光刻裝置和器件製造方法

2023-07-30 16:21:11

專利名稱:光刻裝置和器件製造方法
技術領域：
本發明涉及一種光刻裝置和製造器件的方法。
背景技術：
光刻裝置是將期望的圖案施加到基底上(通常是基底靶部上)的一種裝置。光刻裝置可以用於例如集成電路(IC)的製造。在這種情況下，構圖部件(或者稱為掩模或分劃板)可用於產生形成在IC的一個單獨層上的電路圖案。該圖案可以被轉印到基底(例如矽晶片)的靶部上(例如包括一部分，一個或者多個晶片模(die))。通常這種圖案的轉印是通過成像在塗敷於基底的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般地，單一的基底將包含被相繼構圖的相鄰靶部的網格。已知的光刻裝置包括所謂的步進器，其中通過將整個圖案一次曝光到靶部上而輻射每一靶部，已知的光刻裝置還包括所謂的掃描器，其中通過在輻射光束下沿給定的方向(「掃描」方向)掃描所述圖案並同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底來輻射每一靶部。還可以通過將圖案壓印到基底上把圖案從構圖部件轉印到基底上。
已經有人提議將光刻投影裝置中的基底浸入具有相對高的折射率的液體中，如水中，從而填充投影系統的最末元件和基底之間的空間。由於曝光輻射在該液體中具有更短的波長，從而能夠對更小的特徵進行成像。(液體的作用也可以認為是增大了系統的有效NA並且還增加了焦深)。也有人提議用其它的浸沒液體，包括其中懸浮有固體微粒(如石英)的水。
然而，將基底或基底和基底臺浸沒在液體浴槽中(例如，參見美國專利US4509852，在此將其全文引入作為參考)意味著在掃描曝光過程中必須將大量的液體加速。這需要額外的馬達或功率更大的馬達，並且液體中的紊流可能導致不期望和不可預料的結果。
所提出的一種用於液體供給系統的技術方案是使用液體限制系統，僅在基底的局部區域上以及在投影系統的最末元件和基底(通常該基底具有比投影系統的最末元件更大的表面區域)之間提供液體。在PCT專利申請WO 99/49504中公開了一種已經提出的為該方案而布置的方式，在此將該文獻全文引入作為參考。如圖2和3所示，通過至少一個入口IN將液體提供到基底上，優選地是沿基底相對於該最末元件的移動方向來提供，並且在投影系統下面通過後由至少一個出口OUT去除液體。也就是說，在該元件下方沿-X方向掃描基底，在元件的+X側提供液體，並在-X側吸收液體。圖2示意性地示出了該布置，其中通過入口IN提供液體，並且通過與低壓源相連接的出口OUT在該元件的另一側吸收液體。在圖2的說明中，沿基底相對於該最末元件的移動方向提供液體，但是也可以不必這樣。圍繞該最末元件定位的入口和出口的各種定向和數量都是可能的，在圖3示出的示例中，四組入口和在另一側的出口圍繞該最末元件設置成一種規則圖案。
圖4示出了另一種具有局部液體供給系統的浸沒光刻方案。液體可以通過在投影系統PL兩側上的兩個槽形入口IN來提供，並通過從入口IN沿徑向向外布置的多個分立的出口OUT去除。這些入口IN和出口OUT布置在其中心具有孔的平板中，投影系統可透過該孔進行投影。液體可以通過在投影系統PL一側上的一個槽形入口IN提供，並通過投影系統PL另一側上的多個分立的出口OUT去除，從而在投影系統PL和基底W之間形成液體薄膜的流動。所用入口IN和出口OUT的組合的選擇取決於基底W的移動方向(入口IN和出口OUT的其他組合是無效的)。
已經提出的另一種技術方案是提供具有屏障元件的液體供給系統，該屏障元件沿投影系統的最末元件和基底臺之間的空間的邊界的至少一部分延伸。該屏障元件在XY平面中相對於投影系統來說基本上是靜止的，但是在Z方向(光軸方向)可以有一些相對移動。在一個實施例中，可以在屏障元件和基底表面之間形成密封。在一個實施例中，該密封是非接觸式密封，例如氣密封。這種具有氣密封的系統公開於美國專利申請案No.US2004-0207824中，在此將該文獻全文引入作為參考。
在歐洲專利申請公開案No.EP1420300和美國專利申請公開案No.US2004-0136494中，公開了雙平臺式浸沒光刻裝置的思想，在此將這兩篇文獻的全文引入作為參考。這種裝置具有兩個用於支撐基底的工作檯。在不使用浸沒液體的情況下，用處於第一位置的工作檯進行水平面測量，而有浸沒液體存在的情況下用處於第二位置的工作檯進行曝光。或者可替換地，該裝置可僅有一個工作檯，該工作檯在曝光位置和測量位置之間移動。
通過移動其上支撐有基底的基底臺WT，可以使基底W在XY平面中移動。基底臺WT的相對位置以及從而基底W的相對位置可以參考安裝在基底臺WT的橫向側面上的一個或多個反射鏡來確定。例如，可以提供一個或多個幹涉儀來測量從這些反射器表面上的點到參照系中相應的點或軸的大體垂直的距離。基底臺WT的變形會導致這些反射鏡變形，從而損害基底W相對於投影系統PS移動和/或定位的精度，這可能對形成於基底W上的圖案的質量產生負面影響。

發明內容所期望的例如是提供一種系統來改進基底例如相對於投影系統定位的精度。
根據本發明的一個方面，提供一種光刻裝置，包括布置成支撐基底的基底臺；配置成將調製過的輻射光束投影到基底上的投影系統；配置成在曝光過程中將液體提供到投影系統和基底之間的區域中的液體供給系統；與基底臺物理地隔開的蓋板，其在曝光過程中沿徑向定位在基底的外側，並配置成提供面對投影系統的表面，該表面與基底基本上相鄰且平齊；以及基底臺溫度穩定裝置，其配置成通過控制一部分蓋板的溫度來減小一部分基底臺與對應目標溫度的溫度偏差。
根據本發明的另一個方面，提供一種器件製造方法，包括透過液體將調製過的輻射光束投影到保持在基底臺上的基底上；通過控制一部分蓋板的溫度，來減小一部分基底臺與對應目標溫度的溫度偏差，所述蓋板與基底臺物理地隔開，並且在對調製過的輻射光束進行投影的過程中沿徑向定位在基底外側，並且具有與基底基本上相鄰且平齊的表面。
