膜形成裝置、膜形成方法和要用於它們的掩模單元的製作方法
2023-07-20 19:13:11
專利名稱：膜形成裝置、膜形成方法和要用於它們的掩模單元的製作方法
技術領域：
本發明涉及膜形成裝置、使用膜形成裝置的膜形成方法、和要用在膜形成裝置和膜形成方法中的掩模單元。
背景技術：
通過排列多個有機電致發光(EL)發光元件形成的平面型顯示裝置(有機EL顯示器)現在正在引起人們的注意，其中每個有機EL發光元件被選擇性地控制以發出預定波長的光。有機EL顯示器一般通過使用真空薄膜形成技術來形成。注意，當製造有機EL顯示器時，必須在諸如透明玻璃之類的基板上以矩陣在縱向和橫向排列多個有機EL發光元件。因此，當製造有機EL顯示器時，在預定區域中形成具有特定發射顏色的有機EL元件時執行精細圖案化是必要的。具體地，例如當製造用於彩色圖像顯示器的有機EL顯示器時，必須形成與紅(R)、綠(G)和藍(B)的相應的顏色分量對應的圖案化的膜，從而在確定的區域中選擇性地形成相應的顏色的有機EL發光元件。但是，隨著基板和掩模的尺寸的增大，掩模精度以及掩模和基板之間的定位的對準精度趨向於降低。此外，在真空薄膜形成技術的氣相沉積膜形成中，隨著基板和掩模的尺寸的增大，由於氣相沉積源的溫度，基板和掩模的變形趨向於增加。近年來，已經做出各種提議來解決上述問題。日本專利申請公開N0.2003-217850提出了一種利用掩模在基板的整個表面上形成薄膜的方法，其中至少兩個單位掩模被固定到具有開口部分的框架。注意，在日本專利申請公開N0.2003-217850中公開的單位掩模在其縱向上包括至少一個單位掩模圖案部分(一個掩模開口部分)。但是，在日本專利申請公開N0.2003-217850中提出的方法中，在將各個單位掩模固定到框架時的定位精度取決於基板的整個表面上的圖案排列精度。因此，隨著單位掩模的數目變大，從整體基板看，更經常地不能獲得必須的掩模精度，這已經成為一個問題。
發明內容
做出本發明以解決上述問題，並且本發明具有提供用於製造具有高解析度和高產量的諸如有機EL發光裝置之類的裝置的膜形成裝置的目的。根據本發明的一個示範性實施例，提供一種膜形成裝置，包括:多個掩模單元保持部分，用於分別支持多個掩模單元；多個對準機構，根據所述多個掩模單元保持部分設置；和氣相沉積源，其中通過所述多個對準機構將所述多個掩模單元相對於一個基板一個一個地對準和布置。可替換地，根據本發明的另一個示範性實施例，提供一種在基板上形成圖案化的膜的膜形成方法，所述膜形成方法包括:準備多個掩模單元，每個掩模單元包括開口圖案單元；相對於所述基板一個一個地對準所述多個掩模單元；以及經由所述多個掩模單元的開口圖案單元在基板上共同地形成膜。此外，根據本發明的另一個示範性實施例，提供一種用在上述膜形成裝置和膜形成方法中的掩模單元，所述掩模單元包括:掩模構件，包括開口部分，在所述開口部分中相互並行地布置多個開口圖案單元；和框架，用於固定所述掩模構件，其中所述框架包括:兩個掩模構件固定部分，每個掩模構件固定部分包括用於固定所述掩模構件的表面；和支持部分，在與固定所述掩模構件的一側相對的一側被固定到所述兩個掩模構件固定部分的每一個的表面，所述支持部分支持所述兩個掩模構件固定部分。根據本發明，可以提供用於製造具有高解析度和高產量的諸如有機EL發光裝置之類的裝置的膜形成裝置。本發明的進一步的特徵通過參考附圖對示範性實施例的以下描述將變得清楚。
