有機發光器件的製作方法與工藝
2023-07-22 21:54:46
本發明涉及一種有機發光器件(OLED)及一種照明設備。
背景技術：
一般而言，OLED依序包括基板、第一電極層、包括發光層的有機層、及第二電極層。在底部發光器件(bottomemittingdevice)的結構中，該第一電極層可形成為透明電極層，並且該第二電極層可形成為反射電極層。再者，在頂部發光器件(topemittingdevice)的結構中，第一電極層可形成為反射電極層，並且第二電極層可形成為透明電極層。通過兩電極層，分別注入電子(electron)與空穴(hole)，所注入的電子與空穴在發光層中重新結合(recombination)，導致產生光。該光線在底部發光器件中可向基板側發射，在頂部發光器件中向第二電極層發射。在OLED的結構中，通常用作透明電極層的銦錫氧化物(ITO)、有機層，和通常由玻璃形成的基板的折射率分別約為2.0、1.8和1.5。在這樣的折射率關係中，例如，由於全內反射(totalinternalreflection)現象，在底部發光器件的有機發光層中產生的光被有機層與第一電極層間的界面或基板所捕獲(trap)，且僅有極少量光發射出。
技術實現要素：
目的本發明提供一種OLED及一種照明設備。解決方案本發明的示例性的OLED，可包括：電子注入電極層及空穴注入電極層。在OLED中，該電子注入電極層及該空穴注入電極層可彼此對置而配置，且有機層壓結構可存在於其間。該有機層壓結構可為包括至少一層的含功能性有機材料的層壓結構。該有機層壓結構可包括低折射有機層。在此使用的術語「低折射有機層」可指包含有機化合物且整個層的折射率為1.7以下的層。此處使用的術語「折射率」除非另有定義，其可指相對於約550至633nm波長的光線的折射率。該有機層壓結構除低折射有機層外還包括發光層。該OLED可包括散射層。例如，該散射層可形成於與該電子或空穴注入電極層、特別是空穴注入電極層接觸或鄰接的一個表面。此處，與散射層接觸或鄰接的電極層的一個表面可為，與有機層壓結構接觸或鄰接的電極層表面的相對側表面。在一個實例中，該OLED還可包括基底層。在該基底層的頂部，形成一結構，該結構中依序形成電子或空穴注入電極層、有機層壓結構及空穴或電子注入電極層。在此結構中，散射層可配置於基底層和形成在該基底層頂部的電子或空穴注入電極層之間。圖1示出示例性的有機發光器件100的結構，其中，在基底層105上依序形成空穴注入電極層101、有機層壓結構103及電子注入電極層102，且在該空穴注入電極層101及該基底層之間形成散射層104。該有機層壓結構103包括低折射有機層1031及發光層1032。作為該基底層，可依需要選擇合適的材料而無特別的限制。在一實例中，該OLED可為底部發光器件，且在此情況下，該基底層可為透明基底層，例如，相對於可見光區波長的光線的透光率為50、60、70、80或90％以上的基底層。作為該透明基底層，可使用玻璃基底層或者透明聚合物基底層。作為該玻璃基底層，可使用包括鈣鈉玻璃、含鋇/鍶玻璃、鉛玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃或石英的基底層，並且作為該聚合物基底層，可使用包括聚碳酸酯(PC，polycarbonate)、丙烯酸樹脂、聚(對苯二甲酸乙二酯)(PET，poly(ethyleneterephthatle))、聚(醚硫醚)(PES，poly(ethersulfide))，或者聚碸(PS，polysulfone)的基底層，但本發明並不限於此。視需要，該基底層可為具有驅動薄膜電晶體(TFT)的驅動薄膜電晶體基板。該空穴注入電極層例如可使用具有相當高的功函數(workfunction)的透明傳導材料而形成。例如，該空穴注入電極層可包括具有約4.0eV以上的功函數的金屬、合金、導電化合物，或者包括至少其中兩種的混合物。此材料可為傳導性透明材料，例如，諸如金的金屬、CuI、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、ZnO、SnO2或In2O3。該空穴注入電極層可使用上述材料通過例如真空沉積法或者濺射法形成。該空穴注入電極層可具有10％以上的透光率，及幾百Ω/sq以下(例如100Ω/sq以下)的表面電阻(surfaceresistance)。該空穴注入電極層的厚度可依據透光率或表面電阻，但通常可為50至150nm或10至200nm的範圍內。該電子注入電極層可使用，例如，具有相對小的功函數的材料形成。作為此材料，可使用如鉀、鋰、鈉、鎂、鑭、銫、鈣、鍶、鋇、鋁、銀、銦、錫、鋅或鋯的金屬或者選自其中的兩種以上成分的合金，例如，鎂/銦合金、鎂/鋁合金、鋁/鋰合金、鋁/鈧/鋰合金、鎂/銀合金或鋁/鈣合金。該電子注入電極層例如可使用沉積法或濺射法等形成。在該示例性的OLED中，該電子和空穴注入電極層中，在基底層上形成的電極層可為透明電極層，並且在該有機層壓結構上形成的電極層可為反射電極層。該有機層壓結構至少包括低折射有機層及發光層。