等離子顯示器的製作方法
2023-08-01 04:05:36
專利名稱：等離子顯示器的製作方法
技術領域：
本發明涉及等離子顯示器，特別涉及其基板的電極結構。
背景技術：
通常情況下，等離子顯示器(Plasma Display Panel以下簡稱PDP)是利用，由鹼石灰(Soda-lime)玻璃製成的前面玻璃和背面玻璃之間的隔柵來形成一個單位的，內部被充入了含有氖(Ne)、氦(He)或氖氦混合氣體(Ne+He)等主要放電氣體和少量氙氣體的惰性氣體的單元。在高頻電壓的作用而發生放電時，惰性氣體產生真空紫外線(Vacuum Ultraviolet rays)並使被設置在隔柵之間的螢光體發光而顯示圖像。
這種PDP與作為現有主要顯示手段的陰極線管(CRT)相比，其結構簡單、製作容易、並且其外形具有能夠薄型化的特徵，因而作為新一代的顯示裝置，備受關注。
圖1是對普通PDP裝置構造進行概略顯示的立體圖。如圖1所示，PDP是，將用來顯示圖像的前面基板10和用來形成後面的背面基板20，以細微的間隔平行設置在一起的。
前面基板10的下方設置有維持電極11，該維持電極在各個像素中依靠掃描電極的Y電極和維持電極的Z電極之間相互進行表面放電而維持單元發光。維持電極11上成對地設置著，用透明ITO物質製成的透明電極11a和為了降低透明電極的電阻而用金屬材料製成的總線電極11b。
上述由ITO物質製成的透明電極11a是利用真空沉積、CVD、濺射(sputtering)法等方法製成的。
上述總線電極11b是利用絲網印刷法(screen printing)、層壓(lamination)法等製成的，大部分選擇銀(Ag)作為主要的電極材料。
上述維持電極11被設置在電介質層12的內部。
上述電介質層12負責控制放電電流，並在電極對之間起絕緣作用。
上述電介質層12大部分使用氧化鉛(PbO)作為介電材料的主要成份，並且燒制溫度為580℃，其厚度維持在30um以上40um以下。
電介質層12的下面設置有利用氧化鎂(MgO)製成的保護膜13，以此來防止電介質層因受到放電所產生的離子濺射而損傷，同時使2次電子的產生變得更加容易。
背面基板20的電介質層上平行地排列著多個用來形成放電空間，即單元的隔柵21。圖1中所顯示的隔柵21是條狀(stripe type)的。除此還有，利用橫隔柵和豎隔柵形成的柵格形狀的井狀(well type)隔柵。
背面基板20的電介質層和隔柵為了提高自身的反射特性並對介電率進行調節，而將TiO2(二氧化鈦)、Al2O3(三氧化二鋁)以百分之幾十的比例與氧化鉛混合在一起形成混合粉末，然後再添加有機溶媒，製成糊(paste)狀。
通常情況下，背面基板20的電介質層是利用絲網印刷法製成的，隔柵21是利用噴砂(sandblasting)法、絲網印刷法、感光法、蝕刻(etching)法等多種方法製成的。
背面基板20的電介質層厚度大約為20um，隔柵21的厚度維持在120um以上150um以下。
隔柵21之間塗有能夠釋放出在尋址放電時用來進行圖像顯示的可視光線的R、G、B螢光層23。
在隔柵21之間的空間內，與所述維持電極11相交叉的背面基板20上的、尋址電極22的X電極負責進行尋址放電進而產生真空紫外線。
所述尋址電極22的X電極是利用絲網印刷法、層壓法等製成的，大部分都使用傳導性良好的銀電極。
普通等離子顯示器的驅動方法是經過復位區間的同時，使所有單元初始化，然後按順序外加上掃描脈衝，而進行尋址。
此時，放電空間內在復位區間發生的塗層粒子(priming particle)對尋址放電有所幫助，它可以使放電更順利的發生。
這種塗層粒子的特徵在於通過復位區間並在放電空間內產生而且存在一段時間之後其數量就會減少。