圖1A和圖1B分別是根據本發明的第一實施例的膜形成裝置的側視圖透視圖。圖2A、2B和2C是示出了用在圖1A和IB的膜形成裝置中的掩模單元的特定示例的示意性截面圖。圖3A和3B是示出了掩模單元相對於基板的布置模式的特定示例的平面圖，其中圖3A是布置模式的整體圖以及圖3B是圖3A的X區域的放大圖。圖4是示出了根據本發明的第二實施例的膜形成裝置的示例的透視圖。圖5是示出了掩模單元相對於基板的布置模式的另一個特定示例的平面圖。
具體實施例方式現在根據附圖詳細描述本發明的優選實施例。本發明的膜形成裝置包括多個掩模單元保持部分和多個對準機構。在本發明的膜形成裝置中，掩模單元保持部分是保持掩模單元的構件，掩模單元包括掩模構件和用於固定掩模構件的框架。此外，在本發明的膜形成裝置中，根據掩模單元保持部分提供對準機構，即對於一個掩模單元提供一個對準機構。如上所述，在本發明的膜形成裝置中，可以對於每個掩模單元進行對準。因此，與日本專利申請公開N0.2003-217850的傳統技術相比，可以在高度準確的狀態中形成成形為期望圖案的薄膜。 用在本發明中的上述掩模構件包括開口部分，在該開口部分中，彼此並行地布置多個開口圖案單元。一個開口圖案單元對應於要製造的一個顯示區域所需的膜形成圖案。在至少一行中在掩模構件中布置多個開口圖案單元，並且與開口部分的行垂直的掩模構件的兩側被固定到掩模框架。此外，與開口部分的行平行的掩模構件的兩側不被固定到掩模框架。在本發明中，形成開口部分並且並行布置在一定方向的開口圖案單元的行的數目沒有特別限制，只要行的數目小於在要經受膜形成的一個基板中形成的膜形成區域(即，顯示區域)的行的數目(在基板的長邊方向上布置的顯示區域的數目)即可。從增加精細度的觀點，開口圖案單元的行的數目優選地儘可能小。最優選地，開口圖案單元的行的數目是一。此外，在掩模構件中提供的開口圖案單元的數目對應於膜形成區域(即，顯示區域)的列的數目(在基板的短邊方向上布置的顯示區域的數目)。因此，掩模構件的長邊的長度對應於要利用掩模單元經受膜形成的基板的短邊的長度。
在本發明的膜形成裝置中，由上述對準機構將多個掩模單元相對於其中以矩陣設置多個顯示區域的一個基板一個一個地對準和布置。此外，本發明的膜形成裝置是用於在膜形成期間共同形成薄膜而不替換或移動掩模單元的裝置。本發明的膜形成裝置具有上述配置，由此與使用利用掩模的傳統的真空膜形成方法，具體地氣相沉積方法的情況相比，可以更高精度地在大尺寸的基板上形成圖案化的膜。注意，包括在本發明的掩模單元中的框架包括至少兩個掩模構件固定部分和支持部分，每個掩模構件固定部分具有用於固定掩模構件的表面，支持部分在與固定掩模構件的一側相對的一側被固定到相應的掩模構件固定部分的表面，並且支持那些掩模構件固定部分。支持部分優選地設置在距掩模構件一定距離處，以使得在膜形成期間基板可以被布置在支持部分和掩模構件之間。利用這樣的框架配置，掩模構件可以僅僅在兩側處由框架支持，由此可以布置多個掩模單元以使得沒有被固定到框架的掩模構件的一側彼此接近。在這種情況下，可以更精細地排列掩模單元同時防止框架與相鄰的掩模單元的框架幹擾。在下面，將視情況參考附圖描述本發明的實施例。注意，為了容易地理解說明書，在下面的描述中參考的附圖可以以不同於實際情況的尺度示出構件的整體或一部分。此夕卜，以下描述僅僅是本發明的示範性實施例，並且本發明不局限於下面描述的實施例。圖1A是示出了根據本發明的第一實施例的膜形成裝置的示意性圖，並且示出了在膜形成期間的狀態。圖1B是從圖1A所示的箭頭X的角度來看的膜形成狀態中的透視圖。