該低折射有機層可為包括有機化合物的層，例如，具有1.7以下、小於1.7、1.68以下、1.66以下、1.65以下、1.63以下、1.60以下、1.55以下或1.52以下的折射率的一層。此處，該低折射有機層的折射率的下限例如可為0.5或0.7或更高，但是並不特別限於此。在一實例中，該低折射有機層可與作為反射電極層而形成的電子或空穴注入電極層、例如作為反射電極層而形成的電子注入電極層接觸或鄰接而形成。在此位置形成的該低折射有機層，可通過與該散射層的有機相互作用而減小反射電極層的光吸收、和基於表面等離子體(surfacePlasmon)的漸逝耦合(evanescentcoupling)的影響，並增加該器件的光提取效率。當與該低折射有機層接觸或相鄰的電極為電子注入電極層時，包含在該低折射有機層中的有機化合物可為電子接受有機化合物(electronacceptingcompound)。包含該電子接受有機化合物的該低折射有機層可作為電子注入層、電子傳輸層，或電子注入/傳輸層。作為該電子接受有機化合物，可使用已知任意的化合物而無特別的限制。作為這樣的有機化合物，可使用：芳族胺化合物，例如4,4』,4」-三(N-咔唑基)三苯基胺(4,4』,4」-tri(N-carbaolyl)triphenylamine)等；多環化合物，如對三聯苯(P-terphenyl)或四聯苯(quaterphenyl)，或其衍生物；多環烴化合物，如萘(naphthalene)、並四苯(tetracene)、芘(pyrene)、暈苯(coronene)、(chrysene)、蒽(anthracene)、二苯蒽(diphenylanthracene)、稠四苯(naphthacene)或菲(phenanthrene)，或其衍生物；或者雜環化合物，如啡咯啉(phenanthroline)、紅菲咯啉(bathophenanthroline)、啡啶(phenanthridine)、吖啶(acridine)、喹啉(quinoline)、喹喔啉(quinoxaline)、或吩嗪(phenazine)，或其衍生物。此外，螢光素(fluoroceine)、苝(perylene)、酞苝(phthaloperylene)、萘苝(naphthaloperylene)、苝酮(perynone)、酞苝酮(phthaloperynone)、萘苝酮(naphthaloperynone)、二苯基丁二烯(diphenylbutadiene)、四苯基丁二烯(tetraphenylbutadiene)、噁二唑(oxadiazole)、醛連氮(aldazine)、二苯並噁唑啉(bisbenzoxazoline)、聯苯乙烯(bisstyryl)、吡嗪(pyrazine)、環戊二烯(cyclopentadiene)、8-羥基喹啉(oxine)、氨基喹啉(aminoquinoline)、亞胺(imine)、二苯乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑(diaminocarbazole)、吡喃(pyrane)、噻喃(thiopyrane)、聚甲炔(polymethine)、部花青素(merocyanine)、喹吖啶酮(quinacridone)、紅熒烯(rubrene)，或其衍生物；於日本專利公開號第1988-295695號、日本專利公開號第1996-22557號、日本專利公開號第1996-81472號、日本專利公開號第1993-009470號、日本專利公開號第1993-017764號公開的金屬螯合配合物，例如所述配合物具有至少一種作為配體的金屬螯合8-羥基喹啉化合物(metalchelatedoxinoidcompounds)如：8-羥基喹啉化合物，包括：三(8-羥基喹啉)鋁[tris(8-quinolinolato)aluminium]、雙(8-羥基喹啉)鎂、雙[苯並(f)-8-羥基喹啉]鋅{bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc}、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁、三(8-羥基喹啉)銦[tris(8-quinolinolato)indium]、三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁、8-羥基喹啉鋰、三(5-氯-8-羥基喹啉)鎵、雙(5-氯-8-羥基喹啉)鈣，及其衍生物；於日本專利公開號第1993-202011號、日本專利公開號第1995-179394號、日本專利公開號第1995-278124號或日本專利公開號第1995-228579號公開的噁二唑(oxadiazole)化合物；於日本專利公開號第1995-157473號公開的三嗪(triazine)化合物；於日本專利公開號第1994-203963號公開的茋類(stilbene)衍生物；二苯乙烯基亞芳(distyrylarylene)衍生物；於日本專利公開號第1994-132080號或日本專利公開號第1994-88072號公開的苯乙烯基衍生物；於日本專利公開號第1994-100857號或日本專利公開號第1994-207