晶片的乾燥方法
2023-08-08 01:49:46 1
晶片的乾燥方法
【專利摘要】本發明公開了一種晶片的乾燥方法，屬於集成電路製造領域。本發明將晶片放入裝有浸泡液A燥槽中浸泡，其中所述浸泡液A為流動狀態，浸泡液由去離子水與異丙醇溶液按質量比為2：1的比例混合製得；再用浸泡液B置換乾燥槽內的浸泡液A，繼續浸泡晶片，其中所述浸泡液B為流動狀態，所述浸泡液B由異丙醇溶液與氮氣蒸汽按質量比為5：1的比例混合製得；接著快速排出乾燥槽內浸泡液B，然後通入氮氣進行乾燥；其中，所述氮氣為流動狀態。本發明提供了一種晶片的乾燥方法，用該方法乾燥晶體，晶體表面不會留下任何水痕缺陷或顆粒。
【專利說明】晶片的乾燥方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明屬於集成電路製造領域，尤其涉及一種晶片的乾燥方法。
【背景技術】
[0002]在材料加工科學的不斷推動下，半導體器件和集成電路製作工藝取得長足進步，發生了巨大的變化。半導體晶體最為有效的清洗方法是溼法清洗工藝，一直未能被取代。然而，隨著晶體表面潔淨要求的不斷提高，清洗工藝的焦點已經逐步由清洗液、超聲波等轉移到晶體的乾燥上。乾燥作為溼法清洗的最後一個步驟，最終決定了晶片的表面質量，是清洗工藝的核心所在。在晶片的乾燥過程中，不僅要求表面達到脫水效果，還要避免在表面留下任何水痕缺陷或顆粒。
【發明內容】
[0003]本發明提供了一種晶片的乾燥方法，用該方法乾燥晶體，晶體表面不會留下任何水痕缺陷或顆粒。
[0004]為了解決上述技術問題，本發明所採用的技術方案是:
一種晶片的乾燥方法，該方法包括以下步驟:
A、將晶片放入裝有50°C?55°C浸泡液A燥槽中浸泡20分鐘?30分鐘；其中，所述浸泡液A為流動狀態，浸泡液由去離子水與異丙醇溶液按質量比為2:1的比例混合製得；
B、待步驟A晶片浸泡結束後，用50°C?55°C浸泡液B置換乾燥槽內的浸泡液A，繼續浸泡晶片10鍾?20分鐘；其中，所述浸泡液B為流動狀態，所述浸泡液B由異丙醇溶液與氮氣蒸汽按質量比為5:1的比例混合製得；
C、待步驟B晶片浸泡結束後，快速排出乾燥槽內浸泡液B，然後通入65°C?80°C的氮氣進行乾燥；其中，所述氮氣為流動狀態。
【具體實施方式】
[0005]實施例1
一種晶片的乾燥方法，該方法包括以下步驟:
A、將晶片放入裝有50°C浸泡液A燥槽中浸泡30分鐘；其中，所述浸泡液A為流動狀態，浸泡液由去離子水與異丙醇溶液按質量比為2:1的比例混合製得；
B、待步驟A晶片浸泡結束後，用50°C浸泡液B置換乾燥槽內的浸泡液A，繼續浸泡晶片20分鐘；其中，所述浸泡液B為流動狀態，所述浸泡液B由異丙醇溶液與氮氣蒸汽按質量比為5:1的比例混合製得；
C、待步驟B晶片浸泡結束後，快速排出乾燥槽內浸泡液B，然後通入80°C的氮氣進行乾燥；其中，所述氮氣為流動狀態。
[0006]實施例2
一種晶片的乾燥方法，該方法包括以下步驟: A、將晶片放入裝有55°C浸泡液A燥槽中浸泡20分鐘；其中，所述浸泡液A為流動狀態，浸泡液由去離子水與異丙醇溶液按質量比為2:1的比例混合製得；
B、待步驟A晶片浸泡結束後，用55°C浸泡液B置換乾燥槽內的浸泡液A，繼續浸泡晶片10鍾；其中，所述浸泡液B為流動狀態，所述浸泡液B由異丙醇溶液與氮氣蒸汽按質量比為5:1的比例混合製得；
C、待步驟B晶片浸泡結束後，快速排出乾燥槽內浸泡液B，然後通入65°C的氮氣進行乾燥；其中，所述氮氣為流動狀態。
[0007]實施例3
一種晶片的乾燥方法，該方法包括以下步驟:
A、將晶片放入裝有52°C浸泡液A燥槽中浸泡25分鐘；其中，所述浸泡液A為流動狀態，浸泡液由去離子水與異丙醇溶液按質量比為2:1的比例混合製得；
B、待步驟A晶片浸泡結束後，用52°C浸泡液B置換乾燥槽內的浸泡液A，繼續浸泡晶片15分鐘；其中，所述浸泡液B為流動狀態，所述浸泡液B由異丙醇溶液與氮氣蒸汽按質量比為5:1的比例混合製得；
C、待步驟B晶片浸泡結束後，快速排出乾燥槽內浸泡液B，然後通入75°C的氮氣進行乾燥；其中，所述氮氣為流動狀態。
【權利要求】
1.一種晶片的乾燥方法，其特徵在包括以下製作步驟: A、將晶片放入裝有50°C?55°C浸泡液A燥槽中浸泡20分鐘?30分鐘；其中，所述浸泡液A為流動狀態，浸泡液由去離子水與異丙醇溶液按質量比為2:1的比例混合製得； B、待步驟A晶片浸泡結束後，用50°C?55°C浸泡液B置換乾燥槽內的浸泡液A，繼續浸泡晶片10鍾?20分鐘；其中，所述浸泡液B為流動狀態，所述浸泡液B由異丙醇溶液與氮氣蒸汽按質量比為5:1的比例混合製得； C、待步驟B晶片浸泡結束後，快速排出乾燥槽內浸泡液B，然後通入65°C?80°C的氮氣進行乾燥；其中，所述氮氣為流動狀態。
【文檔編號】H01L21/02GK104037067SQ201410297682
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年6月29日 優先權日:2014年6月29日
【發明者】陳昆 申請人:陳昆