製造電路板的方法及使用其製造的晶片封裝件和電路板的製作方法
2023-08-12 23:11:26
製造電路板的方法及使用其製造的晶片封裝件和電路板的製作方法
【專利摘要】本發明提供了一種製造電路板的方法。所述方法包括：準備包括芯層和第一導電層的基體基板，第一導電層形成在芯層的至少一個表面上並且包括內部電路圖案；形成積層材料，以覆蓋第一導電層；在積層材料中形成至少一個腔體，芯層和第一導電層通過所述至少一個腔體暴露；通過使形成有所述至少一個腔體的積層材料固化來形成層合主體；在層合主體的外表面上形成包括外部電路圖案的第二導電層。
【專利說明】製造電路板的方法及使用其製造的晶片封裝件和電路板
[0001]本申請要求於2012年10月19日在韓國知識產權局提交的第10-2012-0116744號韓國專利申請和於2013年2月26日在韓國知識產權局提交的第10-2013-0020670號韓國專利申請的優先權，這兩個申請的公開通過引用全部包含於此。
【技術領域】
[0002]與示例性實施例一致的方法和設備涉及製造包括腔體和晶片封裝件的電路板的方法以及通過使用該方法製造的電路板。
【背景技術】
[0003]因為近來電子裝置的組件尺寸已減小並且顧客偏好具有各種功能的一類產品，所以電子裝置的組件數量已有所增加。因此，對用於將眾多電子組件高密度地安裝在電路板上的技術存在需求。
[0004]多層電路板是電子裝置的元件，該元件是通過將多個基板堆疊為多層來形成的，在每層中安裝有電子組件。由於多層電路板可以執行比單面板或雙面板更複雜的電學功能並且可以使電子組件能夠被高密度地安裝在其上，因此多層電路板被廣泛應用於各種電子裝置。
[0005]具體地講，近來對用於使電子產品輕、薄、短且小的系統集成技術存在需求，並且製造腔體印刷電路板(PCB)的技術作為系統集成技術已備受關注。在腔體PCB中，由於組件被嵌入在沿晶片安裝所沿的方向形成的腔體中而不是被完全嵌入在PCB上，因此與嵌入式PCB中相比，在腔體PCB中，更換組件或檢查組件的效率高得多。
[0006]然而，多層技術很少應用於腔體PCB。這是因為:難以精確地形成腔體，並且腔體中的內部電路在PCB工藝中執行的鍍覆或蝕刻期間可能受損。
[0007]具體地講，在通過使用在上面堆疊有成品組件的PCB中進行雷射鑽孔來選擇性形成腔體的方法中，由於難以調節深度，因此內部電路圖案和內部絕緣層可能經常受損。另外，當通過使用刨槽機(router)形成腔體時，由於加工精度方面的大差異並且腔體必須要單獨形成，因此批量生產期間的產品可靠性可能會降低並且由於低產率導致難以批量生產裝置。另外，通過使用打孔裝置對成品產品中的腔體位置進行精確打孔來選擇性形成腔體的方法不可避免地導致腔體外壁受損。由於腔體外壁受損，導致造成因腔體底表面的吸溼和受損而形成分層。由於打孔夾具的製造成本，導致整體製造成本增加並且腔體的設計寬度非常小。當形成腔體並且在堆疊絕緣層之前堆疊組件時，由於難以控制熱固性樹脂的流動，因此往往會產生汙點並且必須執行額外的去汙工藝。另外，由於難以完全去除汙點，因此基板的可靠性降低並且批量產率下降。
【發明內容】
[0008]一個或多個示例性實施例提供了一種以低成本簡單製造電路板和晶片封裝件的方法以及一種通過使用該方法製造的電路板。[0009]根據示例性實施例的一個方面，提供了一種製造電路板的方法，所述方法包括:準備基體基板，基體基板包括芯層和第一導電層，第一導電層形成在芯層的至少一個表面上並且包括內部電路圖案；形成積層材料，以覆蓋第一導電層；在積層材料中形成至少一個腔體，芯層和第一導電層通過所述至少一個腔體暴露；通過使其中形成有所述至少一個腔體的積層材料固化來形成層合主體；在層合主體的外表面上形成包括外部電路圖案的第二導電層。