170號公開的二烯烴衍生物；螢光增白劑，如苯並噁唑(benzooxazole)化合物、苯並噻唑(benzothiazole)化合物，或苯並咪唑(benzoimidazole)化合物；二苯乙烯基苯(distyrylpyrazine)化合物，如1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯、1,4-雙(3-甲基苯乙烯基)苯、1,4-雙(4-甲基苯乙烯基)苯、二苯乙烯基苯、1,4-雙(2-乙基苯乙烯基)苯、1,4-雙(3-乙基苯乙烯基)苯、1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯或1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯；二苯乙烯基吡嗪化合物，如2,5-雙(4-甲基苯乙烯基)吡嗪、2,5-雙(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2,5-雙[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪、2,5-雙(甲氧基乙烯基)吡嗪、2,5-雙[2-(4-聯苯基)乙烯基]吡嗪或2,5-雙[2-(1-芘基l)乙烯基]吡嗪；二甲基啶(dimethylidine)化合物或其衍生物，如1,4-亞苯基二甲基啶、4,4』-亞苯基二甲基啶、2,5-二甲苯二甲基啶、2,6-亞萘基二甲基啶、1,4-亞聯苯基二甲基啶、1,4-對-亞苯基二甲基啶、9,10-蒽二基二甲基啶(9,10-anthracenediyldimethylidine)，或4,4』-(2,2-二-叔-丁基苯基)聯苯、4,4』-(2,2-聯苯基乙烯基)聯苯等；於日本專利公開號第1994-49079號或日本專利公開號第1994-293778號公開的矽烷胺(silanamine)衍生物；於日本專利公開號第1994-279322號或日本專利公開號第1994-279323號公開的多官能苯乙烯基化合物；於日本專利公開號第1994-107648號或日本專利公開號第1994-092947號公開的噁二唑衍生物；於日本專利公開號第1994-206865號公開的蒽化合物；於日本專利公開號第1994-145146號公開的oxynate衍生物；如日本專利公開號第1992-96990號公開的四苯基丁二烯化合物；如日本專利公開號第1991-296595號公開的有機三官能化合物；於日本專利公開號第1990-191694號公開的香豆素(coumarin)衍生物；於日本專利公開號第1990-196885號公開的苝衍生物；於日本專利公開號第1990-255789號公開的萘衍生物；如日本專利公開號第1990-289676號或日本專利公開號第1990-88689號公開的酞苝酮(phthaloperynone)衍生物；或如日本專利公開號第1990-250292號公開的苯乙烯基胺衍生物，上述化合物被用作包含於低折射層的電子接受有機化合物。該有機化合物通常具有1.7至1.8的折射率。為維持包含此有機化合物的低折射有機層較低的折射率，該低折射有機層除該有機化合物外還可包含具有低折射率的材料(下文稱為低折射材料)。作為此低折射材料，例如，可使用具有1.6以下折射率的材料。低折射材料的折射率的下限例如可為0.5或0.7或更高，但不特別限於此。作為該材料，可使用選自氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF)、氟化鉀(KF)、氟化鈉(NaF)、氟化鋁(AlF3)、氟化鋇(BaF2)、氟化鈹(BeF2)、氟化鎘(CdF2))、氟化鈣(CaF2)、氟化銫(CsF)、氟化釷(ThF4)、氟化釔(YF3)、二氯化鐵(FeCl2)、氧化釩(V2O5)及Na5Al3F14錐冰晶石(Chiolite)中的一種或兩種以上的混合物。只要控制低折射有機層使得其具有上述範圍的折射率，對包含於該低折射有機層中的低折射材料的含量無特別限制。在一實例中，基於包含於該低折射有機層內的有機化合物為100重量份計，低折射材料的含量可為150重量份以下、140重量份以下、130重量份以下、120重量份以下、110重量份以下或100重量份以下。此處使用的「重量份」單位除非另有特別定義，其指成分之間的重量比。通過該低折射有機層的折射率來確定低折射材料比例的下限，因此無特別限制。如上所述，例如，可以通過使用有機化合物及低折射材料的共沉積方法來形成包含該有機化合物及上文所述的該低折射材料的低折射有機層。該低折射有機層可具有例如15nm以上、18nm以上、20nm以上、30nm以上、40nm以上、50nm以上、55nm以上、60nm以上、65nm以上或70nm以上的厚度。在此範圍內，可使器件的衰退效果最小化，並且使光提取效率最大化。對該低折射有機層的厚度上限無特別的限制。例如，該低折射有機層可具有150nm以下、100nm以下或85nm以下的厚度。該發光層例如可使用本技術領域熟知的各種螢光或磷光有機材料而形成。