探針塊用探針薄膜及其製造方法
2023-07-23 05:03:16 1
專利名稱：探針塊用探針薄膜及其製造方法
技術領域：
本發明涉及探針塊用探針薄膜及其製造方法。
背景技術：
IXD (液晶顯示器)生產工藝大致分為製作顯示面板的面板成型(cell)工序；將驅動器(driver)、背照燈(back light)、導光板和偏光板與通過面板成型工序生產的顯示面板組裝而製作出完整產品的模塊(module)組裝工序。在這裡，顯示面板是將分別形成有源電極和柵電極的面相對配置在基板上的圖像顯示裝置，在基板間填入液晶物質之後，向兩電極施加電壓而產生電場，通過該產生的電場使液晶分子運動，使光的透射率變化，由此顯示圖像。此時，顯示器檢查用探針單元(以下稱為「探針單元」)通過對由面板成型工序生產的顯示面板進行檢查，來確認有沒有在製造工序中可能產生的缺陷。例如，探針單元向TFT(薄膜電晶體，Thin Film Transistor)、TN(扭曲向列， Twisted Nematic)、STN(超級扭曲向列，Super Twisted Nematic)、CSTN(彩色超級扭曲向列，Color Super Twisted Nematic)、有機 EL (電致發光，Electro Luminescence)等顯不面板的電極(或焊盤)施加測試用電信號，檢查相應的顯示器面板是否正常工作而不產生像素偏差(pixel error)。圖1是傳統的用於檢查顯示面板的探針單元的整體結構圖。如圖1所示，探針單元10位於顯示面板20而檢查各面板成型有無異常。此時，探針單元10向顯示面板20的電極施加電信號，接受由此產生的輸出信號，並傳送到檢查系統。通過這樣的過程來檢測是否存在製造工序中可能產生的顯示面板20的點缺陷、 線缺陷、汙漬缺陷等缺陷。圖2是傳統的探針單元的立體圖。如圖2所示，上述的探針單元10 —般包括探針塊12、PCB(印刷電路板)部16和頂塊14。探針塊12使探針接觸顯示面板20的電極，並施加電信號，檢測由此產生的輸出信號，而進行檢查工序。在此，探針塊12可以與TCP(帶載封裝)塊(未圖示)形成為一體， 這樣的TCP塊將從PCB部16接收到的電信號傳送到探針塊12。頂塊14使探針塊12在上下方向上移動或者固定在固定位置上，以使得探針塊12 的探針以適當的物理壓力接觸顯示面板20的電極。PCB部16生成用於檢查顯示面板20的各面板成型(cell)的電信號，並以薄膜18 為媒介傳送到探針塊12。另一方面，近來，高畫質的顯示面板持續地增加，由此，具備用於檢查高密度顯示面板的探針的探針塊的必要性變大。然而，由於構成於上述傳統探針塊上的探針的直徑至少為300微米左右，因此，在檢查排列有高密度的細微電極的顯示面板時存在極限。尤其是，因為加工探針的技術性極限而難以製作出具備均勻且準確排列的探針的高密度探針塊。另外，構成於上述傳統的探針塊上的探針存在以下的不方便之處在探針的前端部接觸顯示面板時，探針產生磨損，從而不能準確地對顯示面板進行檢查，不得不及時地更換探針。而且，也會因探針的個別的上下運動而產生針落空(pin miss)。
發明內容
本發明的一個實施例的目的在於提供一種探針塊用探針薄膜及其製造方法，所述探針塊用探針薄膜被設置為使用光刻法高密度且均勻地一併形成探針部；有效地檢查排列有高密度的細微電極的顯示面板；另外，由於探針部沒有流動性，因此在檢查過程中減少了針落空。本發明的另一實施例的目的在於提供一種探針塊用探針薄膜及其製造方法，所述探針塊用探針薄膜被設置為將多個接觸凸起隨著各個信號線一併形成在探針部，以使得接觸位置從已磨損的相應的接觸凸起變更為下一個接觸凸起；使用下一個接觸凸起持續地對顯示面板進行檢查工序，而不更換已磨損的接觸凸起。此外，本發明的又一實施例的目的在於提供一種探針塊用探針薄膜及其製造方法，在所述探針塊用探針薄膜中，按一定間隔交替排列彼此具有不同長度的多個信號線部， 由此，能夠使因高電壓差而產生的電信號的幹擾最小化。