一種晶體材料區熔基磷檢測裝置的製作方法

2023-08-05 19:14:41 3

專利名稱：一種晶體材料區熔基磷檢測裝置的製作方法
技術領域：
一種晶體材料區熔基磷檢測裝置
技術領域：
本實用新型涉及晶體材料雜質磷含量的檢測裝置，尤其是涉及一種晶體材料區熔基磷檢測裝置。
背景技術：
已知的，多晶矽是生產單晶矽的直接原料，也是當代人工智慧、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的基礎材料。多晶矽是一種高純物質，俗稱高純矽。一般金屬矽純度達到五個「9」就算是了不起了，可是對多晶矽來說還遠遠不夠，電子工業所用的多晶矽必須是八個「9」到十個「9」;也就是說，在十億到百億個矽原子中僅有一個雜質原子。由此可知，對多晶矽的純度要求是相當高的。多晶矽產品質量情況是通過區熔拉製成單晶「通稱『磷檢』，所述磷檢就是通過將多晶矽經過區熔拉製成為單晶，並使磷含量均勻分布在單晶內」後，用國標規定的方法測得電阻率，壽命和導電型號。在這過程中，任何的雜質都會影響檢測的準確性，誤導多晶矽的產品質量。在對多晶矽進行磷檢過程中，要求多晶矽在氣體保護環境下進行區熔拉制，故對檢測裝置的密閉性非常高，在目前將多晶矽在氣體保護環境下區熔拉製成單晶進行檢測的設備較為笨重，而且操作起來較為繁瑣，在拉制過程中由於密封、預熱等等因素的影響，往往對晶棒的汙染嚴重，最終達不到預期檢測的目的。

發明內容為了克服背景技術中的不足，本實用新型公開了一種晶體材料區熔基磷檢測裝置，本實用新型所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置通過設置在密閉腔體上下端的上、下部的升降系統的聯動將原料晶棒在具有氣體保護環境狀態下的密閉腔體內將多晶拉製成符合要求的單晶，本實用新型具有結構簡單，易於操作，密封性能好，且能快速開合，實現了效率高，成本低的目的。為了實現所述的發明目的，本實用新型採用如下技術方案一種晶體材料區熔基磷檢測裝置，包括上部升降機構、密閉腔體、下部升降機構、 導軌和機架，所述密閉腔體設置在機架中部，上部升降機構對應密閉腔體且通過上軸聯動密閉腔體內的原料棒，下部升降機構上部通過下軸聯動密閉腔體內的籽晶，所述上部升降機構、密閉腔體和下部升降機構為同心設置，上部升降機構和下部升降機構通過絲槓、導軌做軸向運動，所述密閉腔體通過抽氣口連接管連接真空泵形成所述晶體材料區熔基磷檢測
直ο所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，所述密閉腔體為爐室，在爐室前部設有爐門， 所述爐門的中部設有觀察窗，在爐門一側設有連接爐室的合頁，爐門的另一側通過鎖扣與爐室連接，其中所述爐門的合頁兩側分別設有鎖扣，形成爐門與爐室的密閉機構，所述爐室的一側設有預熱機構，其中預熱機構前端設置的「C」形預熱器設置在爐室的內壁上，其中爐室的爐壁為雙層，內外層之間形成中空冷卻介質通道，在爐室的一側還設有壓力表接口，其中壓力表接口一端固定在爐室內，另一端固定由壓力表，在爐室的後部還設有晶棒加熱器， 所述晶棒加熱器為爐室內或爐室後部兩處移動設置，在晶棒加熱器的前端設置有加熱線圈，在爐室的上端設有上爐脖，上密封盒設置在上爐脖內；在爐室的下部設有下爐脖，下密封盒設置在下爐脖內。所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，所述抽氣口連接管上設置有熱偶計接口，所述熱偶計接口內設置有熱偶計，在爐室的另一側設有進氣口和排氣口，所述進氣口和排氣口與保護氣體系統連接，所述保護氣體系統上設置進氣流量表和排氣閥門。