[0010]積層材料可以包括結構主體浸在其中的基質，並且基質包括乙階段的熱固性樹脂。
[0011]形成層合主體的步驟可以包括:施加熱，以對乙階段的熱固性樹脂執行交聯並且得到丙階段的熱固性樹脂。
[0012]乙階段的熱固性樹脂的重量可以小於丙階段的熱固性樹脂的重量。
[0013]用於形成積層材料的工藝溫度可以低於用於固化積層材料的工藝溫度。
[0014]形成所述至少一個腔體的步驟可以包括使用溼蝕刻以通過使用溶液去除暴露在其中將要形成所述至少一個腔體的部分中的積層材料。
[0015]溶液可以包括玻璃蝕刻劑。
[0016]芯層可以由與層合主體的材料相同的材料形成。
[0017]積層材料可以包括形成在積層材料的面對基體基板的外表面上的金屬層。
[0018]在形成所述至少一個腔體之前，所述方法還可以包括去除金屬層中的將要形成至少一個腔體的部分。
[0019]根據另一個示例性實施例的一個方面，提供了一種通過使用以上方法製造的電路板。
[0020]根據另一個示例性實施例的一個方面，提供了一種製造晶片封裝件的方法，所述方法包括:準備基體基板，基體基板包括芯層和第一導電層，第一導電層形成在芯層的至少一個表面上並且包括內部電路圖案；形成積層材料，以覆蓋第一導電層；在積層材料中形成至少一個腔體，芯層和第一導電層通過所述至少一個腔體暴露；通過使其中形成有所述至少一個腔體的積層材料固化來形成層合主體；在層合主體的外表面上形成包括外部電路圖案的第二導電層；將半導體晶片安裝在所述至少一個腔體中並且將半導體晶片與第一導電層和第二導電層中的至少一個電連接。
[0021]積層材料可以包括結構主體浸在其中的基質，並且基質包括處於乙階段的熱固性樹脂。
[0022]形成層合主體的步驟可以包括:施加熱，以對處於乙階段的熱固性樹脂執行交聯並且得到處於丙階段的熱固性樹脂。
[0023]處於乙階段的熱固性樹脂的重量可以小於處於丙階段的熱固性樹脂的重量。
[0024]形成所述至少一個腔體的步驟可以包括:使用溼蝕刻以通過使用溶液去除暴露在其中將要形成所述至少一個腔體的部分中的積層材料。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0025]通過參照附圖詳細描述示例性實施例，上述和其它特徵將變得更加清楚，其中:
[0026]圖1、圖2、圖5、圖6、圖7和圖9是根據示例性實施例的用於說明製造電路板的方法的剖視圖；
[0027]圖3是示出了根據示例性實施例的圖2的積層材料(build-up material)的詳細視圖；
[0028]圖4是示出了根據示例性實施例的熱固性樹脂是否可以視溫度而成型的曲線圖；
[0029]圖8是示出了根據示例性實施例的製造電路板的方法的每周期的工藝溫度的曲線圖；以及
[0030]圖10和圖11是示出了根據示例性實施例的通過使用製造晶片封裝件的方法製造的晶片封裝件的剖視圖。
【具體實施方式】
[0031]因為發明構思允許存在各種改變和眾多實施例，所以將在附圖中示出並且用書面描述詳細描述特定的示例性實施例。然而，這不意圖將發明構思局限於實際的特定模式，並且將要理解的是，不脫離發明構思的精神和技術範圍的所有改變、等同物和替代物都被涵蓋在本發明內。在這裡對實施例的描述中，當認為對相關技術的某些詳細說明可能不必要地混淆了發明構思的本質時，省略這些詳細說明。
[0032]這裡使用的術語僅為了描述特定示例實施例的目的，而不意圖限制發明構思。如這裡所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數形式的「一個(種)」和「所述(該)」也意圖包括複數形式。還將理解的是，這裡使用的術語「包含」和/或「包括」說明存在所述特徵、整體、步驟、操作、構件、組件和/或它們的組，但不排除存在或附加一個或多個其它特徵、整體、步驟、操作、構件、組件和/或它們的組。