作為用於實現上述技術課題的技術方案，本發明的第一方面提供一種探針塊用探針薄膜的製造方法，所述探針塊用探針薄膜用於檢查顯示面板，其中，該方法包括探針部形成步驟，在該步驟中，使用光刻法(photolithography)在基板上按照設定的間隔一併形成多個探針部，所述多個探針部各自分別包括信號線部和從所述信號線部突出形成的接觸凸起；薄膜接合步驟，在該步驟中，將所述探針部的上部表面與薄膜部接合；以及基板除去步驟，在該步驟中，除去所述基板。本發明的第二方面提供一種探針塊用探針薄膜，該探針塊用探針薄膜用於檢查顯示面板，其中，其包括多個探針部，所述多個探針部各自分別包括信號線部和從信號線部突出形成且與顯示面板所具有的多個電極接觸的接觸凸起；以及薄膜部，其與所述探針部的上部表面接合。根據前面所述的本發明的課題解決方案，可實現使用光刻法高密度且均勻地一併形成探針部，有效地檢查排列有高密度的細微電極的顯示面板，另外，由於探針部沒有流動性，因此在檢查過程中減少了針落空。另外，根據前面所述的本發明的課題解決方案，可實現將多個接觸凸起隨著各個信號線一併形成在探針部，使得接觸位置從已磨損的相應的接觸凸起變更為下一個接觸凸起，使用下一個接觸凸起持續地對顯示面板進行檢查工序，而無需更換已磨損的接觸凸起。再者，根據前面所述的本發明的課題解決方案，按一定間隔交替排列彼此具有不同長度的多個信號線部，由此，能夠使因高電壓差而產生的電信號的幹擾最小化。
圖1是傳統的用於檢查顯示面板的探針單元的整體結構圖。
圖2是傳統的探針單元的立體圖。圖3是本發明的一個實施例的探針單元的立體圖。圖如 圖如是示出探針塊的前端部的圖。圖5是圖3所示的探針單元的分解立體圖。圖6是本發明的一個實施例的探針薄膜的立體圖。圖7是圖6的探針薄膜的俯視圖。圖8是例示出本發明一個實施例的、被形成為一定圖案的信號線部以及從所述信號線部突出形成的接觸凸起的圖。圖9是本發明一個實施例的探針塊用探針薄膜的製造方法的整體流程圖。圖10是本發明一個實施例的探針塊用探針薄膜的製造方法的詳細流程圖。圖Ila 圖Ilk是用於說明本發明一個實施例的探針塊用探針薄膜的製造方法而示出工藝過程的圖。圖12是示出由所述圖Ila 圖Ilk的工藝過程形成的信號線部以及從所述信號線部突出形成的多個接觸凸起的圖。標號說明100探針薄膜；150探針部；151信號線部；152接觸凸起；170薄膜部；200探針單元；210頂塊；220探針塊；230壓接塊；241第一板；242第二板；250固定塊。
具體實施例方式下面，參照添附的附圖，詳細說明本發明的實施例，以便具有本發明所屬技術領域的通常知識的人員可容易地實施。但是，本發明可以體現為各種不同的方式，而並不被限定於這裡所說明的實施例。另外，為了利用附圖明確地說明本發明，在附圖中省略了與說明無關的部分，對在整個說明書中相類似的部分標註了相同的附圖標號。在說明書整體中，在某一部分與其它部分「連接」的情況下，這不僅包括「直接地連接」的情況，也包括在它們中間放置其它元件而「電連接」的情況。另外，在某一部分「包括」某構成要素的情況下，只要沒有特別地進行否定的記載，這就意味著還可以包括其它的構成要素，而並不排除其它的構成要素。圖3是本發明一個實施例的探針單元的立體圖。圖如 圖如示出探針塊的前端部。而且，圖5是圖3的探針單元的分解立體圖。如圖3 圖5所示，本發明的探針單元200包括頂塊210、探針塊220以及壓接塊 230。頂塊210與探針塊220的上部接合，使探針塊220在上下方向上移動和固定，以使得探針塊220的探針部以適當的物理壓力接觸顯示面板的電極。