一種N型單晶矽雙面電池的製作方法與流程
2023-08-12 20:48:31 2
本發明涉及太陽能電池
技術領域：
，具體為一種N型單晶矽雙面電池的製作方法。
背景技術：
：常規的化石燃料日益消耗殆盡，在現有的可再生能源中，太陽能無疑是最有發展前景的替代能源。在所有的太陽能電池中，晶體矽太陽能電池在光伏領域佔據著絕對的主導地位。其中，N型矽片由於其材料本身少子壽命高，幾乎無光致衰減(LID)，而成為近年來太陽能電池領域研發的熱點。隨著科技水平的不斷發展，原來困擾N型晶體矽太陽能電池的技術難題逐漸被攻克，極大的促進了N型晶體矽太陽能電池在結構和工藝方面的發展。美國SunPower公司生產的背面接觸太陽能電池(IBC)和日本Sanyo公司生產的HIT太陽能電池就是基於N型晶體矽襯底製作的商業化太陽能電池。這兩款電池是目前商業化生產轉化效率最高的太陽能電池，也是商業化生產轉換效率突破20％的僅有的兩款太陽能電池。上述兩種電池除了加工複雜外，對電池矽材料和表面鈍化質量要求也非常高，而且IBC電池要求背面上金屬觸點的高對準精度。雙面透光的N型電池，不僅能夠吸收從電池正面入射的太陽光，而且還能夠吸收來自電池背面的散射光、反射光等，從而產生額外的電能。因此，雙面電池能更加充分的利用太陽光，其發電量要遠高於傳統的P型單面電池，提高了電池的發電效益，而且該種電池還適合建築一體化、垂直安裝等應用。然而傳統的雙面電池的製備方法包括了多步擴散工藝，往往還需要用到離子注入、選擇性發射極、背面局域擴散等複雜技術，整個工藝流程複雜，製備成本高，使得雙面電池大規模的生產及應用遇到了瓶頸。目前，N型雙面太陽能電池的製備方法主要包括如下步驟：1.表面制絨；2.正面擴散制結；3.熱氧化，形成擴散阻擋膜；4.背面擴散制結；5.周邊刻蝕；6.去除擴散後雜質玻璃層；7.去除正面阻擋膜；8.鍍膜(一般是雙面沉積氮化矽)；9.絲網印刷並燒結形成金屬化接觸電極。在上述製備工藝中，N型雙面電池需要對矽襯底進行雙面摻雜，目前太陽能電池生產中主要利用液態磷源、硼源作為摻雜源，在N型矽襯底的兩面分別形成n+層、p+層，其中摻P或摻B的先後順序因具體工藝路線而有所不同。以先摻B為例，現有工藝主要採用氣體攜帶三溴化硼分子的方式進行擴散，為了保證硼源有足夠的空間散布到矽片上，相鄰矽片之間需要保持一定的距離，導致產能受到限制。同時，在非擴硼面也會不可避免的沾染到硼源而形成PN結，後期需要額外的清洗步驟去除，影響了生產加工的效率。上述擴散方式中，擴散的均勻性難以控制；並且擴散溫度較高(1000℃左右)，擴散溫度過高會使得晶體矽襯底性能變壞。在完成單面摻雜形成p+層後，為了避免正反面擴散的互相繞擴影響，需要增加一層擴散阻擋膜層(阻擋膜通常採用熱氧化形成SiO2氧化層，或PECVD形成SiNX膜)。熱氧化生長的SiO2薄膜作為摻P面的擴散阻擋層的方法涉及高溫過程，熱氧化的溫度高達1000℃以上，同時氧化時間不少於30min以形成厚度約100nm的SiO2薄膜。此高溫過程易導致p+層的擴散曲線發生改變，如表面摻雜濃度的降低，結深的增加，導致電池的串聯電阻增加，電接觸性能下降；同時高溫過程易導致矽襯底的摻雜濃度增加，電池的體複合隨之加劇，最終表現為開路電壓和整體效率的下降。並且生長擴散阻擋膜的過程中同樣會有繞擴的問題，使得阻擋擴散的效果並不好；另外，對於P型表面(擴硼面)的鈍化及減反射效果，主要通過製作氮化矽或氧化矽實現的。