該發光層也可通過使用如上所述的電子接受有機化合物、或者選自下述的電子供給有機化合物的表現出發光特性的適當的種類來形成。該發光層的材料可為，例如：Alq系材料，如三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3)、4-MAlq3或Gaq3等；環戊二烯(cyclopenadiene)衍生物，如C-545T(C26H26N2O2S)、DSA-胺、TBSA、BTP、PAP-NPA、螺-FPA、Ph3Si(PhTDAOXD)、1,2,3,4,5-五苯基-1，3-環戊二烯(PPCP，1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene)、4,4』-雙(2,2』-二苯基乙烯基)-1,1』-聯苯(DPVBi，4,4'-bis(2,2'-diphenylyinyl)-1,1'-biphenyl)、二苯乙烯基苯或其衍生物；或者4-(二氰基亞甲基)-2-叔-丁基-6-(1,1,7,7,-四甲基久洛尼定-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB，4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran)、DDP、AAAP或NPAMLI；或磷光材料(phosphorescentmaterial)，如Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon2Ir(acac)、(C6)2Ir(acac)、bt2Ir(acac)、dp2Ir(acac)、bzq2Ir(acac)、bo2Ir(acac)、F2Ir(bpy)、F2Ir(acac)、op2Ir(acac)、ppy2Ir(acac)、tpy2Ir(acac)、面式-三[2-(4,5』-二氟苯基)吡啶-C』2,N]銥(III)(FIrppy，fac-tris[2-(4,5'-difluorophenyl)pyridine-C'2,N]iridium(III))或雙(2-(2』-苯並[4,5-a]噻吩基)吡啶-N,C3』)銥(乙醯丙酮)(Btp2Ir(acac)，bis(2-(2'-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3')iridium(acetylactonate))，但並不限於此。該發光層可包含作為主體(host)的材料，並包含主體摻雜體系(Host-Dopantsystem)，所述主體摻雜體系包括作為摻雜劑的苝(perylene)、二苯乙烯基聯苯(distyrylbiphenyl)、DPT、喹吖啶酮(quinacridone)、紅熒烯(rubrene)、BTX、ABTX，或DCJTB等。該有機層壓結構可以包括本領域已知的其他層而以各種形式存在，只要該有機層壓結構至少包含該低折射有機層和該發光層。例如，當該低折射有機層包含電子接受有機化合物而作為電子傳輸層時，作為可進一步包含於該有機層壓結構中的層，可以列舉出空穴注入層(HIL，HoleInjectingLayer)、空穴傳輸層(HTL，HoleTransportingLayer)、電子注入層(EIL，ElectronInjectingLayer)，或空穴阻擋層(HBL，HoleBlockingLayer)等。此處，該空穴注入層例如可為與該空穴注入電極層接觸而進一步包含的層，以協助空穴從該電極層順利地注入至該有機層壓結構內。此外，該空穴傳輸層例如可存在於該發光層及該空穴注入電極層之間，並且具有與該發光層的最高佔據分子軌道(HOMO，highestoccupiedmolecularorbital)相比更高水平的HOMO，從而協助空穴的順利傳輸。舉例而言，該空穴注入或空穴傳輸層可包含電子供給有機化合物(electrondonatingorganiccompound)。作為電子供給有機化合物，可使用N,N』,N』-四苯基-4,4』-二氨基苯基、N,N』-二苯基-N,N』-二(3-甲基苯基)-4,4』-二氨基聯苯、2,2-雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)丙烷、N,N,N』,N』-四-對-甲苯基-4,4』-二氨基聯苯、雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、N,N』-二苯基-N,N』-二(4-甲氧基苯基)-4,4』-二氨基聯苯、N,N,N』,N』-四苯基-4,4』-二氨基二苯醚、4,4』-雙(二苯基氨基)四苯[4,4'-bis(diphenylamino)quadriphenyl]、4-N,N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4』-N,N-二苯基氨基苯乙烯基苯、N-苯基咔唑、1,1-雙(4-二-對-三氨基苯基)環己烷、1,1-雙(4-二-對-三氨基苯基)-4-苯基環己烷、雙(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、N,N,N-