用於切割的壓敏粘合劑片材的製作方法
2023-07-10 08:01:21
專利名稱：用於切割的壓敏粘合劑片材的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於切割的壓敏粘合劑片材，使用前述片材處理加工材料的方法，和通過使用該方法可獲得的加工材料片。根據本發明的用於切割的壓敏粘合劑片材可以非常適合用作用於切割的壓敏粘合劑片材，例如矽半導體、化合物半導體、半導體封裝或玻璃。
背景技術：
通常，由矽、鎵、砷等製備的半導體晶片被製備成具有大的直徑，切割和分離(切割)成小元件片，然後安裝進行安裝工藝。這時，其中在將用於切割的壓敏粘合劑片材(在下文中，稱為″壓敏粘合劑片材″)附著在半導體晶片上的狀態下，使半導體晶片進行各步驟，例如切割步驟、清洗步驟、延展步驟、收集步驟(pickup step)和安裝步驟。通常將以下的壓敏粘合劑片材用作所述的壓敏粘合劑片材其中將丙烯基粘合劑等施加到由塑料薄膜形成的基體材料上，以形成具有厚度為1至200μm的壓敏粘合劑層。
在切割步驟中，通過圓形刀刃移動並同時旋轉來切割半導體晶片以形成半導體晶片。在這一步驟中，主要使用利用所謂的全切式(full cut)的切割方法，其中將切割刀刃插入到固定半導體晶片的壓敏粘合劑片材的基體材料內部。
在使用全切式的切割方法中，加工材料全部在壓敏粘合劑片材上切割和分離。因此，在常規壓敏粘合劑片材中，當粘合劑的粘合強度太小時，切割片可能是分散的。相反，當粘合強度太大時，其難於收集切割片。因此，要求壓敏粘合劑片材具有適度的粘合強度。從這一點來看，通常使用包含聚(甲基)丙烯酸酯作為主要成分的粘合劑，其具有寬的可控制範圍的粘合特徵，且其可容易地製備。
在隨後的延展步驟中，要求壓敏粘合劑片材具有優良的延展性。因此，廣泛使用其中聚氯乙烯薄膜被用作基體材料的具有優良延展性的壓敏粘合劑片材。然而，在使用聚氯乙烯作為基體材料和使用聚(甲基)丙烯酸酯作為壓敏粘合劑層的壓敏粘合劑片材中，存在如下現象包含在基體材料中的組分例如添加劑轉移至壓敏粘合劑層，因此，在其儲存期間，粘合強度受到破壞。結果，存在在切割期間碎片散射和可加工性和產率明顯降低的問題。
為了解決上述問題，已經公開了一種用於切割的壓敏粘合劑片材，其中將由各種聚合材料製成的屏障層設置在基體材料和壓敏粘合劑層之間(例如，參見專利文件1至5)。在該壓敏粘合劑片材中使用的屏障層設置在由聚氯乙烯薄膜形成的基體材料和壓敏粘合劑層之間，且具有防止聚氯乙烯薄膜中的各種添加劑轉移到壓敏粘合劑層的作用。
然而，取決於屏障層的種類，儘管有可能防止作為一類添加劑的增塑劑的轉移，但是在某些情況下，其不可能足夠地影響其它的添加劑。而且，在某些情況下，儘管所述屏障層具有作為屏障層的足夠的功能，但是由於屏障層導致壓敏粘合劑片材的撓性受到損害，從而抵消了由使用聚氯乙烯薄膜作為基體材料具備的優點。而且，也存在這樣的問題需要在形成壓敏粘合劑層之前預先在基體材料上形成屏障層，因此，形成步驟的加入增加了生產成本。
專利文獻1JP-B-1-56111專利文獻2JP-A-4-192542專利文獻3JP-A-6-134941專利文獻4JP-A-8-112304專利文獻5JP-A-2002-235055