但是，其中氮化矽的方式由於氮化矽帶正電荷，屬負電中心，因此對P型表面的鈍化效果很差；氧化矽採用的是熱氧化的方法製備，該方法需要至少800℃以上的高溫過程，能耗高且容易破壞已形成的PN結形貌，工藝較難把控。技術實現要素：為解決上述現有技術中的至少一種缺陷，本發明提供了一種N型單晶矽雙面電池的製作方法，所採用的N型矽片襯底包括第一表面和與所述第一表面相對設置的第二表面，所述方法包括：對所述矽片襯底進行表面制絨處理；對所述矽片襯底的第一表面進行硼擴散處理，製得硼摻雜層；在所述硼摻雜層形成至少一層掩膜；對所述矽片襯底的第二表面進行磷擴散處理，製得磷摻雜層；去除所述至少一層掩膜；以及分別在通過硼擴散處理的第一表面以及通過磷擴散處理的第二表面製作電極，製得所述N型單晶矽雙面電池。根據本發明的一實施方式，所述表面制絨處理包括：以氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液對所述矽片襯底的第一表面、第二表面進行處理，在所述第一表面、第二表面製得陷光結構；以及用鹽酸和氫氟酸對所述第一表面、第二表面進行清洗。根據本發明的一實施方式，所述硼擴散處理包括：通過旋塗的方式在矽片襯底的第一表面塗抹液態硼源，並對所述矽片襯底進行烘乾處理；以及將經過烘乾處理的矽片襯底於擴散爐管中進行硼擴散。根據本發明的一實施方式，所述至少一層掩膜包括位於所述硼摻雜層上的二氧化矽掩膜層以及位於所述二氧化矽掩膜層上的氮化矽掩膜層。根據本發明的一實施方式，所述磷擴散處理包括：在所述第二表面沉積二氧化矽層；以及在沉積了二氧化矽層的第二表面進行磷擴散處理。根據本發明的一實施方式，待所述硼擴散處理、磷擴散處理完成後，通過等離子刻蝕或雷射刻蝕去除周邊的邊結。根據本發明的一實施方式，在所述硼摻雜層的表面通過等離子化學氣相沉積法形成氧化鋁鈍化層。根據本發明的一實施方式，在所述氧化鋁鈍化層上形成至少一層氮化矽減反射層。根據本發明的一實施方式，在所述磷摻雜層的表面通過等離子化學氣相沉積法形成二氧化矽鈍化層；以及在所述二氧化矽鈍化層上形成至少一層氮化矽減反射層。本發明一實施方式的N型單晶矽雙面電池的製作方法，工藝簡單，有效地提高了電池的效率。附圖說明通過結合附圖考慮以下對本發明的優選實施例的詳細說明，本發明的各種目標、特徵和優點將變得更加顯而易見。附圖僅為本發明的示範性圖解，並非一定是按比例繪製。在附圖中，同樣的附圖標記始終表示相同或類似的部件。其中：圖1為本發明一實施方式的矽片襯底的結構示意圖；圖2是本發明一實施方式的經過清洗制絨後的矽片的結構示意圖；圖3是本發明一實施方式的經過清洗制絨後在第一、第二表面製備二氧化矽膜的矽片的結構示意圖；圖4是本發明一實施方式的第一表面的二氧化矽膜上均勻塗上硼源後的矽片的結構示意圖；圖5是本發明一實施方式的第一表面上形成P+層的矽片的結構示意圖；圖6是本發明一實施方式的去除P+層上硼矽玻璃後的矽片的結構示意圖；圖7是本發明一實施方式的在P+層上製備二氧化矽掩膜後的矽片的結構示意圖；圖8是本發明一實施方式的在二氧化矽掩膜上製備氮化矽掩膜後的矽片的結構示意圖；圖9是本發明一實施方式的去除第二表面二氧化矽膜後的矽片的結構示意圖；圖10是本發明一實施方式的在第二表面製備二氧化矽膜阻擋層後的矽片的結構示意圖；圖11是本發明一實施方式在第二表面製備N+層後的矽片的結構示意圖；圖12是本發明一實施方式的去除第一表面氮化矽掩膜後的矽片的結構示意圖；圖13是本發明一實施方式的去除第一表面二