對膜的附著力增強的基板的製作方法
2023-07-20 05:32:41
專利名稱：對膜的附著力增強的基板的製作方法
技術領域：
本發明涉及層間附著力提高的印刷電路板的製造，特別涉及具有優良熱性能的和用於製造高密度電路的不粘性軟印刷電路板。
背景技術：
印刷電路板應用範圍廣泛，例如，在無線電設備、電視機、電話機、汽車儀錶板和計算機內部都能找到印刷電路板。印刷電路板在航空電子系統和導航系統中也起到重要作用。由於聚醯亞胺具有優異的柔軟性和良好的電特性，所以聚醯亞胺用於製造電路板。更具體地說，將導電金屬箔層附著到聚醯亞胺膜的表面上以提供能在其上形成導體圖形的表面是眾所周知的。在這些情況下，本行業公認的是，金屬箔在聚醯亞胺膜上的任何移動都可能對包括該電路板的設備的性能造成潛在的危害。為了避免出現這種問題，必須使導電金屬層牢固地粘接到聚合物基板上，以防止金屬層在聚醯亞胺膜上移動。
在本行業的技術人員通過各種努力來提高印刷電路板製造中金屬箔附著到聚合物基板上的附著力，並保持良好的耐熱性和低製造成本。美國專利U.S.-4382101提出了一個解決該問題的方案，其中，用等離子體蝕刻基板，然後在基板的蝕刻表面上蒸發澱積金屬。該方法要求金屬直接澱積在蝕刻表面上，因此該方法費用極其昂貴。美國專利U.S.-4615763提出了一種方法，通過選擇蝕刻包含樹脂材料和無機顆粒材料的基板的樹脂材料部分，以提高光敏材料附著到基板上的附著力。美國專利U.S.-4639285提出了一種方法，用低溫等離子體處理基板表面後，金屬箔經中間的矽基粘接層附著到合成樹脂基板的表面。所用的低溫等離子體是具有例如氧的無機氣體的有機矽化合物。美國專利U.S.-4755424提出了用含分散的無機粉的聚醯亞胺製造的聚醯亞胺膜，從膜的表面突出的無機粉顆粒使膜粗化。然後用輝光放電處理聚醯亞胺膜表面，以改變膜的表面化學性質。美國專利U.S.-4863808提出用蒸發澱積鉻層、蒸發澱積銅層來塗覆聚醯亞胺膜然後電鍍銅層。美國專利U.S.-5861192提出溼式化學法，用機械噴射研磨來提高聚醯亞胺膜表面的粘接力。
本發明提出了對這些現有技術的改進方案。提出了一種印刷電路板的形成方法，其中，將聚合物膜塗覆到蝕刻後的聚合物基板的至少一個表面上，隨後將金屬箔層壓到塗覆膜上。基板表面既可以用化學蝕刻也可以用等離子體蝕刻，可以包含與聚合物膜材料相同的材料也可以包含與聚合物膜材料不同的材料，結果製成具有高耐熱性和優良電絕緣性的電路板。
發明內容
本發明提供一種形成印刷電路板複合材料的方法，包括a)蝕刻聚合物平基板的兩個相對的表面中的至少一個表面；b)將聚合物膜附著到聚合物基板的一個或兩個蝕刻後的表面上；和c)將金屬箔層壓和附著到聚合物膜上。
本發明還提供一種形成印刷電路板的方法，包括a)蝕刻聚合物平基板的兩個相對的表面中的至少一個表面；b)將聚合物膜附著到聚合物基板的一個或兩個蝕刻後的表面上；c)將金屬箔層壓和附著到聚合物膜上；d)將金屬箔上澱積光刻膠；e)光刻膠曝光和顯影，以露出下面的金屬箔部分；和f)除去下面的露出的金屬箔部分。
包含附加的多層聚合物膜和多層金屬箔層而形成多層印刷電路板也是本發明的範圍。這裡包括對這些實施方案的說明。