[0033]如這裡所使用的，術語「和/或」包括一個或多個相關所列項的任意和全部組合。諸如「至少一個」的措辭當出現在一列元件之前時修飾的是整列元件而不是修飾這列元件中的個體元件。
[0034]現在，將參照附圖更充分地描述實施例。在附圖中，為了清晰起見，放大了各種層和區域的厚度。在附圖中，為了方便說明，誇大了一些層和區域的厚度。
[0035]圖1、圖2、圖5、圖6、圖7和圖9是根據示例性實施例的用於說明製造電路板的方法的剖視圖。圖3是示出了圖2的積層材料210的詳細視圖。圖4是示出了根據示例性實施例的熱固性樹脂是否可以視溫度而成型的曲線圖。圖8是示出了根據示例性實施例的製造電路板的方法的每周期的工藝溫度的曲線圖。
[0036]參照圖1，準備基體基板100。
[0037]基體基板100是電路板中的形成有用於傳輸電信號的內部電路圖案121的那部分。基體基板100包括導電層120,導電層120包括形成在芯層115的兩個表面中的每個表面上的內部電路圖案121。
[0038]芯層115由與以下將說明的層合主體215 (參見圖7)的材料相同的材料形成。詳細地說，像層合主體215—樣，芯層115包括完全固化的熱固性樹脂。
[0039]導電層120可以包含諸如銅(Cu)或銀(Ag)的導電材料，但本實施例不限於此。可以通過使用絲網印刷或輥塗在芯層115的兩個表面中的每個表面上形成導電層120。
[0040]可以通過使用諸如減成法和加成法的各種圖案化方法中的任一種來形成內部電路圖案121,減成法包括封孔方法和全板/線路電鍍方法(panel/pattern method),加成法包括半加成(SAP)方法、改良型半加成(MSAP)方法、高級改良型半加成(AMSAP)方法和全加成(FAP)方法。簡言之，公知的是減成法涉及從導電層120中選擇性去除除了導體之外的不必要部分以形成電路板，而加成法涉及通過在芯層115上使用鍍覆來選擇性沉積導電材料以形成電路圖案，因此將不提供對其的詳細說明。在圖1中示出了通過使用封孔方法來形成內部電路圖案121而得到的結果。
[0041]可以在基體基板100中形成穿通孔或通孔，以通過形成在芯層115上方和下方的內部電路圖案121供電。儘管圖1中示出了其內表面被鍍覆的兩個穿通孔，但穿通孔的數量和形狀不限於此。基體基板100的厚度、材料、形狀和結構不限於上述的厚度、材料、形狀和結構，並且可以根據需要有所變化。
[0042]參照圖2，在基體基板100上形成積層材料210。
[0043]在製造多層電路板時，積層材料210將導電層120與金屬層220 (參見圖9)絕緣。積層材料210包括結構主體212 (參見圖3)和結構主體212浸潰在其中的基質211 (參見圖3)。
[0044]圖3是示出了圖2的積層材料210的詳細視圖。
[0045]結構主體212是一種添加的用來提高層合主體215 (參見圖7)的積層材料210的機械的和化學的強度和耐久性的材料。例如，結構主體212包含玻璃基材料。詳細地說，結構主體212可以包括玻璃纖維織物214和二氧化矽基填料216。作為線性材料的玻璃纖維織物214在積層材料210或層合主體215中穿梭，以支承積層材料210或層合主體215 (參見圖7)的整體結構，並且用作例如鋼筋混凝土中的鋼筋條。作為顆粒材料的二氧化矽基填料216分散在層合主體215 (參見圖7)或積層材料210中以提高強度和耐久性，並且用作例如鋼筋混凝土中的卵石。
[0046]基質211指的是結構化主體212浸潰在其中並且使不同的導電層120相互絕緣且使導電層120與金屬層220絕緣的材料。基質211包含諸如環氧樹脂的熱固性樹脂。根據示例性實施例，積層材料210中包括的基質211是熱固性樹脂。將詳細說明熱固性樹脂在乙階段的特性。