氧化矽掩膜及第二表面N+層磷矽玻璃後的矽片的結構示意圖；圖14是本發明一實施方式的在第一表面製備氧化鋁鈍化層後的矽片的結構示意圖；圖15是本發明一實施方式的在第一表面的氧化鋁鈍化層上製備三層氮化矽減反射膜後的矽片的結構示意圖；圖16是本發明一實施方式的在第二表面的N+層上製備二氧化矽鈍化層後的矽片的結構示意圖；圖17是本發明一實施方式的在第二表面二氧化矽鈍化層上製備兩層氮化矽減反射膜後的矽片的結構示意圖；圖18是本發明一實施方式製得的N型單晶矽雙面電池的結構示意圖；圖19是本發明另一實施方式製得的N型單晶矽雙面電池的結構示意圖。具體實施方式體現本發明特徵與優點的典型實施方式將在以下的說明中詳細敘述。應理解的是本發明能夠在不同的實施方式上具有各種的變化，其皆不脫離本發明的範圍，且其中的說明及圖示在本質上是當作說明之用，而非用以限制本發明。本發明一實施方式提供了一種N型單晶矽雙面電池的製作方法，所採用的N型矽片襯底包括第一表面和與所述第一表面相對設置的第二表面，所述方法包括：對所述矽片襯底進行表面制絨處理；對所述矽片襯底的第一表面進行硼擴散處理；在通過硼擴散處理後的第一表面上形成至少一層掩膜；對所述矽片襯底的第二表面進行磷擴散處理；去除所述至少一層掩膜；以及分別在通過硼擴散處理的第一表面以及通過磷擴散處理的第二表面製作電極，製得所述N型單晶矽雙面電池。本發明一實施方式的雙面太陽能電池，所使用的是N型矽片，N型矽片具有較長的少數載流子壽命，並且太陽能電池背面使用磷重摻雜，電池無翹曲，能加工更薄的矽襯底；電池背面印刷電極後，在磷背場作用下，可將入射到太陽能電池背面光產生的載流子收集，實現了雙面光電轉化效應。與現有P型單面電池相比，本發明一實施方式的雙面電池具有更好的弱光響應和溫度特性，在早晨和傍晚能發出更多的電量。如圖1至19所示，本發明一實施方式的N型單晶矽雙面電池的製作方法，以N型矽片為襯底，矽片襯底100包括第一表面110和與第一表面110相對設置的第二表面120。具體地，雙面電池的製作方法包括如下步驟：S1：對矽片襯底100進行表面制絨處理於本發明的一實施方式中，可先將原始矽片襯底100在氫氧化鈉及雙氧水的混合液中進行超聲清洗，再利用氫氧化鈉和制絨添加劑的混合液對矽片襯底100的第一表面110、第二表面120進行處理，製備出具有大小均勻的金字塔形狀的陷光結構，以提高所製作的雙面電池的陷光性，增加太陽光的利用率。隨後分別用鹽酸和氫氟酸混合液、去離子水對矽片襯底100進行漂洗，得到如圖2所示的具有陷光結構的矽片襯底100。其中，氫氧化鈉及雙氧水的混合液中，純度≥98％(EL級)氫氧化鈉的濃度可以為2～10wt％，雙氧水的質量濃度可以為25％～30％；氫氧化鈉和制絨添加劑的混合液中，氫氧化鈉的濃度可以為2～10wt％，制絨添加劑可以為常州時創TS45、德清麗晶S403等單晶矽制絨輔助品；鹽酸和氫氟酸混合液中，鹽酸的質量濃度可以為36～38％，氫氟酸的質量濃度可以為48～50％。S2：對矽片襯底100的第一表面110進行硼擴散處理於本發明的一實施方式中，硼擴散處理包括：通過旋塗的方式在矽片襯底100的第一表面110塗抹液態硼源，並對矽片襯底100進行烘乾處理；然後將經過烘乾處理的矽片襯底100於擴散爐管中進行硼擴散。通過旋塗的方式在矽片襯底的第一表面塗抹液態硼源，不僅提高了硼擴散的均勻性，使得擴散時爐管的產能得到提高；同時，還能夠有效控制硼源的塗布範圍，使得在非擴散區域不會沾染到硼源，省去了後期的額外清洗步驟。