量子點和包括量子點的量子點薄膜、LED封裝以及顯示裝置的製作方法
2023-08-08 01:25:46 3
本申請要求於2015年8月31日在韓國局遞交的韓國專利申請號為10-2015-0123213的優先權和權益，在本申請中援引上述韓國專利申請的全部內容。
技術領域：
本發明的實施方式涉及量子點，並且更具體地，涉及具有高色純度和環保性能的量子點和量子點薄膜、發光二極體(LED)封裝以及包含上述的顯示裝置。
背景技術：
：近來，隨著社會快速進入資訊時代，使用各種電信號呈現視覺圖像的顯示器裝置的領域發展迅速。例如，產生了諸如液晶顯示器(LCD)裝置、等離子體顯示平板(PDP)裝置、場致發射顯示器(FED)裝置和有機發光二極體(OLED)裝置這樣的平板顯示裝置。另一方面，已經研究並探討了量子點(QD)應用於顯示裝置。在量子點中，處於不穩定狀態的電子從導帶過渡到價帶以便發射光。由於QD具有高消光係數和優異的量子產率(quantumyield)，因此可從QD發射出強烈的螢光。除此之外，由於來自QD的光的波長受QD尺寸控制，因此通過控制QD的尺寸能夠發射所有可見光。圖1為圖示相關技術QD的示意圖。如圖1所示，QD1包括核10和殼20。通常，硒化鎘(CdSe)廣泛地用作核10。包括CdSe核10的QD1具有色純度方面的優勢。但是，鎘(Cd)是有害的，並且Cd在使用方面是受限制的。技術實現要素：因此，本發明的實施方式針對實質上消除了緣於相關技術的限制和劣勢的一個或多個問題的QD和包括所述QD的QD薄膜、LED封裝以及顯示裝置，並具有其它優點。本發明的目的是為了提供無Cd的QD和包括所述QD的QD薄膜、LED封裝以及顯示裝置。本發明的額外特徵和優勢將在以下描述中闡述，並且部分從描述來說是顯而易見的，或者可通過實施本發明而了解到。可通過本發明的文字描述和權利要求以及附圖所具體指出的結構實現和獲得本發明的目的和其它優點。實施方式涉及量子點，所述量子點包括選自第XIII族元素和第XV族元素的第一至第三元素，以及選自第XII族元素和第XVI族元素的第四至第六元素。實施方式還涉及量子點薄膜，所述量子點薄膜包括結合劑(binder)和在結合劑中的量子點。所述量子點包括選自第XIII族元素和第XV族元素的第一至第三元素，以及選自第XII族元素和第XVI族元素的第四至第六元素。實施方式還涉及液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括液晶面板、在液晶面板下方並包括光源的背光單元以及包括量子點的量子點薄膜。量子點包括選自第XIII族元素和第XV族元素的第一至第三元素，以及選自第XII族元素和第XVI族元素的第四至第六元素。實施方式還涉及發光二極體(LED)封裝，所述發光二極體(LED)封裝包括LED晶片和覆蓋LED晶片並包括量子點的封裝部件。量子點包括選自第XIII族元素和第XV族元素的第一至第三元素，以及選自第XII族元素和第XVI族元素的第四至第六元素。實施方式還涉及液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括液晶面板和在液晶面板下方並包括光源的背光單元。光源包括LED晶片和覆蓋LED晶片的封裝部件。封裝部件包括量子點，其中量子點包括選自第XIII族元素和第XV族元素的第一至第三元素，以及選自第XII族元素和第XVI族元素的第四至第六元素。實施方式還涉及量子點發光二極體顯示裝置，所述量子點發光二極體顯示裝置包括基板、在基板上的驅動元件和連接至驅動元件的發光二極體。發光二極體包括第一和第二電極以及在第一和第二電極之間的發光層。發光層包括量子點，其中量子點包括選自第XIII族元素和第XV族元素的第一至第三元素，以及選自第XII族元素和第XVI族元素的第四至第六元素。應當理解的是，上述一般描述和以下詳細描述都是範例和解釋性的，並且旨在提供本發明所要求的進一步的解釋。