發明簡述通過本發明解決了上述的問題。本發明的一個目的是提供用於切割的壓敏粘合劑片材，其通過防止各種包含在含有聚氯乙烯作為主要組分的基體材料中的添加劑被轉移至壓敏粘合劑層，從而增強粘合強度的長期儲存穩定性，並可在延展過程中顯示出優良的撓性；使用所述片材處理加工材料的方法；和通過所述方法可獲得的加工材料片。
圖1為說明根據本發明一個實施方案的用於切割的壓敏粘合劑片材(在下文中，稱為壓敏粘合劑片材)的剖視示意圖。
參考數字和符號的說明10壓敏粘合劑片材11基膜(基體)12壓敏粘合劑層13隔離物發明詳述本發明的發明人對用於切割的壓敏粘合劑片材、使用所述片材處理加工材料的方法和通過該方法可獲得的加工材料片進行了深入研究。結果，本發明人發現將特定添加劑包含在聚氯乙烯中可影響用於切割的壓敏粘合劑片材的粘合強度的長期儲存穩定性，從而完成了本發明。
即，本發明涉及下述(1)至(5)。
(1)用於切割的壓敏粘合劑片材，其包括基體材料和至少一個設置在基體材料的至少一個表面上的壓敏粘合劑層，所述基體材料包含作為主要組分的聚氯乙烯和作為聚氯乙烯的熱穩定劑的三烷基亞磷酸鹽，和所述壓敏粘合劑層包含作為主要成分的聚(甲基)丙烯酸酯，其中從基體材料轉移進入壓敏粘合劑層的三烷基亞磷酸鹽不會不均勻地分布在所述壓敏粘合劑層的表面上。
(2)根據上述(1)的壓敏粘合劑片材，其中相對於100重量份的聚氯乙烯包含0.2至1重量份的三烷基亞磷酸鹽。
(3)根據上述(1)的壓敏粘合劑片材，其中所述三烷基亞磷酸鹽為通過下述化學結構式表示的化合物 其中，R1、R2和R3相同或不同，各自表示具有8至13個碳原子的烷基。
(4)根據上述(1)的壓敏粘合劑片材，其中所述基體材料具有的厚度為50至200μm，壓敏粘合層具有的厚度為5至20μm。
(5)根據上述(1)的壓敏粘合劑片材，其進一步包括作為聚氯乙烯的熱穩定劑的烷芳基亞磷酸鹽，相對於100重量份的聚氯乙烯其含量為小於0.2重量份。
通過應用加熱的壓延輥成形法(calendar roll shaping method)形成聚氯乙烯薄膜，所述加熱可充分地軟化氯乙烯樹脂。另一方面，在某些情況下，氯乙烯樹脂加熱分解，從而產生毒氣，例如氯氣。因此，可通過在形成聚氯乙烯薄膜的過程中加入熱穩定劑來防止毒氣的產生。亞磷酸鹽(亞磷酸鹽化合物)穩定劑被用作用於熱穩定劑的必需添加劑(mandatory additive)。亞磷酸鹽穩定劑的實例包括烷芳基亞磷酸鹽，例如單烷基-二芳基亞磷酸鹽和二烷基-單芳基亞磷酸鹽。烷芳基亞磷酸鹽比三烷基亞磷酸鹽的使用更廣泛，因為烷芳基亞磷酸鹽作為熱穩定劑具有優良的活性和高的熱阻。這是因為烷芳基亞磷酸鹽具有相當的烷基和芳基兩者。即，當包含許多烷基時，作為熱穩定劑的活性增加，而熱阻降低。即，當包含許多芳基時，作為亞磷酸鹽的熱阻增加，而作為熱穩定劑的活性降低。
加入到本發明基體材料中的三烷基亞磷酸鹽已經顯示出具有作為熱穩定劑的效果，但其不是通常被常規使用的化合物。這是因為，如上所述，三烷基亞磷酸鹽具有較差的熱阻，因此，在製備聚氯乙烯的過程中考慮到其熱分解量從而需要加入熱穩定劑，和因為其結構是絡合物。