具體實施例方式
與現有技術比較，本發明提供提高了層間粘接力、熱穩定性增強、和具有優良電絕緣特性的印刷電路板。
本發明方法中的第一步驟是用適當的蝕刻劑蝕刻合適的基板的兩個相對表面中的至少一個表面，形成第一蝕刻後的表面。典型的基板是那些適合於加工成印刷電路板或其他微電子裝置的基板。用於本發明的優基板是聚合物基板，聚合物材料非排斥性地包括聚酯、聚醯亞胺、液晶聚合物和用例如玻璃纖維增強的聚合物、芳族聚醯胺(Kevlar)、芳族聚醯胺紙(Thermount)、聚苯並噁唑紙及其組合物等材料。這些材料中聚醯亞胺基板是最優選的材料。合適的材料還有半導體材料，例如，砷化鎵(GaAs)，矽和包含例如結晶矽、多晶矽、非晶矽、外延矽，二氧化矽(SiO2)及其混合物的含矽組合物。基板的優選厚度範圍是5-200μm，更優選的厚度範圍是5-50μm。
適當的蝕刻劑是能選擇性地除去基板表面的多個部分的那些蝕刻劑。本發明優選的蝕刻劑非排斥性地包括等離子體蝕刻劑和濃的含水蝕刻溶液。優選含水鹼性溶液，非排斥性地包含元素周期表中I族或II族元素的氫氧化物，例如，氫氧化鈉和氫氧化鉀。也可以用氫氧化銨。含水蝕刻劑的適用濃度隨著要蝕刻的基板的化學組分而變化。蝕刻劑的典型的濃度範圍是蝕刻劑材料重量的約5-20％，優選的濃度範圍是約10-20％。例如，一種適用的含水蝕刻劑是氫氧化鉀的濃度為約8-12％的氫氧化鉀溶液。另一種合適的蝕刻劑是氫氧化鈉的濃度是約8-16wt％的氫氧化鈉溶液。
可以用適合蝕刻聚合物基板的任何等離子體蝕刻技術。該等離子體蝕刻劑是高帶電氣體，它用正負帶電物質轟擊膜表面，引起表面上的雜質降解並脫離膜表面。這些等離子體蝕刻劑包括含滷素的等離子體蝕刻材料和含氧的等離子體材料。優選的等離子體蝕刻劑是氧(O2)和四氟甲烷(CF4)的混合氣體。優選的等離子體蝕刻劑包括氧等離子體和四氟甲烷等離子體的混合物，其中，四氟甲烷的含量至少是3％，更優選的四氟甲烷的含量是3-20％，還優選的四氟甲烷的含量是7-20％，四氟甲烷的最小含量對於防止基板的過蝕刻很重要。
本發明方法的蝕刻步驟是通過聚合物膜與水基蝕刻劑或等離子體蝕刻劑接觸來完成的。要蝕刻的基板的面積與蝕刻劑材料接觸進行蝕刻。在足以從基板的至少一個表面除去至少約0.45μm的條件下進行等離子體蝕刻。該方法規程是本行業公知的。本發明的另一實施例中，要蝕刻基板的兩個表面，使得要加到本發明的印刷電路板襯底上的多層附加層具有對基板優良的粘接性。
用水基蝕刻劑時，蝕刻步驟的持續時間也取決於基板的化學組分，蝕刻步驟的持續時間範圍通常在約10秒到約4分鐘。例如，用KOH蝕刻劑時，蝕刻聚醯亞胺基板所用的時間是約20秒到約3分鐘。蝕刻溶液的溫度最好保持在約40℃到約65℃。已經發現希望用稀無機酸中和表面形成可溶解鹽，隨後用去離子水衝洗清洗表面。而且，通過改變膜保留時間可以改變蝕刻速率。
進行等離子體蝕刻時，正如本行業公知的可以在等離子體蝕刻室內進行等離子體蝕刻。