探針塊220包括包括傾斜突出部2 的探針塊主體部222 ；探針薄膜100，其與傾斜突出部2 的下側面接合，在傾斜突出部2 的縱剖側突出且被延長，接觸顯示面板的電極並施加信號；以及第二板M2，其與傾斜突出部224的上側面接合，並與突出且被延長的探針薄膜100的上部表面接觸而支撐探針薄膜100。在這裡，探針塊220還可以包括固定塊 250，該固定塊250與第二板M2的上部表面接合，固定並支撐第二板M2。更具體地說，如圖如所示，探針塊220的前端部A可以包括與傾斜突出部2M的下側面接合的第一板Ml ；探針薄膜100，其與第一板241的下側面接合，並接觸顯示面板的電極，施加信號；以及第二板對2，其與傾斜突出部224的上側面接合，並與第一板241的上部表面接觸，而支撐第一板的前端部M1-1。此時，第二板242的前端部242-1能夠以傾斜的角度接觸第一板Ml的前端部Ml-I。而且，如圖4b所示，在其它實施例中，探針塊220的前端部A』可以被構造成如下形態上述第一板241並不介於傾斜突出部224的下側面和探針薄膜100之間，探針薄膜100 與傾斜突出部224的下側面接合，在傾斜突出部224的縱剖側突出且被延長，第二板242的前端部242-2被延長為排列在突出且被延長的探針薄膜100的上部表面而與其接觸。另外，如圖如所示，在其它實施例中，探針塊220的前端部A」也可以被構造成如下形態第一板241與第二板242被形成為一體，探針薄膜100與第一板Ml的下側面接合。壓接塊230被可裝卸地接合於探針塊220的下部。壓接塊230包括壓接塊主體部231，其被收納於形成在探針塊220下部的凹陷部；接合突出部232，其是向主體部231的一側突出而形成的；連接薄膜233，其從壓接塊主體部231的下部延長到接合突出部232的周圍，在接合突出部232的上部表面壓接在探針薄膜100側而連接。在這裡，連接薄膜233安裝有檢查顯示面板的驅動IC (驅動集成電路)(未圖示)。 這種驅動IC向顯示面板的各電極施加電信號並且檢測輸出，由此進行檢查顯示面板有無缺陷的檢查工序。連接薄膜233可以體現為覆晶薄膜(Chip On Film)。下面，通過圖6和圖7，更具體地對上述的探針薄膜100進行說明。圖6是本發明的一個實施例的探針薄膜的立體圖。圖7是圖6的探針薄膜的俯視圖。如圖6和圖7所示，被安裝在顯示面板檢查用探針塊上的探針薄膜100是如下所述的形態薄膜170與多個探針部150的上部表面接合，所述多個探針部150各自分別包括信號線部151 ；以及接觸凸起152，其從所述信號線部151突出形成，且與顯示面板所具有的多個電極接觸。在這裡，使用光刻法(photolithography)按照一定間隔一併形成探針部150。而且，探針部150的接觸凸起152是與顯示面板所具有的多個電極接觸的部分。在這裡，接觸突起152可以是如下所述的非對稱的菱形前端部153的寬度(a』)被形成為比其它部分的寬度寬且高度(b』)沿縱向減少。即，接觸凸起152可以是如下所述的形狀縱向的線(c』 )與前端部153的寬度方向的線(a』 )會合的點的高度(b』 )最大，隨著沿縱向遠離該點，高度減小。而且，探針部150的信號線部151通過與顯示面板接觸的接觸凸起152向顯示面板施加電信號，並將由此產生的輸出信號傳遞到檢查系統。這樣的接觸凸起152和信號線部151可以被排列成後面所敘述的圖8的形態。圖8是例示出本發明一個實施例的、被形成為一定圖案的信號線部以及從所述信號線部突出形成的接觸凸起的圖。如圖8所示，多個接觸凸起152可以在彼此具有不同長度的多個信號線部151a、 151b上突出而形成。在這裡可以是，信號線部151a、151b包括被形成為第一長度的第一信號線部151a ；被形成為比所述第一信號線部151a退後且比第一信號線部151a短的第二長度的第二信號線部151b，第一信號線部151a和第二信號線部151b交替排列。