圖1A的膜形成裝置23是用於在基板I的膜形成表面上以期望圖案形成的薄膜的裝置，並且包括用於相對於要經受膜形成的基板對準多個掩模單元的每一個的對準機構22、用於支持多個掩模單兀的每一個的掩模單兀支持部分21和氣相沉積源20。在圖1A中，提供與其中布置氣相沉積源20的膜形成室24不同的對準室25，並且對準機構22布置在其中。但是，可以省略對準室25並且可以在膜形成室24中布置對準機構22。對準機構22可以具有通常使用的配置，並且包括照相機、用於在XY 0方向上移動掩模單元的致動器和用於基板或掩模單元的升降機構。適當地用在圖1B的膜形成裝置中的掩模單元10是包括掩模構件11和用於固定掩模構件11的框架12的構件。注意，在下面的圖中，與圖1A和IB中的附圖標記相同的附圖標記表示與圖1A和IB中的構件相同的構件。包括在掩模單元10中的掩模構件11是由帶狀金屬薄膜形成的構件，並且包括其中互相併行布置多個開口圖案單元13a的開口部分13。注意，其中提供開口圖案單元13a的區域對應於以矩陣在基板I上提供的膜形成區域2當中的在特定行中排列的膜形成區域。可以根據形成開口部分13的方法視情況選擇掩模構件11的構成材料。形成開口部分13的方法的示例包括使用電形成的處理方法。利用此處理方法，可以提高開口部分13的處理精度。在通過電形成來形成開口部分13的情況下，掩模構件11由諸如Cr和Ni之類的金屬材料製成。可替換地，可以利用蝕刻處理形成開口部分13。當通過蝕刻來形成開口部分13時，掩模構件11可以由諸如殷鋼(invar)和超殷鋼(super invar)之類的具有小的熱膨脹係數的金屬製成。優選地使用具有小的熱膨脹係數的金屬，因為可以防止掩模構件由於在膜形成期間接收的熱而膨脹。但是，形成開口部分13的方法不局限於那些方法。此外，包括在掩模單元10中的框架12包括與掩模構件11結合的兩個掩模構件固定部分14和支持掩模構件固定部分14的兩個支持部分15。在圖1B的掩模單元10中，掩模構件固定部分14 一個一個地與帶狀掩模構件11的兩個短邊邊緣部分結合。此外，掩模構件固定部分14的每一個由兩個支持部分15固定。在這種情況下，由於兩個支持部分15，圖1B所示的框架12具有作為框架的剛性。順便提及，如圖1B所示，在膜形成期間的狀態中，形成掩模單元10的掩模構件11位於氣相沉積源20和基板I之間。另一方面，形成掩模單元10的框架12的支持部分15位於相對於基板I與氣相沉積源20相對的一側。為了提高掩模單元10的膜形成精度，在某種程度上框架12的剛性是必須的。另一方面，本發明的膜形成裝置使用多個掩模單元10，並且對於在一個基板I上以矩陣提供的膜形成區域2執行共同的膜形成。因此，與掩模單元10的數目對應的多個框架12是必需的。因此，形成掩模單元10的框架12優選地具有不影響薄膜形成的配置。例如，如圖1A所示，當在跨過基板I與氣相沉積源20相對的一側提供框架12的支持部分15時，框架12不防礙膜形成，因此此配置是優選的。注意，形成框架12的掩模構件固定部分14的寬度沒有特別限制，只要相鄰的兩個掩模單元不相互幹擾即可。優選的是，該寬度小於掩模構件11的短邊，因為可以使得掩模單元10之間的設置間隔變窄。圖2A到2C是示出了掩模單元的特定示例的示意性截面圖。形成掩模單元10並且與掩模構件11結合的掩模構件固定部分14的截面形狀的示例包括圖2A所示的I截面型結構以及圖2B和2C所示的L截面型結構。注意，掩模構件固定部分14的截面形狀沒有特別限制，只要掩模構件11可以由掩模構件固定部分14固定即可。在掩模構件固定部分14的截面形狀是圖2A所示的I截面型結構的情況下，掩模構件11與相應的掩模構件固定部分14的下表面結合。