在聚合物基板的一個或兩個蝕刻面上施用聚合物膜作為下一步驟。最好用液體塗覆、蒸發或氣相澱積等方法在膜上澱積聚合物膜，以控制聚合物的厚度和使聚合物的厚度均勻，優選的聚合物材料包括聚醯亞胺類，聚酯類，含聚酯的共聚物，多芳基醚，液晶聚合物，聚苯醚類，胺類及其混合物。這些材料中聚醯亞胺類是最優選的。按本發明的另一實施方案，聚合物膜和聚合物基板包含相同的聚合物。
由於聚醯亞胺類具有高電強度，良好的絕緣特性，高軟化點，和對許多化學物質有惰性，因此，聚合物膜優選聚醯亞胺類。優選玻璃化溫度(Tg)為約160℃到320℃的聚醯亞胺類，更優選玻璃化溫度(Tg)為約190℃到270℃的聚醯亞胺類。聚合物膜的厚度範圍優選約2-100μm，更優選的厚度範圍是約5-50μm。
通過在基板上塗覆合適的溶液和乾燥，將聚合物膜加到聚合物基板上。溶液可以包含聚合物前體、前體和聚合物的混合物、或僅僅是聚合物和有機溶劑。每種溶液最好只用一種溶劑。合適的溶劑包括丙酮，甲基-乙基酮，N-甲基吡咯烷酮及其混合物。最優選的單一溶劑是N-甲基吡咯烷酮。聚合物和溶劑形成的溶液的典型粘度範圍是約5000-35000釐泊，優選的粘度範圍是15000-27000釐泊。溶液中的聚合物含量範圍是約10-60wt％，更優選的15-30wt％，一種或多種溶劑佔溶液的其餘部分。施用後，揮發掉溶劑，在基板上留下聚合物膜。或者，在加熱和加壓條件下將聚合物薄片層壓在基板上。按另一實施方案，可將聚合物材料的熔融塊擠壓在基板上。
聚合物膜也任選包含填充材料。優選的填充材料非排斥性地包括陶瓷、氮化硼、二氧化矽、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鍶鋇、石英、玻璃珠(微型球)、氧化鋁、非陶瓷填料及其混合物。如果包含填料，那麼，優選填料的含量是膜的重量的約5-80％，更優選的填料含量是膜的重量的約10-50wt％。
然後，其上已形成聚合物膜的基板表面上層壓金屬箔。用熱壓層壓、真空液壓、非真空液壓或熱碾壓層壓等方法進行層壓。也可以用ADARATM加壓法進行層壓，包括使電流通過金屬箔對金屬箔充分加熱以軟化聚合物膜，並將聚合物膜附著到基板上。用真空加壓時，最好在約275℃的最低溫度保持約5-30分鐘來進行層壓。優選在至少28英寸汞柱的真空度和保持在約150psi的壓力條件下加壓。
用於本發明的印刷電路板襯底的優選金屬箔包括銅、鋅、黃銅、鉻、鎳、鋁、不鏽鋼、鐵、金、銀、鈦、及其組合物和合金。最優選的金屬箔包括銅。正如本行業公知的，銅箔最好是用從溶液中將銅電解澱積至旋轉的金屬轉筒上而製成。金屬箔的厚度的優選範圍是約3-200μm，更優選的厚度範圍是約5-50μm。或者用熟銅箔。但是，能有效限制了碾壓方法使生成的箔厚度不薄於18μm。
任選用例如微蝕刻、對光邊進行電解處理形成粗化的銅澱積、和/或對粗糙邊進行電解處理以在表面內還表面上澱積金屬或合金的微結核，由此對金屬箔的一面或兩面進行適當粗化。這些微結核最好是銅或銅合金，其增強對聚合物膜的粘接力。用例如可以從Mahr Feinpruef Corporation of Cincinnati，Ohio購買的M4P型或S5P型Perthometer的顯微光波幹涉儀測試金屬箔的表面微型結構，按照2115Sander Road，Northbrook，Illinois 60062的互連和封裝電路協會的工業標準IPC-TM-650中的2.2.17章進行峰和谷的表面顆粒結構的外形測試。進行表面處理，以產生具有產生粗糙特徵值的峰和谷的表面結構，其中，平均粗糙度(Ra)範圍是約1-10μm，峰到谷的平均高度(Rz)範圍是約2-10μm。