附圖說明附圖示出了本發明的實施方式，並與說明書一起用於解釋本發明的原則，所述附圖被包括以提供本發明的進一步理解並被合併在說明書中並且構成了說明書的一部分。圖1為圖示相關技術QD的示意圖。圖2A和2B為示出根據本公開內容的第一實施方式的QD特性和組分的視圖。圖3A和3B為示出根據本公開內容的第二實施方式QD特性和組分的視圖。圖4A和4B為示出根據本公開內容的第三實施方式QD特性和組分的視圖。圖5A和5B為示出根據本公開內容的第四實施方式QD特性和組分的視圖。圖6為根據示出根據本公開內容的第四實施方式QD的示意圖。圖7為根據本公開內容的實施方式QD薄膜和液晶顯示裝置的示意截面圖。圖8為根據本公開內容的實施方式的液晶面板的示意截面圖。圖9為根據本公開內容的實施方式的LED封裝的示意截面圖。圖10為根據本公開內容的實施方式的QD發光二極體顯示裝置的示意截面圖。圖11示出根據本公開內容的實施方式製造QD的工藝。具體實施方式現在將參照本發明的實施方式詳細介紹本發明，本發明的實施方式的範例示出在附圖中。如在本申請文件中所限定的，「XII族元素」指周期表的XII族中的元素。例如，XII族元素可為Zn、Cd、Hg和Cn的任意一個或多個。「XIII族元素」指周期表的XIII族中的元素。例如，XIII族元素可為B、Al、Ga、In和Tl的任意一個或多個。「XV族元素」指周期表的XV族中的元素。例如，XV族元素可為N、P、As、Sb和Bi的任意一個或多個。「XVI族元素」指周期表的XVI族中的元素。例如，XVI族元素可為O、S、Se、Te和Po的任意一個或多個。「XIII-XV族」的化合物指至少包括XIII族元素和XV族元素的化合物。「XII-XVI族」的化合物指至少包括XII族元素和XVI族元素的化合物。根據本公開內容的第一實施方式的量子點(QD)包括分別選自元素周期表中第XIII族元素和第XV族元素的第一和第二元素以及分別選自元素周期表中第XII族元素和第XVI族元素的第三和第四元素。例如，第一和第二元素可形成第XIII-XV族的第一化合物，並且第三和第四元素可形成第XII-XVI族的第二化合物。第一元素可為銦(In)，且第二元素可為磷(P)。第三元素可為鋅(Zn)，且第四元素可為硫(S)。即，第XIII-XV族的第一化合物可為InP，且第XII-XVI族的第二化合物可為ZnS。第一化合物的第一化合物層可被第二化合物的第二化合物層包圍。由於本公開內容的第一實施方式包括InP核而不是CdSe核，因此克服了相關技術QD的有害問題。QD的合成將InR3(R＝棕櫚酸，1mmol)和1-十八(碳)烯(50mL)放入250mL燒瓶中，並且在150℃溫度下真空條件中攪拌混合物1小時。然後，在300℃溫度下真空條件中將三(三甲基矽烷基)磷(1mmol)和1-十八(碳)烯(5mL)注入到混合物中，並且在300℃溫度下將它們攪拌10分鐘。將ZnR3(R＝棕櫚酸)和1-十二烷基硫醇注入到混合物中，並在300℃溫度下將它們攪拌1小時。在反應完成之後，將混合物冷卻至室溫。採用甲苯和甲醇利用沉積法純化混合物以便獲得QD。圖2A為QD的光致發光(PL)光譜，且圖2B為QD的透射電子顯微(TEM)圖。圖2A的x軸指示發光波長(nm)，且圖2A的y軸指示光致發光強度。如圖2A所示，QD發射紅色波長範圍的可見光。即，QD包括第一和第二元素以及第三和第四元素，不包括Cd，其中所述第一和第二元素分別選自第XIII族元素和第XV族元素，且第三和第四元素分別選自第XII族元素和第XVI族元素，並且QD發射紅色可見光。在表1中列出了STEM/EDS組分分析數據。在分析中使用了X-Max80TLE設備。當在表1中的常數大於1.5時，檢測到所述元素。表1由於作為QD中的第一化合物的InP具有比CdSe更小的顆粒尺寸和更廣泛的顆粒尺寸分布，因此色純度下降。即，由於InP核的表面面積增加，InP核的表面能量變得更高。結果，在InP核或QD的表面中存在缺損部位(defectsite)，使得在QD中產生了缺陷激發(trapemission)。因此，在根據本發明的第一實施方式的QD中，增加了激發範圍，並且降低了色純度。