因此，上述對尋址放電有所幫助的塗層粒子的存在時間會對放電效率產生影響。
即，當塗層粒子隨著尋址的進行而逐漸減少時，會導致尋址放電能力也相對應下降的問題。
在驅動等離子顯示器時，通常從基板左側上部的第一掃描線開始外加掃描脈衝和尋址信號。
然後，沿著掃描線向下方進行，直到外加給最後的掃描線，尋址信號也被外加給最後的線。因此，對被設置在基板下部的最後掃描線來講，由於外加第一復位脈衝所產生的塗層粒子在參與放電之前還需要耗費一定的時間。
由於需要一定的時間，所以塗層粒子的數量就變少了，因而存在著與外加最初掃描脈衝時的放電相比，放電效果不理想的問題。
由此會引發，當在整個基板上進行影像顯示時，出現畫面各部分的輝度不一致，進而無法體現清晰協調的影像的問題。
圖2a和圖2b是表示對尋址電極100沿著掃描方向逐漸變寬的結構進行顯示的示意圖。
圖2a和圖2b中所顯示的電極結構，對解決上述塗層粒子不足時所引起的放電問題提供了應對方案。
因此，如圖2a和圖2b所示，通過使尋址電極100的面積沿掃描方向逐漸變大的方式，可以達到防止尋址能力下降的效果。
但是，在通過使尋址電極100的面積逐漸變大的方式來使用橫隔柵110的井狀隔柵結構中，存在著基板上的靜電容量增大的問題。
即，雖然可以解決塗層粒子的不足問題，但是又帶來了靜電容量增大的新問題。
因此，急需一種能夠在防止尋址能力下降的同時，即便使用橫隔柵110也能夠防止靜電容量增大的結構。
發明內容
本發明正是為解決所述問題而開發的，其目的在於提供一種能夠解決在進行掃描的同時由於塗層粒子的減少而導致尋址能力下降的問題的等離子顯示器。
並且，其目的還在於提供一種能夠解決當尋址電極的面積增大時所產生的靜電容量增大的問題的等離子顯示器。
本發明是一種等離子顯示器包括，前面基板和背面基板，該顯示器，將作為掃描電極的總線電極設置在前面基板上，將隔柵及X電極設置在背面基板上。所述尋址電極包括，以尋址電極為基準向左側、右側或左右兩側方向形成的突出部和凹陷部，所述突出部的特徵在於它被設置在與所述掃描電極相交叉的部位。
並且，所述隔柵的特徵在於它被設置在尋址電極的凹陷部。
並且，所述突出部的形狀特徵在於它的形狀是圓形或多角形的。
並且，所述尋址電極的特徵在於它在垂直方向上被設置成寬度相同的形態，但從某一個規定的位置開始設置有突出部。
綜上所述，本發明改變了尋址電極的形狀，從而達到了提高電極尋址能力的效果。
圖1為普通PDP裝置結構進行概略顯示的立體圖。
圖2a和圖2b為沿著掃描方向對尋址電極被加寬的結構進行顯示的示意圖。
圖3為以本發明第1實施例為依據的尋址電極的形狀進行顯示的示意圖。
圖4a和圖4b為對尋址電極的面積被增加時所產生的效果進行顯示的示意圖。
圖5為以本發明第2實施例為依據的尋址電極的形狀進行顯示的示意圖。
具體實施例方式
下面將參照附圖對本發明的具體實施例進行詳細說明。
實施例1
圖3是以本發明第1實施例為依據的尋址電極的形狀進行顯示的示意圖。
如圖3所示，本發明的等離子顯示器的尋址電極100，可以在垂直方向上被設置成寬度相同的形態，然後從某一個規定的位置開始設置突出部200。即，突出部的特徵在於它的面積沿著掃描方向逐漸變大。
例如，當1線中包括768線的掃描線時，掃描線的一半即從1線到389線是在垂直方向上寬度相同的尋址電極100形狀，從390線開始到768線為止可以在尋址電極100內設置突出部200。
並且，當1線中包含768線的掃描線時，掃描線的3/4即從1線開始到576線為止是在垂直方向上寬度相同的尋址電極100，從577線開始到768線為止，可以在尋址電極100內設置突出部200。
如上所述，可以從某一個規定位置開始設置突出部200，從而可以滿足基板製作者想要的性能，並以最有效的形態來製作尋址電極100。
由於設置有突出部200，所以除突出部200以外也可以包含凹陷部230。
所述凹陷部230的上部設置有橫隔柵110。
並且，所述突出部200的上部設置有掃描電極。
並且，所述突出部200的形狀可以製成圓形或多角形狀。因此，它可以被製作成圓形，也可以被製作成直四角形或正四角形、菱形等多種形狀。
因此，為了獲得基板製作者想要的性能，可以製作成最具效率的形狀，也可以利用非常方便並且經濟的方法進行製作。
即，在製作尋址電極100的突出部200時有很廣的選擇範圍。
如上所述，由於突出部200被設置在尋址電極100的後半部，所以能夠解決由於基板後半部的塗層粒子不足而發生的放電問題。
而且，由於只在放電開始空間上設置突出部200，所以能夠防止發生不必要的靜電容量，同時還能夠提高放電效率。
即，由於尋址電極的凹陷部230上設置有隔柵，所以就不會發生通過橫隔柵110的不必要的靜電容量。
因此，能夠解決在使用橫隔柵110時發生的靜電容量問題。
圖4a和圖4b是表示對尋址電極100的面積增大時發生的效果進行顯示的示意圖。
如圖4a和圖4b所顯示，當有效尋址電極100的面積變大時尋址電壓將會降低，並且放電延遲時間也將縮短。
圖4a左側所示的圖示是對尋址電極100的寬度不變時的狀態進行顯示的示意圖，而右側所示的是對尋址電極100的上部寬度為A、下部寬度為B的狀態下進行顯示的示意圖。
圖4b顯示的是在所述尋址電極100的寬度中，當A＞B時，尋址電壓和放電延遲時間的變化情況。
即，當尋址電極100的寬度變大、面積變大時，尋址電壓會降低，放電延遲時間被縮短，進而能夠在放電空間，利用少量的電壓引起正確的放電。
利用上述效果，在本發明中，從尋址電極100的某個規定位置開始設置突出部200，以此來擴大放電空間上尋址電極100的面積，從而能夠在基板上發生有效的放電。
實施例2
圖5是以本發明第2實施例為依據的尋址電極的形狀進行顯示的示意圖。
如圖5所示，所述尋址電極100，設置有第1突出部210，並且從某個規定位置開始增加設置第2突出部220。即，突出部的特徵在於利用掃描方向上的方塊單位來逐漸加大面積。
所述第2突出部220的面積比所述第1突出部210的面積大，並且所述第1突出部210和第2突出部220可以是圓形或多角形的形狀。
例如，當1線為768線的掃描線時，掃描線的一半即從1線開始至389線為止設置有第1突出部210，並且可以從390線開始至768線為止在尋址電極100內設置第2突出部220。
所述第2突出部220的面積可以比所述第1突出部210的面積大。
因此，由於將最小的第1突出部210設置在尋址電極100上，所以能夠提高放電的效果。
並且，由於從尋址電極100的某個規定位置開始設置比第1突出部210大的第2突出部220，所以放電開始地點的電極面積變大，因而即使在電極後半部也能夠引發理想的放電。
因此，能夠解決由於尋址電極100後半部的塗層粒子不足而引起的無法引發理想放電的問題。
並且，由於突出部200隻被設置在尋址電極100的放電空間上，所以能夠防止，持續或階段性地增大尋址電極100的面積時所發生的靜電容量的增大。
即，只在放電開始空間上設置突出部200，在其他的空間上維持尋址電極100的條狀形態，就能夠防止在放電開始空間以外的空間上發生不必要的靜電容量。
所述尋址電極100在垂直方向上被設置成寬度相同的形態，但從某個規定位置開始設置有第1突出部210，然後再從某個規定位置開始增加設置第2突出部220，並且所述第2突出部220的面積要比所述第1突出部210的面積大，而且所述第1突出部210和第2突出部220可以是圓形或多角形的形狀。
例如，當1線為768線的掃描線時，掃描線的1/3即從1線開始至256線為止的尋址電極100在垂直方向呈現寬度相同的狀態，從257線開始至512線為止設置有第1突出部210，從513線開始至768線為止可以增加設置第2突出部220。
所述第2突出部220的面積可以比所述第1突出部210的面積大。
即，尋址電極100的前半部被製作成在垂直方向上寬度相同的狀態，中半部被增加設置很小的第1突出部210，而後半部可以被增加設置了比第1突出部210大的第2突出部220。
並且，所述第1突出部210、第2突出部220可以被製作成圓形或多角形的形狀。
如上所述，由於將一個尋址電極100分成三個階段並且設置有突出部200，所以能夠解決在中半部和後半部由於塗層粒子不足而發生的放電問題。
並且，由於突出部200隻是被設置在尋址電極100的放電空間上，所以能夠防止由於持續或階段性增大尋址電極100的面積而引發的靜電容量的增大。
即，由於只在放電開始空間上設置突出部200，除此之外的空間均維持尋址電極100的條狀形態，所以能夠防止在放電開始空間以外的空間上發生不必要的靜電容量。
所述突出部200的面積可以持續增大。
即，從某個位置開始設置所述突出部200，並且只在尋址電極100的放電開始部上設置突出部200，突出部200可以以面積逐漸變大的形態被設置在尋址電極100的中半部或後半部。
因此，能夠解決由於尋址電極100的中半部和後半部的塗層粒子不足而發生的放電問題。
並且，由於突出部200隻被設置在尋址電極100的放電空間上，所以能夠防止當尋址電極100的面積持續增大時發生的靜電容量的增大。
通過所述的說明，本領域熟練技術人員完全可以在不偏離本發明技術思想的範圍內，進行多樣的變更以及修改。
因此，本發明的技術性範圍並不局限於說明書的內容，必須要根據權利範圍來確定其技術性範圍。由本發明中權利要求範圍的思想、範圍及其等價概念所引伸出來的所有變更或形態改變均應被解釋為屬於本發明的範疇之內。
權利要求
1.一種等離子顯示器，包括設有相當於掃描電極的總線電極的前面基板和設有隔柵和X電極的背面基板，其特徵在於所述尋址電極包括以尋址電極為基準向左側、右側或左右兩側方向設置的突出部和凹陷部；所述突出部被設置在與所述掃描電極相交叉的部位。
2.如權利要求1所述的等離子顯示器，其特徵在於所述隔柵被設置在尋址電極的凹陷部。
3.如權利要求1所述的等離子顯示器，其特徵在於所述突出部的形狀是圓形或多角形。
4.如權利要求1所述的等離子顯示器，其特徵在於所述尋址電極在垂直方向上被設置成寬度相同的形態，並且從某個規定的位置開始增加設置突出部。
5.如權利要求1所述的等離子顯示器，其特徵在於所述突出部的面積是沿著掃描方向逐漸變大的。
6.如權利要求1所述的等離子顯示器，其特徵在於所述突出部在掃描方向上以方塊為面積單位逐漸增大。
全文摘要
本發明涉及等離子顯示器，特別涉及基板的電極結構。本發明的等離子顯示器包括設有相當於掃描電極的總線電極的前面基板和設有隔柵和X電極的背面基板。其能夠通過對尋址電極形狀的改變來提高電極尋址能力；所述尋址電極中包括以尋址電極為基準向左側、右側或左右兩側方向設置的突出部和凹陷部；突出部設置在與所述掃描電極相交叉的部位。
文檔編號H01J17/04GK1979741SQ20051012285
公開日2007年6月13日 申請日期2005年12月6日 優先權日2005年12月6日
發明者閔丙國 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司