另一方面，在掩模構件固定部分14的截面形狀是圖2B和2C所示的L截面型結構的情況下，掩模構件11與圖2B所示的相應的掩模構件固定部分14的屋簷(eave)部分或圖2C所示的相應的掩模構件固定部分14的下表面結合。將掩模構件11固定到圖2A到2C中的掩模構件固定部分14的通常使用的方法是點焊，但是不限於此。此外，當固定強度是必須的時，例如如圖2C所示,雙重板(doublingplate) 16可以在點焊之後被從掩模構件11側安裝到掩模構件固定部分14並且通過螺釘17固定。包括掩模構件固定部分14和支持部分15的框架12可以由諸如SUS和鋁之類的金屬材料製成。當使用具有小的熱膨脹係數的金屬時，熱穩定性提高並且高度準確的圖案化變為可能，這是優選的。例如，可以使用殷鋼和超殷鋼。注意，如圖2A到2C所示，當在跨過基板I與氣相沉積源20相對的一側提供框架12時，可以更精細地排列掩模單元，這是優選的。順便提及，在圖1A和IB的膜形成裝置中，對於一個基板I使用兩個掩模單元10，但是要用在本發明的膜形成裝置中的掩模單元10的數目不限於此。注意，特別優選的模式是在基板上形成具有期望圖案的薄膜的情況，在該基板中，利用掩模單元提供m行和n列的顯示區域(膜形成區域)，每個掩模單元包括掩模構件，在掩模構件中，在一行中並行布置多個開口圖案單元。掩模單元通過顯示區域的行的數目(m)被布置。注意，在這種情況下，包括在掩模構件中的開口圖案單元的數目是n，其對應於顯示區域的列的數目。
本發明的膜形成裝置對於一個掩模單元包括一個對準機構。因此，在膜形成期間使用的多個掩模單元可以相對於基板被獨立地對準。如上所述，本發明的膜形成裝置可以獨立地對準每個掩模單元，因此可以在高度準確的狀態下形成成形為期望圖案的薄膜。在這種情況下，當對準掩模單元時，必須防止要使用的掩模單元相互幹擾。注意，這裡使用的短語「防止幹擾」意思是相鄰的掩模單元不相互接觸。
圖3A和3B是示出了掩模單元相對於基板的布置模式的特定示例的平面圖。圖3A是布置模式的整體圖，圖3B是圖3A的X區域的放大圖。注意，圖3A和3B中布置的掩模單元與圖1A和IB所示的掩模單元相同。
通過對準機構(未示出)將多個準備的掩模單元10均布置在例如如圖3A所示的行方向上。在這種情況下，當布置掩模單元10時，操作對準機構以用於位置對準，以使得例如掩模構件11的對準標記18和基板I的對準標記(未示出)相互匹配。注意，在掩模構件11和框架12相互結合的區域中，例如在圖1A和IB所示的帶狀掩模構件11的長邊方向上的兩個端部分的每一個處或在距這兩個端部分的每一個一定距離的位置處提供掩模構件11的對準標記18。
此外，當布置掩模單元10時，優選的是適當地設置Cl1和d2，其中Cl1表示在列方向(與其上沒有固定框架的掩模構件的側面垂直的方向)上在基板I上相互接近地提供的膜形成區域2之間的間隔的一半，並且d2表不在列方向上的開口部分13的端部分和掩模構件11的端部分之間的距離。具體地，Cl1 ^ d2是優選的。利用此，可以防止分別包括在相鄰的掩模單元10中的掩模構件11相互幹擾。
此外，當如圖3A所示布置掩模單元10時，在一個基板I上彼此接觸地布置多個掩模單元10。因此，可以對於形成在基板I上的多個顯示區域共同地執行膜形成。
作為形成的方法，在設置掩模單元10之後，採用例如氣相沉積方法將薄膜成形為基板I上的期望圖案 。為了通過採用氣相沉積方法形成薄膜，考慮膜厚度均勻性、材料使用效率和生產率提出各種特定方法。具體地，例如，如圖1B所示，本發明可以包括雙點氣相沉積源(氣相沉積源20)來採用其中氣相沉積源被移動的並行曝光(shot)系統，但不限於此。利用此，可以形成具有均勻厚度的薄膜。