然而，發明人研究了由烷芳基亞磷酸鹽導致的粘合強度的破壞，從而發現當烷芳基亞磷酸鹽轉移進入壓敏粘合劑層時，烷芳基亞磷酸鹽不均勻地分布在壓敏粘合劑層的表面附近，從而顯著降低了在用於切割的壓敏粘合劑片材(在下文中，稱為壓敏粘合劑片材)的儲存期間的粘合特性。這是因為當在如烷芳基的分子結構中存在芳基時，降低了所述分子結構與聚(甲基)丙烯酸酯的相容性，因此，即使少量烷芳基亞磷酸鹽的轉移也會極大地影響粘合特性。
另一方面，因為在本發明中使用的三烷基亞磷酸鹽不包含芳基，其與聚(甲基)丙烯酸酯相容。結果，即使當少量熱穩定劑轉移進入壓敏粘合劑層，三烷基亞磷酸鹽也會擴散進入壓敏粘合劑層，但不會不均勻地分布在其表面附近。因此，即使壓敏粘合劑儲存很長時間，也可抑制粘合強度的顯著降低。
優選地是，相對於100重量份的聚氯乙烯，三烷基亞磷酸鹽的含量為0.2至1重量份。當三烷基亞磷酸鹽的含量太大時，儘管可以防止轉移到壓敏粘合劑層內的三烷基亞磷酸鹽在壓敏粘合劑層表面附近不均勻的分布，但是大量的三烷基亞磷酸鹽包含在整個壓敏粘合劑層中，從而破壞了壓敏粘合劑層的長期儲存穩定性。然而，當含量在上述範圍內時，不但有可能防止三烷基亞磷酸鹽三烷基亞磷酸鹽過量地遷移進入壓敏粘合劑層，而且有可能進一步防止壓敏粘合劑層的長期儲存穩定性的降低。而且，在形成基體材料期間，可極大地降低熱解的聚氯乙烯的量。
優選三烷基亞磷酸鹽為下述化學結構式表示的化合物 其中，R1、R2和R3相同或不同，各自表示具有8至13個碳原子的烷基。
當三烷基亞磷酸鹽的含量為上述範圍時，優選基體材料的厚度為50至200μm，壓敏粘合劑層的厚度為5至20μm。三烷基亞磷酸鹽擴散進入壓敏粘合劑層使得它不會不均勻地分布在壓敏粘合劑層的表面附近，而是會均勻地位於壓敏粘合劑層中。另外，三烷基亞磷酸鹽會以均勻的濃度擴散進入基體材料和壓敏粘合劑層。因此，例如，在基體材料和壓敏粘合劑層具有基本上相同厚度的情況下，由於三烷基亞磷酸鹽擴散進入壓敏粘合劑層，保留在基體材料中的三烷基亞磷酸鹽的濃度降低了一半。然而，即使在這種情況下，當剩餘三烷基亞磷酸鹽的初始濃度較高時，三烷基亞磷酸鹽擴散進入壓敏粘合劑層，不可能預期到濃度的極大降低。然而，因為可通過設定基體材料和壓敏粘合劑層的厚度至上述範圍來最大地抑制三烷基亞磷酸鹽擴散進入壓敏粘合劑層，所以，可進一步防止壓敏粘合劑層長期儲存穩定性的降低。
優選進一步包括作為聚氯乙烯的熱穩定劑的烷芳基亞磷酸鹽，相對於100重量份的聚氯乙烯其含量為小於0.2重量份。通過加入烷芳基亞磷酸鹽，有可能在形成基體材料的過程中增加作為熱穩定劑的三烷基亞磷酸鹽的穩定性。由於下述原因，相對於100重量份的聚氯乙烯，三烷基亞磷酸鹽的含量設定為小於0.2重量份。即原因為極大地抑制了烷芳基亞磷酸鹽轉移進入壓敏粘合劑層和不均勻地分布在其表面附近，從而防止了粘合強度的降低。
此外，本發明涉及下述(6)和(7)。
(6)處理加工材料的方法，其包括使根據上述(1)的壓敏粘合劑片材附著在加工材料上；切割加工材料，從而形成加工材料片；延展壓敏粘合劑片材，從而擴大附著於壓敏粘合劑片材並由其固定的加工材料片之間的縫隙；和將所述加工材料片與附著於其上的壓敏粘合層一起從基體材料分離。
(7)根據上述(6)的方法，其中加工材料為半導體器件。
在這點上，優選半導體器件被用作加工材料。
而且，本發明涉及下述(8)。
(8)通過根據上述(6)的方法可獲得的加工材料片。