所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，所述上部升降機構包括減速機A、上滑軌、上支撐塊、減速機B、上軸、上軸升降絲槓、連接座B、電機A、連接座C和電機B，所述上支撐塊前端的下部臺階面上固定有減速機B，所述減速機B的動力輸入端通過連接座C與電機B連接，所述電機B的主軸通過聯軸器與減速機B的動力輸入軸連接，在減速機B的動力輸出端設置有動力輸出軸，所述動力輸出軸穿過上支撐塊與動力傳輸輪A連接，在上支撐塊內設置的上絲槓穿入孔內固定有絲母，所述絲母與上軸升降絲槓絲接配合，所述上軸升降絲槓兩端通過軸座固定在機架的上部面上，在上軸升降絲槓一端安裝座的上部設有減速機A，減速機A的動力輸出端與上軸升降絲槓上端連接，所述減速機A的動力輸入端通過接座B與電機A連接，所述電機A的主軸通過聯軸器與減速機A的動力輸入軸連接，上軸通過軸承與上支撐塊內的上軸穿入孔連接，在上軸的上端固定有動力傳輸輪B，所述動力傳輸輪B與動力傳輸輪A連接，上軸的下端設置在密閉腔體內，所述上軸的下部與上爐脖內的上密封盒緊密連接且滑動配合，在上支撐塊的上滑塊安裝面上固定有滑塊，所述滑塊與設置在機架安裝面上的上滑軌滑動配合；所述動力傳輸輪B與動力傳輸輪A通過帶傳動或鏈傳動或齒合傳動。所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，所述上支撐塊的一側安裝有限位開關推板， 所述限位開關推板與安裝在機架或上軸升降絲槓兩端軸座上分別設置的兩限位開關A形成上軸升降的保護機構。所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，所述下部升降機構包括下軸、連接座A、減速機C、下支撐塊、電機C、下軸升降絲槓、下滑軌、減速機D、連接座D和電機D，所述下支撐塊前端的上部臺階面上固定有減速機C，所述減速機C的動力輸入端通過連接座A與電機C連接，所述電機C的主軸通過聯軸器與減速機C的動力輸入軸連接，在減速機C的動力輸出端設置有動力輸出軸，所述動力輸出軸穿過下支撐塊與動力傳輸輪C連接，在下支撐塊內設置的下絲槓穿入孔內固定有絲母，所述絲母與下軸升降絲槓絲接配合，所述下軸升降絲槓兩端通過軸座固定在機架安裝面的下部面，在下軸升降絲槓一端安裝座的上部設有減速機 D，減速機D的動力輸出端與下軸升降絲槓下端連接，所述減速機D的動力輸入端通過連接座D與電機D連接，所述電機D的主軸通過聯軸器與減速機D的動力輸入軸連接，下軸通過軸承與下支撐塊內的下軸穿入孔連接，在下軸的下端固定有動力傳輸輪D，所述動力傳輸輪 D與動力傳輸輪C連接，下軸的上端設置在密閉爐體內，所述下軸的上部與下爐脖內的下密封盒緊密連接且滑動配合，在下支撐塊的下滑塊安裝面上固定有滑塊，所述滑塊與設置在機架安裝面上的下滑軌滑動配合；所述動力傳輸輪D與動力傳輸輪C通過帶傳動或鏈傳動。所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，所述下支撐塊的一側安裝有限位開關推板， 所述限位開關推板與安裝在機架或下軸升降絲槓兩端軸座上分別設置的兩限位開關B形成下軸升降的保護機構。所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，所述抽氣口連接管通過軟管與真空泵連接。所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，在機架的下部設置有底座，所述底座的下部設置有調整塊，在機架的上端設置有至少兩個吊裝環。採用上述技術方案，本實用新型的有益效果是本實用新型所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，實現了密閉爐室的快速抽取密閉及充入保護性氣體，且密封性能好，上、下軸升降系統升降穩定，實現了快慢速升降及上下軸的旋轉，使得最終獲取的單晶晶棒的磷含量非常均勻的分布在晶棒上任一部位，在後續的檢測過程中，獲得更為準確的檢測數據；本實用新型具有結構簡單，易於操作，能快速開合，實現了效率高，成本低的發明目的。