根據本公開內容的第二實施方式的QD包括第一和第二元素以及第三至第五元素，其中所述第一和第二元素分別選自周期表中第XIII族元素和第XV族元素，且第三至第五元素分別選自周期表中第XII族元素和第XVI族元素。例如，第一和第二元素可形成第XIII-XV族的第一化合物，第三和第四元素可形成第XII-XVI族的第二化合物，並且第三和第五元素可形成第XII-XVI族的與第二化合物不同的第三化合物。第一元素可為銦(In)，且第二元素可為磷(P)。第三元素可為鋅(Zn)，第四元素可為硒(Se)，且第五元素可為硫(S)。即，第XIII-XV族的第一化合物可為InP，第XII-XVI族的第二化合物可為ZnSe，且第XII-XVI族的第三化合物可為ZnS。第一化合物的第一化合物層可被第二化合物的第二化合物層包圍，且第二化合物層可被第三化合物的第三化合物層包圍。即，第二化合物層可位於第一和第三化合物層之間。由於本公開內容的第二實施方式的QD包括InP核而不是CdSe核，所以克服了相關技術QD的有害問題。QD的合成將InR3(R＝棕櫚酸，1mmol)和1-十八(碳)烯(50mL)放入250mL燒瓶中，並且在150℃溫度下真空條件中攪拌混合物1小時。然後，在真空條件中並在300℃溫度下，將三(三甲基矽烷基)磷(1mmol)注入以生長30分鐘。在溶液變黑之後，注入1-十八(碳)烯(1mmol)並額外注入Se-三辛酸(Se-TOP，0.1mmol)。將混合物在300℃溫度下攪拌並將混合物冷卻至室溫。將ZnR3(R＝棕櫚酸，1mmol)注入到混合物中並在250℃溫度下攪拌2小時。在攪拌完成之後，將混合物冷卻至室溫，並且注入1-十八(碳)烯並在250℃溫度下攪拌2小時。在反應完成之後，將混合物冷卻至室溫。採用甲苯和甲醇利用沉積法純化混合物以便獲得QD。圖3A的x軸指示發光波長(nm)，且圖3A的y軸指示光致發光強度。圖3A為QD的光致發光(PL)光譜，且圖3B為QD的透射電子顯微(TEM)圖。如圖3A所示，QD發射紅色波長範圍的可見光。即，QD包括第一和第二元素以及第三至第五元素，而不包括Cd，其中所述第一和第二元素分別選自第XIII族元素和第XV族元素，且第三至第五元素分別選自第XII族元素和第XVI族元素，並且QD發射紅色可見光。在表2中列出了STEM/EDS組分分析數據。在分析中使用了X-Max80TLE設備。當在表2中的常數大於1.5時，檢測到所述元素。表2參照圖3A，根據本公開內容的第二實施方式的QD的PL光譜的半最大值全寬(FWHM)相比根據本公開內容的第一實施方式的QD的PL光譜的半最大值全寬(FWHM)降低了。但是，由於根據本公開內容第二實施方式的QD的FWHM比相關技術包含Cd的QD寬，因此仍存在色純度方面的劣勢。根據本公開內容的第三實施方式的QD包括籽晶和包圍籽晶的第二化合物的核，所述籽晶包括第一化合物而不包括Cd。第一化合物可為第XIII-XV族的化合物，例如為GaP。核的第二化合物不包括Cd且與第一化合物不相同。第二化合物還可為第XIII-XV族的化合物，例如為InP。第一化合物的籽晶被用來生長第二化合物的核，以提高第二化合物的尺寸均勻性。具體地，籽晶和核可包括第一至第三元素，所述第一至第三元素分別選自周期表中的第XIII族元素和第XV族元素。例如，第一和第三元素可形成第XIII-XV族的第一化合物，第二和第三元素可形成第XIII-XV族的與第一化合物不同的第二化合物。第一元素可為鎵(Ga)，第二元素可為銦(In)並且第三元素可為磷(P)。即，第XIII-XV族的第一化合物可為GaP，且第XIII-XV族的第二化合物可為InP。第一化合物的第一化合物層可被第二化合物的第二化合物層包圍。籽晶的寬度可為1-100nm，和/或具有包圍籽晶的核的QD的寬度可為1-100nm。在本公開內容的第三實施方式中，使用籽晶生長核，與當沒有籽晶而形成核時相比，使用籽晶生長核能夠在核尺寸的均勻性和QD的色純度兩個方面得到提升。