在這裡可以是，相同信號被傳遞到相同長度的信號線部，被形成為第一長度的信號線部151a和被形成為第二長度的信號線部151b的電壓差為20V 40V。這樣，各個信號線部151a、151b以一定間隔交替排列，由此，可以將因該電壓差而可能產生的電信號的幹擾最小化。而且，由於多個接觸凸起152在信號線部突出形成，因此，不需要更換已被磨損的接觸凸起，而可以使用下一個接觸凸起來有效地對顯示面板進行檢查工序。更具體地說，接觸凸起152被形成為上述的非對稱的菱形，接觸位置可以從已被磨損的相應的接觸凸起變更為下一個接觸凸起，由此，可以使用下一個接觸凸起來持續地對顯示面板進行檢查工序，而無需更換已被磨損的接觸凸起。此外，使用光刻法按照一定間隔一併形成上述的探針部150，接觸凸起和信號線部被均勻且準確地排列而不流動，因此，在對顯示面板進行檢查的時候，可以減少針落空。下面，通過圖9來更具體地說明探針塊用探針薄膜的製造方法。圖9是本發明一個實施例的探針塊用探針薄膜的製造方法的整體流程圖。如圖9所示，為了製造本發明的探針塊用探針薄膜，首先，使用光刻法按照設定在基板上的間隔來一併形成多個探針部150(步驟S1001)，所述多個探針部150各自分別包括信號線部以及從所述信號線部突出而形成的接觸凸起。該步驟S1001可以與後面敘述的步驟SllOl S1108對應。接著，將探針部150的上部表面與薄膜部接合(步驟S10(^)。該步驟S1002可以與後面敘述的步驟Sl 109 SlllO對應。然後，除去所述基板(步驟S1003)。該步驟S1003可以與後面敘述的步驟Sllll對應。關於針對上述圖9的探針薄膜製造方法的更具體的工藝過程和詳細的製造順序， 在下面，通過圖10和圖Ila 圖Ilk來在後面敘述。圖10是本發明一個實施例的探針塊用探針薄膜的製造方法的詳細流程圖。而圖 Ila 圖Ilk是用於說明本發明一個實施例的探針塊用探針薄膜的製造方法而示出工藝過程的圖。如圖Ila所示，對形成在矽(Si)基板110 (在下面稱為「基板」)上的第一光致抗蝕層120進行構圖(patterning)，形成一定寬度(c』)的圖案(步驟S1101)。在這裡，相應的寬度(c』)可以被形成為與接觸凸起152的長度對應。具體地說，可以使用預先定義的掩模層通過紫外線曝光裝置等進行曝光，在經曝光的光致抗蝕層上進行顯影工序，利用掩模的圖案，對第一光致抗蝕層120進行構圖。接著，如圖lib所示，將第一光致抗蝕層120作為掩模，對基板110進行蝕刻，而形成接觸凸起區域122(S1102)。更具體地說，可以採用DRIE(De印siliconReactivelon Kching，深反應矽離子蝕刻)工藝將第一光致抗蝕層120作為掩模、以預先設定的深度對基板110進行蝕刻，而形成接觸凸起區域122。在這裡，DRIE工藝例如可按聚合物蒸鍍階段、聚合物蝕刻階段以及矽蝕刻階段的順序來進行。而且，關於所述設定的深度，存在其程度根據接觸凸起152的非對稱菱形的不同而不同的情況。即，可以被蝕刻成縱向的線(c』)與前端部的寬度方向的線(a』)會合的點最深。對於該點，希望參照上述的圖6和圖7。
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然後，如圖Ilc所示，在形成接觸凸起區域122而露出的基板110的上部表面和第一光致抗蝕層120的上部表面上形成籽晶層(步驟S110;3)。在這裡，通過濺射Ti (例如 50nm)和Cu (例如IOOnm)的籽晶金屬來形成籽晶層130，但是，也可以通過濺射Ti之後再濺射Cu的工序來形成籽晶層130。接著，如圖Ild所示，在籽晶層130的上部對第二光致抗蝕層140進行構圖，形成信號線部區域142(步驟S1104)。在這裡，關於第二光致抗蝕層140，可以為了形成信號線部區域142，使用預先定義的掩模層利用紫外線曝光裝置等進行曝光，在經曝光的光抗蝕層上執行顯影工序，利用掩模的圖案來構圖。