圖1是本實用新型的立體結構示意圖；圖2是本實用新型的上支撐塊結構示意圖；圖3是本實用新型的下支撐塊結構示意圖；在圖中1、吊裝環；2、機架；3、減速機A ；4、上滑軌；5、上支撐塊；6、減速機B ；7、上軸；8、上軸升降絲槓；9、保護氣體系統；10、爐門；11、合頁；12、下爐脖；13、下密封盒；14、 下軸；15、連接座A;16、減速機C;17、下支撐塊；18、連接座B;19、電機A;20、限位開關A; 21、連接座C ;22、電機B ；23、上密封盒；24、上爐脖；25、爐室；26、鎖扣；27、壓力表接口 ；28、 預熱機構；29、熱偶計接口 ；30、抽氣口連接管；31、限位開關B;32、電機C;33、下軸升降絲槓；34、下滑軌；35、減速機D ;36、連接座D ;37、電機D ;38、底座；39、調整塊；40、上滑塊安裝面；41、上絲槓穿入孔；42、上軸穿入孔；43、下滑塊安裝面；44、下絲槓穿入孔；45、下軸穿入孔；46、觀察窗。
具體實施方式參考下面的實施例，可以更詳細解釋本實用新型，但是本實用新型並不限於這些實施例。結合附圖1中所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，包括上部升降機構、密閉腔體、 下部升降機構、導軌和機架，所述密閉腔體設置在機架中部，上部升降機構對應密閉腔體且通過上軸7聯動密閉腔體內的原料棒，下部升降機構上部通過下軸14聯動密閉腔體內的籽晶，所述上部升降機構、密閉腔體和下部升降機構為同心設置，上部升降機構和下部升降機構通過絲槓、導軌做軸向運動，所述密閉腔體通過抽氣口連接管30連接真空泵，所述抽氣口連接管30通過軟管與真空泵連接；所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，所述抽氣口連接管30上設置有熱偶計接口 29，所述熱偶計接口四內設置有熱偶計，在爐室25的另一側設有進氣口和排氣口，所述進氣口和排氣口與保護氣體系統9連接，所述保護氣體系統9上設置進氣流量表和排氣閥門，所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，在機架2的下部設置有底座38，所述底座38的下部設置有調整塊39，在機架2的上端設置有至少兩個吊裝環1形成所述晶體材料區熔基磷檢測裝置。所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，所述密閉腔體為爐室25，在爐室25前部設有爐門10，所述爐門10的中部設有觀察窗46，在爐門10 —側設有連接爐室25的合頁11，爐門10的另一側通過鎖扣沈與爐室25連接，其中所述爐門10的合頁11兩側分別設有鎖扣 26，形成爐門10與爐室25的密閉機構，所述爐室25的一側設有預熱機構觀，其中預熱機構觀前端設置的「C」形預熱器設置在爐室25的內壁上，其中爐室25的爐壁為雙層，內外層之間形成中空冷卻介質通道，在爐室25的一側還設有壓力表接口 27，其中壓力表接口 27 一端固定在爐室25內，另一端固定由壓力表，在爐室25的後部還設有晶棒加熱器，所述晶棒加熱器為爐室25內或爐室25後部兩處移動設置，在晶棒加熱器的前端設置有加熱線圈， 在爐室25的上端設有上爐脖M，上密封盒23設置在上爐脖M內；在爐室25的下部設有下爐脖12，下密封盒13設置在下爐脖12內。結合附圖1和2所述上部升降機構包括減速機A3、上滑軌4、上支撐塊5、減速機 B6、上軸7、上軸升降絲槓8、連接座B18、電機A19、連接座C21和電機B22，所述上支撐塊5 前端的下部臺階面上固定有減速機B6，所述減速機B6的動力輸入端通過連接座C21與電機 B22連接，所述電機B22的主軸通過聯軸器與減速機B6的動力輸入軸連接，在減速機B6的動力輸出端設置有動力輸出軸，所述動力輸出軸穿過上支撐塊5與動力傳輸輪A連接，在上支撐塊5內設置的上絲槓穿入孔41內固定有絲母，所述絲母與上軸升降絲槓8絲接配合， 所述上軸升降絲槓8兩端通過軸座固定在機架2的上部面上，在上軸升降絲槓8 一端安裝座的上部設有減速機A3，減速機A3的動力輸出端與上軸升降絲槓8上端連接，所述減速機 A3的動力輸入端通過接座B18與電機A19連接，所述電機A19的主軸通過聯軸器與減速機 A3的動力輸入軸連接，上軸7通過軸承與上支撐塊5內的上軸穿入孔42連接，在上軸7的上端固定有動力傳輸輪B，所述動力傳輸輪B與動力傳輸輪A連接，上軸7的下端設置在密閉腔體內，所述上軸7的下部與上爐脖M內的上密封盒23緊密連接且滑動配合，在上支撐塊5的上滑塊安裝面40上固定有滑塊，所述滑塊與設置在機架2安裝面上的上滑軌4滑動配合；所述動力傳輸輪B與動力傳輸輪A通過帶傳動或鏈傳動或齒合傳動；所述上支撐塊5 的一側安裝有限位開關推板，所述限位開關推板與安裝在機架20或上軸升降絲槓8兩端軸座上分別設置的兩限位開關A20形成上軸7升降的保護機構。