根據上述的方法，本發明具有下述優點。
即，根據本發明，通過向包含聚氯乙烯作為主要成分的基體材料中加入作為熱穩定劑的三烷基亞磷酸鹽，即使當三烷基亞磷酸鹽被轉移進入壓敏粘合劑層也可以長期保持粘合強度，因此，所述用於切割的壓敏粘合劑片材具有優良的長期儲存穩定性。因此，因為無需在基體材料和壓敏粘合劑層之間形成用於防止熱穩定劑轉移的屏障層，則可防止用於切割的壓敏粘合劑的撓性破壞。結果，因為無需形成屏障層的步驟，所以，有可能簡化生產工藝和降低生產成本。
在下文中，將參照圖1來闡述本發明的一個實施方案。圖1為圖解根據本發明一個實施方案的用於切割的壓敏粘合劑片材(在下文中，稱為壓敏粘合劑片材)的剖視示意圖。
如圖1所示，壓敏粘合劑片材10具有如下結構其中壓敏粘合劑層12和隔離物13順次層壓在基膜(基體材料)11上。
基膜11用作壓敏粘合劑層12等的載體基礎，其包含作為主要成分的聚氯乙烯。在基膜11中聚氯乙烯的含量優選地為60wt％或更高，更優選為70wt％或更高，更優選為75wt％或更高。
在其中撓性不受破壞的情況下，基膜11可包含低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚氯乙烯、乙烯-乙酸乙烯基共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-α-烯烴共聚物等。
將三烷基亞磷酸鹽作為熱穩定劑加入到基膜11中。因為三烷基亞磷酸鹽不包含芳基，它與聚(甲基)丙烯酸酯相容。因此，即使當少量熱穩定劑轉移進入壓敏粘合劑層，它也會擴散進入壓敏粘合劑層，且不會不均勻地分布在其表面附近。因此，即使當壓敏粘合劑片材貯存很長時間，抑制粘合強度的顯著降低也是有可能的。
作為三烷基亞磷酸鹽，優選地是使用下述化學結構式表示的化合物
其中，R1、R2和R3為相同的或不同的，各自表示具有8至13個碳原子的烷基。
在該化學結構式中，通過設定烷基的碳原子數為8至13，與聚(甲基)丙烯酸酯的相容性可進一步增加。
相對於100重量份的聚氯乙烯，三烷基亞磷酸鹽的含量優選為0.2至1重量份，更優選為0.3至0.7重量份，仍更優選為0.3至0.5重量份。當三烷基亞磷酸鹽的含量大於1重量份時，儘管可以防止轉移進入壓敏粘合劑層12的三烷基亞磷酸鹽在壓敏粘合劑層12表面附近的不均勻分布，但是大量三烷基亞磷酸鹽包含在整個壓敏粘合劑層12中，從而在某些情況下，破壞了壓敏粘合劑層的長期儲存穩定性。另一方面，在某些情況下，當所述含量小於0.2重量份時，氯乙烯在形成基膜11期間熱解，從而在某些情況下產生毒氣例如氯氣。
而且，基膜11可包含烷基芳基亞磷酸鹽作為聚氯乙烯的熱穩定劑，相對於100重量份聚氯乙烯其含量為小於0.2重量份。通過加入烷芳基亞磷酸鹽，有可能在形成基體材料期間進一步增加作為熱穩定劑的三烷基亞磷酸鹽的穩定性。在某些情況下，當相對於100重量份的聚氯乙烯，烷芳基亞磷酸鹽的含量為0.2重量份或更高時，烷芳基亞磷酸鹽轉移進入壓敏粘合劑層12，且不均勻地分布在其表面附近，從而降低了壓敏粘合劑層的長期儲存穩定性。
各種添加劑例如鄰苯二甲酸酯增塑劑例如鄰苯二甲酸二辛酯(DOP)和鄰苯二甲酸二丁酯(DBP)、酯(聚合物)增塑劑、增塑劑例如環氧大豆油、UV抑制劑、脂肪族或芳香族金屬鹽、雙酚A、苯甲酸酯和著色劑可被混入基膜11中。