然後，如圖lie所示，使用導電性物質144來填滿所述接觸凸起區域122和信號線部區域142(步驟Sl 10 。在這裡，通過鍍Ni、NiCo、Ni!^e和NiW中的至少一種金屬的工序來進行該步驟Sl 105。接著，如圖Ilf所示，將被導電性物質144填滿的區域122、142的上部表面平坦化，而形成探針部150(步驟S1106)。在這裡，可以通過化學機械研磨(CMP， ChemicalMechanical Polishing)工藝將被導電性物質144填滿的區域122、142的上部表面平坦化。此時，探針部150的一端部151被用於信號線部，從一端部151突出形成的另一端部152被用於接觸凸起。然後，如圖Ilg所示，除去上述的第二光致抗蝕層140(步驟S1107)。在這裡，可以採用灰化(ashing)工藝、溼式除去工藝和&等離子法中的任一種工藝來除去第二光致抗蝕層140。接著，如圖Ilh所示，除去因除去了第二光致抗蝕層140而露出的籽晶層131 (步驟S1108)。在這裡，可以通過乾式蝕刻或溼式蝕刻工藝來除去相應的籽晶層131。然後，如圖Ili所示，在探針部150的上部表面上塗敷粘接劑160(步驟S1109)。 這時，可通過進行環氧樹脂散布(印oxy spreading)來塗敷粘接劑160，按照工藝方法，也可以在第一光致抗蝕層120的上部表面上一併塗敷粘接劑160。接著，如圖Ilj所示，將薄膜部170接合在粘接劑上(步驟S1110)。隨後，如圖Ilk所示，除去基板110，完成探針薄膜的製作(步驟S1111)。在這裡， 可以同時除去第一光致抗蝕層120。此時，能夠採用溼式蝕刻工藝除去基板110和第一光致抗蝕層120。溼式蝕刻工藝可採用KOH溶液或TMAH(tetramethylammonium hydroxide，四甲基氫氧化銨)溶液來進行，所述KOH溶液或TMAH溶液是滿足能對矽進行蝕刻的條件的鹼溶液。而且，例如可在65°C的溫度下使用Mwt%的1(0!1 (potassium hydroxide，氫氧化鉀) 溶液來進行溼式蝕刻。此外，可以將異丙醇添加到用於溼式蝕刻工藝的KOH溶液中。與此不同，也可以採用DRIE等乾式蝕刻工藝來除去基板110和第一光致抗蝕層 120。 在該實施例中，在基板110上形成第一光致抗蝕層120並進行構圖之後，以此為掩模，對基板110進行蝕刻，由此形成接觸凸起區域，但是，也可以與此不同，在基板110上堆積多個光致抗蝕層之後，不對基板110進行蝕刻，而是通過只對多個光致抗蝕層進行蝕刻， 來形成接觸凸起區域。 這樣，以不對剛性的基板110進行蝕刻的方式來形成接觸凸起區域，由此，能夠實現工藝的簡單化和製造成本的降低。
圖12是示出由所述圖Ila 圖Ilk的工藝過程形成的信號線部以及從所述信號線部突出而形成的多個接觸凸起的圖。如圖12所示，通過上述的圖Ila 圖Ilk的工藝過程，可以一併形成信號線部151 和從所述信號線部151突出而形成的多個接觸凸起152。此時，也可以是一個接觸凸起152 從信號線部151突出而形成。另一方面，前面所述的本發明的說明是用於例示的說明，具有本發明所屬技術領域的通常知識的人員即使不變更本發明的技術思想和必要特徵，也可以容易地變化成其它的具體實施方式
。因此，應該理解為，在所有的方面，所述實施例是例示性而並不是限定性的方式。例如，被說明為單一型的各結構要素也可以分散地實施，與此相同，被說明為分散型的結構要素也能夠以結合的方式來實施。此外，後面敘述的權利要求書應該比前面所述的詳細說明更能表現本發明的範圍，應該解釋為，從權利要求書的意思和範圍或其等同概念導出的所有變更或變形的方式包含於本發明的範圍內。
權利要求