[0047]圖4是示出了熱固性樹脂的階段和溫度之間的關係的曲線圖。
[0048]參照圖4，X軸代表溫度，Y軸代表熱固性樹脂視溫度而定的成型特性。也就是說，溫度沿著X軸從低溫升至高溫，而熱固性樹脂的流動性沿著Y軸增大。
[0049]熱固性樹脂包括至少乙階段和丙階段。
[0050]乙階段指的是熱固性樹脂部分固化的狀態以及完全固化之前固化反應的中間階段。乙階段的熱固性樹脂包含沒有由於熱而經受交聯的聚合物。因此，當在乙階段向熱固性樹脂施加熱時，聚合物的動能增加，從而具有流動性或柔軟度。當接觸某種溶液時，溶液中的分子在聚合物之間穿過，使熱固性樹脂膨脹。
[0051]積層材料210中包括的基質211是如上所述的乙階段的熱固性樹脂。因此，當向積層材料210施加熱時，可以獲得流動性，因此可以執行成型。參照圖4發現，當向乙階段的熱固性樹脂施加熱時，熱固性樹脂沒有固化，而是軟得足以成型。因此，當向堆疊在基體基板100上的積層材料210施加熱時，積層材料210中包括的處於乙階段的熱固性樹脂可以成型。因此，當通過施加壓力來執行層合時，熱固性樹脂被填充在內部電路圖案121中。為使熱固性樹脂成型而施加的熱的溫度是熱固性樹脂進入丙階段之前的溫度。被施加用於使(例如)環氧樹脂成型的熱的溫度可以是大約120°C至大約180°C。如將參照圖6詳細描述的，由於積層材料210中包括的基質211是處於乙階段的熱固性樹脂，因此基質211具有低耐化學性。因此，由於可以用溶液蝕刻基質211，因此可以通過使用溼蝕刻來形成腔體CV。
[0052]接下來，丙階段指的是熱固性樹脂完全固化的狀態。也就是說，丙階段指的是施加能量以執行交聯從而熱固性樹脂穩定地交聯的狀態。因此，由於聚合物的尺寸由於交聯而增大，因此丙階段的熱固性樹脂的重量大於乙階段的熱固性樹脂的重量。由於通過施加熱而不能夠使處於丙階段的熱固性樹脂成型，因此丙階段的熱固性樹脂在某種溶液中是不可溶解且不熔化的。如將參照圖7詳細描述的，層合主體215(參見圖7)中包括的基質211是通過完全固化積層材料210中包括的乙階段的熱固性樹脂而得到的丙階段的熱固性樹脂。因此,層合主體215不可以成型，並且耐化學性、強度和耐久性增加。
[0053]如圖2中所示，積層材料210可以包括面向基體基板100形成在積層材料210的外表面上的金屬層220。金屬層220可以由Cu或Ag形成。
[0054]然而，本實施例不限於圖2，並且可以在基體基板100上塗覆不具有金屬層220的積層材料210，然後可以通過使用絲網印刷或輥塗單獨在積層材料210的外表面上形成金屬層220。
[0055]參照圖5，去除金屬層220的將要形成腔體CV的那部分。
[0056]詳細地說，圖5的工藝被稱作窗口形成工藝(window-forming process)。根據示例性實施例，通過使用溼蝕刻形成積層材料210中的腔體CV。因此，當在積層材料210上形成金屬層220時,執行窗口形成工藝。
[0057]儘管未示出，但是塗覆幹膜抗蝕劑(DRF)，執行曝光和顯影，並且在其中將要形成腔體CV的部分223上形成圖案。接下來，通過使用其上形成有圖案的DFR作為掩模，去除金屬層220的與其中將要形成腔體CV的部分223對應的部分。接下來，剝離DFR。可以用其它公知方式中的任一種來執行窗口形成工藝。
[0058]參照圖6，在積層材料210中共同形成至少一個腔體CV。儘管在圖6中只示出了一個腔體CV，但是可以按照產品設計形成多個腔體CV。