根據本發明的另一個方面，提供一種光刻裝置，包括布置成支撐基底的基底臺；配置成將調製過的輻射光束投影到基底上的投影系統；配置成在曝光過程中將液體提供到投影系統和基底之間的區域中的液體供給系統；與基底臺物理地隔開的蓋板，其在曝光過程中沿徑向定位在基底的外側，並配置成提供面對投影系統的表面，該表面與基底基本上相鄰且平齊；以及熱絕緣體，其布置成減小所述蓋板和基底臺之間的傳熱，以便由蓋板來提供對基底臺的熱屏蔽。
根據本發明的另一個方面，提供一種器件製造方法，包括透過液體將調製過的輻射光束投影到保持在基底臺上的基底上；以及使蓋板熱絕緣，以便減小蓋板和基底臺之間的傳熱，從而能由蓋板來提供對基底臺的熱屏蔽，所述蓋板與基底臺物理地隔開，並且在對調製過的輻射光束進行投影的過程中沿徑向定位在基底外側，並且具有與基底基本上相鄰且平齊的表面。
根據本發明的另一個方面，提供一種光刻裝置，包括布置成支撐基底的基底臺；配置成將調製過的輻射光束投影到基底上的投影系統；測量系統，其配置成確定一部分基底臺的位置；基底臺變形確定裝置，其布置成提供關於基底臺變形的數據；基底位置控制器，其配置成參考由測量系統測量的一部分基底臺的位置和由基底臺變形確定裝置提供的關於基底臺變形的數據來控制基底相對投影系統的位置。
根據本發明的另一個方面，提供一種器件製造方法，包括將調製過的輻射光束投影到保持在基底臺上的基底上；確定一部分基底臺的位置；以及，參考所確定的該部分基底臺的位置和關於基底臺變形的數據，控制基底相對投影系統的位置，所述投影系統用於投影所述調製過的輻射光束。
根據本發明的另一個發明，提供一種測繪光刻裝置中基底臺反射器的表面輪廓的方法，包括提供安裝在基底臺的第一橫向側面上的基本上為平面的第一反射器，該基底臺配置成支撐基底，該第一反射器具有平行於第一軸的法線；提供安裝在基底臺的第二橫向側面上的基本上為平面的第二反射器，該第二反射器具有平行於第二軸但不平行於第一軸的法線；以及，使基底臺平行於第一軸移動，同時測量從第二反射器的表面到參照系中的參考點的垂直距離。
根據本發明的另一個發明，提供一種器件製造方法，包括通過使基底臺平行於第一軸移動，同時沿基本上平行於第二軸的方向測量從反射器表面到參考點的距離，從而測繪基底臺的反射器的表面輪廓，該第二軸基本上正交於第一軸；將調製過的輻射光束投影到基底上；以及，使基底相對於用於投影該調製過的輻射光束的投影系統移動，以便曝光基底的不同靶部，參考基底的位置來控制該移動，該位置通過參考基底臺反射器與參考點之間的距離的測量結果以及基底臺反射器的表面輪廓來確定。
現在僅僅通過示例的方式，參考隨附的示意圖描述本發明的各個實施例，其中一致的參考標記表示一致的部件，其中圖1示出了根據本發明的一個實施例的光刻裝置；圖2和3示出了在光刻投影裝置中使用的液體供給系統；圖4示出了在光刻投影裝置中使用的另一種液體供給系統；圖5示出了安裝在基底保持器上的基底和可移動的基底臺；圖6示出了由於基底保持器的熱膨脹所導致的對基底臺的影響；圖7示出了根據本發明一個實施例在蓋板和基底臺之間的熱絕緣；圖8示出了根據本發明另一個實施例具有通道網絡的基底臺溫度穩定裝置；圖9示出了根據本發明另一個實施例具有電加熱器和控制器的基底臺溫度穩定裝置；圖10示出了根據本發明一個實施例的基底臺溫度穩定裝置，其具有配置成由變化的磁場來驅動的加熱元件；圖11示出了根據本發明一個實施例結合了熱傳導耦合媒質的基底臺組件；圖12示出了根據本發明一個實施例的位置測量系統和基底臺變形測量系統；以及圖13示出了根據本發明一個實施例的對每一反射鏡都包括多個幹涉儀的測量系統。
具體實施方式圖1示意性地表示了根據本發明的一個實施例的光刻裝置。該裝置包括照明系統(照明器)IL，其配置成調節輻射光束B(例如UV輻射或DUV輻射)；支撐結構(例如掩模臺)MT，其構造成支撐構圖部件(例如掩模)MA，並與第一定位裝置PM相連接，該第一定位裝置PM配置成依照某些參數將該構圖部件精確定位；基底臺(例如晶片臺)WT，其構造成保持基底(例如塗敷有抗蝕劑的晶片)W，並與第二定位裝置PW相連接，該第二定位裝置PW配置成依照某些參數將基底精確定位；以及投影系統(例如折射型投影透鏡系統)PS，其配置成將由構圖部件MA賦予給輻射光束B的圖案投影到基底W的靶部C(例如包括一個或多個晶片模)上。
該照明系統可以包括各種類型的光學部件，例如包括用於引導、成形或者控制輻射的折射光學部件、反射光學部件、磁性光學部件、電磁光學部件、靜電光學部件或其它類型的光學部件，或其任意組合。
該支撐結構保持該構圖部件，其保持方式取決於構圖部件的定向、光刻裝置的設計以及其它條件，例如構圖部件是否保持在真空環境中。該支撐結構可以使用機械、真空、靜電或其它夾緊技術來保持該構圖部件。該支撐結構可以是框架或者工作檯，例如所述結構可根據需要而是固定的或者是可移動的。該支撐結構可以確保構圖部件例如相對於該投影系統位於期望的位置。在這裡，術語「分劃板」或者「掩模」的任何使用均可認為與更上位的術語「構圖部件」同義。
這裡所使用的術語「構圖部件」應廣義地解釋為能夠向輻射光束的截面中賦予圖案從而在基底的靶部中形成圖案的任何裝置。應該注意，賦予給該輻射光束的圖案可以並不與基底靶部中的期望圖案精確一致，例如如果該圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵。一般地，賦予給該輻射光束的圖案與在靶部中形成的器件(如集成電路)的特定功能層相對應。