結合附圖1和3所述下部升降機構包括下軸14、連接座A15、減速機C16、下支撐塊17、電機C32、下軸升降絲槓33、下滑軌34、減速機D35、連接座D36和電機D37，所述下支撐塊17前端的上部臺階面上固定有減速機C16，所述減速機C16的動力輸入端通過連接座 A15與電機C32連接，所述電機C32的主軸通過聯軸器與減速機C16的動力輸入軸連接，在減速機C16的動力輸出端設置有動力輸出軸，所述動力輸出軸穿過下支撐塊17與動力傳輸輪C連接，在下支撐塊17內設置的下絲槓穿入孔44內固定有絲母，所述絲母與下軸升降絲槓33絲接配合，所述下軸升降絲槓33兩端通過軸座固定在機架2安裝面的下部面，在下軸升降絲槓33 —端安裝座的上部設有減速機D35，減速機D35的動力輸出端與下軸升降絲槓 33下端連接，所述減速機D35的動力輸入端通過連接座D36與電機D37連接，所述電機D37 的主軸通過聯軸器與減速機D35的動力輸入軸連接，下軸14通過軸承與下支撐塊17內的下軸穿入孔45連接，在下軸14的下端固定有動力傳輸輪D，所述動力傳輸輪D與動力傳輸輪C連接，下軸14的上端設置在密閉爐體內，所述下軸14的上部與下爐脖12內的下密封盒13緊密連接且滑動配合，在下支撐塊17的下滑塊安裝面43上固定有滑塊，所述滑塊與設置在機架2安裝面上的下滑軌34滑動配合；所述動力傳輸輪D與動力傳輸輪C通過帶傳動或鏈傳動；所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，所述下支撐塊17的一側安裝有限位開關推板，所述限位開關推板與安裝在機架20或下軸升降絲槓33兩端軸座上的兩限位開關B31 形成下軸14升降的保護機構。實施本實用新型所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，首先準備好直徑Φ15 20mmX 150mm的原料晶棒，並將原料晶棒固定在位於爐室25內部上軸7的下端，其中原料晶棒越接近設置在晶棒加熱器前端的加熱線圈越好，但不能接觸加熱線圈，然後在位於爐室25內部下軸14的上端固定有籽晶固定座，在籽晶固定座上固定有籽晶，調整設置在爐室 25後部預熱機構上固定的「C」形預熱器，使「C」形預熱器與原料晶棒靠近但不接觸，關閉爐門10，使爐室25與爐門10形成一個密閉的腔體，通過真空泵對密閉腔體進行抽真空，並通過設置在熱偶計接口四內的熱偶計檢測真空度抽取狀態，當真空度< 3pa時，停止對密閉腔體抽真空，然後通過保護氣體系統9往密閉腔體內充入保護性氣體，通過設置在爐室 25 一側的壓力表監控保護性氣體的充入狀態，當保護性氣體充滿腔體後，開啟排氣閥門，調節保護性氣體進氣量，使保護性氣體在密閉腔體內循環，啟動高頻裝置「所述高頻裝置是指通過三相整流將三相交流電變成高壓直流電，然後通過電子管逆變裝置將高壓直流電轉換成高頻交電流，轉換後的高頻交流電通過感應加熱線圈產生高頻交變磁場，高頻交變磁場與原料晶棒產生高頻渦流，通過產生的高頻渦流對原料棒進行加熱，這便是高頻裝置的工作過程和所起的作用」，通過晶棒加熱器前端設置的加熱線圈對原料晶棒進行加熱，同時為了使原料晶棒快速融化，通過「C」形預熱器實現對原料晶棒進行輔助預熱，當原料晶棒融化形成熔區後，由下部升降機構帶動下軸14慢速上升，直至將籽晶穿過加熱線圈內孔並接觸原料晶棒熔區，待籽晶與原料晶棒熔區熔為一體後，由下部升降機構帶動下軸14勻速下降，同時上部升降系統帶動上軸7隨之勻速下降，通過拉制所形成新的柱形晶棒便是成品晶棒，當拉制完成後，關閉高頻裝置停止加熱，並關閉進氣和排氣閥門，使爐內溫度冷卻到常溫後，開啟爐門10，取出晶棒，便完成了對晶棒的加工與檢測過程，最終獲取的晶棒是由多晶體變成了單晶體，同時使晶棒中的磷含量均勻分布在晶棒上任一部位，在後續的檢測過程中，獲得更為準確的檢測數據。以上內容中未細述部份為現有技術，故未做細述。為了公開本實用新型的目的而在本文中選用的實施例，當前認為是適宜的，但是應了解的是，本實用新型旨在包括一切屬於本構思和本實用新型範圍內的實施例的所有變換和改進。