三(對-甲苯基)胺、4-(二-對-甲苯基氨基)-4』-[4-(二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]茋、N,N,N』,N』-四苯基-4,4』-二氨基聯苯N-苯基咔唑、4,4』-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]聯苯、4,4』-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]對-三聯苯、4,4』-雙[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]聯苯、4,4』-雙[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]聯苯、1,5-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘、4,4』-雙[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]聯苯苯基氨基]聯苯、4,4』-雙[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-對-三聯苯、4,4』-雙[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]聯苯、4,4』-雙[N-(8-熒蒽基)-N-苯基氨基]聯苯、4,4』-雙[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]聯苯、4,4』-雙[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]聯苯、4,4』-雙[N-(1-暈苯基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4'-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、2,6-雙(二-對-甲苯基氨基)萘、2,6-雙[二-(1-萘基)氨基]萘、2,6-雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘、4,4」-雙[N,N-二(2-萘基)氨基]三聯苯、4,4-雙{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]氨基}聯苯、4,4』-雙[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]聯苯、2,6-雙[N,N-二-(2-萘基)氨基]氟或4,4」-雙(N,N-二-對-甲苯基氨基)三聯苯，或芳胺類化合物，如雙(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺，但本發明不限於此。該空穴注入層或空穴傳輸層可通過在聚合物中分散該有機化合物，或也可以使用由該有機化合物衍生的聚合物而形成。此外，也可使用π-共軛聚合物(π-conjugatedpolymers)如聚對苯乙炔及其衍生物，空穴傳輸非共軛聚合物如聚(N-乙烯基咔唑)或聚矽烷的σ-共軛聚合物。該空穴注入層可使用導電聚合物例如金屬酞菁(如銅酞菁)或非金屬酞菁、碳層及聚苯胺來形成，或者通過將芳胺化合物作為氧化劑與Lewis酸反應而形成。該電子注入層作為協助電子自電極層注入有機層壓結構的層，需要時也可與該電子注入電極層接觸而進一步包含。可使用已知材料如LiF或CsF形成該電子注入層。該空穴阻擋層可為能夠通過阻止從該空穴注入電極層注入的空穴穿過該發光層到達該電子注入電極層而增強該器件的生命周期和效率的層，當需要時，可使用已知材料在該發光層及該電子注入電極層之間的適當部位形成。該有機層壓結構可以以各種結構形成。例如，當低折射有機層作為電子傳輸層時，該有機層壓結構可包含：發光層及低折射有機層；發光層、低折射有機層及電子注入層；空穴傳輸層、發光層及低折射有機層；空穴注入層、空穴傳輸層、發光層及低折射有機層；空穴傳輸層、發光層、空穴阻擋層及低折射有機層；空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、空穴阻擋層及低折射有機層；空穴傳輸層、發光層、低折射有機層及電子注入層；或空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、低折射有機層及電子注入層，其為自該空穴注入電極層依序形成，但本發明不限於此。當需要時，該有機層壓結構可具有包含兩層以上的發光層的結構。包含兩層以上的發光層的該結構可包括被具有電荷產生特性的中間電極層分開的兩層以上的發光層，或電荷產生層(CGL，ChargeGeneratingLayer)存在於該有機層壓結構內的適當位置，但本發明不限於此。該OLED也可包含散射層。該散射層可為通過與該低折射有機層的相互作用而增加該器件的光提取效率的層，並且只要其用於使入射的光散射，就可使用任何已知材料和結構而形成該散射層。