該構圖部件可以是透射型的或者反射型的。構圖部件的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列、以及可編程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二元型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型。可編程反射鏡陣列的一個示例採用小型反射鏡的矩陣排列，每個反射鏡能夠獨立地傾斜，從而沿不同的方向反射入射的輻射光束。傾斜的反射鏡可以在由反射鏡矩陣反射的輻射光束中賦予圖案。
這裡使用的術語「投影系統」應廣義地解釋為包含各種類型的投影系統，包括折射光學系統，反射光學系統、反射折射光學系統、磁性光學系統、電磁光學系統和靜電光學系統，或其任何組合，這適合於所用的曝光輻射，或者適合於其他方面，如浸液的使用或真空的使用。在這裡，術語「投影透鏡」的任何使用均可以認為與更上位的術語「投影系統」同義。
如這裡所指出的，該裝置是透射型(例如採用透射掩模)。或者可替換地，該裝置也可以是反射型(例如採用上面提到的可編程反射鏡陣列，或採用反射掩模)。
該光刻裝置可以具有兩個(雙平臺)或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩模臺)。在這種「多平臺式」裝置中，可以並行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進行準備步驟，而一個或者多個其它臺用於曝光。
參考圖1，照明器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。輻射源和光刻裝置可以是分立的機構，例如當該輻射源是準分子雷射器時。在這種情況下，不認為輻射源構成了該光刻裝置的一部分，輻射光束藉助於光束輸送系統BD從輻射源SO傳輸到照明器IL，所述光束輸送系統BD包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器。在其它情況下，該輻射源可以是光刻裝置的組成部分，例如當該輻射源是汞燈時。該輻射源SO和照明器IL(如果需要可以連同光束輸送系統BD一起)可以被稱作輻射系統。
照明器IL可以包括調節裝置AD，用於調節輻射光束的角強度分布。一般地，至少可以調節在照明器光瞳平面上強度分布的外徑向範圍和/或內徑向範圍(通常分別稱為σ-外和σ-內)。此外，照明器IL可以包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。該照明器可以用於調節輻射光束，從而使該光束在其橫截面上具有期望的均勻度和強度分布。
輻射光束B入射到保持在支撐結構(如掩模臺)MT上的構圖部件(如掩模)MA上，並由構圖部件進行構圖。穿過該掩模MA後，輻射光束B通過該投影系統PS，該投影系統將光束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如幹涉測量器件、線性編碼器或電容傳感器)的輔助下，可以精確地移動該基底臺WT，從而例如將不同的靶部C定位在輻射光束B的光路中。類似地，例如在從掩模庫中機械地取出掩模MA後或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM和另一位置傳感器(圖1中未明確示出)來相對於輻射光束B的光路精確定位該掩模MA。一般地，藉助於長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精細定位)，可以實現支撐結構MT的移動，所述長行程模塊和短行程模塊構成第一定位裝置PM的一部分。類似地，利用長行程模塊和短行程模塊也可以實現基底臺WT的移動，其中該長行程模塊和短行程模塊構成第二定位裝置PW的一部分。在步進器的情況下(與一掃描裝置相對)，支撐結構MT可以只與短行程致動裝置連接或者可以被固定。可以使用掩模對準標記M1、M2和基底對準標記P1、P2來對準構圖部件MA與基底W。儘管如所示出的基底對準標記佔據了指定的靶部，但是它們也可以設置在各個靶部之間的空間中(這些空間被稱為劃片線對準標記)。類似地，在有超過一個的晶片模設在掩膜MA上的情況下，可以將該掩膜對準標記設在各個晶片模之間。
所示的裝置可以按照下面模式中的至少一種使用1.在步進模式中，支撐結構MT和基底臺WT保持基本不動，而賦予輻射光束的整個圖案被一次投影到靶部C上(即單次靜態曝光)。然後沿X和/或Y方向移動該基底臺WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次靜態曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在掃描模式中，支撐結構MT和基底臺WT被同步掃描，同時，賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C上(即單次動態曝光)。基底臺WT相對於支撐結構MT的速度和方向通過投影系統PS的放大(縮小)和圖像反轉特性來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次動態曝光中靶部的寬度(沿非掃描方向)，而掃描動作的長度確定了靶部的高度(沿掃描方向)。
3.在其他模式中，支撐結構MT保持基本不動，並且支撐一可編程構圖部件，而基底臺WT被移動或掃描，同時，賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C上。在該模式中，一般採用脈衝輻射源，並且，在每次移動基底臺WT之後，或者在掃描期間兩個相繼的輻射脈衝之間，根據需要更新該可編程構圖部件。這種操作模式可以容易地應用於採用可編程構圖部件的無掩模光刻中，所述可編程構圖部件例如是上面提到的可編程反射鏡陣列類型。
還可以採用上述使用模式的組合和/或變化，或者也可以採用完全不同的使用模式。