基膜11可通過使用常規方法例如壓延輥成形法製備。作為基膜11，可使用不可拉伸(non-stretched)薄膜，或者任選地可使用單軸或雙軸拉伸薄膜。可在其表面進行常見的物理或化學工藝例如消光法(matting process)、電暈放電法、打底漆和交聯工藝(化學交聯(矽烷結合))。
優選地，基膜11的厚度為50至200μm，更優選為50至150μm。
壓敏粘合劑層12包含作為主要成分的聚(甲基)丙烯酸酯。典型地，(甲基)丙烯酸烷基酯的聚合物或其與可共聚單體的共聚物被用作聚(甲基)丙烯酸酯。優選地，其中均聚物的玻璃轉化溫度為20℃或更低的烷基(甲基)丙烯酸酯被用作聚合物的主要單體。
(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基的實例包括甲基、乙基、丁基、2-乙基己基、辛基和異壬基。可共聚單體的實例包括(甲基)丙烯酸的羥烷基酯(例如羥乙基酯、羥丁基酯、和羥己基酯)、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸、衣康酸酯、馬來酸酐、(甲基)丙烯酸醯胺、(甲基)丙烯酸N-羥甲基醯胺、(甲基)丙烯酸氨烷基(例如二甲基氨乙基甲基丙烯酸酯和叔丁基氨乙基甲基丙烯酸酯)、醋酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈和丙烯醯嗎啡。
典型的添加劑例如交聯劑、增粘劑、填充劑、抗老化劑和著色劑可以任選地加入到粘合劑中。交聯劑的實例包括聚異氰酸酯化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、氮丙啶化合物、環氧樹脂、酸酐和含有多胺羧基的聚合物。
優選地，壓敏粘合劑層12的厚度為5至20μm。當厚度小於5μm時，在切割期間，粘合強度降低，半導體晶片(加工材料)不能安全地固定。另一方面，當厚度大於20μm時，在切割半導體晶片期間發生的振動過大，從而引起半導體晶片(加工材料片)破碎。
在本發明中，特別優選基膜11的厚度為50至200μm，壓敏粘合劑層12的厚度為5至20μm。例如，當基膜11和壓敏粘合劑層12具有基本上相同的厚度且三烷基亞磷酸鹽擴散進入壓敏粘合劑層12時，基膜11中的三烷基亞磷酸鹽均勻地擴散到基膜11和壓敏粘合劑層12中。然而，即使在這種情況下，當三烷基亞磷酸鹽的初始濃度較高且三烷基亞磷酸鹽擴散進入壓敏粘合劑層12時，在某些情況下，不可能預期到濃度的極大降低。然而，因為可通過設定基膜11和壓敏粘合劑層12的厚度至上述的範圍，從而最大限度地抑制三烷基亞磷酸鹽擴散進入壓敏粘合劑層12，所以，進一步防止壓敏粘合劑層12長期儲存穩定性的降低是有可能的。
在根據本發明的壓敏粘合劑片材10中，為了進行標號處理或使壓敏粘合劑層12光滑，可將隔離物13設置在壓敏粘合劑層12上。隔離物13可以由紙、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯的合成樹脂膜等製成。為了增加從壓敏粘合劑層12分離的性能，隔離物13的表面可任選地進行分離處理，例如矽處理、長鏈丙烯基處理、或氟處理。取決於增加剛性等目的，隔離物可以進行單軸或雙軸拉伸處理，或可將另一個塑料膜層壓在其上。隔離物13的厚度沒有特別的限制，但優選地為10至200μm，更優選為25至100μm。