在一實例中，該散射層可為包含散射顆粒的層。圖2示例性顯示了在基底層105上形成包含散射顆粒301的散射層的形態。圖2的該散射層包含散射顆粒301及粘合劑302。此處使用的術語「散射顆粒」例如可指，具有與用於形成該散射層的粘合劑或之後描述的平坦化層不同的折射率的顆粒。該顆粒可具有1.0至3.5的折射率，例如，約1.0至2.0、1.2至1.8、或者約2.1至3.5，或2.2至3.0的折射率，且平均直徑約為50至20000或100至5000nm。該顆粒可為球形、橢圓形、多邊形或不定形，但本發明不特別限於此。該散射顆粒例如可包含：有機材料如聚苯乙烯或其衍生物、丙烯酸樹脂或其衍生物、矽樹脂或其衍生物，或酚醛樹脂或其衍生物，或無機材料如氧化矽、氧化鋁、氧化鈦或氧化鋯。該散射顆粒可包含上述材料中任一種，或其兩種以上的材料；或視需要可以核/殼型顆粒或中空型顆粒而形成。該散射層還可包含用於維持該散射顆粒的粘合劑。作為該粘合劑，例如作為可維持該散射層的材料，可使用相近的其他材料，例如具有與該基底層105相同折射率的材料。作為該粘合劑，例如，熱或光固化單體的、低聚的、或聚合的有機材料如聚醯亞胺、具有芴環的卡多樹脂(caldoresin)、氨基甲酸酯、環氧化合物、聚酯、或丙烯酸酯，或無機材料如二氧化矽、氮化矽(silicon)、氮氧化矽(siliconoxynitride)，或聚矽氧烷，或有機\無機複合材料。該散射層例如可為具有不平坦結構的層。圖3示例性顯示具有不平坦結構的散射層401形成於基底層105上。當適當地調節該散射層的不平坦結構時，可使入射的光散射。舉例來說，可通過塗布熱或光固化材料，並在固化或進行蝕刻步驟期間與能夠轉印期望形狀的不平整結構的模具接觸而固化該材料。在另一方法中，該散射層可通過將具有合適尺寸和形狀的顆粒混入用於形成該散射層的粘合劑而形成。在此情況下，該顆粒不需要為具有散射功能的顆粒，但是也可使用具有散射功能的顆粒。舉例來說，該散射層可通過如下方法形成：用溼式塗布法塗布材料，並施加熱或光輻射等，以溶膠-凝膠法、如化學氣相沉積(CVD，ChemicalVaporDeposition)法或物理氣相沉積(PVD，PhysicalVaporDeposition)法的沉積法或微壓印法固化該材料。該OLED還可包含形成於該散射層頂部的平坦化層。圖4和5示例性顯示進一步包含平坦化層的OLED。圖4顯示了平坦化層501形成於具有圖2所示結構的散射層上，且圖5顯示了平坦化層501形成於具有圖3所示結構的散射層上。該平坦化層提供了可以在散射層上形成如空穴注入電極層等電極層的表面，根據情況，通過與散射層的相互作用可實現更優良的光提取效率。該平坦化層例如可具有與相鄰的電極層相同的折射率，例如，約1.8至3.5或2.2至3.0。該平坦化層可例如通過將具有高折射率且平均直徑約為1至100、10至90、20至80、30至70、30至60或30至50nm的高折射顆粒與用於形成該平坦化層的粘合劑混合的方法而形成。作為該高折射顆粒，例如可使用氧化鋁、氧化鈦或氧化鋯。在一實例中，作為高折射顆粒，可使用氧化鈦，例如金紅石型(rutile-type)氧化鈦。該金紅石型氧化鈦可具有較之其它顆粒更高的折射率，因此，雖然用於形成平坦化層的材料中高折射顆粒的含量相對小，但是該平坦化層可具有高折射率。當該高折射率顆粒在材料中的比例相對低時，可實現較高品質的平坦化層。在另一實例中，也可使用由化合物如金屬(鋯、鈦或銫等)的烷氧化物或醯化物(acylate)等與具有極性基團(如羧基或羥基等)的粘合劑混合製備的材料形成該平坦化層。烷氧化物或醯化物等化合物可與該粘合劑的極性基團進行縮合反應，並提供金屬至粘合劑的主鏈，從而實現高折射率。烷氧化物或醯化物的實例可包括鈦烷氧化物(titaniumalkoxide)，如四-正-丁氧基鈦、四異丙氧基鈦、四-正-丙氧基鈦或四乙氧基鈦；醯化鈦，如硬脂酸鈦；鈦螯合物；鋯烷氧化物，如四-正-丁氧基鋯、四-正-丙氧基鋯、四異丙氧基鋯或四乙氧基鋯；醯化鋯，如三丁氧基硬脂酸鋯；或鋯螯合物。此外，作為具有極性基團的粘合劑，可使用選自該散射層中描述的粘合劑種類中的適當的種類。此外，該平坦化層可如下形成：將金屬烷氧化物(如鈦烷氧化物或鋯烷氧化物等)與溶劑(如醇或水等)混合製備塗布溶液，在塗布該塗布溶液之後，在適當的溫度下以溶膠-凝膠塗布法燒結該塗布溶液。該散射層或該平坦化層可具有比形成於其上的空穴或電子注入電極層更小的投影面積。該散射層或該散射層及平坦化層也可具有比該基底層更小的投影面積。此處所用的術語「投影面積」是指，當從沿平行於該基板的表面的法線方向的上方或下方觀察該基板時，所確認的目標物的投影面積，例如，基底層、散射層或電極層的面積。據此，舉例而言，雖然因散射層的表面是以不平整的形態形成的，因此使散射層的實際表面積比電極層大，但當從上方觀察該散射層所確認到的面積比從上方觀察該電極層所確認到的面積小時，就理解為該散射層具有比電極層更小的投影面積。當該散射層具有比該基底層及該電極層更小的投影面積時，該散射層可以各種類型存在。