[0059]通過去除積層材料210，形成其中安裝有半導體晶片的腔體CV。腔體CV是設置在積層材料210下方的芯層115和包括內部電路圖案121的導電層120通過其暴露的開口，它不同於通過其僅使設置在積層材料210下方的導電層120暴露的通孔。由於腔體CV是隨後將要安裝有半導體晶片的空置空間，因此腔體CV的功能不同於其內表面被鍍覆並且用作電連接構件的通孔的功能。另外，腔體CV與通孔的不同之處在於，腔體CV的寬度大得足以在其中安裝半導體晶片。
[0060]詳細地說，通過使用溼蝕刻來形成腔體CV。通過使用金屬層220作為自對準掩模去除其中將要形成腔體CV的部分223中暴露的積層材料210，形成腔體CV。積層材料210包括基質211和結構主體212，如以上參照圖3所描述的。因此，用於溼蝕刻的溶液必須能夠去除結構主體212以及基質211。溶液包括玻璃蝕刻劑，玻璃蝕刻劑可以去除具有玻璃組分的結構主體212。
[0061]可以只通過一個工藝或者通過多個重複工藝來執行去除積層材料210的方法。例如，可以在第一工藝中，通過使用第一溶液去除其中將要形成腔體CV的部分223的積層材料210中包括的基質211，並且可以在第二工藝中，通過使用第二溶液去除其中將要形成腔體CV的部分223的積層材料210中包括的結構主體212。如果有必要，可以重複地執行第二工藝之後的第一工藝，並且首先可以執行第二工藝，然後可以執行第一工藝。
[0062]第一溶液可以是諸如高錳酸鈉或氫氧化鈉的鹼性溶液、諸如丙酮的有機溶劑或者其它酸性溶液。第二溶液可以是諸如氫氟酸(HF)或公知的玻璃蝕刻劑的酸性溶液。在第一工藝中去除基質211之前，可以使用使熱固性樹脂膨脹的酸性、鹼性或中性蝕刻助劑。
[0063]根據示例性實施例，通過在形成積層材料210的狀態下使用溼蝕刻來形成腔體CVo
[0064]由於積層材料210包括如上所述的乙階段的熱固性樹脂，因此可以通過使用溼蝕刻來形成腔體CV。當積層材料210形成在基體基板100的兩個表面上並且直接固化時，由於乙階段的熱固性樹脂完全固化並且變成具有高耐化學性的丙階段的熱固性樹脂，因此通過使用溼蝕刻並不能夠形成腔體CV。然而，根據本實施例，由於形成了積層材料210並且在積層材料210固化到層合主體215 (參見圖7)中之前形成腔體CV，因此可以執行溼蝕刻。
[0065]如參照圖1所描述的，芯層115包括丙階段的熱固性樹脂，像層合主體215 (參見圖7)—樣。因此，即使在形成腔體CV的工藝期間芯層115暴露於蝕刻溶液時，芯層115也沒有受到蝕刻溶液的損害。也就是說，由於芯層115和積層材料210包括不同階段的熱固性樹脂，因此存在預定的蝕刻選擇性。另外，由於積層材料210和導電層120的材料互不相同，因此導電層120沒有與用於去除積層材料210的蝕刻溶液發生反應。
[0066]根據本實施例，由於通過使用溼蝕刻來形成腔體CV，因此可以解決在上面堆疊有成品組件的PCB中形成腔體的方法的問題並且腔體可以一起形成。另外，由於避免了在對成品中的腔體位置進行精確鑽孔的方法中對外壁的損害，因此可以以低成本設計具有各種形狀的腔體。另外，可以防止產生汙點並且可以降低製造成本並縮短工藝時間。
[0067]參照圖7，通過完全固化其中形成有腔體CV的積層材料210來形成層合主體215。
[0068]詳細地說，層合主體215像積層材料210 —樣包括基質211 (參見圖3)和結構主體212(參見圖3)，但是層合主體215中包括的基質211是丙階段的熱固性樹脂。形成層合主體215的步驟是向積層材料210中包括的乙階段的熱固性樹脂施加熱以得到丙階段的熱固性樹脂的步驟。也就是說，施加熱能來執行交聯，因此使熱固性樹脂穩定地交聯。因此，改善了層合主體215的耐化學性、強度和耐久性。
[0069]用於完全固化積層材料210的溫度可以高於用於使圖2的積層材料210成型的溫度。例如，可以在等於或高於大約200°C的溫度下執行數分鐘的固化。