儘管在圖1中，壓敏粘合劑層12設置在基膜11的一個表面上，但是壓敏粘合劑層12可以在基膜11的兩個表面上形成。壓敏粘合劑片材10可具有其中片材為卷繞的帶形狀。
例如，可通過在基膜11的表面上施加和乾燥(根據需要加熱和交聯)粘合劑，以形成壓敏粘合劑層12並任選地將隔離物13附著在壓敏粘合劑層12的表面上來製備根據本發明的壓敏粘合劑片材10。進一步地，可使用在隔離物13上形成壓敏粘合劑層12，然後將它們附著在基膜11的方法等。
在將壓敏粘合劑片材10附著在半導體晶片上的步驟中，將通過雙面壓敏粘合劑片材固定在載體片(支承板)上的半導體晶片附著在壓敏粘合劑片材10上，且將得到的結構固定到切割環上。該步驟是通過將半導體晶片和壓敏粘合劑片材10互相重疊來進行的，以使得壓敏粘合劑層12定位於其間，然後用壓制工具例如壓輥對其進行壓制。而且，附著也可以通過在可加壓容器(例如高壓釜)中層壓如上所述的半導體晶片和壓敏粘合劑片材10，然後對容器內部加壓來進行。在這種情況下，壓敏粘合劑片材10可附著在半導體晶片上，同時用壓制工具壓制。而且，附著也可以為在真空箱中按照與如上所述相同的方法進行。儘管在附著步驟中的附著溫度完全不限，但是其優選為20至80℃。
切割半導體晶片以形成半導體晶片的步驟可以通過利用常規方法從半導體晶片的電路表面一側進行。常規方法例如刀刃切割法、雷射切割法、等離子體切割法和破碎法(breaking method)都可用作切割方法。在所述方法中使用的切割裝置不受特別的限制，任意常規裝置都可使用。
在從基膜11上分離附著有壓敏粘合劑層12的半導體晶片的步驟中，例如，可進行如下方法通過利用針將每個半導體晶片從壓敏粘合劑片材10側向上推(pushing up)，然後通過利用收集裝置等收集推上的半導體晶片。
在下面的說明書中，舉例說明了其中半導體晶片被用作加工材料的情況。然而，本發明不限於這些情況，但可以應用到加工材料例如半導體封裝、玻璃、和陶瓷製品。
實施例現在，將詳細闡述本發明的實施例。然而，在實施例中描述的所述材料或其混合量並不意味著本發明的範圍受限於所述實施例，不存在特別的限制性說明且僅為說明性的實施例。
(實施例1)基膜的製備
通過利用壓延形成裝置由100重量份的聚氯乙烯、30重量份的鄰苯二甲酸二辛酯(DOP)、0.55重量份的硬脂酸鋇、0.5重量份的硬脂酸鋅和0.6重量份的三(辛基)-亞磷酸鹽形成膜(在180℃的設定溫度下)，可獲得具有100μm厚度的由聚氯乙烯形成的基膜。
用於切割的壓敏粘合劑片材的製備
通過利用已知的方法在甲苯溶液中共聚合90重量份的丙烯酸丁酯和10重量份的丙烯酸，獲得具有重均分子量為500,000的丙烯酸共聚物。通過將5重量份的聚異氰酸酯化合物(商標「Coronate L″由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.製造)加入到包含丙烯酸共聚物的溶液中，可製備得UV-可固化的丙烯酸粘合劑溶液。