另外，由於各個矽片之間無需保留類似氣體攜帶硼源擴散時的較大距離，因此擴散時相鄰矽片之間的距離可以適當減小，大大增加了單爐擴散矽片的數量，提高了生產線擴散工序的產能。具體地，如圖3所示，先以體積比為6:2:1的濃HNO3(質量濃度65～68％)、雙氧水(質量濃度25～30％)、鹽酸(質量濃度36～38％)混合液，於2～15min內處理矽片襯底100，在第一表面110、第二表面120分別製備出厚度為2～10nm的二氧化矽膜111、121。其中，二氧化矽膜111可以提高P+擴散層方阻的均勻性，二氧化矽膜121可以形成阻擋層，減小硼對矽片第二表面120繞擴的影響；接著，如圖4所示，通過旋塗的方式在二氧化矽膜111的表面中心區域滴定硼源，滴定量為0.2～1.5cc，然後利用旋轉的方式使矽片上的硼源均勻分布，矽片旋轉轉速可以為500～2500轉/分，再對旋塗硼源的矽片進行烘乾處理，烘乾溫度可以為100～250℃，時間為1～10min；本發明對所使用的硼源沒有限定，可以為現有的硼源。將經過烘乾處理的矽片在擴散爐管中進行硼擴散，在爐管中進行硼擴散時，擴散溫度可以為850～950℃，氧氣與氮氣的體積比可以為1:5～1:20，擴散時間可以為45min～2h，得到擴散方阻為40～100ohm/sq。從而，在矽片襯底100的第一表面110形成P+層——硼摻雜層112，具體如圖5所示。S3：在硼摻雜層112上沉積掩膜如圖5、6所示，可通過溼法刻蝕設備利用HF溶液將經過步驟S2處理後的矽片襯底100表面的硼矽玻璃(BSG)去除，硼矽玻璃是在進行硼擴散過程中形成的副產物；接下來，如圖7所示，可通過濃HNO3(質量濃度65～68％)、雙氧水(質量濃度25～30％)、鹽酸(質量濃度36～38％)的混合液在硼擴散層112的表面製備厚度例如為2～10nm的二氧化矽掩膜113。其中，濃HNO3、雙氧水、鹽酸的體積比可以為6:2:1，混合液對硼擴散層112的作用時間可以為2～10min。二氧化矽掩膜113不僅可以作為阻擋層，降低第二表面120磷擴散的繞擴影響，還可以減小沉積氮化矽膜過程中對PN結的不利影響。厚度為20～30nm的氮化矽膜已經能夠阻擋方阻為50～70ohm/sq範圍的雜質擴散。利用這一特性將其應用於N型雙面電池第二次擴散的阻擋層，能夠有效避免熱氧化高溫過程對電池接觸性能及開路電壓的影響。如圖8所示，可利用PECVD在二氧化矽掩膜113上沉積一層厚度例如為20～50nm的氮化矽掩膜114；沉積溫度可以為300～470℃，反應壓強可以為185～220Pa，功率可以為2000～4000W。本發明一實施方式採用二氧化矽掩膜113+氮化矽掩膜114形成的疊層掩膜以對擴散硼的表面進行保護，防止後續製作步驟影響到擴散硼的表面。利用高緻密的二氧化矽+氮化矽作為擴散阻擋層實現N型電池的雙面擴散，避免了傳統工藝中採用熱氧化二氧化矽薄膜作為擴散阻擋層時所經歷的高溫過程，保證一次擴散曲線及矽襯底的雜質濃度不變，實現了N型雙面電池良好的電接觸性能，並有效降低電池的體複合速率。S4：磷擴散處理如圖9所示，可通過溼法刻蝕設備利用HF和HNO3的混合液對矽片襯底100的第二表面120進行清洗，以去除第二表面120的二氧化矽膜121；接下來，如圖10所示，可通過濃HNO3、H2O2、鹽酸的混合液在第二表面120製備厚度例如為2～10nm的二氧化矽膜122。