PtS型氰基橋聯配位聚合物及其製備方法
2023-08-08 10:44:56
=90°，中心Zn和Ni原子分別處於四面體和平面四方配位環境之中，Zn和Ni原子通過氰基相連形成三維二重互穿PtS型拓撲結構。當M^Pd時，分子式為Zn[Pd(CN)4]，二級結構單元為晶體屬四方晶系，空間群為屍4(2)/mcm，晶胞參數a=6=5.3718(3)A,c=13.4271(1)A，a=^=y=90°，中心Zn和Pd原子分別處於四面體和平面四方配位環境之中，Zn和Pd原子通過氰基相連形成三維二重互穿PtS型拓撲結構。當M二Pt時，分子式為Zn[Pt(CN)4]，二級結構單元為晶體屬四方晶系，空間群為P4(2)/mcw，晶胞參數"=6=5.3592(4)A,c=13.455(2)A，a=戶=y=90°,中心Zn和Pt原子分別處於四面體和平面四方配位環境之中，Zn和Pt原子通過氰基相連形成三維二重互穿PtS型拓撲結構。所述的PtS型配位聚合物的製備方法，包括下述步驟室溫下，K2[M(CN)4]，M二Ni,Pd,Pt，和金屬鹽Zr^+按摩爾比為1:1的比例，將K2[M(CN)4]置於大瓶中，金屬鹽Zi^+置於小瓶中，將小瓶放進大瓶中，向小瓶中加入混合溶劑乙醇/去離子水=1:1(V/V)，之後向大瓶中加入同樣的混合溶劑，直至液面高過小瓶1釐米，兩周後製得形狀規則的PtS型配位聚合物晶體,通式為Zn[M(CN)4],M=Ni,Pd,Pt。所述的PtS型氰基橋聯配位聚合物，所述配位聚合物具有一定的熱穩定性，Zn[Ni(CN)4]的三維骨架分解溫度為400°C。圖1PtS型氰基橋聯配位聚合物Zn[M(CN)4](M=Ni,Pd，Pt)的二重互穿結構。圖2PtS型氰基橋聯配位聚合物Zn[Ni(CN)4]的熱重曲線。具體實施方式本發明用以下實例說明，但本發明並不限於下述實施例，在不脫離前後所述宗旨的範圍內，變化實施都包含在本發明的技術範圍內。實施例1PtS型配位聚合物Zn[Ni(CN)4]晶體的製備稱取K2[Ni(CN)4](0.0120g，0.05醒ol)和ZnS(V7H2O(0.0144g，0.05mmol)分別置於20mL的大瓶和2mL的小瓶中，將盛有ZnS04'7H20的小瓶放進大瓶中，再向小瓶中加入混合溶劑乙醇/去離子水=1:1，然後向大瓶中加入同樣的混合溶劑，直至液面高過小瓶1釐米。密封，室溫下避光放置，兩者通過大小瓶溶液緩慢擴散法，兩周後得到透明的淺黃色鑽石形晶體Zn[Ni(CN)4〗。該配合物的晶體屬四方晶系，空間群為P4(2)/wcm，晶胞參數a=6=5.2629(1)A,c=12.987(8)A，a=^Fy=%°。中心Zn和Ni原子分別處於四面體和平面四方配位環境之中，Zn和Ni原子通過氰基相連形成三維二重互穿PtS型拓撲結構，如圖l所示。實施例2PtS型配位聚合物Zn[Pd(CN)4]晶體的製備稱取K2[Pd(CN)4](0.0144g，0.05mmol)和ZnS04.7H20(0.0144g，0.05mmol)分別置於20mL的大瓶和2mL的小瓶中，將盛有ZnS04'7H20的小瓶放進大瓶中，再向小瓶中加入混合溶劑乙醇/去離子水=1:1，然後向大瓶中加入同樣的混合溶劑，直至液面高過小瓶1釐米。密封，室溫下避光放置，兩者通過大小瓶溶液緩慢擴散法，兩周後得到透明的無色鑽石形晶體Zn[Pd(CN)4]。該配合物的晶體屬四方晶系，空間群為屍4(2)/wcm，晶胞參數a=6=5.3718(3)A,c=13.4271(1)A，a=〃=y=90°。中心Zn和Pd原子分別處於四面體和平面四方配位環境之中，Zn和Pd原子通過氰基相連形成三維二重互穿PtS型拓撲結構。實施例3PtS型配位聚合物Zn[Pt(CN)4]晶體的製備稱取K2[Pt(CN)4〗(0.0189g，0.05mmol)和ZnSO4.7H2O(0.0144g，0.05mmol)分別置於20mL的大瓶和2mL的小瓶中，將盛有ZnS(V7H20的小瓶放進大瓶中，再向小瓶中加入混合溶劑乙醇/去離子水=1:1，然後向大瓶中加入同樣的混合溶劑，直至液面高過小瓶1釐米。密封，室溫下避光放置，兩者通過大小瓶溶液緩慢擴散法，兩周後得到透明的無色鑽石形晶體Zn[Pt(CN)4]。該配合物的晶體屬四方晶系，空間群為戶4(2)/mcw，晶胞參數a=6=5.3592(4)A,c=13.455(2)A，a=y9=y=%°。中心Zn和Pt原子分別處於四面體和平面四方配位環境之中，Zn和Pt原子通過氰基相連形成三維二重互穿PtS型拓撲結構。