權利要求1.一種晶體材料區熔基磷檢測裝置，包括上部升降機構、密閉腔體、下部升降機構、導軌和機架，其特徵是所述密閉腔體設置在機架中部，上部升降機構對應密閉腔體且通過上軸(7)聯動密閉腔體內的原料棒，下部升降機構上部通過下軸(14)聯動密閉腔體內的籽晶，所述上部升降機構、密閉腔體和下部升降機構為同心設置，上部升降機構和下部升降機構通過絲槓、導軌做軸向運動，所述密閉腔體通過抽氣口連接管(30)連接真空泵形成所述晶體材料區熔基磷檢測裝置。
2.根據權利要求1所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，其特徵是所述密閉腔體為爐室(25)，在爐室05)前部設有爐門(10)，所述爐門(10)的中部設有觀察窗(46)，在爐門 (10) 一側設有連接爐室(25)的合頁(11)，爐門(10)的另一側通過鎖扣(26)與爐室(25) 連接，其中所述爐門(10)的合頁(11)兩側分別設有鎖扣( )，形成爐門(10)與爐室(25) 的密閉機構，所述爐室05)的一側設有預熱機構(觀)，其中預熱機構08)前端設置的「C」 形預熱器設置在爐室05)的內壁上，其中爐室05)的爐壁為雙層，內外層之間形成中空冷卻介質通道，在爐室0 的一側還設有壓力表接口(27)，其中壓力表接口 (XT) 一端固定在爐室0 內，另一端固定由壓力表，在爐室0 的後部還設有晶棒加熱器，所述晶棒加熱器為爐室0 內或爐室0 後部兩處移動設置，在晶棒加熱器的前端設置有加熱線圈，在爐室05)的上端設有上爐脖(M)，上密封盒03)設置在上爐脖04)內；在爐室05)的下部設有下爐脖(12)，下密封盒(13)設置在下爐脖(12)內。
3.根據權利要求1所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，其特徵是所述抽氣口連接管 (30)上設置有熱偶計接口( )，所述熱偶計接口 09)內設置有熱偶計，在爐室05)的另一側設有進氣口和排氣口，所述進氣口和排氣口與保護氣體系統(9)連接，所述保護氣體系統(9)上設置進氣流量表和排氣閥門。
4.根據權利要求1所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，其特徵是所述上部升降機構包括減速機A(3)、上滑軌0)、上支撐塊(5)、減速機B(6)、上軸(7)、上軸升降絲槓(8)、連接座B(18)、電機A(19)、連接座C(21)和電機B(22)，所述上支撐塊(5)前端的下部臺階面上固定有減速機B(6)，所述減速機B(6)的動力輸入端通過連接座以21)與電機W22)連接，所述電機^2 的主軸通過聯軸器與減速機B(6)的動力輸入軸連接，在減速機B(6)的動力輸出端設置有動力輸出軸，所述動力輸出軸穿過上支撐塊( 與動力傳輸輪A連接，在上支撐塊(5)內設置的上絲槓穿入孔Gl)內固定有絲母，所述絲母與上軸升降絲槓(8)絲接配合，所述上軸升降絲槓(8)兩端通過軸座固定在機架( 的上部面上，在上軸升降絲槓 (8) 一端安裝座的上部設有減速機A(3)，減速機A(3)的動力輸出端與上軸升降絲槓(8)上端連接，所述減速機AC3)的動力輸入端通過接座B(18)與電機A(19)連接，所述電機A(19) 的主軸通過聯軸器與減速機A ( 的動力輸入軸連接，上軸(7)通過軸承與上支撐塊(5)內的上軸穿入孔0 連接，在上軸(7)的上端固定有動力傳輸輪B，所述動力傳輸輪B與動力傳輸輪A連接，上軸(7)的下端設置在密閉腔體內，所述上軸(7)的下部與上爐脖04)內的上密封盒緊密連接且滑動配合，在上支撐塊(5)的上滑塊安裝面GO)上固定有滑塊，所述滑塊與設置在機架( 安裝面上的上滑軌(4)滑動配合；所述動力傳輸輪B與動力傳輸輪A通過帶傳動或鏈傳動或齒合傳動。