例如，當如在本公開內容的第一和第二實施方式中的QD那樣不用GaP籽晶而生長InP核時，InP核的尺寸取決於反應時間和/或反應溫度。結果，很難獲得均勻尺寸的InP核，由此使得色純度降低。但是，在本公開內容的第三實施方式中，由於使用GaP籽晶生長InP核，就提供了均勻尺寸的InP核，從而使得色純度得到了提升。根據本公開內容的第三實施方式的QD還可包括包圍籽晶和核的第一外殼，第一外殼包括分別選自周期表中第XII族元素和第XVI族元素的第四和第五元素。例如，第四和第五元素可形成第XII-XVI族的第三化合物。第四元素可為鋅(Zn)，且第五元素可為硫(S)。即，第XII-XVI族的第三化合物可為ZnS，且第二化合物層可被第三化合物的第三化合物層包圍。即，第二化合物層可位於第一和第三化合物層之間。包括第一外殼、核以及籽晶的量子點的寬度可為1-100nm。由於本公開內容的第三實施方式的QD可包括InP核而不是CdSe核，因此克服了相關技術QD的有害問題。QD的合成將CaCl3(0.25mol)、三(三甲基矽烷基)磷(0.25mmol)和1-十八(碳)烯(3mL)混合以形成Ga-P核心。(由於Ga-P核心的生長，黃色透明溶液變成灰色溶液)。將InR3(R＝棕櫚酸，1mmol)和1-十八(碳)烯(50mL)放入250mL燒瓶中，並且在150℃溫度下攪拌混合物10分鐘。在300℃溫度下，將三(三甲基矽烷基)磷(1mmol)注入混合物以生長30分鐘。在溶液變黑之後，注入1-十八(碳)烯(1mmol)並在300℃溫度下攪拌1小時。冷卻至室溫之後，在250℃溫度下將ZnR3(R＝棕櫚酸，1mmol)注入並攪拌2小時。在攪拌完成之後，在250℃溫度下將1-十八(碳)烯注入並攪拌2小時。在反應完成之後，將混合物冷卻至室溫。採用甲苯和甲醇利用沉積法純化混合物以便獲得QD。圖4A的x軸指示發光波長(nm)，且圖4A的y軸指示光致發光強度。圖4A為QD的光致發光(PL)光譜，且圖4B為QD的透射電子顯微(TEM)圖。如圖4A所示，QD發射紅色波長範圍的可見光。即，示例性QD包括第一至第三元素以及第四和第五元素，而不包括Cd，其中所述第一至第三元素分別選自第XIII族元素和第XV族元素，且第四和第五元素分別選自第XII族元素和第XVI族元素，並且QD發射紅色可見光。在表3中列出了STEM/EDS組分分析數據。在分析中使用了X-Max80TLE設備。當在表3中的常數大於1.5時，檢測到所述元素。表3參照圖4A，根據本公開內容的第三實施方式的示例性QD的PL光譜的FWHM相比根據本公開內容的第二實施方式的QD的PL光譜的FWHM降低了。但是，由於根據本公開內容第三實施方式的QD的FWHM比相關技術包含Cd的QD的FWHM寬，因此仍存在色純度方面的劣勢。此外，根據本公開內容的第三實施方式的示例性QD的量子效率(量子產率)相比本公開內容的第二實施方式的QD的量子效率降低了。根據本公開內容的第四實施方式的QD包括如參照本公開內容的第三實施方式描述的籽晶和包圍籽晶的核。類似第三實施方式，第一化合物的籽晶被用來生長第二化合物的核，以提高第二化合物的尺寸均勻性。正如在第三實施方式中一樣，籽晶和核可包括第一至第三元素，所述第一至第三元素分別選自周期表中第XIII族元素和第XV族元素。第一和第三元素可形成第XIII-XV族的第一化合物，第二和第三元素可形成第XIII-XV族的與第一化合物不同的第二化合物。第一元素可為鎵(Ga)，第二元素可為銦(In)，且第三元素可為磷(P)。即，第XIII-XV族的第一化合物可為GaP，第XIII-XV族的第二化合物可為InP。第一化合物的第一化合物層可被第二化合物的第二化合物層包圍。根據本公開內容的第四實施方式的QD進一步包括包圍籽晶和核的第一外殼以及包圍第一外殼的第二外殼。第一外殼和第二外殼可包括分別選自周期表中第XII族元素和第XVI族元素的第四至第六元素。第四和第五元素可形成第XII-XVI族的第三化合物，且第四和第六元素可形成第XII-XVI族的與第一化合物不同的第四化合物。