舉例來說，如圖6所示，僅可在該基底層105邊緣之外的部分形成該散射層104，或者如圖7所示，該散射層104可部分地保留在基底層105的邊緣。圖8示例性顯示從上方觀察圖6的散射層。如圖8所示，當從上方觀察該散射層時所確認到的該電子或空穴注入電極層101的投影面積(A)比配置於其下方的散射層104的投影面積(B)大。該電極層101的投影面積(A)與該散射層的投影面積(B)的比值(A/B)可為，例如1.04以上、1.06以上、1.08以上、1.1以上或1.15以上。當該散射層的投影面積小於該電極層的投影面積時，如下所述可以實現散射層未暴露於外部環境的結構，投影面積比例(A/B)的上限無特別的限制。在考慮基板製造的一般環境下，該比值(A/B)的上限可為，例如約2.0、約1.5、約1.4、約1.3或約1.25。此處，在其上未形成有散射層的基底層頂部也可形成該電子注入或空穴注入電極層。該電子層可與該基底層接觸而形成，或者在電極層及該基底層之間包含另一組件。根據這樣的結構，可實現散射層沒有暴露在外部環境的結構。例如，如圖8所示，該電子注入或空穴注入電極層可形成在如下區域內，該區域包含從上方觀察時散射層的全部周邊區域之外的區域。在此情況下，例如，如圖7所示，當多個散射層104存在於該基底層上時，該電極層101形成在如下區域上，該區域包含散射層104中的至少一個散射層的全部周邊區域之外的區域，例如，所述散射層為至少在其頂部形成有有機層的散射層。例如，在圖7的結構中，當在存在於右側邊緣及左側邊緣的散射層的頂部形成有機層時，圖7的結構可改變為電極層形成在如下區域上的結構，該區域是向左側和右側延伸而存在於右側邊緣及左側邊緣的散射層的周邊區域之外。在這種結構中，當將之後描述的封裝結構粘附於在下方未形成有散射層的電極層時，可形成散射層沒有暴露在外部環境的結構。據此，可防止外部溼氣或氧氣穿透該高折射層的滲入及類似行為，可穩定地確保該封裝結構或該電極與該基板之間的粘合強度，且可優異地維持該器件邊緣的表面硬度。在用於形成該電極層的沉積或濺射步驟期間，例如，通過形成與所述散射層等相比具有更大投影面積的電極層而進行投影面積的調節，需要時，移除該散射層和/或平坦化層的規定部分以進行圖案化。該OLED可以適當存在於封裝結構內，以避免來自外部環境的溼氣或氧氣等。即，該OLED可進一步包含用於保護該電極層及該有機層壓結構的封裝結構。該封裝結構例如可為，如玻璃罐或金屬罐的罐，或覆蓋該有機層壓結構的整個表面的膜。圖9示例性顯示進一步包括如玻璃罐或金屬罐的罐型封裝結構901作為用於保護電子注入電極層102及有機層壓結構103的封裝結構的形態。如圖9所示，該封裝結構901例如可通過粘合劑902粘附至空穴注入電極層101。該封裝結構例如粘附至在下方不存在散射層104的空穴注入電極層101。例如，如圖9所示，通過該粘合劑902該封裝結構901可粘附至存在於基底層105邊緣的電極層101。以此方法，可使基於該封裝結構的保護效果最大化。該封裝結構例如可為，用於覆蓋該有機層壓結構及該電子注入電極層的整個表面的膜。圖10顯示覆蓋有機層壓結構103及電子注入電極層的整個表面的示意性膜型封裝結構1001。如圖10所示，例如，該膜型封裝結構1001可具有，覆蓋有機層壓結構103及該電極層102的整個表面，同時粘附至位於形成有散射層104及空穴注入電極層101的基底層105頂部的第二基板1002。於此，作為該第二基板1002，例如可使用玻璃基板、金屬基板、聚合物膜或阻擋層。舉例來說，膜型封裝結構可以通過如下方式形成：塗布通過熱或紫外線(UV)輻射等來固化的、如環氧樹脂的液體材料，並固化所述液體材料，或者使用預先製成的粘合片將該基板與上層基板層疊，其中所述粘合片為使用環氧樹脂製成的膜狀粘合片。當需要時，該封裝結構可包括水分吸收劑或吸氣劑(getter)等，例如，如氧化鈣或氧化鈹的金屬氧化物、如氯化鈣的金屬滷化物，或五氧化二磷。例如，該水分吸收劑或吸氣劑可包含於該膜型封裝結構的內部，或者存在於罐型封裝結構的規定位置。該封裝結構還可包含阻擋膜或導電膜。如圖9或10所示，該封裝結構例如可粘附至，下方未形成有該散射層104的空穴注入電極層101頂部。據此，可實現該散射層等不暴露於外部環境的密封結構。該密封結構例如可指，該散射層的整個表面被該基底層、該電極層和/或該封裝結構包圍，或被包含該基底層、該電極層和/或該封裝結構的密封結構包圍而不暴露於外部環境的狀態。該密封結構可僅由該基底層、該電極層和/或該封裝結構而形成，或者包含該基底層、該電極層、該封裝結構及其他組件，例如，導電材料或中介層，只要該低折射層沒有暴露於外部環境即可。例如，在圖9或10中，在基底層105與該電極層101接觸的部分、或電極層101與該封裝結構901或1001接觸的部分、或除此之外的位置，可以存在其他組件。作為該其他組件，可使用具有低滲水性的有機、無機或有機/無機複合材料，或者絕緣層或輔助電極層。本發明的另一方面提供OLED的用途。OLED可有效應用於液晶顯示器(LCD，LiquidCrystalDisplay)的背光、照明裝置、感測器、印刷機、複印機的光源、汽車儀表的光源、信號光、指示燈、顯示裝置、用於平板發光裝置的光源、顯示器、裝飾或者其它種類的光源。