5.根據權利要求4所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，其特徵是所述上支撐塊(5) 的一側安裝有限位開關推板，所述限位開關推板與安裝在機架OO)或上軸升降絲槓(8)兩端軸座上分別設置的兩限位開關AQO)形成上軸(7)升降的保護機構。
6.根據權利要求1所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，其特徵是所述下部升降機構包括下軸(14)、連接座A(15)、減速機C(16)、下支撐塊(17)、電機C(32)、下軸升降絲槓 (33)、下滑軌(34)、減速機D(35)、連接座D(36)和電機D(37)，所述下支撐塊(17)前端的上部臺階面上固定有減速機C(16)，所述減速機C(16)的動力輸入端通過連接座A(M)與電機C(3》連接，所述電機C(3》的主軸通過聯軸器與減速機C(16)的動力輸入軸連接，在減速機C(16)的動力輸出端設置有動力輸出軸，所述動力輸出軸穿過下支撐塊(17)與動力傳輸輪C連接，在下支撐塊(17)內設置的下絲槓穿入孔G4)內固定有絲母，所述絲母與下軸升降絲槓(3 絲接配合，所述下軸升降絲槓(3 兩端通過軸座固定在機架( 安裝面的下部面，在下軸升降絲槓(33) —端安裝座的上部設有減速機D (35)，減速機D (3 的動力輸出端與下軸升降絲槓(3 下端連接，所述減速機D (3 的動力輸入端通過連接座D (36) 與電機D(37)連接，所述電機D(37)的主軸通過聯軸器與減速機D(3 的動力輸入軸連接， 下軸(14)通過軸承與下支撐塊(17)內的下軸穿入孔0 連接，在下軸(14)的下端固定有動力傳輸輪D，所述動力傳輸輪D與動力傳輸輪C連接，下軸(14)的上端設置在密閉爐體內，所述下軸(14)的上部與下爐脖(1 內的下密封盒(1 緊密連接且滑動配合，在下支撐塊(17)的下滑塊安裝面上固定有滑塊，所述滑塊與設置在機架( 安裝面上的下滑軌(34)滑動配合；所述動力傳輸輪D與動力傳輸輪C通過帶傳動或鏈傳動。
7.根據權利要求6所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，其特徵是所述下支撐塊(17) 的一側安裝有限位開關推板，所述限位開關推板與安裝在機架00)或下軸升降絲槓(33) 兩端軸座上分別設置的兩限位開關B(31)形成下軸(14)升降的保護機構。
8.根據權利要求1所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，其特徵是所述抽氣口連接管 (30)通過軟管與真空泵連接。
9.根據權利要求1所述的晶體材料區熔基磷檢測裝置，其特徵是在機架O)的下部設置有底座(38)，所述底座(38)的下部設置有調整塊(39)，在機架( 的上端設置有至少兩個吊裝環(1)。
專利摘要一種晶體材料區熔基磷檢測裝置，涉及晶體材料雜質磷含量的檢測裝置，所述密閉腔體設置在機架中部，上部升降機構對應密閉腔體且通過上軸(7)聯動密閉腔體內的原料棒，下部升降機構上部通過下軸(14)聯動密閉腔體內的籽晶，所述上部升降機構、密閉腔體和下部升降機構為同心設置，上部升降機構和下部升降機構通過絲槓、導軌做軸向運動，所述密閉腔體通過抽氣口連接管(30)連接真空泵；本實用新型通過設置在密閉腔體上下端的上、下部的升降系統的聯動將原料晶棒在具有氣體保護環境狀態下的密閉腔體內將多晶拉製成符合要求的單晶，本實用新型具有結構簡單，易於操作，密封性能好，且能快速開合，實現了效率高，成本低的目的。
文檔編號C30B15/20GK202208777SQ20112031560
公開日2012年5月2日 申請日期2011年8月17日 優先權日2011年8月17日
發明者劉朝軒 申請人:洛陽金諾機械工程有限公司