最好對箔的光邊進行任選的粗化，以產生具有產生粗糙特徵值的峰和谷的表面結構，其中，平均粗糙度(Ra)範圍是約1-4μm，優選平均粗糙度(Ra)範圍是約2-4μm，最優選平均粗糙度(Ra)範圍是約3-4μm。峰到谷的平均高度(Rz)範圍是約2-4.5μm，優選峰到谷的平均高度(Rz)範圍是約2.5-4.5μm，最優選峰到谷的平均高度(Rz)範圍是約3-4.5μm。
最好對箔的粗邊進行任選的粗化，以產生具有峰和谷的表面結構，產生粗糙特徵值，其中，平均粗糙度(Ra)範圍是約4-10μm，優選平均粗糙度(Ra)範圍是約4.5-8μm，最優選平均粗糙度(Ra)範圍是約5-7.5μm。峰到谷的平均高度(Rz)範圍是約4-10μm，優選峰到谷的平均高度(Rz)範圍是約4-9μm，最優選峰到谷的平均高度(Rz)範圍是約4-7.5μm。
在箔的光邊上任選澱積銅，優選產生厚度範圍為約2-4.5μm的銅澱積，產生2μm或更大的平均粗糙度值Ra。在粗邊上任選澱積結核，優選產生約4-7.5μm的平均粗糙度Ra。金屬或合金的微結核尺寸是約0.5μm。根據需要也可以澱積其他金屬，例如，鋅、銦、錫、鈷、黃銅、青銅等作為微結核。美國專利U.S.5679230對該方法進行了更充分的描述。
按本發明的優選實施方案，光面具有的最小剝離強度為約0.7kg/線性cm，優選約0.7-1.6kg/線性cm，更優選約0.9-1.6kg/線性cm。粗表面具有的最小剝離強度為約0.9kg/線性cm，優選約0.9-2kg/線性cm，更優選約1.1-2kg/線性cm。按照工業標準IPC-TM-650 2.4.8章修訂版C測試剝離強度。
按本發明的另一實施方案，金屬箔層壓到聚合物膜上之前，可以在金屬箔的任何一邊上任選電解澱積薄金屬層。金屬箔層壓到聚合物膜上之後，可以用塗覆、濺射、蒸發在與聚合物膜相對的箔表面上任選澱積薄金屬層，或者將薄金屬層層壓到箔層上。任選的薄金屬層最好是薄膜，並包含選擇自例如，鎳、錫、鈀、鉑、鉻、鈦、鉬或它們的合金的材料。最優選的薄金屬層含鎳或錫。優選薄金屬層的厚度範圍是約0.01-10μm，更優選薄金屬層的厚度範圍是約0.2-3μm。
所製成的層壓板的剝離強度根據聚合物層的厚度和基板表面的移除量而有大的變化。例如，為了獲得具有至少4lbs/英寸的足夠的剝離強度的層壓板，必須從基板表面去除至少0.45μm。
金屬箔層壓在塗覆過的基板上後，下一個步驟是，選擇性地蝕刻掉金屬箔或金屬箔和任選的薄金屬層的多個部分，在箔或箔和任選的薄金屬層中形成具有電路線和間隔的蝕刻圖形。用光刻膠組合物由公知的光刻技術形成該蝕刻圖形。首先，將光刻膠澱積到金屬箔或任選的薄金屬層上。光刻膠組合物可以是市場上出售的正的或負的光刻膠組合物。合適的正光刻膠組合物是本行業公知的，可以包含鄰醌二疊氮化物輻射敏化劑。