將製得的粘合劑溶液應用到製備的基膜的電暈處理的表面上，在80℃加熱和交聯10分鐘，形成具有10μm厚度的壓敏粘合劑層。隨後，將隔離物附著在壓敏粘合劑層的表面以製備用於切割的壓敏粘合劑片材。
(實施例2)基膜的製備
在該實施方案中，通過使用與實施例1相同的方法(除了用三(三癸基)-亞磷酸鹽代替三(辛基)-亞磷酸鹽)，製備得根據該實施例所述的基膜。
用於切割的壓敏粘合劑片材的製備
將在實施例1中製備的粘合劑溶液應用到製備的基膜上，在80℃加熱和交聯10分鐘，形成具有10μm厚度的UV-可固化的壓敏粘合劑層。隨後，將隔離物附著在壓敏粘合劑層的表面以製備用於切割的壓敏粘合劑片材。
(比較實施例1)基膜的製備
在該對比例中，通過使用與實施例1相同的方法(除了用單癸基-二芳基-亞磷酸鹽代替三(辛基)-亞磷酸鹽)，製備得根據比較實施例所述的基膜。
用於切割的壓敏粘合劑片材的製備
將在實施例1中製備的粘合劑溶液應用到製備的基膜上，在80℃加熱和交聯10分鐘，形成具有10μm厚度的UV-可固化的壓敏粘合劑層。隨後，將隔離物附著在壓敏粘合劑層的表面以製備用於切割的壓敏粘合劑片材。
(比較實施例2)基膜的製備
在該對比例中，通過使用與實施例1相同的方法(除了用二癸基-單芳基-亞磷酸鹽代替三(辛基)-亞磷酸鹽)，製備得根據該比較實施例所述的基膜。
用於切割的壓敏粘合劑片材的製備
將在實施例1中製備的粘合劑溶液應用到製備的基膜上，在80℃加熱和交聯10分鐘，形成具有10μm厚度的UV-可固化的壓敏粘合劑層。隨後，將隔離物附著在壓敏粘合劑層的表面以製備用於切割的壓敏粘合劑片材。
(比較實施例3)基膜的製備
在該對比例中，通過使用與實施例1相同的方法(除了用三芳基亞磷酸鹽代替三(辛基)亞磷酸鹽)，製備得根據該比較實施例所述的基膜。
用於切割的壓敏粘合劑片材的製備
將在實施例1中製備的粘合劑溶液應用到製備的基膜上，在80℃加熱和交聯10分鐘，形成具有厚度為10μm的UV-可固化的壓敏粘合劑層。隨後，將隔離物附著在壓敏粘合劑層的表面以製備用於切割的壓敏粘合劑片材。
(參照實施例1)基膜的製備
在該參比例中，通過使用與實施例1相同的方法(除了將三(辛基)-亞磷酸鹽的含量改變為1.5重量份)，製備得根據該參考實施例所述的基膜。
用於切割的壓敏粘合劑片材的製備
將在實施例1中製備的粘合劑溶液應用到製備的基膜上，在80℃加熱和交聯10分鐘，形成具有10μm厚度的UV-可固化的壓敏粘合劑層。隨後，將隔離物附著在壓敏粘合劑層的表面以製備用於切割的壓敏粘合劑片材。
(測試)將在實施例、比較實施例和參照實施例中獲得的用於切割的壓敏粘合劑片材在室溫下儲存0天(初始)、7天、14天、30天、60天和90天，然後在下述條件下測定它們的粘合強度。
測定環境20℃，50％RH粘附體Silicon Mirror Wafer(由Shinetsu Handotai Co.Ltd.製備)測定裝置Universal Tension和Compression Tester(由OrientecCo.，Ltd.製備)樣品片寬度20mm樣品片壓制裝置2kg輥在測試粘附物後剩餘的時間30minutes