圖5示意性地示出了由基底保持器2支撐的基底W以及基底臺WT。基底臺WT可相對於投影系統PS進行移動，以便曝光基底W的不同靶部區域。基底W的精確定位通常是期望的。例如，在器件是由若干利用光刻法所產生的層形成的情況下，每一層都應該與其它層精確地空間一致。這種一致的程度取決於在對各層進行構圖的過程中定位基底W的精度。
精確移動的實現例如是使用一反饋或伺服迴路，該反饋或伺服迴路與用於物理地移動基底臺WT的裝置和用於測量其位置的裝置組合在一起使用。通過在儘可能短的時間內逐漸減小測量位置和目標位置之間的差異，使得基底W朝該目標位置移動，並且這種移動理想地是沒有過衝(overshoot)的。
在基底W相對基底臺WT固定的情況下或在基底W與基底臺WT具有已知的空間關係的情況下，更加便利的是測量基底臺WT上一個或多個點的位置，並由此推出基底W的位置，而不是試圖去直接測量非常小且薄的基底W的位置。
這種方法的精度至少部分地取決於從對基底臺WT的測量結果推出基底W的位置的精度。特別地，這在基底臺WT在曝光過程中發生變形的情況下變得困難，例如由於基底臺WT和/或與基底臺WT機械接觸的部件的溫度變化，就會出現這種情況。
例如由於來自光刻輻射的加熱會引起溫度變化。或者是或此外地，特別是在浸沒系統中，液體(通常是浸沒液體)從基底W的表面和周圍區域蒸發會導致冷卻。這種情況會因引入了補償系統而變得更加複雜，所述補償系統的引入是為了控制基底W或其它重要部件的溫度。例如，可以提供基底加熱器來抵消因浸沒液體的蒸發而導致的冷卻。儘管該加熱器可以設計成使基底W保持在更加恆定的溫度，但是它可能在其它部件(如基底臺WT)中導致更大的溫度梯度和/或變化。
圖5示出了一種布置，其中，通過基底臺WT的測量結果來間接地測量基底位置。在所示出的示例中，基底W由突出部或「凸結」5支撐在基底保持器2上，該基底保持器配置成通過凸結3保持在基底臺WT上。
提供一個或多個蓋板60以允許液體限制結構68(例如參見圖11，為了清楚起見，沒有在圖5和圖8至圖10中示出該液體限制結構68)在基底W的表面上平滑地通過，該液體限制結構68至少部分地限制了一種浸沒液體。在這種結構中，蓋板60沿徑向定位在基底W的外側，以便在相對於投影系統PS掃描該基底W時，能為該液體限制結構68提供足夠大的平面進行操作。該蓋板60也可以可拆卸地安裝在凸結3上，以便為不同尺寸的基底提供靈活性。
一個或多個反射鏡6安裝在基底臺WT的橫向側面上，並且就是通過這些反射鏡來確定基底臺WT的位置。例如，可以使用一個或多個幹涉儀，來基於從這些反射鏡反射的輻射進行工作。該幹涉儀可以使用該反射輻射來導出在一參照系中反射鏡表面與特定點相距多遠，所述參照系相對於該幹涉儀的檢測部固定。為了確定基底臺WT沿不同軸的位置，可以提供多個反射鏡以及相應的幹涉儀。例如，可以提供兩個面向正交方向的平面反射鏡。該反射鏡可以固定在基底臺WT上，或者可以與基底臺WT一體形成。
該基底臺WT的變形會導致安裝於其上的反射鏡的形狀產生變形。圖6示意性地示出了在圖5中示出的布置的頂視圖，並示出了產生這種變形的一種方式。在左手圖中，中心圓圈表示基底W和位於其下方的基底保持器(不可見)。周圍的正方形是基底臺WT和安裝於其橫向側面上的基本上為理想平面的反射鏡6。右手圖(以放大的形式)示出了基底臺WT上基底保持器2的熱致變形(圖5中的箭頭10)的結果。對基底保持器2的加熱使其從最初的形狀(細線)膨脹成熱膨脹形狀(粗線；圖6中的箭頭8)。這種加熱是由基底加熱器4(其例如可以是多個用於引導熱交換流體的通道)導致的，該基底加熱器4多半是用來抵消浸沒液體蒸發對基底W的冷卻作用。或者或此外，該加熱也會是由於光刻輻射自身引起的。
膨脹的基底保持器2相當牢固地保持在基底臺WT上，例如可以通過在這兩個部件之間維持的低壓來進行保持，該基底保持器2可施加徑向力而使基底臺WT的本體發生變形(圖5中的箭頭12)。該變形又會如圖6中右手圖所示那樣導致反射鏡6發生相應的變形(粗線；箭頭14)。
基底臺WT和基底保持器2中的任何一個或兩個可以由熱膨脹係數非常小的材料構成。然而，這樣的材料較為昂貴，並且沒有很多物理特性，這使其在其它方面難以適用。例如，耐磨性對於基底保持器2來說是一種重要的特性，但是具有良好耐磨性和接近零的熱膨脹係數的材料難以獲得和/或不經濟。
儘管在圖5和6中示出的基底臺WT的變形是因基底保持器2的膨脹而導致的，但是該變形也可能是由於對基底臺WT自身的加熱或冷卻而導致的。例如，浸沒液體的蒸發很可能導致一定程度的熱收縮。基底臺WT會在一些部分膨脹，而在其它部分收縮，從而導致比在圖6中所示的更加複雜的變形，圖6是基於該基底保持器2的均勻膨脹而假設的一種變形。
反射鏡6的變形會在對基底W的控制方面產生誤差。例如，當向外鼓脹的一部分反射鏡定位成鄰近於該檢測幹涉儀時，如果沒有採取矯正措施，則該幹涉儀輸出的信號表明該基底臺WT整體上比其實際情況更靠近一些，而實際上只是反射鏡的局部部分更靠近一些。當該信號被輸入到反饋迴路時，這將導致基底W的定位出現錯誤的偏移。
圖7示意性地示出了一個實施例，其中蓋板60布置成可提供熱屏蔽，以便屏蔽可能的加熱和/或冷卻基底臺WT的來源。這可以通過在蓋板60和基底臺WT之間提供熱絕緣來實現。通過這種方式，例如由浸沒液體的蒸發或輻射加熱而導致的蓋板60的溫度變化不會將大量的熱量傳遞到蓋板60下面的基底臺WT。在所示出的示例中，該熱絕緣採取特殊凸結21的形式。例如通過使這些凸結21的橫截面尺寸儘可能小和/或使用具有低導熱性的材料，而將這些凸結的熱傳導設置得較低。基底臺WT和蓋板60之間的輻射熱交換可以通過在這些部件中的一個或兩個上施加反射塗層來減小。