第四元素可為鋅(Zn)，且第五元素可為硒(Se)，且第六元素可為硫(S)。即，第XII-XVI族的第三化合物可為ZnSe，且第XII-XVI族的第四化合物可為ZnS。在本公開內容的第四實施方式，第二化合物層可被第三化合物的第三化合物層包圍，且第三化合物層可被第四化合物的第四化合物層包圍。即，第二化合物層可位於第一和第四化合物層之間，且第三化合物層可位於第二和第四化合物層之間。包括第二外殼、第一外殼、核以及籽晶的量子點的寬度可為1-100nm。參照圖6，圖6為示出根據本公開內容的示例性QD的示意圖，根據本公開內容的第四實施方式的示例性QD100包括作為第XIII-XV族的第一化合物的GaP的籽晶(第一內部部分)110、作為第XIII-XV族的第二化合物的InP的核(第二內部部分)120、作為第XII-XVI族的第三化合物的ZnSe的第一外殼(第一外部部分)130以及作為第XII-XVI族的第四化合物的ZnS的第二外殼(第二外部部分)140。核包圍籽晶，第一外殼包圍核，且第二外殼包圍第一外殼。雖然未示出，有機配體可耦接或連接至第二外殼140的表面。即，由於本公開內容的第四實施方式的示例性QD包括InP核而不是CdSe核，因此克服了相關技術QD的有害問題。此外，由於InP核從GaP籽晶的表面生長，因此InP核的尺寸(例如直徑)受控於In元素和P元素的注入量，使得使色純度得到了提升。如先前所討論的，當如在本公開內容的第一和第二實施方式中的QD那樣不用GaP籽晶而生長InP核時，InP核的尺寸取決於反應時間和/或反應溫度。結果，很難或者不可能獲得均勻尺寸的InP核，從而使得色純度降低。但是，在本公開內容的第四實施方式中，由於使用GaP籽晶生長InP核，就提供了均勻尺寸的InP核，從而使得QD的色純度得到了提升。此外，由於ZnS和ZnSe雙外殼覆蓋了InP核，增加了QD的發射效率。QD的合成將CaCl3(0.25mol)、三(三甲基矽烷基)磷(0.25mmol)和1-十八(碳)烯(3mL)混合以形成Ga-P核心。(由於Ga-P核心的生長，黃色透明溶液變成灰色溶液)。將InR3(R＝棕櫚酸，1mmol)和1-十八(碳)烯(50mL)放入250mL燒瓶中，並且在300℃溫度下攪拌混合物10分鐘。在300℃溫度下，將三(三甲基矽烷基)磷(1mmol)注入混合物以生長30分鐘。在溶液變黑之後，注入1-十八(碳)烯(1mmol)並攪拌1分鐘。在300℃溫度下額外注入Se-三辛酸(Se-TOP，0.1mmol)並攪拌。冷卻至室溫之後，在250℃溫度下將ZnR3(R＝棕櫚酸，1mmol)注入並攪拌2小時。攪拌完全之後，在250℃溫度下將1-十八(碳)烯注入並攪拌2小時。反應完成之後，將混合物冷卻至室溫。採用甲苯和甲醇利用沉積法純化混合物以便獲得QD。圖5A的x軸指示發光波長(nm)，且圖5A的y軸指示光致發光強度。圖5A為QD的光致發光(PL)光譜，且圖5B為QD的透射電子顯微(TEM)圖。如圖5A所示，QD發射紅色波長範圍的可見光。即，QD包括第一至第三元素以及第四至第六元素，而不包括Cd，其中所述第一至第三元素分別選自第XIII族元素和第XV族元素，且第四至第六元素分別選自第XII族元素和第XVI族元素，並且QD發射紅色可見光。換句話說，QD包括第一化合物、第二化合物和第三化合物，所述第一化合物由第一至第三元素的至少兩種組成，與第一化合物不同的第二化合物由第一至第三元素的至少兩種組成，且第三化合物由第四至第六元素的至少兩種組成。QD可進一步包括與第三化合物不同的第四化合物，第四化合物由第四至第六元素的至少兩種組成。在表4中列出了STEM/EDS組分分析數據。在分析中使用了X-Max80TLE設備。當在表4中的常數大於1.5時，檢測到所述元素。表4參照圖5A，根據本公開內容的第四實施方式的示例性QD的PL光譜的FWHM相比根據本公開內容的第一至第三實施方式的QD的PL光譜的FWHM變窄。因此，根據本公開內容的第四實施方式的示例性QD發射高色純度的光，不包括Cd元素。