鄰醌二疊氮化物輻射敏化劑包括美國專利U.S-2797213；3106465；3148983；3130047；3201329；3785825；和3802885中公開的鄰醌-4-二疊氮化物或鄰醌-5-二疊氮化物。當用鄰醌二疊氮化物時，優選的粘合樹脂包括水不溶解的粘合樹脂、含水鹼溶解的粘合樹脂、或可溶脹的粘合樹脂，優選酚醛清漆。適當的正光介電樹脂可以從市場上買到。例如，由Clariant Corporation of Somerville，New Jersey供應的商標名為AZ-P4620的樹脂，以及Shipley I-線性光刻膠。負光刻膠也是市場上廣泛出售的。
光刻膠通過掩模在例如可見光、紫外線或紅外線光譜區內的光化射線中進行圖像曝光，或者，用電子束、離子束或中子束掃描，或X-射線輻射進行圖像曝光。光化射線可以是不相干光形式，也可以是相干光形式，例如來自雷射器的光。然後光刻膠用例如含水鹼溶液的適當溶劑進行圖像顯影，由此，顯露出下面的金屬箔或任選的薄金屬層部分。
隨後，用例如酸或鹼蝕刻的公知蝕刻技術除去下面顯露出的金屬箔或金屬箔和任選的薄金屬層部分，而不除去留在光刻膠下面的部分。適當的蝕刻劑非排斥地包括酸性溶液，例如，氯化銅(優選用於蝕刻鎳)或硝酸(優選用於蝕刻錫)。也優選氯化鐵或過氧化硫(過氧化氫與硫酸)。適當的蝕刻劑還非限制地包括鹼溶液，例如，氯化銨/氫氧化銨。
如果包括任選的薄金屬層，則該步驟將顯露出薄金屬層蝕刻掉的部分下面的金屬箔的多個部分除去。然後，該構圖後的薄金屬層用作蝕刻金屬箔的高質量的蝕刻掩模。薄金屬層蝕刻後，下一步驟是蝕刻除去金屬箔的顯露出的多個部分，而不除去任選的薄金屬層的沒有除去的部分下面的金屬箔的多個部分，顯露出蝕刻後的金屬箔下面的聚合物膜的多個部分。
如果不包括任選的薄金屬層，則直接蝕刻金屬箔，顯露出金屬箔被蝕刻掉的部分下面的聚合物膜的多個部分。然後衝洗並乾燥層壓板。製成具有優良清晰度和均勻性，良好的耐熱性和優良的層間粘接力的印刷電路板。
通過金屬箔蝕刻出電路線和間隔之後，可以用適當的溶劑剝離或用公知的拋光技術拋光，以任選地除去殘留的光刻膠。光刻膠可以在任選的薄金屬層蝕刻後除去，但在金屬箔蝕刻之前除去。
按本發明的另一優選實施方案，可以在基板的反面重複上述的方法。本實施方案中，用上述的技術蝕刻基板的相對表面，將聚合物膜材料層塗覆或層壓到每個蝕刻過的表面，金屬箔層層壓到每個聚合物膜上。然後每個金屬箔層構圖和用上述的方法蝕刻，包括使用任選的薄金屬層。
以下非限制性實施例用於描述本發明。
實施例1用氧氣(O2)和四氟甲烷(CF4)的高帶電的等離子體蝕刻混合氣體(其中，CF4的含量是7％)等離子體處理聚醯亞胺膜基板。等離子體蝕刻劑用正和負帶電物質轟擊膜表面使膜表面上的雜質降解並脫離膜表面。該蝕刻步驟從表面除去該膜大約0.7μm的材料。隨後，蝕刻後的表面塗覆聚醯亞胺的連續層，獲得厚度為8μm的膜層。然後，在至少是28英寸汞柱高的真空度，保持在約150psi的壓力下，在約275℃的溫度的真空壓力保持30分鐘，將塗覆後的基板和銅箔層層壓在一起。製成剝離強度為約4lbs/英寸的層壓板。