其中，濃HNO3、H2O2、鹽酸的體積比可以為6:2:1，混合液對第二表面120的作用時間可以為2～10min；然後，如圖11所示，將矽片襯底100的第二表面120在擴散爐中進行磷擴散形成N+層——磷摻雜層123；磷擴散的擴散溫度可以為800～900℃，擴散時間可以為30min～2h，擴散方阻為20～60Ω。本發明一實施方式中，二氧化矽膜122可採用室溫、溼法氧化或快速臭氧氧化工藝製備，不但避免了高溫熱氧化對矽片造成的不利影響，而且可以作為電池第二次擴散的阻擋層，提高背面N+層擴散方阻的均勻性。S5：去除掩膜如圖12所示，可通過熱磷酸對氮化矽、二氧化矽薄膜進行選擇性刻蝕，將矽片襯底100浸泡於155～165℃的熱磷酸中5～15min，可去除第一表面110的氮化矽掩膜114；如圖13所示，將矽片浸泡於HF溶液中，以去除第一表面110的二氧化矽掩膜113及第二表面120的磷矽玻璃，磷矽玻璃是在進行磷擴散過程中形成的副產物；所採用的HF溶液的質量濃度可以為5％，浸泡時間可以為5～10min；在去除磷矽玻璃的同時，HF溶液將步驟S5中製作的二氧化矽掩膜113也一同去除，從而暴露出製作的P型層。S6：電極製作於本發明的一實施方式中，可通過絲網印刷製作電極。具體地，可在第一表面110的硼摻雜層的上部印刷銀鋁漿，形成如圖18所示的電池正極119，電池正極119所在的表面為電池的正面，在第二表面120的磷摻雜層的上部印刷銀漿，形成如圖18所示的電池負極127，電池負極127所在的表面為電池的背面；然後於600～950℃的溫度下，將上述矽片在燒結爐中進行燒結，讓電極和矽形成歐姆接觸，即得到如圖18所示的電池成品。於本發明的一實施方式中，可在磷擴散處理步驟之後，進行周邊PN結的去除步驟，具體可通過等離子刻蝕工藝或雷射刻蝕工藝去除邊結。另外，待電池製成後，可通過雷射刻蝕電池正面邊結(參見圖19)，以減少電池漏電。於本發明的一實施方式中，如圖14所示，可在硼擴散層112的表面形成氧化鋁鈍化層115。氧化鋁鈍化層115的厚度可以為6～15nm，其可通過等離子化學氣相沉積法形成，沉積溫度可以為300～400℃，反應壓強可以為180～230Pa，功率可以為1000～4000W。於本發明的另一實施方式中，還可在氧化鋁鈍化層115上形成至少一層氮化矽減反射層。如圖15所示，氮化矽減反射層可以為三層，分別為：厚度為26～33nm、折射率為2.6～2.8的氮化矽減反射層116，厚度為20～29nm、折射率為2.1～2.5的氮化矽減反射層117，厚度為47～56nm、折射率為2.0～2.1的氮化矽減反射層118。氮化矽減反射層可通過等離子化學氣相沉積法形成，沉積溫度可以為300～400℃，反應壓強可以為180～220Pa，功率可以為2000～4000W。本發明一實施方式的氧化鋁鈍化層的製作方法屬於低溫工藝，不會破壞PN結。且針對電池正面P+層和背面N+層的不同特性，在電池正面採用鈍化效果更好的氧化鋁與氮化矽疊層鈍化的方式，氧化鋁起到鈍化作用，氮化矽起到保護及調整光學參數，降低電池正面反射率的作用。由於氧化鋁與矽接觸面具有較高固定負電荷密度，通過屏蔽正表面P型矽表面光生電子而表現出顯著的內電場效應而起到鈍化特性，使得矽片表面的鈍化效果較傳統鋁背場鈍化技術有較大的提升；另外，氧化鋁薄膜在低摻雜和高摻雜的P型矽表面具有很好的熱穩定性，這一點對於絲網印刷太陽電池來說尤為重要；氧化鋁薄膜對於可見光波段的光完全透明，且具有較低溫度(100～350℃)的生長窗口。