[0070]圖8是示出了根據示例性實施例的製造電路板的方法的每個周期的工藝溫度的曲線圖。
[0071]圖8的方法涉及由積層材料210間歇地形成層合主體215。也就是說，在tl的持續時間內，執行在溫度Tl下形成積層材料210並使其成型的步驟。在t3的持續時間內，間歇地執行通過固化積層材料210來形成層合主體215的步驟。在持續時間t3和持續時間tl之間的持續時間t2內，執行形成腔體CV的步驟。在蝕刻腔體CV之後，通過在t3的持續時間內在溫度T2下固化積層材料210來形成層合主體215。
[0072]持續時間tl內用於形成積層材料210並且使積層材料210成型以使其穿過內部電路圖案121之間的工藝溫度低於持續時間t3內用於形成層合主體215的工藝溫度。這是因為，致使聚合物交聯的熱能高於增大聚合物流動性的熱能。[0073]根據本實施例，包含具有所需強度和耐久性的聚合物的最終電路板的層合主體215可以具有適於封裝的物理性質，並且可以通過使用間歇工藝和溼蝕刻工藝一起形成腔體CV。因此，根據本實施例的製造電路板的方法可以以縮短的交付時間、降低的投資成本和降低的設備成本製造出物理性質滿足用戶需求的電路板。
[0074]參照圖9,在層合主體215的外表面上設置的金屬層220上形成外部電路圖案221。可以用與形成內部電路圖案121的方式相同的方式，執行形成外部電路圖案221的方法。儘管圖9中未示出，但可以通過形成通孔並且執行其它表面處理來印刷保護層，從而製造電路板。
[0075]圖10和圖11是示出了根據示例性實施例的通過使用製造晶片封裝件300和300a的方法製造的晶片封裝件300和300a的剖視圖。
[0076]圖10和圖11的晶片封裝件300和300a中的每個包括安裝在圖9的電路板200上的半導體晶片。
[0077]參照圖10和圖11，半導體晶片安裝在圖9的電路板200上。如圖10中所示，可以在電路板200上安裝一個半導體晶片30。然而，本發明不限於此，並且如圖11中所示，可以在電路板200上安裝多個半導體晶片31和32。儘管在圖11中安裝了兩個半導體晶片，即，半導體晶片31和32，但本實施例不限於此，在電路板200上可以安裝三個或更多個半導體
-H-* I I
心/T O
[0078]將至少一個半導體晶片30、31或32安裝在腔體CV中。在圖11中，可以將半導體晶片31安裝在腔體CV中，並且可以將半導體晶片32安裝在腔體CV外部。可以通過使用鍵合引線，將半導體晶片30、31或32中的每個電連接到金屬層220的上面形成有外部電路圖案221的暴露部分或者電連接到導電層120的上面形成有內部電路圖案121的暴露部分。因此，可以製造晶片封裝件300或300a，其是上面安裝有半導體晶片30、31或32的電路板200。
[0079]根據本實施例，由於腔體CV形成在電路板200中，因此如圖10中所示可以通過將半導體晶片30安裝在腔體CV中來進一步減小晶片封裝件300的厚度。由於安裝在腔體CV中的半導體晶片30的厚度可以增大從而能夠減少半導體晶片30的背面研磨，因此晶片良率可以得到改善。另外，由於如圖11中所示半導體晶片31安裝在腔體CV中，因此與使用利用不帶腔體的電路板的晶片封裝件時相比，可以安裝更多的半導體晶片。
[0080]儘管未示出，但可以在電路板200的與其中形成有腔體CV的表面相對的表面上設置的金屬層220上，進一步形成諸如凸起的電連接構件。另外，可以通過使用成型樹脂(例如，環氧成型化合物)密封半導體晶片30、31和32、鍵合引線和電路板200中的部分或全部來完成晶片封裝300件或300a。
[0081]儘管在實施例中示出了包括總共4個的導電層120和金屬層220的多層電路板，但發明構思不限於此。可以使用製造各種其它多層電路板(例如，6層電路板或8層電路板)中的任一種的方法。