圖8示意性地示出了根據本發明一個實施例的一部分光刻裝置，包括基底臺溫度穩定裝置，其配置成將一部分基底臺WT和/或與基底臺WT機械接觸和/或熱接觸的部件的溫度保持在目標溫度的一定範圍內。該範圍取決於所期望的精度和基底臺WT(以及上面描述的相關部件)對溫度變化的靈敏度(例如其熱膨脹係數、機械結構，和/或所提供的任何散熱器裝置)。根據預期的熱輸入或輸出，對於基底臺WT的不同部分，可以使用不同的範圍和/或目標溫度。例如，在基底臺WT的更容易熱膨脹的區域中或者希望較少地暴露於熱輸入/輸出下的區域中，可能期望更嚴格的容差。附加地或可替換地，對於基底臺WT的不同部分可以使用多個不同的目標溫度，其中合適的是在基底臺WT內保持受控的不均勻的溫度分布。
使基底臺WT和/或相關部件的溫度穩定可以減小其熱膨脹和/或收縮的程度，並由此減小基底臺WT的總變形。而這又會使對基底臺WT的位置測量裝置(如反射鏡6，未在圖8中示出)的工作產生儘可能小的幹擾，並可以由此改進基底W相對於投影系統PS定位的精度，從而例如能夠減小重合誤差。
根據該實施例的溫度穩定裝置通過控制一個或多個蓋板60的溫度來工作。通過根據所測得的基底臺WT的溫度分布或平均溫度的變化來控制蓋板60的溫度分布(包括在空間上恆定或在空間上變化的溫度分布)，可以主動地實現上述工作。或者可選擇地，在不參考基底臺WT的溫度分布的測量結果的情況下(但是可以測量蓋板的溫度)，只是通過單獨控制蓋板的溫度，該溫度穩定裝置可以被動地進行工作。根據後一種方法，蓋板60的溫度可以控制成保持在基本恆定的溫度(或者換句話說，對於蓋板60來說，使蓋板的溫度保持在目標溫度的一定範圍內)。在不直接參考基底臺WT溫度的情況下控制蓋板60的溫度可以使得對基底臺裝置的幹擾降到最小。
被動地和/或主動地(參見上文)對蓋板60的溫度進行控制可以有效地「屏蔽」基底臺WT不受最主要的熱輸入源和/或熱輸出源中的若干源的影響。例如，會導致冷卻的浸沒液體蒸發的大部分出現在蓋板60的表面上。類似地，來自暴露於基底臺WT上方區域的部件的輻射加熱將傾向於首先入射到蓋板60上。直接控制蓋板60的溫度以補償這些因素中的一個或多個因素則意味著減小了這些因素對基底臺WT的溫度的最終影響。
在參考所測得的基底臺WT溫度來控制蓋板溫度的情況下，蓋板的溫度控制也可以至少部分地補償那些並不首先通過蓋板60而作用於基底臺WT上的加熱和/或冷卻(例如，來自於安裝在基底保持器2中的基底溫度補償裝置的加熱和/或來自輻射光束的輻射加熱)。
根據圖8的布置對蓋板60的溫度控制是通過通道20的網絡和控制器30來實現的，通道20嵌在蓋板60內或者位於蓋板上，控制器30布置成可控制在通道20的網絡內流動的熱交換流體的溫度和/或壓力(並因此可控制流率)，以便使一部分基底臺WT(和/或相關部件，例如基底保持器2和蓋板60)的溫度保持在對應的目標溫度的範圍內(每一目標溫度「對應於」要被控制的一部分或多部分基底臺WT(和/或相關部件))。該熱交換流體例如可以是純淨水。對該溫度和/或壓力的控制例如可以參考標定實驗、基底臺WT的預期功率輸入/輸出的數學模型、有助於變形的部件溫度的實際測量結果(參見下文)和/或流體的實際測量結果。
該通道系統20可以配置成可根據需要既能加熱蓋板60也能冷卻蓋板60，由此可以靈活地控制基底臺的溫度。可替換地或附加地，通道20可配置成加熱一部分蓋板60，同時冷卻另一部分蓋板。當蓋板60和/或基底臺WT(和/或其它相關部件)上的溫度變化跨越了該熱交換流體的溫度時，就可以實現上述操作。可替換地，可以提供一系統以將具有一組特性(例如高溫)的熱交換流體供給到一部分通道系統20中，同時將具有不同的一組特性(例如低溫)的熱交換流體供給到另一部分通道系統20中。通過這種方式，該通道系統可以用來將蓋板60和/或基底臺WT(和/或其它相關部件)中的溫度變化穩定在一個較寬的範圍。
可替換地和/或附加地，該基底臺溫度穩定裝置具有如圖9示意性所示的一個或多個電加熱器26和控制器40。該一個或多個電加熱器26可以嵌在所示的蓋板60內，或者連接到蓋板60的表面(在蓋板的上方、下方或者兩側)。
電加熱器容易控制並具有最少的附加硬體。可以快速地調節其輸出，從而提供增強的控制和快速響應。
根據一個實施例，在圖9中示出的加熱元件26可以包括在目標溫度範圍內進行熱致相變的材料，該相變使得該材料從一種狀態變化到另一種狀態，在前一種狀態中該材料低於轉變溫度而產生相對高的加熱輸出，在後一種狀態中該材料高於轉變溫度而產生相對低的加熱輸出。例如，可以選擇進行磁序轉變的材料，例如鐵磁材料、抗鐵磁材料或鐵氧體材料。可替換地或附加地，可以選擇進行結構相變的材料。
該材料可以選擇成使得該材料的電阻率隨著材料被加熱到轉變溫度而突然增大。如果該控制器40配置成維持恆定的電壓，那麼由於電阻率的突然增大，消耗在該材料中的電能將突然減小，這將趨向於穩定基底臺WT的溫度(即使當溫度隨位置強烈變化時)，並且不需要複雜的控制電路和大量的溫度傳感器和加熱器。在溫度過低的情況下(即低於轉變溫度和目標溫度)，該加熱輸出將自動地相對升高，而在溫度過高的情況下(即高於轉變溫度和目標溫度)，該加熱輸出將自動減小。
圖10示意性地示出了一種可替換的或附加的方法，其可根據類似的原理進行工作。在這裡，提供由一個或多個電磁體28驅動的一個或多個加熱元件26，所述電磁體由控制器50控制。該一個或多個加熱元件26包括一種進行相變的材料，該相變使得該材料從低於轉變溫度的磁滯態轉變成高於轉變溫度的非磁滯態(即呈現出沒有或者有少量的磁滯狀態)。該控制器50和一個或多個電磁體28配置成向該一個或多個加熱元件26施加變化的磁場，這將使得該一個或多個加熱元件通過磁滯向基底臺WT提供熱量，這只在該一個或多個加熱元件低於轉變溫度時發生。鐵磁材料例如可以用作該磁滯材料。此外，這種布置甚至趨向於穩定蓋板60和/或基底臺WT(和/或其它相關部件)中隨位置變化的溫度差異，而不需要複雜的控制電路和大量的溫度傳感器和加熱器。