圖4是示出了根據本發明的另一個實施例的適合地用在膜形成裝置中的掩模單元的示例的透視圖。圖4的掩模單元IOa不同於圖1B所示的掩模單元10之處在於掩模構件11和框架12之間的布置關係。具體地，掩模構件11被固定在具有開口部分的框架12上，以使得掩模構件11的短邊邊緣部分與框架12結合。此外在圖4的掩模單元IOa中，與圖1A和IB的膜形成裝置類似，基板I位於掩模構件11上用於膜形成。因此，形成包括在圖4的膜形成裝置中的掩模單元的框架12相對於基板I被布置在與氣相沉積源相同的一側。
在這種情況下，如圖5所示，多個掩模單元IOa被包括在圖4的膜形成裝置中，並且被排列在一個基板1上。當排列掩模單元IOa時，執行位置對準以使得在掩模構件11的預定位置處提供的對準標記18和在基板I的預定位置處提供的對準標記(未示出)彼此匹配。如圖5所示，例如在距其中掩模構件11和框架12彼此結合的區域一定距離的位置處提供掩模構件11的對準標記18。例如，在圖5所示的帶狀掩模構件11的縱向上的兩個端部分的每一個處或在距這兩個端部分的每一個一定距離的位置處提供掩模構件11的對準標記18。
在掩模單元IOa的配置的情況下，當相對於基板布置多個掩模單元時，存在框架12在相鄰的掩模單元之間彼此幹擾的可能性。因此，需要使得在基板上提供的顯示區域之間的距離大於掩模單元10的情況。但是，在多個掩模單元相對於一個基板一個一個地對準的狀態下執行膜形成，因此可以利用高度準確的圖案執行膜形成。
注意，圖5所示的模式僅僅是一個特定的示例，並且本發明不局限於此模式。
在下文中，通過示例描述本發明。注意，本發明不局限於這些示例。
(示例I)
( I)基板
首先，在具有第四代玻璃基板的大小的1/4的大小的玻璃基板中，形成包括TFT的電路，從而製造TFT基板(基板I )。注意，在製造的電路基板中，在垂直方向上的4彳丁和水平方向上的6列中布置326ppi的3.5英寸面板的顯示區域，以總共獲得24個顯示區域，並且向顯示區域的每一個提供用於驅動顯示區域的一個電路集合。
(2)形成有機EL元件的步驟
接著，在這樣製備的TFT基板(基板I)上，通過下面描述的方法形成紅、綠和藍(RGB)三個顏色的有機EL元件。
首先，利用具有開口的氣相沉積掩模形成作為所有有機EL元件共用的層的空穴傳輸層(HTL)，每個開口的尺寸對應於一個顯示區域。
接著，利用圖4所示的膜形成裝置形成R發射層(R-EML)。注意，在此示例中，如圖5所示,使用四個掩模單元IOa,每個掩模單元IOa包括掩模構件11,掩模構件11包括在一行中並行排列和布置的六個開口圖案單元，並且掩模單元的每個對準標記與基板I的每個對準標記重疊。利用此，設置四個掩模單元IOa以便在顯示區域2的列方向上對準。此時，每個掩模單元IOa的縫隙開口(開口部分13)平行於矩形發射區域的短邊。此外，在用在此示例中的掩模單元IOa中，作為掩模構件11，使用具有40 μ m的厚度和良好的熱穩定性的殷鋼薄板。此外，在用在此示例中的掩模單元IOa中，框架12具有等於或小於膜形成區域的長邊間距的橫向長度，以使得在對準和膜形成期間掩模單元IOa彼此不幹擾。利用此，當排列掩模單元IOa時，相鄰的掩模單元IOa不相互重疊。此外，在相鄰的掩模單元之間存在具有一定寬度的空隙，因此甚至當不必要的膜(材料)附著於基板I時，也在對於每個顯示區域2切割基板I時連同基板一起去掉該不必要的膜(材料)。