[0082]另外，儘管為了方便說明在實施例中示出了預定的通孔、鍍覆的穿通孔(PTH)和預定的電路圖案，但發明構思不限於此。將要理解，不同形狀、不同數量或不同圖案在發明構思的範圍內。
[0083]如上所述，根據實施例，可以簡化製造電路板的工藝，可以降低製造成本，並且可以提高成本競爭力。
[0084]雖然已參照發明構思的以上示例性實施例具體示出和描述了發明構思，但本領域的普通技術人員應當理解，可以在不脫離權利要求書限定的發明構思的精神和範圍的情況下在此進行各種形式和細節上的改變。
【權利要求】
1.一種製造電路板的方法，所述方法包括: 準備包括芯層和第一導電層的基體基板，第一導電層形成在芯層的至少一個表面上並且包括內部電路圖案； 形成積層材料，以覆蓋第一導電層； 在積層材料中形成使芯層和第一導電層暴露的至少一個腔體； 通過使形成有所述至少一個腔體的積層材料固化來形成層合主體；以及 在層合主體的外表面上形成包括外部電路圖案的第二導電層。
2.如權利要求1所述的方法，其中，積層材料包括其中注入有結構主體的基質，並且基質包括處於乙階段的熱固性樹脂。
3.如權利要求2所述的方法，其中，形成層合主體的步驟包括:施加熱，以對處於乙階段的熱固性樹脂執行交聯並且得到處於丙階段的熱固性樹脂。
4.如權利要求3所述的方法，其中，處於乙階段的熱固性樹脂的重量小於處於丙階段的熱固性樹脂的重量 。
5.如權利要求1所述的方法，其中，用於形成積層材料的工藝溫度低於用於固化積層材料的工藝溫度。
6.如權利要求1所述的方法，其中，形成所述至少一個腔體的步驟包括:使用溼蝕刻，以通過使用溶液去除其中將要形成所述至少一個腔體的部分中暴露的積層材料。
7.如權利要求6所述的方法，其中，所述溶液包括玻璃蝕刻劑。
8.如權利要求1所述的方法，其中，芯層由與層合主體的材料相同的材料形成。
9.如權利要求1所述的方法，其中，芯層由與形成積層材料的材料相同的材料形成， 其中，在積層材料固化以形成層合主體之前，積層材料中的材料處於與形成芯層的材料視溫度而定的階段不同的階段。
10.如權利要求1所述的方法，其中，積層材料包括形成在積層材料的面對基體基板的外表面上的金屬層。
11.如權利要求10所述的方法，其中，在形成所述至少一個腔體之前，所述方法還包括去除金屬層中的將要形成至少一個腔體的部分。
12.如權利要求1所述的方法，所述方法還包括: 將半導體晶片安裝在所述至少一個腔體中並且將半導體晶片與第一導電層和第二導電層中的至少一個電連接。
13.如權利要求12所述的方法，其中，積層材料包括其中注入有結構主體的基質，並且基質包括處於乙階段的熱固性樹脂。
14.如權利要求13所述的方法，其中，形成層合主體的步驟包括施加熱以對處於乙階段的熱固性樹脂執行交聯並且得到處於丙階段的熱固性樹脂。
15.如權利要求14所述的方法，其中，處於乙階段的熱固性樹脂的重量小於處於丙階段的熱固性樹脂的重量。
16.如權利要求12所述的方法，其中，形成所述至少一個腔體的步驟包括:使用溼蝕亥IJ，以通過使用溶液去除其中將要形成所述至少一個腔體的部分中暴露的積層材料。
17.—種通過使用如權利要求1所述的方法製造的電路板。
18.—種通過使用如權利要求2所述的方法製造的電路板。
19.一種通過使用如權利要求3所述的方法製造的電路板。
20.一種通過使用如權利要求9所述`的方法製造的電路板。
【文檔編號】H05K3/00GK103779240SQ201310376164
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年8月26日 優先權日:2012年10月19日
【發明者】李相旻 申請人:三星泰科威株式會社