在一個實例中，本發明涉及包含OLED的照明裝置。當該OLED應用於照明裝置或用於其他用途時，其他組成該裝置的元件或組成該裝置的方法無特別限制，但相關技術領域悉知的所有任意材料或方法可拿來使用，只要它們是用於OLED即可。發明效果本發明的示例性OLED可使基於反射電極層的光吸收和表面等離子體的漸逝耦合最小化，並表現出優異的發光效率。附圖的簡要說明圖1顯示該OLED示例性實施方案的示意圖。圖2及3顯示該散射層示例性實施方案的示意圖。圖4及5顯示形成有平坦化層的OLED的示例性實施方案的示意圖。圖6至8顯示OLED中的基底層、散射層及空穴注入電極層的示例性實施方案的示意圖。圖9及10顯示OLED的示例性實施方案的示意圖。附圖標記說明100、200：有機發光器件101、102：電極層103：有機層疊結構1031：低折射有機層1032：發光層105：基底層301：散射顆粒302：粘合劑104、401：散射層501：平坦化層示例性實施方案將參照實施例與比較例來詳細描述OLED，但OLED的範圍不限於以下實施例。實施例1將1g的聚合物珠(XX75BO，平均直徑：約3μm，Sekisui制)充分分散在10g的四甲氧基矽烷(tetramethoxysilane)中以製備溶膠-凝膠塗布溶液。之後，在玻璃基板上塗布已製備的塗布溶液並進行了溶膠-凝膠反應來形成散射層。接著，在散射層頂部塗布高折射塗布溶液，以及以如上述相同的方式進行溶膠-凝膠反應，形成具有約1.8的折射率的平坦化層，該高折射塗布溶液如下製備：將具有約10nm的平均直徑且折射率約為2.5的高折射氧化鈦顆粒以如上文所述相同的方式混入含有四甲氧基矽烷的溶膠-凝膠塗布溶液。之後，通過照射雷射至所形成的層上以移除部分光散射層和平坦化層，這樣，使得剩餘光散射層和平坦化層的位置對應於接著形成的有機層的發光區域。移除之後，通過已知的濺射方法，在玻璃基板的整個表面上形成包含ITO(IndiumTinOxide)的空穴注入電極層以具有預定的厚度。之後，通過已知的沉積方法依序形成包含N-N′-二-[(1-萘基)-N,N』-二苯基]-1,1′-二苯基)-4,4′-二胺(α-NPD)(N-N′-Di-[(1-naphthyl)-N-N′-diphenyl]-1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)的空穴注入層和發光層(4,4』,4」-三(N-咔唑基)-三苯胺(4,4』,4」-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine)(TCTA):Firpic,TCTA:Fir6)。然後，在發光層頂部，通過將電子傳輸化合物4,4』,4」-三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA,4,4』,4」-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine)與低折射材料LiF(折射率：約1.39)共沉積形成約70nm厚度的低折射有機層，以具有約1.66的整層的折射率。之後，通過真空沉積方法，在低折射有機層頂部形成作為電子注入折射電級的鋁(Al)電級來製造器件。之後，在Ar氣氛下，在手套箱中將封裝結構粘附至該器件來製造了裝置。之後，移至大氣中，測量了半球(HalfMoon)的電流密度為3mAcm-2時的電壓-電流特性、亮度及效率。同時，在此，折射率為使用Nanoview公司製造的橢偏儀(ellipsometer)在約550nm的波長所測量的數值。比較例1以與實施例1相同的方法製造OLED，不同在於在發光層上形成僅由作為電子傳輸化合物的TCTA(4,4』,4」-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine)而構成的層以具有約70nm的厚度來代替低折射有機層。比較例2以與實施例1相同的方法製造OLED，不同在於未形成散射層和平坦化層。比較例3以與實施例1相同的方法製造OLED，不同在於未形成散射層和平坦化層，並且在發光層上形成僅由作為電子傳輸化合物的TCTA(4,4』,4」-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine)而構成的層以具有約70nm的厚度來代替低折射有機層。比較例4以與實施例1相同的方法製造OLED，不同在於在發光層上形成由作為電子傳輸化合物的TCTA與具有約1.79折射率的氧化釔(Y2O3)而構成的共沉積層以具有約70nm的厚度來代替低折射有機層。比較例5以與實施例1相同的方法製造OLED，不同在於在發光層上形成僅由作為電子傳輸化合物的TCTA而構成的層以具有約20nm的厚度來代替低折射有機層。表1顯示了關於實施例和比較例的性能評估結果。表1中，通過已知方法進行了絕對量子效率(absolutequantumefficiency)的評估。表1驅動電壓(V)絕對量子效率(％)實施例12.748.1比較例12.830.6比較例22.719.2比較例32.716.5比較例43.229.1比較例52.520.1