此外，根據本公開內容的第四實施方式的示例性QD具有高量子效率。根據本公開內容的第一至第四實施方式的示例性QD的PL光譜峰(PL峰)、FWHM值和量子產率(QY)列在表5中。表5第一實施方式第二實施方式第三實施方式第四實施方式PL峰619.1nm635.7nm621.3nm633.0nmFWHM103.0nm73.6nm71.3nm59.1nmQY10.4％68.7％31.0％74.9％如表5中所述，根據本公開內容的第四實施方式的示例性QD具有窄FWHM和高量子產率，所述示例性QD包括第XIII-XV族的第一化合物、第XIII-XV族的與第一化合物不同的第二化合物、第XII-XVI族的第三化合物和第XII-XVI族的與第三化合物不同的第四化合物。結果，在根據本公開內容第四實施方式的QD中，提高了色純度並增加了發射效率。圖7為根據本公開內容的實施方式的QD薄膜和液晶顯示裝置的示意截面圖，圖8為液晶面板的示意截面圖。如圖7所示，作為本公開內容的顯示裝置的液晶顯示(LCD)裝置200包括液晶面板210、在液晶面板210下方的背光單元260以及在液晶面板210和背光單元260之間的QD薄膜270。參照圖8，液晶面板210包括彼此面對的第一基板220和第二基板250以及液晶層280，液晶層280包括位於第一基板220和第二基板250之間的液晶分子282。在第一基板220上形成柵極222，且形成柵絕緣層224以覆蓋柵極222。此外，在第一基板220上形成與柵極222連接的柵線(未示出)。在柵絕緣層224上形成對應於柵極222的半導體層226。半導體層226包括氧化物半導體材料。或者，半導體層226可包括本徵非晶矽的活性層和雜質摻雜的非晶矽的歐姆接觸層。在半導體層226上形成彼此間隔開的源極230和漏極232。此外，在柵絕緣層224上形成數據線(未示出)，所述數據線連接至源極230並與柵極線交叉以限定像素區域。柵極222、半導體層226、源極230和漏極232構成薄膜電晶體(TFT)Tr。在TFTTr上形成鈍化層234，鈍化層234包括暴露漏極232的漏極接觸孔236。在鈍化層234上形成像素電極240和公共電極242，像素電極240通過漏極接觸孔236連接至漏極232，公共電極242與像素電極240交替排列。在第二基板250上形成遮蔽非顯示區域、例如TFTTr、柵線和數據線的黑矩陣254，並且在第二基板250上形成對應於像素區域的濾色器層256。將第一基板220和第二基板259貼合在一起，使液晶層280位於第一基板220和第二基板250之間。液晶層280的液晶分子282被在像素電極240和公共電極242之間產生的電場驅動。雖然未示出，在第一基板220和第二基板250之上形成鄰近液晶層280的第一和第二定向層。此外，在第一基板220和第二基板250的外側設置具有彼此垂直的傳輸軸的第一和第二偏振板。背光單元260包括光源(未示出)並提供了朝向液晶面板210的光。背光單元根據光源位置可分為直下型和邊緣型，並且光源可為螢光燈或發光二極體(LED)封裝。例如，直下型背光單元260可包括覆蓋液晶面板210的背面的底框(未示出)，並且可在底框的水平底表面上布置多個光源。邊緣型背光單元260可包括覆蓋液晶面板210的背面的底框(未示出)和在底框的水平底表面上面或上方的導光板(未示出)。可在導光板的一側布置光源。當光源為LED封裝時，LED封裝可包括藍色LED晶片和覆蓋藍色LED晶片的綠色螢光層。QD薄膜270設置在液晶面板210和背光單元260之間，並且包括根據本公開內容的第一至第四實施方式的QD272。結果，提高了從背光單元260朝向液晶面板210提供的光的色純度。例如，QD薄膜270可包括結合劑(例如環氧化合物或丙烯酸酯化合物)和QD272，QD272包括第一至第三元素以及第四至第六元素，所述第一至第三元素選自第XIII族元素和第XV族元素，且所述第四至第六元素選自第XII族元素和第XVI族元素。