如上所述設置掩模單元10a，並且在四個掩模單元IOa上放置TFT基板(基板I)之後，通過共同的氣相沉積形成R發射層。
接著，使用每個在用於G發射層(G-EML)的形成區域中包括開口部分的掩模單元，從而通過類似於形成R發射層的情況的方法形成G發射層。接著，使用每個在用於B發射層(B-EML)的形成區域中包括開口部分的掩模單元，從而通過類似於形成R發射層的情況的方法形成B發射層。
在形成三種類型的發射層(R發射層、G發射層和B發射層)之後，作為所有有機EL元件共用的層的電子傳輸層(ETL)和電子注入層以所述順序形成。接著，通過濺射膜形成方法形成由銦鋅氧化物製成的膜，從而形成變為陰極的薄膜。
最後，利用CVD膜形成方法，形成由SiN膜形成的密封膜。然後，對於每個顯示區域切割基板I以獲得有機發光裝置。
注意，在此示例中，可以執行膜形成同時將材料的使用量減少到在傳統的步驟中執行的氣相沉積中的使用量的一半。
(示例2)
( I)基板
首先，在具有第四代玻璃基板的大小的1/4的大小的玻璃基板中，形成包括TFT的電路，從而製造TFT基板(基板I )。注意，在製造的TFT基板中，在垂直方向上的5行和水平方向上的6列中布置326ppi的3.5英寸面板的顯示區域，以總共獲得30個顯示區域，並且向顯示區域的每一個提供用於驅動顯示區域的一個電路集合。
(2)形成有機EL元件的步驟
接著，在這樣製備的TFT基板(基板I)上，通過下面描述的方法形成紅、綠和藍(RGB)三個顏色的有機EL元件。
首先，利用具有開口的氣相沉積掩模形成作為所有有機EL元件共用的層的空穴傳輸層(HTL)，每個開口的尺寸對應於一個顯示區域。
接著，利用圖1A和IB所示的膜形成裝置形成R發射層(R-EML)。注意，在此示例中，如圖3A和3B所不,使用五個掩模單兀10,每個掩模單兀IOa包括掩模構件11,掩模構件11包括在一行中並行排列和布置的六個開口圖案單元，並且掩模單元的每個對準標記與基板I的每個對準標記重疊。利用此，設置五個掩模單元10以便在顯示區域2的列方向上對準。此時，每個掩模單元10的縫隙開口(開口部分13)平行於矩形發射區域的短邊。此外，在用在此示例中的掩模單元10中，作為掩模構件11，使用具有40 μ m的厚度和良好的熱穩定性的殷鋼薄板。掩模構件11被固定到在跨過基板I與氣相沉積源20相對的一側提供的框架12。更具體地，掩模構件11被固定以與形成框架12的掩模構件固定部分14結合。在此示例中，框架12具有等於或小於膜形成區域的長邊間距的橫向長度，以使得在對準和膜形成期間掩模單元10彼此不幹擾。利用此，當排列掩模單元10時，相鄰的掩模單元10不相互重疊。
如上所述設置掩模單元10，並且在五個掩模單元10上放置TFT基板(基板I)之後，通過共同的氣相沉積形成R發射層。
接著，使用每個在用於G發射層(G-EML)的形成區域中包括開口部分的掩模單元，從而通過類似於形成R發射層的情況的方法形成G發射層。接著，使用每個在用於B發射層(B-EML)的形成區域中包括開口部分的掩模單元，從而通過類似於形成R發射層的情況的方法形成B發射層。
在形成三種類型的發射層(R發射層、G發射層和B發射層)之後，作為所有有機EL元件共用的層的電子傳輸層(ETL)和電子注入層以所述順序形成。接著，通過濺射膜形成方法形成由銦鋅氧化物製成的膜，從而形成變為陰極的薄膜。
最後，利用CVD膜形成方法，形成由SiN膜形成的密封膜。然後，對於每個顯示區域切割基板I以獲得有機發光裝置。