於本發明的一實施方式中，如圖16所示，可在磷摻雜層123的表面形成二氧化矽鈍化層124。二氧化矽鈍化層124的厚度可以為10～30nm，其可通過等離子化學氣相沉積法形成，沉積溫度可以為300～470℃，反應壓強可以為185～220Pa，功率可以為2000～4000W。於本發明的另一實施方式中，還可在二氧化矽鈍化層124上形成至少一層氮化矽減反射層。如圖17所示，氮化矽減反射層可以為兩層，分別為：厚度為21～26nm、折射率為2.79～2.92的氮化矽減反射層125及厚度為56～60nm、折射率為1.9～2.0的氮化矽減反射層126。氮化矽減反射層可通過等離子化學氣相沉積法形成，沉積溫度可以為300～470℃，反應壓強可以為185～220Pa，功率可以為2000～4000W。本發明的一實施方式中，在電池背面採用鈍化效果更好的二氧化矽與氮化矽疊層鈍化的方式。其中，二氧化矽起到鈍化作用，氮化矽起到保護及調整光學參數，降低電池背面反射率的作用。本發明一實施方式的N型單晶矽雙面電池，可以在現有常規P型矽太陽能電池生產線的基礎上改造完成，工藝簡單，並且採用該方法製備的N型雙面電池不存在硼繞擴導致的顏色不均勻問題，正反兩面色差較小，滿足太陽電池的外觀需求。以下，結合附圖及具體實施例對本發明的N型單晶矽雙面電池的製作方法做進一步說明。實施例1對矽片襯底100進行表面制絨處理先將原始矽片襯底100在氫氧化鈉及雙氧水的混合液中進行超聲清洗，再利用氫氧化鈉和制絨添加劑的混合液對矽片襯底100的第一表面110、第二表面120進行處理；隨後分別用鹽酸和氫氟酸混合液、去離子水對矽片襯底100進行漂洗，得到如圖2所示的具有陷光結構的矽片襯底100。對矽片襯底100的第一表面110進行硼擴散處理以體積比為6:2:1的濃HNO3、H2O2、鹽酸混合液，於15min內處理矽片襯底100，在第一表面110、第二表面120分別製備出厚度為2～10nm的二氧化矽膜111、121。接著，通過旋塗的方式在二氧化矽膜111的表面中心區域滴定硼源，滴定量為1.0cc，然後利用旋轉的方式使矽片上的硼源均勻分布，矽片旋轉轉速為2000轉/分，再對旋塗硼源的矽片進行烘乾處理，烘乾溫度為250℃，時間為10min；將經過烘乾處理的矽片襯底100在擴散爐管中進行硼擴散，擴散溫度可以為900℃，氧氣與氮氣的體積比可以為1:20，擴散時間為2h，擴散方阻為100ohm/sq。從而，在矽片襯底100的第一表面110形成硼摻雜層112。在硼摻雜層112上沉積掩膜通過溼法刻蝕設備利用HF溶液將經過硼擴散的矽片襯底100表面的硼矽玻璃去除；接下來，通過體積比為6:2:1的濃HNO3、H2O2、鹽酸的混合液在硼擴散層112的表面製備厚度為10nm的二氧化矽掩膜113。混合液對硼擴散層112的作用時間為8min。然後，利用PECVD在二氧化矽掩膜113上沉積一層厚度為40nm的氮化矽掩膜114；沉積溫度為400℃，反應壓強為200Pa，功率為3000W。磷擴散處理通過溼法刻蝕設備利用HF和HNO3的混合液對矽片襯底100的第二表面120進行清洗，以去除第二表面120的二氧化矽膜121；接下來，通過體積比為6:2:1的濃HNO3、H2O2、鹽酸的混合液在第二表面120製備厚度為8nm的二氧化矽膜122，混合液對第二表面120的作用時間為5min；然後，將矽片襯底100的第二表面120在擴散爐中進行磷擴散形成磷摻雜層123；磷擴散的擴散溫度為800℃，擴散時間可以為1h，擴散方阻為30Ω。