可以提供一個或多個溫度傳感器22，其固定在基底臺WT和/或蓋板60上，嵌入在基底臺WT和/或蓋板60中(示出於圖8、9和10)，或鄰近基底臺WT和/或蓋板60定位(例如紅外線傳感器)。也可以在與基底臺WT熱接觸和/或機械接觸的其它部件內或之上提供一個或多個溫度傳感器。該一個或多個溫度傳感器提供關於基底臺WT、蓋板60和/或相關部件的溫度的信息，控制器30、40和/或50可利用該信息來改變該一個或多個加熱/冷卻元件20/26的加熱/冷卻輸出，以便使一部分基底臺WT和/或蓋板60(和/或其它相關部件)的溫度保持在一個或多個相應的目標溫度範圍內。例如可以提供一反饋迴路來調節該一個或多個加熱/冷卻元件20/26的輸出，以便減小溫度傳感器的讀數與一個或多個目標溫度之間的差異。
圖11示意性地示出了一個實施例，其中基底W支撐在基底保持器2上，該基底保持器定位在基底W和基底臺WT之間。這種布置在基底保持器2中不包括任何加熱或冷卻元件。這意味著基底保持器2可以做得更小而且簡單，這樣可以減小製造成本。較小體積的材料也可以減小當基底保持器2膨脹或收縮時產生的問題，因為這些膨脹或收縮由於所涉及的材料量較少而成比例地變小/減弱。因此，可以緩解與基底保持器2的熱特性(例如熱膨脹係數)相關的設計限制，從而提供更大的自由度來優化該部件的其它物理特性或經濟特性。
通過在基底W和基底保持器2之間、基底保持器2和基底臺WT之間、和/或蓋板60和基底臺WT之間提供高導熱性的通路，可以增強對基底W、基底保持器2、基底臺WT和/或蓋板60的熱控制。根據一個實施例，通過在基底W、蓋板60和/或基底臺WT之間引入一熱傳導耦合媒質66，可以實現上述對熱控制的增強。在所示出的示例中，該耦合媒質是液體，其被提供到基底保持器2和蓋板60下方的區域中，並由一個或多個端塞64限制。該液體在基底保持器2和基底臺WT之間提供了大的接觸表面，而不會喪失與使用凸結作為主要支撐機構相關的靈活性。具有高導熱性的液體應該是特別有效的。
可替換地或附加地，可以使用氣態耦合媒質。例如，在基底臺WT與蓋板60和/或基底保持器2之間的區域保持在低壓的情況下(即處於顯著低於大氣壓的壓力下)，該低壓水平可以減小成可獲得在足夠牢固地固定基底保持器2(或蓋板60)和提供某種氣體以改善基底保持器2(或蓋板60)與基底臺WT的熱耦合之間的平衡。可替換地或附加地，可以在基底保持器2和/或蓋板60下方形成具有不同氣壓的區域，低壓區域用來固定部件，而高壓區域用於改善熱耦合。例如可以使用淨化空氣作為該氣體耦合媒質。
根據一種可替換的機構，可以在凸結3、5與基底W、基底保持器2、蓋板60和/或基底臺WT之間提供非流體耦合媒質。例如，可以使用非常柔軟並且是良好熱導體的銦箔。
基底W和/或基底保持器2與基底臺WT和/或蓋板60之間的增強的熱通路可以確保所採取的用於穩定基底臺WT的溫度的措施也可以用來穩定基底W和基底保持器2的溫度。這意味著基底保持器2的熱膨脹/收縮例如不太可能導致基底臺WT的變形，這樣可以為給基底保持器2選擇合適材料提供更大的範圍。例如，可以使用具有高耐磨性的SiSiC的基底保持器2。
圖12示意性地示出了一個實施例，其包括確定一部分基底臺WT相對參照系92的位置的測量系統，該參照系例如可以相對於投影系統PS和/或光刻裝置剛性地固定。該裝置還包括基底臺變形確定裝置86，其布置成產生有關基底臺WT的變形的數據，該變形例如是來自於由於不期望的溫度變化而產生的熱收縮和/或膨脹。利用一基底臺位移裝置90相對於該投影系統PS來移動(例如掃描)基底W，該基底臺位移裝置90在基底位置控制器84的控制下進行工作。
該基底位置控制器84參考來自該測量系統和基底臺變形確定裝置86的數據輸入來確定如何沿所期望的軌道使基底W移動。該測量系統可提供對該基底臺WT的被測部分的位置的定期更新，該基底位置控制器84配置成從該定期更新中導出基底W的位置。如果基底臺WT保持恆定的幾何形狀，則該操作相對簡單，因為在由測量系統測量的該部分基底臺WT的位置與基底位置之間存在相應恆定的關係。然而，如果基底臺WT的幾何形狀發生變化，該關係可能變化，這將在基底W的定位過程中導致誤差。根據該實施例，利用該基底臺變形確定裝置86的輸出來更新該基底臺WT的被測部分的位置與基底位置之間的關係，進而反映基底臺的變形，這樣就可以減小或避免該該誤差。該方法可以在基底定位方面提供改進，並因而在重合性能方面提供改進，而不需要大量附加的硬體，例如與試圖減小基底臺WT中的溫度不均勻性和/或其直接物理後果相關的硬體。
根據一個實施例，該測量系統包括多個安裝在基底臺WT的橫向側面上的平面反射器82。提供一個或多個幹涉儀來測量該反射鏡的表面的位置。該一個或多個幹涉儀每個都包括輻射源81、輻射檢測器83和一系統，該系統用於將發射的輻射與接收的輻射進行比較從而確定反射鏡表面與相對於參照系92為固定的點之間的間距，所述輻射可在任一時刻入射到所述反射鏡表面上，所述固定點與所討論的幹涉儀相關聯。例如通過布置沿正交方向定向的反射鏡，能夠確定一部分基底臺WT沿正交軸的位置。
基底臺WT的變形使得這些反射鏡變得略微彎曲。該基底臺變形確定裝置86提供關於該曲率或「反射鏡輪廓」的信息，從而可以對其進行校正。
一種實現方式是測量反射鏡82和/或基底臺WT的曲率。這可以作為一種校正操作來進行，以測量基底臺WT在一個或多個典型的曝光工序中是如何變形的。這些校正操作的結果可以存儲在存儲設備88中，該變形確定裝置86可以在線訪問該存儲設備，以便將合適校正值提供給該基底臺位置控制器。
可替換地或附加地，如圖13所示，對於每個在基底臺WT中形成的反射鏡82，測量系統具有多個幹涉儀(例如包括多對輻射源和檢測器)。在該布置中的每個幹涉儀能夠在任一時刻測量從反射鏡表面的不同部分到參照系92的距離，並由此能夠非常有效地測量基底臺WT的輪廓。該布置可以快速地用來在曝光過程中導出關於基底臺WT的預期變形的校正數據，或者用來向基底臺變形測量裝置86提供在線數據。附加地或可替換地，基底臺位置控制器84可以配置成對於每個反射鏡來對各幹涉儀的讀數取平均，(在相應的反射鏡不是完全平面的情況下)所獲得的對基底臺WT的一個橫向側面的位置的測量結果要比僅使用單個幹涉儀更加精確。