注意，在示例I中採取二十四(4X6)個顯示區域，而在此示例中採取三十(5X6)個顯示區域，因為通過使單元靠近和最小化切割裕度消除了裕度。結果，可以實現顯示區域的數目增加到1.25倍。結果，與示例I相比，生產效率增加了 25%。
雖然已經參考示範性實施例描述了本發明，但是應當理解，本發明不局限於公開的示範性實施例。以下權利要求書的範圍與最寬的解釋一致以便涵蓋所有這樣的修改、等效結構和功能。
權利要求
1.一種膜形成裝置，包括: 多個掩模單元保持部分，用於分別支持多個掩模單元； 多個對準機構，根據所述多個掩模單元保持部分被設置；和 氣相沉積源， 其中通過所述多個對準機構將所述多個掩模單元相對於一個基板一個一個地對準和布置。
2.根據權利要求1所述的膜形成裝置，還包括膜形成室和對準室， 其中所述氣相沉積源被設置在所述膜形成室中，並且 其中所述多個對準機構設置在所述對準室中。
3.—種用在根據權利要求1所述的膜形成裝置中的掩模單元，所述掩模單元包括: 掩模構件，包括開口部分，在所述開口部分中相互並行地布置多個開口圖案單元；和 框架，用於固定所述掩模構件， 其中所述框架包括: 兩個掩模構件固定部分，每個掩模構件固定部分包括用於固定所述掩模構件的表面；和 支持部分，其在與固定所述掩模構件的一側相對的一側被固定到所述兩個掩模構件固定部分的每一個的表面，所述支持部分支持所述兩個掩模構件固定部分。
4.根據權利要求3所述的掩模單元，其中所述掩模構件包括在行中提供的多個開口圖案單元。
5.根據權利要求3所述的掩模單元，其中所述掩模構件具有與要利用所述掩模單元經受膜形成的基板的短邊長度對應的長邊長度。
6.根據權利要求3所述的掩模單兀,其中所述掩模構件包括位於所述掩模構件的長邊方向上的兩個端部分之一處或位於距所述兩個端部分一定距離的位置處的對準標記。
7.一種在基板上形成圖案化的膜的膜形成方法，所述膜形成方法包括: 製備多個掩模單元，每個掩模單元包括開口圖案單元； 將所述多個掩模單兀相對於所述基板一個一個地對準；以及 經由所述多個掩模單元的開口圖案單元在所述基板上共同地形成膜。
8.根據權利要求7所述的膜形成方法，其中所述膜形成方法使用根據權利要求1所述的膜形成裝置和根據權利要求3所述的掩模單元。
9.根據權利要求8所述的膜形成方法，其中所述對準包括:在所述掩模構件和支持部分之間布置所述基板。
10.一種製造有機電致發光顯示裝置的方法，所述方法包括: 製備包括電路的基板；以及 在所述基板上形成發射層， 其中所述形成發射層通過根據權利要求7所述的膜形成方法執行。
11.根據權利要求10所述的製造有機電致發光顯示裝置的方法，其中所述形成發射層利用根據權利要求1所述的膜形成裝置執行。
12.根據權利要求10所述的製造有機電致發光顯示裝置的方法，其中所述形成發射層利用根據權利要求3所述的掩模單元執行。
全文摘要
本發明公開了膜形成裝置、使用膜形成裝置的膜形成方法、和要用在膜形成裝置和膜形成方法中的掩模單元。所述膜形成裝置用於製造具有高解析度和高產量的諸如有機電致發光裝置之類的裝置。所述膜形成裝置包括多個掩模單元保持部分，用於分別支持多個掩模單元；多個對準機構，根據所述多個掩模單元保持部分被設置；和氣相沉積源，其中通過所述多個對準機構將所述多個掩模單元相對於一個基板一個一個地對準和布置，然後執行膜形成。
文檔編號H01L51/56GK103137901SQ20121048659
公開日2013年6月5日 申請日期2012年11月26日 優先權日2011年11月29日
發明者石川信行 申請人:佳能株式會社