即，QD272包括第XIII-XV族的第一化合物、第XIII-XV族的第二化合物、第XII-XVI族的第三化合物和第XII-XVI族的第四化合物。在這種情況下，第一化合物可為GaP，第二化合物可為InP，第三化合物可為ZnSe，且第四化合物可為ZnS。或者，當LED封裝包括藍色LED封裝而沒有綠色螢光層時，QD薄膜270可包括QD272和綠色螢光化合物或者綠色QD。如上所述，由於包括第XIII-XV族的第一化合物、第XIII-XV族的第二化合物、第XII-XVI族的第三化合物和第XII-XVI族的第四化合物的QD272具有高色純度和量子產率，所以本發明的LCD裝置200具有高顏色重現性(色域)並提供高亮度圖像。圖9為根據本公開內容實施方式的LED封裝的示意截面圖。如圖9所示，LED封裝300包括外殼330、LED晶片310、第一電極引線342和第二電極引線344以及覆蓋LED晶片310的封裝部分320，第一電極引線342和第二電極引線344分別通過第一電線352和第二電線354連接至LED晶片310並延伸至外殼330的外部。外殼330包括主體332和側壁334，側壁334從主體332的上表面突出並起作為反射表面的作用。LED晶片310布置在主體332上並被側壁334包圍。LED晶片310為藍色LED晶片，且封裝部件320包括紅色QD322，以便LED封裝300提供高色純度光。即，封裝部320中的QD322為根據本公開內容的第一至第四實施方式之一的QD中的一種，以使得LED封裝300的色純度得以提升。例如，QD322可包括第一至第三元素以及第四至第六元素，所述第一至第三元素選自第XIII族元素和第XV族元素，且所述第四至第六元素選自第XII族元素和第XVI族元素。即，QD322可包括第XIII-XV族的第一化合物、第XIII-XV族的第二化合物、第XII-XVI族的第三化合物和第XII-XVI族的第四化合物。在這種情況下，第一化合物可為GaP，第二化合物可為InP，第三化合物可為ZnSe，且第四化合物可為ZnS。封裝部320可進一步包括綠色螢光化合物(未示出)或者綠色QD(未示出)。如上所述，由於包括第XIII-XV族的第一化合物、第XIII-XV族的第二化合物、第XII-XVI族的第三化合物和第XII-XVI族的第四化合物的QD322具有高色純度和量子產率，所以本公開內容的LED裝置300提供了高色純度光。此外，本公開內容的液晶顯示(LCD)裝置的實施方式可包括包含LED封裝300的背光單元和在背光單元上的液晶面板。圖10為根據本公開內容的實施方式的QD發光二極體顯示裝置的示意截面圖。如圖10所示，作為本公開內容的顯示裝置的QD發光二極體顯示裝置400包括基板410、在基板410上面或上方的驅動元件Tr以及連接至驅動元件Tr的發光二極體D。在基板410上形成半導體層422。半導體層422可包括氧化物半導體材料或多晶矽。當半導體層422包括氧化物半導體材料時，可在半導體層422層下方形成遮光圖案(未示出)。往半導體層422的光被遮光圖案遮蔽或阻擋，這樣就能夠防止半導體層422的熱降解。另一方面，當半導體層422包括多晶矽時，可往半導體層422的兩端摻雜雜質。在半導體層422層上形成柵絕緣層424。柵絕緣層424可由例如氧化矽或氮化矽的無機絕緣材料形成。在對應半導體層422的中央部分的柵絕緣層424上形成柵極430，柵極430由例如金屬的導電材料形成。在包括柵極430的基板410的整個表面上形成層間絕緣層432，層間絕緣層432由絕緣材料形成。層間絕緣層432可由例如氧化矽或氮化矽的無機絕緣材料或例如苯丙環丁烯或光學亞克力的有機絕緣材料形成。層間絕緣層432包括暴露半導體層422的兩端的第一接觸孔434和第二接觸孔436。第一接觸孔434和第二接觸孔436設置在柵極430兩側，以與柵極430間隔開。在層間絕緣層432上形成源極440和漏極442，源極440和漏極442由例如金屬的導電材料形成。源極440和漏極442相對於柵極430彼此隔開，並分別透過第一接觸孔434和第二接觸孔436接觸半導體層422的兩端。