實施例2在與實施例1相似的條件下，用由氧氣(O2)和四氟甲烷(CF4)的混合氣體(其中，CF4的含量是7％)構成的蝕刻劑等離子體處理聚醯亞胺基板。但是，蝕刻步驟從膜表面除去大約0.475μm的材料。像實施例1一樣，用聚醯亞胺膜塗覆蝕刻後的表面並將塗覆後的基板和銅箔層壓在一起後，製成剝離強度為約4.5lbs/英寸的層壓板。
實施例3(對比例)重複實施例1，只是蝕刻劑中只含3％的CF4，而且不限制蝕刻步驟只從膜表面除去大約0.7μm的材料，蝕刻步驟可以持續15分鐘。製成剝離強度降低的過蝕刻的層壓板，經過15分鐘後的層壓板的剝離強度只有約0.5lbs/英寸。
實施例4重複實施例1，但是，蝕刻過的基板不僅塗覆8μm的聚醯亞胺層，還施用了12μm的聚醯亞胺層。這樣製成的層壓板具有的剝離強度是約7lbs/寸。
實施例5重複實施例1，但是，蝕刻過的基板不僅塗覆8μm的聚醯亞胺層，還施用了30μm的聚醯亞胺層。這樣製成的層壓板具有的剝離強度是約9lbs/寸。
實施例6在與實施例1相似的條件下蝕刻25μm的聚醯亞胺基板的兩面。每個蝕刻過的表面塗覆12μm的聚醯亞胺層，然後在與實施例1相似的條件下在基板的相對面上的每個聚醯亞胺層上層壓銅箔，製成具有約50μm的聚醯亞胺介電層和剝離強度超過7lbs/英寸的層壓板。
實施例7將25μm的聚醯亞胺基板通過溫度為47℃含12重量％的NaOH的水溶液，然後用5％的硫酸溶液中和，最後用去離子水衝洗，進行化學蝕刻。隨後，在與實施例1相似的條件下，基板塗覆5μm的聚醯亞胺。然後將9μm的銅箔層壓到塗覆後的基板上，製成具有剝離強度是6lbs/英寸的層壓板。
實施例8(對比例)將沒有蝕刻的25μm的聚醯亞胺基板塗覆5μm的聚醯亞胺。在與實施例1相似的條件下，將9μm的銅箔層壓到塗覆後的基板。製成剝離強度只有約0.5lbs/英寸的層壓板。
雖然以上已經參見優選實施方案具體描述了本發明，但本行業的技術人員將容易發現，在不脫離本發明的精神和範圍的前提下本發明還會有各種變化和改進，所述權利要求書界定的本發明的範圍包括公開的實施方案，和上述的各種變化及其全部的等同方案。
權利要求
1.印刷電路板複合材料的製造方法，包括以下步驟a)蝕刻聚合物平基板的兩個相對的表面中的至少一個表面；b)將聚合物膜附著到聚合物基板的一個或兩個蝕刻後的表面上；和c)將金屬箔層壓和附著到聚合物膜上。
2.按權利要求1的方法，包括將聚合物膜附著到基板的一個蝕刻過的表面上。
3.按權利要求1的方法，其中，通過層壓將聚合物膜附著到基板的一個蝕刻過的表面上。
4.按權利要求1的方法，其中，通過塗覆將聚合物膜附著到基板的一個蝕刻過的表面上。
5.按權利要求1的方法，其中，蝕刻基板的兩個相對的表面。
6.按權利要求1的方法，包括將聚合物膜附著到基板的兩個相對的蝕刻過的表面上，和將金屬箔層壓和附著到兩個聚合物膜上。
7.按權利要求6的方法，其中，通過層壓將每個聚合物膜附著到基板的兩個相對的蝕刻過的表面上。
8.按權利要求6的方法，其中，通過塗覆將每個聚合物膜附著到基板的兩個相對的蝕刻過的表面上。
9.按權利要求1的方法，其中，聚合物膜和聚合物基板包含相同的聚合物。
10.按權利要求1的方法，其中，基板包含聚酯。
11.按權利要求1的方法，其中，基板包含聚醯亞胺。