1.一種探針塊用探針薄膜的製造方法，所述探針塊用探針薄膜用於檢查顯示面板，其中，該製造方法包括探針部形成步驟，在該步驟中，使用光刻法在基板上按照設定的間隔一併形成多個探針部，所述多個探針部各自分別包括信號線部和從所述信號線部突出形成的接觸凸起； 薄膜接合步驟，在該步驟中，將所述探針部的上部表面與薄膜部接合；以及基板除去步驟，在該步驟中，除去所述基板。
2.根據權利要求1所述的探針塊用探針薄膜的製造方法，其中，所述探針部形成步驟包括在所述基板上對經構圖的第一光致抗蝕層進行蝕刻，而形成接觸凸起區域的步驟； 在形成所述接觸凸起區域而露出的所述基板的上部表面和所述第一光致抗蝕層的上部表面上形成籽晶層的步驟；在所述籽晶層的上部表面上對第二光致抗蝕層進行構圖而形成信號線部區域的步驟；使用導電性物質來填滿所述接觸凸起區域和信號線部區域的步驟；以及將已被所述導電性物質填滿的區域的上部表面平坦化而形成所述探針部的步驟。
3.根據權利要求2所述的探針塊用探針薄膜的製造方法，其中，所述接觸凸起區域的形狀為，前端部的寬度比其它部分的寬度寬，高度沿縱向減小。
4.根據權利要求2所述的探針塊用探針薄膜的製造方法，其中， 使用深反應矽離子蝕刻工藝形成所述接觸凸起區域。
5.根據權利要求2所述的探針塊用探針薄膜的製造方法，其中，所述籽晶層是在所述接觸凸起區域和所述第一光致抗蝕層的上部表面上濺射Ti之後再濺射Cu而形成的。
6.根據權利要求2所述的探針塊用探針薄膜的製造方法，其中，採用化學機械研磨工藝，將被所述導電性物質填滿的區域的上部表面平坦化。
7.根據權利要求2所述的探針塊用探針薄膜的製造方法，其中，採用鍍工藝來進行使用導電性物質來填滿所述接觸凸起區域和信號線部區域的步驟。
8.根據權利要求2所述的探針塊用探針薄膜的製造方法，其中， 所述薄膜接合步驟包括除去所述第二光致抗蝕層的步驟；除去因除去了所述第二光致抗蝕層而露出的籽晶層的步驟；以及在所述探針部的上部表面上塗敷粘接劑而接合所述薄膜部的步驟。
9.根據權利要求2所述的探針塊用探針薄膜的製造方法，其中， 該製造方法還包括除去所述第一光致抗蝕層的步驟。
10.根據權利要求9所述的探針塊用探針薄膜的製造方法，其中， 採用溼式蝕刻工藝除去所述第一光致抗蝕層。
11.根據權利要求8所述的探針塊用探針薄膜的製造方法，其中，採用灰化工藝、溼式除去工藝和O2等離子法中的任一種工藝除去所述第二光致抗蝕層。
12.根據權利要求8所述的探針塊用探針薄膜的製造方法，其中，採用乾式蝕刻工藝或溼式蝕刻工藝除去所述籽晶層。
13.一種探針塊用探針薄膜，該探針塊用探針薄膜用於檢查顯示面板，其中，該探針塊用探針薄膜包括多個探針部，所述多個探針部各自分別包括信號線部和從所述信號線部突出形成且與所述顯示面板所具有的多個電極接觸的接觸凸起；以及薄膜部，其與所述探針部的上部表面接合。
14.根據權利要求13所述的探針塊用探針薄膜，其中，所述探針部是採用光刻法在基板上按照設定的間隔一併形成的。
15.根據權利要求13所述的探針塊用探針薄膜，其中， 所述信號線部包括形成為第一長度的第一信號線部；以及形成為比所述第一信號線部退後且比所述第一信號線部短的第二長度的第二信號線部，所述第一信號線部和第二信號線部交替排列。
16.根據權利要求13所述的探針塊用探針薄膜，其中，所述接觸凸起的形狀為，前端部的寬度比其它部分的寬度寬，高度沿縱向減小。
全文摘要
本發明提供探針塊用探針薄膜及其製造方法。探針塊用探針薄膜的製造方法包括探針部形成步驟，在該步驟中，使用光刻法在基板上按照設定的間隔來一併形成多個探針部，所述多個探針部各自分別包括信號線部和從信號線部突出形成的接觸凸起；薄膜接合步驟，在該步驟中，將探針部的上部表面與薄膜部接合；以及基板除去步驟，在該步驟中，除去基板。
文檔編號G01R1/073GK102236036SQ201110031689
公開日2011年11月9日 申請日期2011年1月28日 優先權日2010年5月4日
發明者安聖權, 金章鉉 申請人:迪普勞布株式會社