平衡質量塊過程中，進行恆溫加熱、採用勻速橫向擺動、選用精度 為0.1mA的脈衝電源；根據電量控制金質量塊的厚度。
3.按照權利要求1所述的一種微機械石英音叉陀螺敏感結構加工方法，其特徵在於 第六步中，石英晶片表面上塗光刻膠時採用噴膠方式，光刻膠的厚度為2μιη。
4.按照權利要求1所述的一種微機械石英音叉陀螺敏感結構加工方法，其特徵在於 第十步中，採用Cr/Au作掩膜，同時對音叉結構的側面及撓性支撐的石英結構的表面進 行化學腐蝕，獲得撓性支撐；腐蝕液配比為體積比HF(40%) NH4F(50%) =2:1， 腐蝕溫度為80°C的條件下，腐蝕40分鐘。
全文摘要
本發明屬於石英音叉陀螺加工領域，具體涉及一種微機械石英音叉陀螺敏感結構加工方法。其特點在於本加工方法能實現高精度三維石英結構加工音叉厚度誤差控制在±0.5μm以內、平面尺寸精度誤差可控制在±1μm以內；能實現高精度三維複雜電極圖形加工電極距音叉三維石英結構邊緣距離可達到為10μm、與音叉三維石英結構表面的相對位置誤差可控制在±1μm之內，在同一側面上可形成不同極性的電極且加工誤差控制在±5μm以內；能實現質量塊精密加工質量塊厚度誤差可控制在±0.5μm內、厚度均勻性±5％、表面粗糙度不大於0.1μm，與音叉三維石英結構的相對位置誤差可控制在±1μm之內。
文檔編號B81C1/00GK102009945SQ20101054009
公開日2011年4月13日 申請日期2010年11月11日 優先權日2010年11月11日
發明者劉大俊, 劉迎春, 唐瓊, 廖興才, 張菁華, 朱建偉, 李佳, 李海燕, 楊軍, 盛潔, 車一卓, 鄭辛 申請人:北京自動化控制設備研究所