去除周邊PN結通過等離子刻蝕工藝去除電池周邊PN結。去除掩膜通過熱磷酸對氮化矽、二氧化矽薄膜進行選擇性刻蝕，將矽片襯底100浸泡於155～165℃的熱磷酸中10min，去除第一表面110的氮化矽掩膜114；將矽片浸泡於5％的HF溶液中，去除第一表面110的二氧化矽掩膜113及第二表面120的磷矽玻璃，浸泡時間為10min；在去除磷矽玻璃的同時，HF溶液將二氧化矽掩膜113也一同去除，從而暴露出製作的P型層。在硼擴散層112的表面形成氧化鋁鈍化層115通過等離子化學氣相沉積法在硼擴散層112的表面形成厚度為10nm的氧化鋁鈍化層115，沉積溫度為400℃，反應壓強為200Pa，功率為4000W。在氧化鋁鈍化層115的表面依次形成三層氮化矽減反射層在氧化鋁鈍化層115的表面採用等離子化學氣相沉積法依次沉積厚度為28nm的氮化矽減反射層116、厚度為22nm的氮化矽減反射層117以及厚度為47nm的氮化矽減反射層118。沉積溫度為350℃，反應壓強為180Pa，功率為2000W。在磷摻雜層123的表面形成二氧化矽鈍化層124在磷摻雜層123的表面採用等離子化學氣相沉積法沉積厚度為30nm的二氧化矽鈍化層124，沉積溫度為400℃，反應壓強為220Pa，功率為4000W。在二氧化矽鈍化層124的表面依次形成兩層氮化矽減反射層在二氧化矽鈍化層124的表面採用等離子化學氣相沉積法依次沉積厚度為25nm的氮化矽減反射層125及厚度為57nm的氮化矽減反射層126，沉積溫度為400℃，反應壓強為190Pa，功率為2000W。電極製作採用印刷的方法在矽片的第一表面110的的硼摻雜層112上印刷銀鋁漿，形成電池正極119，電池正極119所在的表面為電池的正面；在第二表面120的磷摻雜層123上印刷銀漿，形成電池負極127，電池負極127所在的表面為電池的背面；然後於950℃的溫度下，將上述矽片在燒結爐中進行燒結，讓電極和矽形成歐姆接觸，即得到如圖18所示的電池成品。將實施例1製得的N型雙面M2(244.32cm2)單晶矽太陽電池和傳統晶體矽加工技術生產的單晶M2(244.32cm2)電池(對比例)進行了平均電性能測試，兩者均採用義大利Baccini太陽電池I-V測試儀，在測試溫度為25±2℃、太陽模擬器光強為1000±50W/m2標準測試條件下進行測試，相關數據如下表所示：Pmpp/WUoc/VIsc/ARs/ΩRsh/ΩFF/％NCellIrev2/A實施例14.94260.64609.57300.00370380.2320.23％0.043對比例4.90590.64419.49890.00249180.1820.08％0.029其中，Pmpp為最大工作功率，Uoc為開路電壓，Isc為短路電流，Rs為串聯電阻，Rsh為並聯電阻，FF為填充因子，Ncell為電池光電轉換效率，Irev2為電池反向偏壓12V時的漏電流。實施例2本實施例的工藝步驟與實施例1相同，故省略相同內容的說明。兩者的主要區別在於本實施例省略了通過等離子刻蝕工藝去除電池周邊PN結的步驟，同時在電極製作完成後，利用雷射刻蝕正面邊結，得到如圖19所示的電池成品。除非特別限定，本發明所用術語均為本領域技術人員通常理解的含義。本發明所描述的實施方式僅出於示例性目的，並非用以限制本發明的保護範圍，本領域技術人員可在本發明的範圍內作出各種其他替換、改變和改進，因而，本發明不限於上述實施方式，而僅由權利要求限定。當前第1頁1 2 3