12.按權利要求1的方法，其中，聚合物膜包含聚酯。
13.按權利要求1的方法，其中，聚合物膜包含聚醯亞胺
14.按權利要求1的方法，其中，金屬箔包含選擇自銅、鋅、黃銅、鉻、鎳、鋁、不鏽鋼、鐵、金、銀、鈦、及其組合物和合金的材料。
15.按權利要求1的方法，其中，金屬箔包含銅。
16.按權利要求1的方法，其中，聚合物膜的厚度範圍是約3-50μm。
17.按權利要求1的方法，其中，金屬箔的厚度範圍是約3-200μm。
18.按權利要求1的方法，其中，用含水鹼溶液進行蝕刻步驟a)。
19.按權利要求1的方法，其中，用含元素周期表的I族和II族元素的氫氧化物的水溶液進行蝕刻步驟a)。
20.按權利要求1的方法，其中，用含NaON或KOH的含水鹼溶液進行蝕刻步驟a)。
21.按權利要求1的方法，其中，用等離子體蝕刻劑進行蝕刻步驟a)。
22.按權利要求1的方法，其中，用包含氧氣(O2)和四氟甲烷(CF4)的混合氣體的等離子體蝕刻劑進行蝕刻步驟a)。
23.按權利要求22的方法，其中，等離子體蝕刻劑至少含約3％的四氟甲烷。
24.按權利要求22的方法，其中，等離子體蝕刻劑含約7％以上的四氟甲烷。
25.按權利要求1的方法，其中，進行蝕刻步驟a)以除去基板表面的至少約0.45μm。
26.按權利要求1的方法，其中，層壓方法包括熱壓層壓；真空液壓；非真空液壓；熱碾壓層壓；或者使電流通過金屬箔對金屬箔加熱到足以軟化聚合物膜的溫度，將聚合物膜附著到基板上。
27.印刷電路板的製造方法，包括以下步驟a)蝕刻聚合物平基板的兩個相對的表面中的至少一個表面；b)將聚合物膜附著到聚合物基板的一個或兩個蝕刻後的表面上；c)將金屬箔層壓和附著到聚合物膜上；d)將光刻膠澱積到金屬箔上；e)光刻膠曝光和顯影，由此顯露出下面的金屬箔部分；和f)除去下面顯露出的金屬箔部分。
28.按權利要求27的方法，還包括在步驟d)之前粗化與聚合物膜相反的金屬箔的表面。
29.按權利要求28的方法，其中，金屬箔粗化後的表面的平均粗糙度的範圍是約1-10μm。
30.按權利要求28的方法，其中，金屬箔粗化後的表面包括在粗糙後的表面上的或表面中的金屬或合金的微結核。
31.按權利要求28的方法，其中，金屬箔的粗化後的表面是用微蝕刻進行粗化的。
32.按權利要求27的方法，還包括在步驟f)後除去殘留的光刻膠的步驟。
33.按權利要求27的方法，其中，用酸蝕刻除去金屬箔的顯露部分。
34.按權利要求27的方法，其中，用鹼蝕刻除去金屬箔的露出部分。
全文摘要
本發明涉及層間附著力提高的印刷電路板的製造，特別涉及具有優良熱性能的和用於製造高密度電路的無粘附性軟印刷電路板。金屬箔被層壓到其上有聚合物膜的聚醯亞胺基板的蝕刻過的表面上。蝕刻基板表面使純聚醯亞胺膜與基板有強的粘接力。
文檔編號B32B15/08GK1505918SQ02809198
公開日2004年6月16日 申請日期2002年4月11日 優先權日2001年5月1日
發明者E·C·斯科魯普斯基, J·T·格雷, J·A·安德雷薩基斯, W·赫裡克, E C 斯科魯普斯基, 安德雷薩基斯, 格雷, 錕 申請人:奧克-三井有限公司