可替換地或附加地，該基底臺變形確定裝置86可以配置成利用預測模型來確定預期的基底臺變形。該模型例如基於基底W、基底保持器2、基底臺WT和/或與這些部件中任何一個或多個成熱接觸和/或機械接觸的任意部件的熱特性和機械特性，以及基於從光刻輻射的和/或從基底W和/或蓋板60的表面的浸沒液體蒸發的預期功率輸入或輸出。該模型的參數可以參考校正測量結果來調整。該預期的功率輸入或輸出可以從與具體所需的劑量圖案相關聯的能流分析導出，或者可以從校正測量結果導出。在預期基底臺WT的變形是由壓靠在基底臺WT上的熱膨脹基底保持器2產生的情況下，基於基底保持器2均勻膨脹的簡化模型是有效的。
基底臺定位反射鏡82的表面輪廓也可以利用一種繪圖方法來確定。例如，在兩個標定為平面的反射器82布置在基底臺WT的不同的非平行橫向側面上的情況下，為每個反射鏡提供單個幹涉儀，使基底臺WT平行於反射鏡82中第二反射鏡的法線移動，同時測量從幹涉儀到第一反射鏡表面的垂直距離如何變化，這樣就可以測繪出反射鏡82中第一反射鏡的表面輪廓。然後重複該過程，但是使基底臺WT平行於第一反射鏡82的法線移動，從而測繪第二反射鏡的輪廓。
儘管在本申請中可以具體參考該光刻裝置在IC製造中的使用，但是應該理解這裡描述的光刻裝置可能具有其它應用，例如，用於製造集成光學系統、用於磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。本領域技術人員應該理解，在這種可替換的用途範圍中，這裡任何術語「晶片」或者「晶片模(die)」的使用應認為分別可以與更上位的術語「基底」或「靶部」同義。在曝光之前或之後，可以在例如勻膠顯影機(track，通常將抗蝕劑層施加於基底上並將已曝光的抗蝕劑顯影的一種工具)、計量工具和/或檢驗工具中對這裡提到的基底進行處理。在可應用的地方，這裡的公開可應用於這種和其他基底處理工具。另外，例如為了形成多層IC，可以對基底進行多次處理，因此這裡所用的術語基底也可以指已經包含多個已處理的層的基底。
這裡使用的術語「輻射」和「光束」包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有大約365，248，193，157或者126nm的波長)。
在本申請允許的地方，術語「透鏡」可以表示各種類型的光學部件中的任意一種或組合，包括折射光學部件和反射光學部件。
儘管上面已經描述了本發明的具體實施例，但是應該理解，可以以不同於所描述的其它方式來實施本發明。例如，本發明可以採取電腦程式的形式，該電腦程式包含描述了上面所公開方法的一個或多個序列的機器可讀指令，或者包含其中存儲有這種電腦程式的數據存儲介質(例如半導體存儲器、磁碟或光碟)。
本發明的一個或多個實施例可以應用於任何浸沒光刻裝置，特別地但不是唯一的，可以應用於上述那些類型的光刻裝置，而不管浸沒液體是以浴槽的形式提供還是僅僅將其提供到基底的局部表面區域上。這裡所設想的液體供給系統應該廣義地進行解釋。在某些實施例中，它可以是將液體提供到投影系統和基底和/或基底臺之間的空間的機械裝置或結構的組合。它包括將液體提供到該空間的一個或多個結構、一個或多個液體入口、一個或多個氣體入口、一個或多個氣體出口和/或一個或多個液體出口的組合。在一個實施例中，該空間的表面可以是基底和/或一部分基底臺，或者該空間的表面可以完全覆蓋基底和/或基底臺的表面，或者該空間可以包圍基底和/或基底臺。液體供給系統視需要還包括一個或多個控制液體的位置、質量、數量、形狀、流速或任何其它特徵的部件。
在其基本形式中，上面提到的基底臺WT也通常稱為「反射鏡單元」。在其基本形式中，上面提到的基底保持器2也通常稱為「凸結板」。
上面的描述是為了說明性的而非限制性的。因此，對本領域技術人員來說顯而易見的是，在不脫離下面描述的權利要求
的範圍的條件下，可以對所描述的發明進行各種修改。
權利要求
1.一種光刻裝置，包括布置成支撐基底的基底臺；配置成將調製過的輻射光束投影到基底上的投影系統；配置成在曝光過程中將液體提供到投影系統和基底之間的區域中的液體供給系統；與基底臺物理地隔開的蓋板，其在曝光過程中沿徑向定位在基底的外側，並配置成提供面對投影系統的表面，該表面與基底基本上相鄰且平齊；以及基底臺溫度穩定裝置，其配置成通過控制一部分蓋板的溫度來減小一部分基底臺與對應目標溫度的溫度偏差。
2.根據權利要求
1所述的光刻裝置，其中，所述溫度穩定裝置包括配置成將熱量輸入到一部分蓋板的加熱元件，和/或配置成從一部分蓋板吸取熱量的冷卻元件。
3.根據權利要求
1所述的光刻裝置，其中，所述溫度穩定裝置包括嵌在蓋板內的通道網絡和配置成控制所述通道網絡內的熱交換流體的溫度和/或壓力的控制器，以便減小一部分基底臺與對應目標溫度的溫度偏差。
4.根據權利要求
1所述的光刻裝置，其中，所述溫度穩定裝置包括加熱元件和配置成對該加熱元件的熱輸出進行控制的控制器，從而減小一部分基底臺與對應目標溫度的溫度偏差。
5.根據權利要求
4所述的光刻裝置，其中，所述加熱元件包括在目標溫度的範圍內進行熱致相變的材料，所述相變使得該材料從一種狀態變化到另一種狀態，在前一種狀態中，該材料低於轉變溫度而產生相對高的加熱輸出，在後一種狀態中，該材料高於轉變溫度而產生相對低的加熱輸出。
6.根據權利要求
5所述的光刻裝置，其中，所述基底臺溫度穩定裝置布置成使電流流過進行相變的材料，該相變為使得該加熱元件材料從低於轉變溫度的相對低的電阻率的狀態變化成高於轉變溫度的相對高的電阻率的狀態。
7.根據權利要求