分離角90°拉伸速度300mm/min如從表1中可看到的，根據實施例1和2的用於切割的壓敏粘合劑片材顯示出由粘合劑片材的儲存引起的粘合強度的較小降低，在從它們製備時開始經過14天或30天後，顯示出穩定的粘合強度。另一方面，在根據比較實施例1至3的用於切割的壓敏粘合劑片材中，粘合強度降低極大，甚至在從它們製備時開始經過60天後，粘合強度仍連續地降低。因此，根據實施例1和2的用於切割的壓敏粘合劑片材甚至從它們製備14天後即可穩定地使用。相反，根據比較的實施例1至3的用於切割的壓敏粘合劑片材在其製備一個月或更長時間以後是不穩定的。因此，當使用根據比較實施例的用於切割的壓敏粘合劑片材時候，認為在切割期間會發生碎片的散射。在根據參考實施例1的用於切割的壓敏粘合劑片材中，直到在其製備後30天才觀察到粘合強度的降低，但是在其製備60天後粘合強度仍是穩定的。
表1
雖然本發明已經詳細地並參照其特定實施例進行了描述，但是對本領域技術人員顯而易見地是，在不背離其精神和範圍內，可進行各種改變和變更。
本申請基於2006年6月2日申請的日本專利申請No.2006-154736，在本文中將其全部內容引入作為參考。
而且，將在本文中引用的所有參考文獻以其全部引入。
權利要求
1.一種用於切割的壓敏粘合劑片材，其包括基體材料和設置在該基體材料的至少一個表面上的至少一個壓敏粘合劑層，所述基體材料包含作為主要組分的聚氯乙烯和作為聚氯乙烯的熱穩定劑的三烷基亞磷酸鹽，和所述壓敏粘合劑層包含作為主要組分的聚(甲基)丙烯酸酯，其中從基體材料轉移進入壓敏粘合劑層的三烷基亞磷酸鹽不會不均勻地分布在所述壓敏粘合劑層的表面上。
2.權利要求1的壓敏粘合劑片材，其中相對於100重量份的聚氯乙烯，三烷基亞磷酸鹽的含量為0.2至1重量份。
3.權利要求1的壓敏粘合劑片材，其中所述三烷基亞磷酸鹽為下述化學結構式表示的化合物 其中R1、R2和R3相同或不同，各自表示具有8至13個碳原子的烷基。
4.權利要求1的壓敏粘合劑片材，其中所述基體材料的厚度為50至200μm，所述壓敏粘合層的厚度為5至20μm。
5.權利要求1的壓敏粘合劑片材，其進一步包括作為聚氯乙烯的熱穩定劑的烷芳基亞磷酸鹽，相對於100重量份的聚氯乙烯，其含量為小於0.2重量份。
6.一種處理加工材料的方法，其包括使根據權利要求1的壓敏粘合劑片材附著在加工材料上；切割加工材料，形成加工材料片；展開壓敏粘合劑片材，從而擴大加工材料所附著並由壓敏粘合劑片材固定的片之間的縫隙；和將所述加工材料片與附著於其上的壓敏粘合層一起從基體材料分離。
7.權利要求6的方法，其中所述的加工材料為半導體器件。
8.由權利要求6的方法可獲得的加工材料片。
全文摘要
本發明涉及用於切割的壓敏粘合劑片材，其包括基體材料和至少一個設置在基體材料的至少一個表面上的壓敏粘合劑層，該基體材料包括作為主要組分的聚氯乙烯和作為聚氯乙烯的熱穩定劑的三烷基亞磷酸鹽，該壓敏粘合層包含作為主要組分的聚(甲基)丙烯酸酯，其中從基體材料轉移進入壓敏粘合層的三烷基亞磷酸鹽不會不均勻地分布在所述壓敏粘合層的表面上；使用所述片材加工材料的方法，和通過該方法獲得的加工材料片。
文檔編號H01L21/301GK101081967SQ20071010821
公開日2007年12月5日 申請日期2007年6月4日 優先權日2006年6月2日
發明者山本昌司 申請人:日東電工株式會社