半導體層422、柵極430、源極440和漏極442構成了作為驅動元件的TFTTr。在圖10中，柵極430、源極440和漏極442設置在半導體層422之上。即，TFTTr具有共面結構。或者，在TFTTr中，柵極可設置在半導體層下方，且源極和漏極可設置在半導體層上方，以使得TFTTr具有反交錯結構。在這種情況下，半導體層可包括非晶矽。雖然未示出，柵線和數據線設置在基板410上面或上方並彼此交叉以限定像素區域。此外，可在基板410上設置電連接到柵線和數據線的開關元件。開關元件電連接到作為驅動元件的TFTTr。此外，可在基板410上面或上方形成電源線，電源線與柵線或數據線平行並間隔開來。同時，可進一步在基板410上形成用於在一幀期間保持TFTTr的柵極430的電壓的存儲電容器。形成鈍化層450以覆蓋TFTTr，鈍化層450包括暴露TFTTr的漏極442的漏極接觸孔452。在每一像素區域中單獨形成第一電極460，第一電極460通過漏極接觸孔452連接至TFTTr的漏極442。第一電極460可為陽極，且可由具有相對高功函數的導電材料形成。例如，第一電極460可由例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導電材料形成。當QD發光二極體顯示裝置400按照頂發射型操作時，可在第一電極460下方形成反射電極或反射層。例如，反射電極或反射層可由鋁-鈀-銅(APC)合金形成。在鈍化層450上面形成覆蓋第一電極460的邊緣的堤層468。通過堤層468的開口暴露像素區域中的第一電極460的中央部分。在第一電極460上形成QD發射層462，QD發射層462包括根據本公開內容的第一至第四實施方式的QD464。例如，QD發射層462的QD可包括第一至第三元素以及第四至第六元素，所述第一至第三元素選自第XIII族元素和第XV族元素，且第四至第六元素選自第XII族元素和第XVI族元素。即，QD464包括第XIII-XV族的第一化合物、第XIII-XV族的第二化合物、第XII-XVI族的第三化合物和第XII-XVI族的第四化合物。在這種情況下，第一化合物可為GaP，第二化合物可為InP，第三化合物可為ZnSe，且第四化合物可為ZnS。為了提高發射效率，可在第一電極460和QD發射層462之間順序地堆疊空穴注入層和空穴傳輸層，且可在QD發射462上順序地堆疊電子傳輸層和電子注入層。在包括QD發射層462的基板410上方形成第二電極466。第二電極466設置在顯示區域的整個表面上。第二電極466可為陰極，並可由具有相對低功函數的導電材料形成。例如，第二電極可由鋁(Al)、鎂(Mg)或者Al-Mg合金形成。第一電極460、QD發射層462和第二電極466構成有機發光二極體D。如上所述，由於包括第XIII-XV族的第一化合物、第XIII-XV族的第二化合物、第XII-XVI族的第三化合物和第XII-XVI族的第四化合物的QD464具有高色純度和量子產率，本公開內容的QD發光二極體顯示裝置400具有高顏色重現性(色域)並提供高亮度圖像。QD464。圖11示出了根據本公開內容的實施方式製造QD的工藝。在步驟1102形成包括不含Cd的第一化合物的籽晶。第一化合物可包括第XIII-XV族化合物，具體地為GaP。在步驟1104從籽晶生長核。核可為第XIII-XV族的第二化合物，諸如InP。可選地，可在步驟1106形成包圍核的第三化合物的第一外殼。第三化合物可包括第XII-XVI族的化合物，諸如ZnSe或者ZnS。可選地，可在步驟1108形成包圍第一外殼的第四化合物的第二外殼。第四化合物可包括第XII-XVI族的化合物。具體地，當第三化合物為ZnSe時，第四化合物可為ZnS。對本領域技術人員將顯而易見的是，可在不脫離本發明的精神或範圍的情況下修改和改變本發明的實施方式。因此，只要這些修改和改變落在所附權利要求及其等同形式的範圍之內，則意味著這些修改和改變屬於本發明。當前第1頁1 2 3