5所述的光刻裝置，其中，所述基底臺溫度穩定裝置布置成向進行相變的材料施加變化的磁場，該相變為使得該加熱元件材料從低於轉變溫度的磁滯態變化成高於轉變溫度的非磁滯態。
8.根據權利要求
1所述的光刻裝置，還包括溫度傳感器，所述溫度傳感器配置成測量一部分基底臺和/或蓋板的溫度，其中，所述基底臺溫度穩定裝置配置成利用溫度傳感器的溫度讀數來減小一部分基底臺與對應目標溫度的溫度偏差。
9.根據權利要求
1所述的光刻裝置，還包括基底保持器，所述基底保持器定位在基底臺和基底之間，並布置成支撐基底。
10.根據權利要求
9所述的光刻裝置，其中，熱傳導耦合媒質布置在基底臺和蓋板之間和/或基底臺和基底保持器之間。
11.根據權利要求
10所述的光刻裝置，其中，所述熱傳導耦合媒質是流體和/或銦。
12.根據權利要求
9所述的光刻裝置，其中，所述基底保持器由包括SiSiC的材料構成。
13.一種器件製造方法，包括透過液體將調製過的輻射光束投影到保持在基底臺上的基底上；以及通過控制一部分蓋板的溫度，來減小一部分基底臺與對應目標溫度的溫度偏差，所述蓋板與基底臺物理地隔開，並且在對調製過的輻射光束進行投影的過程中沿徑向定位在基底外側，並且具有與基底基本上相鄰且平齊的表面。
14.一種光刻裝置，包括布置成支撐基底的基底臺；配置成將調製過的輻射光束投影到基底上的投影系統；配置成在曝光過程中將液體提供到投影系統和基底之間的區域中的液體供給系統；與基底臺物理地隔開的蓋板，其在曝光過程中沿徑向定位在基底的外側，並配置成提供面對投影系統的表面，該表面與基底基本上相鄰且平齊；以及熱絕緣體，其布置成減小所述蓋板和基底臺之間的傳熱，以便由蓋板來提供對基底臺的熱屏蔽。
15.根據權利要求
14所述的光刻裝置，其中，所述熱絕緣體包括低導熱性的凸結，所述蓋板安裝在所述凸結上。
16.根據權利要求
15所述的光刻裝置，其中，所述低導熱性凸結布置成具有低的導熱係數、與蓋板有最小的接觸面積，與基底臺有最小的接觸面積、或者上述情況的任意組合。
17.一種器件製造方法，包括透過液體將調製過的輻射光束投影到保持在基底臺上的基底上；以及使蓋板熱絕緣，以便減小蓋板和基底臺之間的傳熱，從而能由蓋板來提供對基底臺的熱屏蔽，所述蓋板與基底臺物理地隔開，並且在對調製過的輻射光束進行投影的過程中沿徑向定位在基底外側，並且具有與基底基本上相鄰且平齊的表面。
18.一種光刻裝置，包括布置成支撐基底的基底臺；配置成將調製過的輻射光束投影到基底上的投影系統；測量系統，其配置成確定一部分基底臺的位置；基底臺變形確定裝置，其布置成提供關於基底臺變形的數據；和基底位置控制器，其配置成參考由測量系統測量的一部分基底臺的位置和由基底臺變形確定裝置提供的關於基底臺變形的數據來控制基底相對投影系統的位置。
19.根據權利要求
18所述的光刻裝置，其中，所述測量系統包括安裝在基底臺的橫向側面上的基本上為平面的反射器；配置成將輻射引導到反射器表面的局部區域上的輻射源；和輻射檢測器，其配置成捕獲從反射器的所述局部區域反射回的輻射，並由此確定該反射器表面與參考點之間的距離；以及其中，所述基底臺變形確定裝置提供由基底臺變形造成的關於反射器的表面輪廓的數據。
20.根據權利要求
19所述的光刻裝置，其中，所述基底臺變形確定裝置配置成測量一部分基底臺和/或反射器的熱致變形。
21.根據權利要求
20所述的光刻裝置，其中，所述基底臺變形確定裝置包括多對輻射源和輻射檢測器，每一對都配置成確定反射器表面的不同部分和對應參考點之間的距離，並由此導出關於反射器的表面輪廓的數據。
22.根據權利要求
19所述的光刻裝置，其中，所述基底臺變形確定裝置配置成根據預測理論模型來估計該反射器的表面輪廓。
23.根據權利要求
19所述的光刻裝置，其中，所述基底臺變形確定裝置構造成根據存儲在校正數據存儲器中的校正數據來估計該反射器的表面輪廓。
24.一種器件製造方法，包括將調製過的輻射光束投影到保持在基底臺上的基底上；確定一部分基底臺的位置；以及參考所確定的該部分基底臺的位置和關於基底臺變形的數據，控制基底相對投影系統的位置，所述投影系統用於投影所述調製過的輻射光束。
25.一種測繪光刻裝置中基底臺反射器的表面輪廓的方法，包括提供安裝在基底臺的第一橫向側面上的基本上為平面的第一反射器，該基底臺配置成支撐基底，該第一反射器具有平行於第一軸的法線；提供安裝在基底臺的第二橫向側面上的基本上為平面的第二反射器，該第二反射器具有平行於第二軸但不平行於第一軸的法線；以及使基底臺平行於第一軸移動，同時測量從第二反射器的表面到參照系中的參考點的垂直距離。
26.根據權利要求
25所述的方法，還包括使基底臺平行於第二軸移動，同時測量從第一反射器的表面到參照系中的參考點的垂直距離。
27.一種器件製造方法，包括通過使基底臺平行於第一軸移動，同時沿基本上平行於第二軸的方向測量從反射器表面到參考點的距離，從而測繪基底臺的反射器的表面輪廓，該第二軸基本上正交於第一軸；將調製過的輻射光束投影到基底上；以及使基底相對於用於投影該調製過的輻射光束的投影系統移動，以便曝光基底的不同靶部，參考基底的位置來控制該移動，該位置通過參考基底臺反射器與參考點之間的距離的測量結果以及基底臺反射器的表面輪廓來確定。
專利摘要
公開了一種光刻裝置，其具有與基底臺隔開地形成的蓋板和通過控制該蓋板的溫度來穩定基底臺的溫度的裝置。公開了一種光刻裝置，其具有布置在蓋板和基底臺之間的熱絕緣體，使得該蓋板用作基底臺的熱屏蔽。公開了一種光刻裝置，其包括確定基底臺的變形並參考該基底臺的變形來改善對基底位置控制的裝置。
文檔編號H01L21/027GK1991591SQ200610171747
公開日2007年7月4日 申請日期2006年12月29日
發明者K·J·J·M·扎爾, J·J·奧坦斯 申請人:Asml荷蘭有限公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan