內存儲存裝置及其控制方法、熱門數據控管模塊的製作方法

2023-08-05 18:04:51 1

專利名稱：內存儲存裝置及其控制方法、熱門數據控管模塊的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種儲存裝置及方法，尤指一種內存儲存裝置及其控制方法。
背景技術：
非揮發性內存(Non-volatile memory,或稱為非依電性內存)用以儲存數據，常 應用於儲存裝置，例如記憶卡、USB接口隨身碟、固態磁碟驅動器等。快閃記憶體(Flash memory) 具有高儲存密度、低耗電特性、有效的存取效率與合理價格成本等優點，而成為目前非揮發 性內存主流。 —般非揮發性內存通常全採用多級單元型內存(Multi-level-cell, MLC)或單級 單元型內存(Single-level-cell, SLC)，其中以多級單元製成的內存為高密度內存(High density memory)，而以單級單元製成的內存為低密度內存(Low density memory)。相較於 低密度內存，高密度內存單位面積的數據儲存容量可成倍數增加，因而具有大幅提高儲存 容量與降低成本的優勢，然其讀寫數據、執行燒錄與抹除(Erase)動作所需的時間卻較長； 此外，多級單元製程技術也致使高密度內存所能承受的抹寫次數(Erase cycle)較少，如此 便連帶影響了採用高密度內存的儲存裝置的數據存取速度與使用壽命。
鑑於高密度內存的特點在於儲存容量大與成本低，但數據存取速率慢及抹除耐用 次數少；而低密度內存的特點在於數據存取速率快與抹除耐用次數多，但儲存容量小及成 本高，進而發展出在單一儲存裝置內同時具備上述兩種不同密度的內存，即為混合密度內 存(Hybriddensity memory)。 目前，業界所提出的混合密度內存儲存裝置通常採用低密度內存記錄使用頻率較 高的數據，用高密度內存記錄使用頻率較低的數據，然而，在低密度內存有限的儲存容量 中，要規劃新舊數據處理方式將影響混合密度內存儲存裝置的工作效能；且，因為不同密度 的內存所能承受的抹除次數不一樣，而且當內存存放的數據被更新或存取時，會抹除存放 該數據的區塊，進而導致兩種密度的內存的抹除次數不平均，如此一來，會面臨其中一種密 度的內存先到抹除耐用次數限制，但另一種密度的內存尚可繼續使用的情況，而提早結束 儲存裝置的使用壽命。

發明內容
因此，本發明的目的在於提供一種內存儲存裝置及其控制方法、熱門數據控管模 塊，以改善公知技術的問題。 本發明揭示一種內存儲存裝置的控制方法，適用於將由主機傳來的至少一寫入數 據配置在一內存儲存裝置中。此儲存裝置具有一高密度記憶單元，該高密度記憶單元中分 成多個第一類記憶頁以及多個第二類記憶頁，其中寫入該第二類記憶頁比寫入該第一類記 憶頁的時間短。所述的控制方法的步驟如下首先進行一熱門數據過濾程序，將該寫入數據 的數據長度與一門限值比較，用以區分該寫入數據的性質；之後根據比較結果來決定該寫 入數據的配置位置，若該寫入數據的數據長度比該門限值小，則將該寫入數據配置於第二類記憶頁，否則將該寫入數據配置於第一類記憶頁以及第二類記憶頁，換句話說，也就是根 據該寫入數據的性質，將該寫入數據配置於該第二類記憶頁或該第一類記憶頁以及該第二 類記憶頁中。 本發明還提供了一種熱門數據控管模塊，適用於從一高密度記憶單元中存取至少 一寫入數據，該高密度記憶單元包括多個第一類記憶頁以及多個第二類記憶頁，該熱門數 據控管模塊包括有 —熱門數據過濾單元，將該寫入數據的數據長度與一門限值比較，用以辨別該寫 入數據的性質；以及 —地址配置單元，耦接於該熱門數據過濾單元及該高密度記憶單元之間，用以根 據該寫入數據的性質來將其配置於該第二類記憶頁或該第一類記憶頁以及該第二類記憶 頁。 本發明還提供了一種內存儲存裝置，適用於配合一主機存取至少一寫入數據，包 括有 —非揮發性內存單元，包括一由高密度內存所構成的高密度記憶單元，該高密度 記憶單元包括多個第一類記憶頁以及多個第二類記憶頁；以及 —控制單元，耦接於該主機及該非揮發性內存單元之間，該控制單元根據該寫入 數據的性質，將該寫入數據配置於該第二類記憶頁或該第一類記憶頁以及該第二類記憶頁 中。 藉由前述技術方案，本發明利用高密度內存的成對記憶頁(PairedPage)的特性， 將常更新的數據儲存在燒錄(Program)時間較快的記憶頁中，進而加速燒錄時間，並延長 儲存裝置的使用壽命。 以上的概述與接下來的詳細說明及附圖，皆是為了能進一步說明本發明為達成預 定目的所採取的方式、手段及功效。而有關本發明的其它目的及優點，將在後續的說明及附 圖中加以闡述。


圖1為本發明所揭示的高密度記憶單元的一具體實施例的示意圖； 圖2為本發明所揭示的實體區塊的一具體實施例的示意圖； 圖3A 圖3C為本發明所揭示的高密度記憶單元的一具體實施例的狀態改變示意 圖； 圖4為本發明所揭示的內存儲存裝置的系統架構示意圖； 圖5為本發明所揭示熱門數據控管模塊的一具體實施例的系統架構示意圖； 圖6為本發明所揭示的高密度記憶單元的一具體實施例的數據配置示意圖；以及 圖7為本發明所揭示內存儲存裝置的控制方法的一具體實施例的步驟流程圖。附圖標記說明
1 :高密度記憶單元 PBA。、 PBAp PBA2、 PBAi :實體區土央 MSB。、 MSB" MSB2、 MSB^ MSBn :最高有效位記憶頁 LSB。、 LSBp LSB2、 LSB^ LSBn :最低有效位記憶頁
5
"U"、"A"、"B"、"C":狀態31 :最高有效位4 :數字系統40:內存儲存裝置41 :非揮發性內存單元43 :控制單元431 :系統接口433:熱門數據控管模塊4331 :熱門數據過濾單元 .435 :微處理器437 :數據緩存單元439 :內存接口45 :電源管理單元47 :主機49 :電源HD。、HD^HDn:熱門數據S701 S719 :各個步驟流程
33 :最低有效位
4333 :地址配置單元
具體實施例方式
本發明所提出的內存儲存裝置及其控制方法，先辨識由一主機傳來的寫入數據的 性質，將較常更新的寫入數據配置於燒錄速度較快的高密度內存的記憶頁，以提高燒錄速 度，並提升內存裝置的使用效能及壽命。 本發明的主要技術特徵在於數據配置的控制方法以及使用該方法的內存儲存裝 置架構，以下就僅提出必要的內部系統架構及其動作流程，然而，本域的普能技術人員可 知，除了以下所提及的構件，內存儲存裝置中當然包括其它的必要元件，因此，不應以本實 施例揭露者為限。 首先，請參閱圖l，該圖係為本發明所揭示的高密度記憶單元的一具體實施例的示 意圖。如第一圖所示，一由高密度內存所構成的高密度記憶單元1定義連續多個實體區塊
PBA。、PBApPB4......，每一實體區塊PBAi具有多個第一類記憶頁以及多個第二類記憶頁，
如圖2所示，由於高密度內存有成對記憶頁(Paired Page)的特性，所述的第一類記憶頁即
為最高有效位記憶頁(MSB Page)MSB。、MSB^MSB2......;而第二類記憶頁即為最低有效位
記憶頁(LSB Page)LSB。、LSB^LSB2......。 高密度記憶單元的所以稱為高密度的原因，主要是其中的每一個記憶胞能處於超 過兩個狀態，如圖3A所示，每一記憶胞包含兩個位，用來決定四種狀態"U"、"A"、"B"、"C"， 該兩個位為最高有效位(MSB) 31以及最低有效位(LSB)33，分別位在不同的記憶頁上，而屬 於同一個記憶胞的最高有效位記憶頁MSBi以及最低有效位記憶頁LSBi即稱作成對記憶頁 (Paired Page)。 當要寫入數據至最高有效位記憶頁MSBi，如圖3B所示，必須將記憶胞由狀態"U" 燒錄到狀態"C"，或是由狀態"A"燒錄到狀態"B"，藉此將最高有效位31所表示的位由邏輯1轉換為邏輯0。而若將最高有效位記憶頁MSBi中的記憶胞維持在狀態"A"或狀態"U"，即 可將最高有效位31表示為邏輯1。 而當要寫入數據至最低有效位記憶頁LSBi，如圖3C所示，則可將記憶胞維持在狀 態"U"，以將最低有效位33表示為邏輯1。若將記憶胞燒錄至狀態"A"，則可將最低有效位 33表示為邏輯0。如此一個記憶胞只需要維持兩種較低的電位來處理兩種狀態，因此若只 使用高密度記憶單元的最低有效位記憶頁LSBi來記錄數據，其效果以及速度會與使用低密 度記憶單元差不多。因此本發明提出將較常更新的熱門數據只利用最低有效位記憶頁LSBi 來記錄，藉此加速熱門數據的處理速度。 接著，請參閱圖4，該圖為本發明所揭示的內存儲存裝置的系統架構示意圖。如圖
4所示， 一內存儲存裝置40 (以下簡稱儲存裝置)應用於一數字系統4中，配合執行寫入與
讀取數據。數字系統4中，儲存裝置40耦接於主機47，接受主機47所下達的指令運作。具
體來說，主機47可為一計算機系統，而儲存裝置40則為計算機系統的固態硬碟。 儲存裝置40包括有一非揮發性內存單元41、一控制單元43以及一電源管理單元
45。非揮發性內存單元41是由快閃記憶體(Flash memory)所構成，包括有一高密度記憶單元1，
亦可包括低密度記憶單元(圖中未示)，以形成混合內存儲存裝置。高密度記憶單元1為多
級單元內存(MLC)，具有儲存容量高、抹除耐用次數少與數據存取速率低等特點。 電源管理單元45耦接於一 電源49，用以接收電源49所輸出的電力，並將電力轉換
為控制單元43與非揮發性內存單元41所需電源。 本發明是根據FAT12、 FAT16、 FAT32或NTFS的文件系統所規範的系統架構來管理 儲存裝置40所儲存的文件數據。經由微處理器435固件預先規劃的尋址轉換表將文件數 據在文件系統中的邏輯區塊地址映像到非揮發性內存單元41的實體地址。
控制單元43耦接於主機47與非揮發性內存單元41之間，控制單元43接收主機 47所下達的一指令，所述的指令可為一寫入指令或一讀取指令，寫入指令是將對應一邏輯 區塊地址的數據寫入非揮發性內存單元41中，而讀取指令則是將一邏輯區塊地址的數據 從非揮發性內存單元41中讀取出來。控制單元43包括有一系統接口 431、一熱門數據控管 模塊433、一微處理器435、一數據緩存單元437以及一內存接口 439。系統接口 431系耦接 於主機47，用以接收主機47所下達的指令，與傳輸該指令所對應的數據。熱門數據控管模 塊433耦接於系統接口 431，以識別該指令所指向的數據的性質，來指定該數據配置於適當 的內存地址中。微處理器435耦接於系統接口 431以及熱門數據控管模塊433，用以控制 儲存裝置40中各個單元處理該指令的運作情形，即當微處理器435接收指令後，將指令所 指向的數據傳至熱門數據控管模塊433以判別數據的性質，之後再根據判斷結果對該數據 作適當的處理。數據緩存單元437耦接於系統接口 431，用以暫存主機47傳送到儲存裝置 40的數據，或主機47預備從儲存裝置40讀取的數據。內存接口 439耦接於數據緩存單元 437與非揮發性內存單元41之間，作為控制單元43與非揮發性內存單元41之間的數據傳 輸接口。 接著，請同時參閱圖4以及圖5。圖5為本發明所揭示熱門數據控管模塊的一具體 實施例的系統架構示意圖。如圖5所示，熱門數據控管模塊433耦接於非揮發性內存單元 41，非揮發性內存單元41有一高密度記憶單元1。主機47將所下達的指令的所對應的數據 (以下統稱寫入數據)傳到熱門數據控管模塊433，熱門數據控管模塊433會根據該寫入數
7據的性質來指定該寫入數據配置於高密度記憶單元1中的最低有效位記憶頁或最高有效 位記憶頁以及最低有效位記憶頁。 熱門數據控管模塊433包括有一熱門數據過濾單元4331以及一地址配置單元 4333。熱門數據過濾單元4331接收寫入數據，藉由寫入數據的長度來辨別其數據性質。地 址配置單元4333耦接於熱門數據過濾單元4331及高密度記憶單元l之間，用以根據寫入 數據的性質來將其配置於適當的地址。具體來說，寫入數據的數據長度若比一預設的門限 值小，熱門數據過濾單元4331即判斷該寫入數據為一熱門數據，由地址配置單元4333給定 最低有效位記憶頁LSBi的地址來配置該寫入數據；否則判斷該寫入數據為一冷門數據(非 熱門數據)，依照一般寫入高密度記憶單元1的方式來將寫入數據配置於最高有效位記憶 頁MSBi以及最低有效位記憶頁LSBi。 本發明將寫入數據的長度和一門限值比較來決定該寫入數據的性質。門限值可為 一系統設定值或一使用者設定值，也可由寫入數據的性質來調整其值。例如，由熱門數據過 濾單元4331統計過去N筆寫入數據的地址及長度，接著分析這N筆寫入數據其地址重複性 較高的數據落入哪個數據長度範圍中，假設分析出重複性較高的寫入數據其數據長度系落 入2KB以下，則將門限值設定為2KB。而接下來的寫入數據其長度若低於2KB，則判斷為熱 門數據，反之則判斷為非熱門數據。另外，門限值的設定方法可每接收N筆寫入數據變更新 一次門限值；亦可在接收N筆寫入數據並分析出門限值後，接下來每接收M筆寫入數據就更 新一次門限值(N # M， N， M > 1)，如此通過寫入數據的統計分析可動態調整熱門數據的定 義。若儲存裝置40剛開始運作，尚未產生門限值，可預設一初始門限值於熱門數據過濾單 元4331中或加載前次使用時所記錄的門限值以供判斷初始的幾筆寫入數據的性質。
高密度記憶單元1中，若一儲存數據的實體區塊寫滿後，則由地址配置單元4333 再指定另一已抹除的實體區塊來儲存數據，而後者的實體區塊為前者的實體區塊的子區 塊，且實體區塊間會有連結關係(可於邏輯地址轉換表中管理，也可另外件一連結表來管 理)，以利任一實體區塊找到自己的子區塊地址。請參考圖6，該圖為本發明所揭示的高密
度記憶單元的一具體實施例的數據配置示意圖。如圖6所示，假設熱門數據HD。、 HD工.....
HDn，依HD。、HD"HD工......HDn、HDn的更新順序將數據寫入高密度記憶單元1中，則由地址配
置單元4333給定地址後，由微處理器435控制熱門數據HD。、HD工分別寫入實體區塊PBA。的 最低有效位記憶頁LSB。、 LSB工中，待之後更新的熱門數據HD工欲寫入時，則將其繼續記錄於 最低有效位記憶頁LSB^而最低有效位記憶頁LSB工中的數據則標記為無效的。依照上述方 式寫入熱門數據，熱門數據HDn儲存於實體區塊PBA。的最後一個最低有效位記憶頁LSBn後， 再接收到熱門數據HDn欲更新時，地址配置單元4333會另外再配置一個已抹除的實體區塊 PBA2來記錄之後寫入的熱門數據，因而把熱門數據HDn寫入實體區塊PBA2的最低有效位記 憶頁LSB。中，並把實體區塊PBA。的最低有效位記憶頁LSBn中的數據則標記為無效的。本 實施例中的實體區塊PBA2即為實體區塊PBA。的子區塊，實體區塊PBA2亦可繼續連結更多 的子區塊來記錄數據。 當高密度記憶單元1中能用來記錄數據的已抹除實體區塊的數量小於一默認值， 一具體實施例中，該默認值為冗餘區塊的數量，微處理器435便開始進行回收區塊的程序， 意即將有連結關係的實體區塊(如PBA。、PBA》中的所有的有效數據收集後，儲存於另一已 抹除的實體區塊中，並抹除上述原本有連結關係的實體區塊中的數據，以供其它數據寫入。除了上述方式，系統亦可於任一實體區塊中所記錄的數據皆為無效時，即執行回收區塊程 序，將實體區塊抹除以供其它數據寫入。 最後，請參閱圖7，該圖為本發明所揭示內存儲存裝置的控制方法的一具體實施例 的步驟流程圖。其中相關的系統架構請同時參閱圖4。如圖7所示，所述的控制方法包括有 下列步驟 首先，熱門數據過濾單元4331接收一寫入數據(步驟S701);接著，進行一熱門數 據過濾程序(步驟S703)，判斷寫入數據的數據長度是否小於門限值；若否，則微處理器435 將該寫入數據配置於最高有效位記憶頁MSBi以及最低有效位記憶頁LSBi中(步驟S705); 並依據配置地址來更新寫入數據的邏輯地址與實體地址的對應關係(步驟S707)，之後便 繼續接收下一筆寫入數據； 若步驟S703的判斷為是，則判斷實體區塊是否還有可使用的最低有效位記憶頁 (步驟S711);若是，則微處理器435依據地址配置單元4333給定的地址來控制寫入數據配 置於最低有效位記憶頁LSBi中(步驟S713); 若步驟S711的判斷為否，則表示目前沒有最低有效位記憶頁可供儲存數據，則 判斷已抹除實體區塊的數量是否小於默認值(步驟S715)，以確定是否已達到區塊回收的 條件；若否，地址配置單元4333隨即配置另一個已抹除的實體區塊來將寫入數據寫至新 配置的實體區塊的最低有效位記憶頁中(步驟S717);並更新實體區塊的連結關係(步驟 S719)，即建立原本實體區塊與新的實體區塊的母子關係，隨後再依據配置地址來更新寫入 數據的邏輯地址與實體地址的對應關係； 若步驟S715的判斷為是，表示已經達到回收區塊條件，則將寫入數據以及有連結 關係的實體區塊中的有效數據複製於另一已抹除的實體區塊中(步驟S721)，並依據配置 地址來更新寫入數據的邏輯地址與實體地址的對應關係(步驟S723);最後，抹除原本有鏈 接關係的實體區塊中的數據以供其它數據寫入(步驟S725)，並繼續接收下一筆寫入數據 處理。 藉由以上實例詳述，可知悉本發明的內存儲存裝置及其控制方法，是通過數據長 度的分析以及持續偵測寫入數據的性質來調整門限值以辨識熱門數據，進而將熱門數據記 錄於高密度內存中的最低有效位記憶頁，非熱門數據就依照一般寫入高密度內存的方式配 置於最低有效位記憶頁以及最高有效位記憶頁，藉此充分利用最低有效位記憶頁燒錄數據 類似於低密度內存的特性來做數據的處理，有效提高寫入高密度內存的速度，進而提升內 存裝置的使用效能及壽命。 但是，以上所述，僅為本發明的具體實施例的詳細說明及附圖而已，並非用以限制 本發明，本發明的所有範圍應以權利要求為準，任何本發明的領域內的普通技術人員可輕 易思及的變化或修改皆可涵蓋在本案所界定的專利保護範圍之內。
9
權利要求
一種內存儲存裝置的控制方法，其特徵在於適用於將至少一寫入數據配置在一內存儲存裝置中，該內存儲存裝置具有一高密度記憶單元，該高密度記憶單元中包括多個第一類記憶頁以及多個第二類記憶頁，其中寫入該第二類記憶頁比寫入該第一類記憶頁的時間短，該控制方法包括下列步驟進行一熱門數據過濾程序，將該寫入數據的數據長度與一門限值比較，用以區分該寫入數據的性質；以及根據該寫入數據的性質，將該寫入數據配置於該第二類記憶頁或該第一類記憶頁以及該第二類記憶頁中。
2. 如權利要求1所述的控制方法，其特徵在於若該寫入數據的數據長度比該門限值小，則判斷該寫入數據為一熱門數據，將該寫入數據配置於該第二類記憶頁；否則判斷該寫入數據為一冷門數據，將該寫入數據配置於該第一類記憶頁以及該第二類記憶頁。
3. 如權利要求2所述的控制方法，其特徵在於更包括執行一回收程序。
4. 如權利要求3所述的控制方法，其特徵在於該高密度記憶單元定義連續多個實體區塊，每一該實體區塊具有多個該第一類記憶頁以及該第二類記憶頁。
5. 如權利要求4所述的控制方法，其特徵在於該寫入數據順序性地配置於該第二類記憶頁。
6. 如權利要求4所述的控制方法，其特徵在於若用來配置該寫入數據的該實體區塊寫滿後，則使用另一已抹除的該實體區塊來配置該寫入數據，而後者的該實體區塊為前者的該實體區塊的子區塊，兩者有連結關係。
7. 如權利要求6所述的控制方法，其特徵在於該回收程序包括下列步驟若該實體區塊中所記錄的數據皆為無效，則抹除該實體區塊。
8. 如權利要求7所述的控制方法，其特徵在於更包括以下步驟更新該寫入數據的邏輯地址與實體地址的對應關係；以及更新該等實體區塊的連結關係。
9. 如權利要求6所述的控制方法，其特徵在於該回收程序包括下列步驟判斷已抹除的該實體區塊的數量是否小於一默認值；若上述判斷為是，則將有連結關係的該實體區塊中的有效數據收集後儲存於另一已抹除的該實體區塊中；以及抹除上述有連結關係的該實體區塊中的數據。
10. 如權利要求9所述的控制方法，其特徵在於更包括以下步驟更新該寫入數據的邏輯地址與實體地址的對應關係；以及更新該等實體區塊的連結關係。
11. 如權利要求1所述的控制方法，其特徵在於該第二類記憶頁為最低有效位記憶頁，而該第一類記憶頁為最高有效位記憶頁。
12. —種熱門數據控管模塊，其特徵在於適用於從一高密度記憶單元中存取至少一寫入數據，該高密度記憶單元包括多個第一類記憶頁以及多個第二類記憶頁，該熱門數據控管模塊包括有一熱門數據過濾單元，將該寫入數據的數據長度與一門限值比較，用以辨別該寫入數據的性質；以及一地址配置單元，耦接於該熱門數據過濾單元及該高密度記憶單元之間，用以根據該寫入數據的性質來將其配置於該第二類記憶頁或該第一類記憶頁以及該第二類記憶頁。
13. 如權利要求12所述的熱門數據控管模塊，其特徵在於該門限值由於該寫入數據前接收連續多個存取數據決定，即統計該些存取數據的地址重複性，並平均較常重複地址的該寫存取數據的數據長度來決定該門限值。
14. 如權利要求12所述的熱門數據控管模塊，其特徵在於該寫入數據的數據長度比該門限值小，即判斷該寫入數據為一熱門數據，否則判斷該寫入數據為一冷門數據。
15. 如權利要求12所述的熱門數據控管模塊，其特徵在於該第二類記憶頁為最低有效位記憶頁，而該第一類記憶頁為最高有效位記憶頁。
16. —種內存儲存裝置，其特徵在於適用於配合一主機存取至少一寫入數據，包括有一非揮發性內存單元，包括一由高密度內存所構成的高密度記憶單元，該高密度記憶單元包括多個第一類記憶頁以及多個第二類記憶頁；以及一控制單元，耦接於該主機及該非揮發性內存單元之間，該控制單元根據該寫入數據的性質，將該寫入數據配置於該第二類記憶頁或該第一類記憶頁以及該第二類記憶頁中。
17. 如權利要求16所述的內存儲存裝置，其特徵在於該控制單元包括一系統接口，耦接於該主機，作為該主機及該內存儲存裝置間指令與數據的傳輸接□;一熱門數據過濾單元，將該寫入數據的數據長度與一門限值比較，用以辨別該寫入數據的性質；以及一地址配置單元，耦接於該熱門數據過濾單元及該高密度記憶單元之間，用以根據該寫入數據的性質來將其配置於該第二類記憶頁或該第一類記憶頁以及該第二類記憶頁；以及一微處理器，耦接於該系統接口及該熱門數據過濾單元，將該寫入數據傳送到該熱門數據過濾單元。
18. 如權利要求17所述的內存儲存裝置，其特徵在於該控制單元更包括一數據緩存單元，耦接於該系統接口 ，以暫存該寫入數據；以及一內存接口 ，耦接於該數據緩存單元及該非揮發性內存單元之間，受該微處理器的控制以傳輸該寫入數據。
19. 如權利要求17所述的內存儲存裝置，其特徵在於該門限值由於該寫入數據前接收連續多個存取數據決定，即統計該些存取數據的地址重複性，並平均較常重複地址的該存取數據的數據長度來決定該門限值。
20. 如權利要求17所述的內存儲存裝置，其特徵在於該寫入數據的數據長度比該門限值小，即判斷該寫入數據為一熱門數據，否則判斷該寫入數據為一冷門數據。
21. 如權利要求17所述的內存儲存裝置，其特徵在於該第二類記憶頁為最低有效位記憶頁，而該第一類記憶頁為最高有效位記憶頁。
全文摘要
一種內存儲存裝置及其控制方法、熱門數據控管模塊，此儲存裝置具有一高密度記憶單元，該高密度記憶單元中分成多個最高有效位記憶頁以及多個最低有效位記憶頁。此控制方法的主要特徵是以數據的長度來判斷其性質，隨後依照該數據的性質來決定將數據配置於最低有效位記憶頁或整個高密度內存中。藉由前述技術方案，本發明利用高密度內存的成對記憶頁(Paired Page)的特性，將常更新的數據儲存在燒錄(Program)時間較快的記憶頁中，進而加速燒錄時間，並延長儲存裝置的使用壽命。
文檔編號G06F12/06GK101794253SQ20091000515
公開日2010年8月4日 申請日期2009年2月4日 優先權日2009年2月4日
發明者張立平, 陳明達 申請人:威剛科技股份有限公司