實施例4對實施例1-3的表徵(1)晶體結構的測定實施例1-3的晶體都在SMARTAPEXIIX-射線單晶衍射儀上收集晶體衍射數據，採用石墨單色化MoXa射線U=0.71073A)，全部強度數據均經i^因子和經驗吸收校正。晶體結構由直接法解出，所有非氫原子的坐標用全矩陣最小二乘法進行各向異性溫度因子修正。所有氫原子坐標由理論加氫程序找出，這些氫原子的坐標和各向同性溫度因子參加結構計算。全矩陣最小二乘法精修基於^，w=1/[^CP。2)+(0.05屍)2+1.99屍]，其中i5=(F。2+2F力/3，全部計算在PIII-450機上用SHELXTL結構解析程序完成。表1為實施例1-3的晶體學數據，圖1為實施例1-3的二重互穿拓撲結構。表1Zn[M(CN)4](M=Ni,Pd,Pt)的晶體學數據配位聚合物Zn[Ni(CN)4]Zn[Pd(CN)4]Zn[Pt(CN)4]ZnNiC4N4228.16291(2)淺黃色四方屍4(2)/wcwZnPdC4N4275.85291(2)無色四方P4(2)/mcmZnPtC4N4364.54291(2)無色四方K色式量/顏群子子度體系間分分溫晶晶空tableseeoriginaldocumentpage6(2)熱穩定性研究實施例1的熱穩定性測定採用PE公司的PyrisDiamond熱分析儀，測試條件升溫區間從室溫到800。C左右，升溫速率為2。Omin"。如圖2所示，實施例1中的PtS型配位聚合物Zn[Ni(CN)4]的三維骨架分解溫度為400°C，這說明配合物具有一定的熱穩定性。權利要求1.一種PtS型氰基橋聯配位聚合物，其特徵在於，通式為Zn[M(CN)4]，其中，M＝Ni，Pd，Pt，二級結構單元為晶體屬四方晶系，空間群為P4(2)/mcm，中心Zn和M原子分別處於四面體和平面四方配位環境之中，Zn和M原子通過氰基相連形成三維二重互穿PtS型拓撲結構。2.如權利要求l所述的PtS型氰基橋聯配位聚合物，其特徵在於，M=Ni，分子式為Zn[Ni(CN)4]，二級結構單元為晶體屬四方晶系，空間群為屍4(2)/wcm，晶胞參數fl=6=5.2629(1)A,c=12.987(8)A，a=p=y=90°，中心Zn和,Ni原子分別處於四面體和平面四方配位環境之中，Zn和Ni原子通過氰基相連形成三維二重互穿PtS型拓撲結構。3.如權利要求l所述的PtS型氰基橋聯配位聚合物，其特徵在於，M=Pd，分子式為Zn[Pd(CN)4]，二級結構單元為晶體屬四方晶系，空間群為屍4(2)/mcm，晶胞參數a=6=5.3718(3)A,c=13.4271(1)A，《=〃=y=90°，中心Zn和Pd原子分別處於四面體和平面四方配位環境之中，Zn和Pd原子通過氰基相連形成三維二重互穿PtS型拓撲結構。4.如權利要求1所述的PtS型氰基橋聯配位聚合物，其特徵在於，M=Pt，分子式為Zn[Pt(CN)4]，二級結構單元為晶體屬四方晶系，空間群為屍4(2)/wcm，晶胞參數a=6=5.3592(4)A,c=13.455(2)A，a=々=y=90°，中心Zn和Pt原子分別處於四面體和平面四方配位環境之中，Zn和Pt原子通過氰基相連形成三維二重互穿PtS型拓撲結構。5.如權利要求1所述的PtS型氰基橋聯配位聚合物的製備方法，其特徵在於，包括下述步驟室溫下，K2[M(CN)4]，M=Ni,Pd,Pt，和金屬鹽Zi^+按摩爾比為1:1的比例，將K2[M(CN)4]置於大瓶中，金屬鹽Zi^+置於小瓶中，將小瓶放進大瓶中，向小瓶中加入混合溶劑乙醇/去離子水=1:1(V/V)，之後向大瓶中加入同樣的混合溶劑，直至液面高過小瓶l釐米，兩周後製得形狀規則的PtS型配位聚合物晶體,通式為Zn[M(CN)4],M=Ni,Pd,Pt。全文摘要本發明涉及一類PtS型氰基橋聯配位聚合物及其製備方法，其通式為Zn[M(CN)4](M＝Ni，Pd，Pt)。室溫下，K2[M(CN)4]和金屬鹽Zn2+按摩爾比為1∶1的比例，將K2[M(CN)4]和Zn2+分別置於大小瓶中，將小瓶放進大瓶中，向小瓶中加入混合溶劑乙醇/去離子水＝1∶1，之後向大瓶中加入同樣的混合溶劑，直至液面高過小瓶1釐米，兩周後製得形狀規則的晶體。本發明合成出的PtS型配位聚合物在負熱膨脹、工業催化和氣體吸附等領域具有潛在的應用前景。文檔編號C07F19/00GK101624409SQ20091018188公開日2010年1月13日申請日期2009年7月31日優先權日2009年7月31日發明者虎周,程開峰,袁愛華,陸潤芹申請人:江蘇科技大學